【課題】基板の位置を容易に検出可能にする。
【解決手段】本発明の露光装置ＥＸは、露光対象の基板Ｐに回路パターンを露光する露光部と、基板Ｐを貫通して設けられ、露光の位置基準となるアライメントマークＡＭに光を通して基板Ｐの位置を検出するアライメント系４を備える。アライメント系４は、光を射出する光学部材と、光学部材から射出されてアライメントマークＡＭを通った光を反射させる反射部とを備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】、裏面側の位置検出光学系を移動させることなく、投影光学系の露光パターンの投影位置及び位置検出光学系の検出位置の相対的な位置合わせをより正確に行って、露光を高精度に行うことが可能な露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置１は、基板７を載置するステージ９と、基板７の表面側に配置され、基板７の表面７ａにパターンを投影する投影光学系４と、基板７の裏面側に配置され、基板７の裏面７ｂに形成された位置合わせマークを検出する裏面位置検出光学系６と、ステージ９を貫通する貫通孔９ｂに取り付けられ、光を透過する部材で形成された窓部材１０と、投影光学系４により窓部材１０の表面１０ａに形成されたパターンの像を、窓部材１０の裏面側から裏面位置検出光学系６で検出し、投影光学系４により形成されるパターンの像の位置と裏面位置検出光学系６で検出される位置合わせマークの位置との相対関係を算出する制御部１１と、を有する （もっと読む）

【課題】第１面の回路パターンに合わせて第２面にパターンを露光する場合半導体基板が８００ｎｍより厚くなっても第２面側からアライメントマークを検出できるようにする。
【解決手段】半導体基板１０の第１面Ｓ１に第１及び第２アライメントマーク用溝を形成して半導体基板と異なる材料で埋め込んで第１及び第２アライメントマーク１２，１３を形成し、第１アライメントマークにより位置合わせして半導体基板の第１面に第１素子を形成し、半導体基板の第１面に支持基板４０を貼り合わせ、支持基板と半導体基板の貼り合わせ体を所定の軸で反転させ、少なくとも半導体基板の第２面Ｓ２側からアライメント光を照射したときに得られる反射光によって第２アライメントマークの位置を検出できる膜厚となるまで半導体基板の第２面側から半導体基板を薄膜化し、第２アライメントマークにより位置合わせして半導体基板の第２面に第２素子（１５）を形成する。 （もっと読む）

【課題】ウエハに対してマスクを高精度に位置合せした上で、一度の露光でウエハの両面にパターンを同時露光すること。
【解決手段】互いに対向して配置されると共に、パターンＰが予め描画されたマスクＭ１、Ｍ２がそれぞれ装着される第１マスク装着部３及び第２マスク装着部２と、両マスクの間に挟まれるように配置されたウエハＳに対して両マスクを通して光を照射して、ウエハの両面にパターンを露光させる露光手段１４と、を備え、両マスク装着部は、それぞれに装着されたマスクが互いに平行に配置される構成とされた装置であって、両マスク装着部のうち少なくとも一方のマスク装着部には、前記一方のマスク装着部に装着された一方のマスク上の所定位置に配置されたウエハを、前記一方のマスクに形成された貫通孔Ｍ１ａを通して吸着しうる吸着手段３４が備えられているウエハ露光装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板の表裏に片面ずつリソグラフィパターンをパターニングするときに、基板の表裏両面で相互に正確に位置合わせされたリソグラフィパターンを設けるパターニング方法を提供する。
【解決手段】まず、ガラス基板２１の端に、ガラス基板２１の表面２１ａ，２１ｂに対して垂直な切り欠き２２を設ける。次に、アライメントマーク３３，３４が切り欠き２２に合致するように第１マスク３１をガラス基板２１に位置合わせして配置し、ガラス基板２１のオモテ面２１ａに第１マスクパターン３２に応じたリソグラフィパターンをパターニングする。そして、ガラス基板２１を裏返し、ウラ面２１ｂを上方に露呈させ、アライメントマーク４３，４４が切り欠き２２に合致するように第２マスク３２をガラス基板２１に位置合わせして配置し、ガラス基板２１のウラ面２１ｂに第２マスクパターン４２に応じたリソグラフィパターンをパターニングする。 （もっと読む）

