【課題】コンタクト露光のマスクとワークの位置合せにおいて、位置合わせを何度繰り返しても位置ずれが解消せず、アライメントが収束しないというエラーの発生を防ぐこと。
【解決手段】マスクＭとワークＷを接触させて、マスク・アライメントマークＭＡＭとワーク・アライメントマークＷＡＭの位置を検出し第１のアライメント量を求める。ついで、マスクＭとワークＷを離間し、第１のアライメント量に基づいてマスクＭとワークＷの位置合わせを行い、マスクＭとワークＷを接触させて、マスクマークＭＡＭとワークマークＷＡＭの位置を検出し第２のアライメント量を求める。第１、第２のアライメント量が、あらかじめ設定した範囲内で一致する場合は、第２のアライメント量をイメージシフト量として記憶し、再度マスクＭとワークＷを離間し、第２のアライメント量にイメージシフト量を加えて、アライメント量を求めマスクとワークの位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】マイクロレンズアレイとマスクが所定間隔をおいて固定された露光装置において、マイクロレンズアレイと露光用基板との間のギャップを容易に高精度でマイクロレンズの合焦点位置に調整することができるマイクロレンズ露光装置を提供する。
【解決手段】露光用のレーザ光はマイクロレンズアレイ３のマイクロレンズ３ａによりレジスト膜２上に照射される。顕微鏡１０からの光は、マスク４のＣｒ膜５の孔５ｂを通過し、マイクロレンズ３ｂを透過してレジスト膜２上に照射される。このマイクロレンズ３ｂを透過した光がレジスト膜２上で合焦点か否かを顕微鏡１０で観察することにより、マイクロレンズ３ａによりレジスト膜２に収束される露光光の合焦点を判別できる。 （もっと読む）

【課題】レチクルの特定半導体素子パターンが露光された転写パターンを検査する際に、レチクルの半導体素子パターンが多数ある場合でも、半導体基板上で特定半導体素子パターンを容易且つ正確に短時間で探し当てることを可能とし、極めて効率良く検査を行う。
【解決手段】複数の半導体素子パターン１２と、半導体素子パターン１２から、複数の半導体素子パターン１２のうちの少なくとも１つであって観察対象とされる特定半導体素子パターン１２Ａまでの方向及び距離を示す識別用パターン１３とを有するレチクル１１を用いて、半導体基板上のフォト・レジストに露光し、識別用パターン１３の転写パターンを用いて、特定半導体素子パターン１２Ａの転写パターンの検査を行う。 （もっと読む）

【課題】 基板のステージ載置後の相対位置を求めて簡単に精密な位置決めを行う。
【解決手段】 基板位置決め装置は、ステージ５とステージ移動機構５１とカメラ６より構成され、カメラ６に基板Ｗの表面が撮像される。低倍率でアライメントマーク２０４を撮像した基板回転中心位置情報を用いるセンタリング処理によって基板Ｗの回転中心位置を位置補正する。次に、ステップＳ１８において、低倍率で撮像したアライメントマーク２０５とスクライブライン領域２０３を用いた基板端部位置情報から基板Ｗの位置を計測し、その計測結果に基づいてステップＳ２０において基板Ｗの回転角度補正を行う。つづいて、ステップＳ２１において傾斜角度補正を行う。そして、ステップＳ２２において、セットされた高倍率にてアライメントマーク２０４を撮像し、アライメントマーク２０４の重心位置を計算して基板の位置を補正して、基板の位置決めを行う。 （もっと読む）