【課題】感光材料の種類にかかわらず表面側に対する裏面側の位置を精度良く決定する。
【解決手段】被描画体１０の主走査方向の一方の辺ＡＤの頂点Ａ、Ｄの座標を、レーザ直接描画装置のＸＹ座標軸に基づいて求め、テーブル１２を回転させて辺ＡＤをレーザ直接描画装置のＸ軸と平行にしてから、被描画体をレーザ直接描画装置のＸＹ座標軸と平行に移動させ、頂点Ａを設計上の被描画体の頂点Ａ０の位置に位置決めして、表面を露光し、その後、被描画体１０を副走査方向の軸の回りに表裏反転させ、反転された頂点Ａ、Ｄの反転後の座標をレーザ直接描画装置のＸＹ座標軸に基づいて求め、反転された辺ＡＤをレーザ直接描画装置のＸ軸に平行にした後、被描画体をレーザ直接描画装置のＸＹ座標軸と平行に移動させ、反転された頂点Ａを表面における設計上の他方の頂点Ｄ ０の位置に位置決めして裏面を露光する。 （もっと読む）

【課題】低コストであって汎用性に優れており製造工数が削減された、基板の製造方法、基板の製造装置及び基板を提供することを課題とする。
【解決手段】本明細書に開示の基板の製造方法は、基板１０の一方の面１０ａにアライメントマーク１７ａを形成する工程と、アライメントマーク１７ａの位置を検出する工程と、アライメントマーク１７ａの位置に対応した基板１０の他方の面１０ｂの位置に、基板１０に対して透過性を有する波長のレーザＬを集光させて走査することによりマーク１２を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】スループットを低下させることなく、露光対象面に適合するパターンを基板等へ確実に形成させる。
【解決手段】基板が描画システムに搬入されると、露光対象面に形成されたアライメントマークの位置を検出し、第１面の基準アライメントマークとアライメントマークのマーク間隔の誤差量から、補正アライメントマークを算出する。そして、補正アライメントマークのマーク間隔ＳＬｎｍと、計測したアライメントマークのマーク間隔ＭＬｎｍとの平均差である指標Ｓｔを算出する。同様に、第２面に対しても指標Ｓｂを算出する。指標Ｓｔ＜Ｓｂの場合、第１面が露光対象面になっていると判断し、第１面の描画データに基づき描画処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】 一度の露光でウエハの両面に高精度に位置合わせした状態でパターンを同時露光すること。
【解決手段】 ウエハＳの両面にパターンＰを同時に露光する装置であって、パターン及びアライメント用マークｍ１、ｍ２を有する下部マスクＭ１及び上部マスクＭ２と、下部マスクの位置を変化させる移動機構６と、紫外光Ｌを照射してウエハの両面にパターンを露光させる両露光部１５、１６と、アライメント用マークを観察する上部観察部２０と、観察された２つの観察画像の位置関係に基づいて両マスクが予め決められた位置関係からどの程度変位しているか変位量を算出する画像処理機構２１と、上部マスクから一定距離離間したアライメント位置で上記変位量を補正するように下部マスクの位置を水平調整させる制御部７と、を備え、制御部が、水平調整後に下部マスクを上部マスクに近接させた露光位置で両露光部を作動させるウエハ露光装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板の両側にパターニングした層を設ける場合に、基板の上面に、基板の下面にあるアライメントマークと位置合わせされるパターンを投影可能にする。
【解決手段】表裏アライメント可能なリソグラフィ装置のキャリブレーション方法である。この方法は、複数のアライメントマークを有する基板を、アライメントマークがキャリアの方に向くように配置して、キャリアに取り付けることと、基板の厚さを減少させることと、装置のアライメントシステムを使用して、この装置の基板テーブル中の光学系によって形成されるアライメントマーク像の位置を測定することと、基板上の、アライメントマークの測定位置により決定されたパターンの位置に、パターンを投影することと、投影したパターンと基板の反対側に設けたアライメントマークの位置を測定し、基板の反対側に設けたアライメントマークの位置の測定を基板を通して放射を誘導するアライメントシステムによって行うことと、オーバーレイエラーを決定するために測定位置を比較することとを含む。 （もっと読む）

本発明により、両面微細構造化製品を製造する方法、及びこの方法のために使用することができる位置決め構造が提供される。この方法には、基板シート５０の第１の表面に一次製品フィーチャ８０を提供するステップ８００と、反対側の表面に二次製品フィーチャ９０を提供するステップ８１０と、位置合わせパラメータを推定するために、一次製品フィーチャ及び二次製品フィーチャ８０、９０の相互位置合わせを表示するステップ８２０と、一次製品フィーチャ及び二次製品フィーチャ８０、９０の準備を位置合わせさせるステップ８３０が含まれている。位置決め構造は、第１の表面に集束エレメント２０の位置決めアレイを備えており、また、反対側の表面に、一次製品フィーチャ及び二次製品フィーチャ８０、９０と位置合わせされた、製品フィーチャの８０、９０の位置合わせを推定するために基準オブジェクト３０のホログラフィ表現１０を提供する、基準オブジェクト３０の位置決めアレイを備えている。
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【課題】 基板の較正を効果的に行うことである。
【解決手段】 基板をリソグラフィ装置のプリアライナの中に案内するステップと、ディテクタの位置とは反対側にある基板の面の上に形成されたアライメントマークの位置を測定するためにディテクタを使用するステップと、測定の後で基板をリソグラフィ装置の基板テーブルの上に載置するステップであって、基板は、基板の反対側の面の上に形成されたアライメントマークが基板テーブルのウィンドウを通して視認できるように基板テーブルの上に位置決めされるステップと、を含む方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】基板の裏側にアライメントマーカを生成できるリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】基板の裏面に局所的に閉環境を形成するためのエンクロージャ、エンクロージャと基板の間の閉環境を密閉するためのシール、レジストを供給するレジスト供給システム（１２、１３）、現像液を供給する現像システム（１４、１５）、１つまたは複数のマーカを局所的にエッチングするエッチングシステム（１６、１７）などを備える。さらに、マスク位置決めシステム、露光システムも備える。 （もっと読む）

【課題】 両面顕微鏡を使用することなく、基板の片面のみを観察することで、デバイスの位置合わせ精度を正確に検査することができる検査方法及び基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板の表裏面のそれぞれにデバイスを形成し、両方のデバイスの位置合わせを、該表裏面に形成した検査用マークによって確認する基板の検査方法において、該表裏面のうち、一方の面に形成された検査用マークを他の面にまで貫通させ、貫通後の該検査用マークと、他の面に形成された検査用マークとを、他の面から見て比較することにより該デバイスの位置合わせ精度を確認することを特徴とする、基板の検査方法により解決する。 （もっと読む）

【課題】 基板に形成されたパターンの変形、欠損及び異物付着を防止すると共に高精度な露光を行うことができる露光装置を提供する。
【解決手段】 基板１を保持すると共に当該基板１と露光マスク３４との相対的な位置合わせを行う保持手段２０と、前記露光マスク３４を有すると共に前記基板１の露光面１ａの露光を行う露光手段３０と、前記基板１及び前記露光マスク３４のアライメントマークを読み取る検出手段４０とを具備し、前記保持手段２０が、前記基板１の両面の周縁部以外の領域を開放した状態で当該周縁部を保持する。 （もっと読む）

【課題】フォトリソプロセスの作業を簡易化すると共に、フォトリソプロセスの露光精度の高精度化への対応を可能とする。
【解決手段】水晶ウエハ１に金属膜２を成膜した後、水晶ウエハ１の両面全域に渡ってレジスト３を塗布し、フォトマスク４ａとフォトマスク４ｂを、夫々の端部に設けたアライメント用の貫通孔５ａ、５ａ’、及び５ｂ、５ｂ’を目印として位置合わせを行い、露光を行う。次に、フォトマスク４ａ、４ｂにより光が遮断された領域のレジスト３を洗い流すと、レジスト３からなる第一のアライメント確認用マーカー１２ａ、１２ａ’、１２ｂ、１２ｂ’が形成され、第一のアライメント確認用マーカーの１２ａと１２ｂ間、及び１２ａ’と１２ｂ’間で位置ずれ寸法ｄ１を確認し、所定値以下の場合、次ステップに進み、所定値以上の場合は、水晶ウエハ１に塗布されているレジストを全て剥離した後、再度、両面全面にレジスト３を塗布する手順に戻る。 （もっと読む）

【課題】基板の第１面のパターンと対応するように、第２面にパターンを転写することができる転写装置、及び、転写方法を提供する。更に、基板の第１面における領域に対応する第２面における領域を観察することができる検査装置を提供する。
【解決手段】転写装置は、（Ａ）基板３０の第２面に第２のパターンを転写する転写手段、（Ｂ）基板の第１面と接するように基板を載置して保持する保持台２１、（Ｃ）基板の第１面に設けられたアライメントマークを保持台側から検出するための検出手段、及び、（Ｄ）制御手段２５、を備え、制御手段は、（ａ）検出手段が検出したアライメントマークに基づいて、基板の基準点の座標値を求め、且つ、（ｂ）転写手段により転写される第２のパターンが基板の第１面に設けられた第１のパターンと対応するように、基板の基準点の座標値を用いて転写手段と基板との相対関係を制御する。 （もっと読む）

【課題】アラインメント方法、前側から裏側へのアラインメントエラーを測定する方法、非直交性を検出する方法、校正方法、およびリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】１つの実施形態により表裏側アラインメントエラーを測定する方法では、透明な基板が、表裏側の両方に複数のマークを有する。基板の表裏側にあるマークの相対位置を求めて、基板全体での表裏側のアラインメントエラーを計算する。さらなる実施形態では、基板の面で基板を１８０°回転し、マークの表側の相対位置を再び求める。 （もっと読む）