【課題】ワークに形成されたパターンの画像のコントラストが低い場合であっても、ワークマークを誤検出なく確実に検出できるようにすること。
【解決手段】アライメント顕微鏡１０は例えば３倍の倍率と１０倍の倍率に切り替えが可能であり、ワークＷ上には、ワークマークＷＡＭと、ワークマークＷＡＭよりコントラストが高く見えやすいワークマークＷＡＭに対して所定の相対位置にある探索マークが設けられている。まず、アライメント顕微鏡を３倍の倍率にして、ワーク上に形成された上記探索マークを検出する。探索マークが検出されたら、ワークマークＷＡＭが１０倍の倍率のアライメント顕微鏡１０の視野に入るようにワークステージＷＳを移動させ、１０倍の倍率でワークマークＷＡＭを検出する。これにより、ワークマークを確実に検出することができ、マスクとワークの位置合わせを行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】マスク・アライメントマークとワーク・アライメントマークとにより位置合わせを行う露光装置において、ワークステージに形成した貫通孔部分でワークに生じる局所的な温度上昇を防止した構造を提案することである。
【解決手段】ワークステージに形成した貫通孔を介してマスク・アライメントマークとワーク・アライメントマークを検出する露光装置において、ワークステージの貫通孔内に配置した光透過性窓部材を弾性体によって支持して、ワークに対して窓部材が弾性的に当接することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】観察画像のコントラストを高くする。
【解決手段】顕微鏡で観察する被観察物を照明する照明装置であって、互いに波長の異なる複数の単波長光源と、照明された被観察物を観察した観察像のコントラストの大きさを検出するコントラスト検出部と、コントラスト検出部により検出されたコントラストに応じて、複数の単波長光源の強度比を設定する強度比設定部とを備える。上記照明装置は、強度比を変化させながら被観察物を照明した場合に、コントラスト検出部が検出したコントラストの大きさを監視して、前記コントラストがより大きくなる強度比を決定する強度比決定部を更に備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】使用頻度の高い倍率間での倍率変換において照明光学系の操作を不要とした照明光学系及び顕微鏡を提供する。
【解決手段】光源２側から順に、コレクタレンズ３と、視野絞り４と、正のパワーを有するフィールドレンズ５と、開口絞り６と、正のパワーを有する集光レンズ７とを、視野絞り４から標本面８の間がおよそ両側テレセントリックな光学系として配置し、さらに、Ｄ_ＦＳは視野絞り４の直径、βは標本面８から視野絞り４までの倍率、ＮＡは照明光学系の標本面８側の開口数とするとき、以下の条件式を満たして配置する。１５≧ＤＦＳ／β≧９・・・（１）０．８５≧ＮＡ≧０．５・・・（２） （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＭＥＭＳ、半導体等の製造に用いるマスクレス露光装置およびマスクレス露光方法に関し、投影パターンの大きさに応じて投影倍率を可変にした場合であっても精度よく投影パターンを形成することを目的とする。
【解決手段】 基板を支持するステージと、前記基板に投影する所望の投影パターンを外部信号の入力により生成する空間光変調部と、対物レンズを備え前記投影パターンを前記基板に投影する投影光学系と、前記対物レンズを介して前記基板に形成された位置合わせマークを検出する観察光学系とを有するマスクレス露光装置であって、前記投影光学系は、投影倍率を変更可能に前記対物レンズが構成されてなるとともに、前記投影倍率を変更する毎に、前記位置合わせマークを予め設定した指標又は予め特定した前記投影パターンの中心位置に対して位置合わせする機構を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理によってダメージを受け、目標とするマークが検出できない場合もしくは、計測ができなくなった場合でも正確にアライメントを実施する。
【解決手段】基板の各ショットごとに配列された複数の位置検出マークの中からターゲットマークを検出して基板の位置合わせを行う露光装置であって、スコープにより第１の倍率で撮像された画像から、複数の位置検出マークの中の第１のマークの位置と当該第１のマークの外側の領域の特徴とを抽出して第１のマークを識別し、スコープにより第２の倍率で撮像された画像から、ターゲットマークの位置を抽出し、抽出されたターゲットマークの位置の信頼性が閾値を下回る場合、新たなターゲットマークとして複数の位置検出マークから第２のマークを選択し、第２の倍率で撮像された画像から第２のマークの位置を抽出する演算処理部と、第２のマークの位置に基づきステージの位置を制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＴＩＳの平均値以外の重ね合わせ測定精度に関わる指標も考慮し、総合的に最適な焦点位置を決定できる重ね合わせずれ量算出方法を提供する。
【解決手段】重ね合わせずれ量の相関係数、基板面内のTISの３σ、繰り返し測定再現性を考慮し、（焦点位置決定値）＝−（相関係数）＋（基板面内TISバラツキ）＋（繰り返し測定再現性）と、上記焦点位置決定値を定義する。この焦点位置決定値を測定マークに対する光学顕微鏡の最適な焦点位置決定指標として用いる。この焦点位置決定値が最小となる焦点位置を最適な焦点位置と決定し、その最適焦点位置における基板面内のTISの平均値を個々の重ね合わせずれ量に対して補正を行う。 （もっと読む）

【課題】
基板ステージの移動誤差を短時間で計測する露光装置を提供する。
【解決手段】
基板を保持して移動されるステージと、前記ステージに保持された基板上のマークを撮像するスコープと、を有し、前記ステージに保持された基板を露光する露光装置であって、移動される前記基板ステージ上の計測用基板に配列された複数の第１マークを前記スコープに順次撮像させることにより、前記スコープを基準として前記複数の第１マークそれぞれの位置および回転量を算出し、算出された前記複数の第１のマークそれぞれの位置および回転量と、予め計測された前記複数の第１マークそれぞれの位置および回転量とに基づいて、前記基板ステージの移動誤差を算出する処理部と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

基板上のアラインメント・マークを突き止める方法を説明する。一般に、基板は、基板アラインメント・マークに隣接する１つまたは複数のロケータ・マークを含む。ロケータ・マークは、減らされた大きさの相対変位を伴ってリソグラフィ・システム内で基板をテンプレートと位置合わせするのに基板アラインメント・マークを使用できるように、基板アラインメント・マークの相対ロケーションを提供する。
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【課題】露光装置において、デバイス製造現場で発生するＷＩＳを高精度に補正するアライメント方法を提供する。
【解決手段】マーク信号の特徴を定量的に表した複数のマーク特徴量を算出し、各マーク特徴量からＷＩＳ予測量を算出してアライメント結果を補正する。各マーク特徴量からＷＩＳ予測量を算出するための変換係数は、デバイス製造現場で実施する重ね合わせ検査の結果を露光装置へ入力することで更新する。これにより、デバイス製造プロセスが変化するような状況においても、ＷＩＳを除去した高精度なアライメントを行うことが可能となる。また、各ショットのマーク特徴量を統計計算して「マーク特徴量のショット配列成分」を算出し、重ね合わせ検査の結果より更新した「各ショット配列成分の変換係数」を用いて、「ショット配列補正値のＷＩＳ予測量」を算出し、アライメント時のショット配列補正値を補正する。 （もっと読む）

【課題】校正用基板を用いることなく、高精度な歪み補正データを作成する。
【解決手段】カメラの撮影領域に比して小さな移動ステップで、撮影光軸に略垂直なＸＹ方向に基板を微動させるＸＹ微動部を移動ステージに設け、移動ステージのＸＹ位置を検出するＸ方向センサ及びＹ方向センサを設ける。ＸＹ微動部を駆動することにより、移動ステージに載置された基板上の基準マークＭを撮像領域の中心位置からΔｘ，Δｙずつ移動させ、各位置にて基準マークＭの撮影を行うとともに、ＸＹ位置の検出を行う。撮影画像中における基準マークＭ′の移動ベクトルと、それに対するステージ移動ベクトルとの差分により補正ベクトルＨを算出する。そして、補間処理により撮影領域の全位置について補正ベクトルＨを算出し、歪み補正データを作成する。 （もっと読む）

【課題】 投影露光装置の投影光学系の波面収差を投影露光装置上で直接測定可能と
する露光装置を実現すること。
【解決手段】 第１物体のパターンを第２物体上に投影する投影光学系と、
前記投影光学系の光学特性を測定する干渉計と、を備え、
前記干渉計は、光源からの光を前記第１物体側又は第２物体側から前記投影光学系に導く対物レンズを有し、
前記対物レンズは、前記干渉計の他のレンズとは独立して、前記第１物体のパターンが位置する面に沿って移動可能であること。 （もっと読む）

【課題】計測精度と計測時間とが設定された要求を満たすサンプルショットセットを決定する。
【解決手段】本発明は、基板に形成された複数のショットのそれぞれを露光する装置において計測の対象となるサンプルショットセットを決定する情報処理装置であって、入出力部と処理部とを備える。処理部は、入出力部から入力された複数のショットの配列に関する情報に基づき、複数のショットから複数のサンプルショットセットを生成する。処理部は、また、複数のサンプルショットセットの中から計測精度と計測時間とが設定された要求を満たすサンプルショットセットを決定する。 （もっと読む）

【課題】コストを低減するとともに、基板の不良領域の分布に関わらず、基板の不良領域上に容易にフォトレジストパターンを形成することのできるフォトレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトレジストパターン形成方法は、まず、基板１０を準備する。そして、基板１０の表面１０ａ上にマスク層２０を形成する。そして、マスク層２０上にフォトレジスト３０を形成する。そして、フォトレジスト３０に感光しない波長を有する第１の光源と、フォトレジスト３０に感光する波長を有する第２の光源とを有する光学顕微鏡を準備する。そして、第１の光源を用いて、フォトレジスト３０を介して基板１０の不良領域１１を検出する。そして、検出する工程で不良領域１１が検出されると、第２の光源に切り替えて不良領域１１上のフォトレジスト３０を感光させる。そして、感光させる工程で感光されていない領域のフォトレジスト３０を除去して、フォトレジストパターン３１を形成する。 （もっと読む）

リソグラフィを実行する方法は、リソグラフィツール50の一部及び基板10の一部の画像60と、更なるリソグラフィツール30の一部及び基板10の一部のさらなる画像（28）を用いて、リソグラフィツール50のための変位ベクトル74を計算することを含む。物体を位置合わせする方法は、第１の物体10に近接して第２の物体30を位置決めすること、及び第２の物体30の表面上の特徴32及び第１の物体10の表面上の特徴18を図示する第１の画像38を取得することを含む。更なる物体50が第１の物体10に近接して位置決めされるときに、更なる物体50の表面上の特徴52及び第１の物体10の表面上の特徴18を図示する更なる画像60が取得される。更なる画像60は第１の画像38と比較される。インプリントモールド30、50は、インプリントモールド30、50のインプリント表面上に少なくとも１つの非マーキング基準特徴32、52を含む。
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【課題】 アライメントマークの計測の高速度化を図りつつ、マーク位置を高精度に計測できるようにする。
【解決手段】 ウエハＷを載置して移動するウエハステージＷＳと、ウエハステージＷＳ上に載置されたウエハＷに形成されたアライメントマークＡＭ１〜９を検出するアライメントセンサＡＳ１〜３と、アライメントマークＡＭ１〜９をアライメントセンサＡＳ１〜３で検出する際のウエハステージＷＳの移動方向であるＹ方向に沿って、ウエハステージＷＳ上に配列的に設けられた複数のステージマークＳＭ１Ｒ〜ＳＭ９Ｒ，ＳＭ１Ｌ〜ＳＭ９Ｌと、アライメントセンサＡＳ１〜３がウエハマークＡＭ１〜９を検出しているときに、ステージマークＳＭ１Ｒ〜ＳＭ９Ｒ，ＳＭ１Ｌ〜ＳＭ９Ｌを検出するステージマークセンサＳＳ１〜２と、これらセンサＡＳ１〜３，ＳＳ１〜２の検出結果に基づいて、アライメントマークＡＭ１〜９の位置を求める制御装置ＦＩＡＵとを備えて構成される。 （もっと読む）