【課題】露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板１１上に遮光膜１２、多層反射膜１３、保護膜１４、吸収膜１５ａ、裏面導電膜１６が形成された反射型マスクブランクス１０を準備する。吸収膜１５ａを選択的に除去することで回路パターンＡが形成され、回路パターンＡを除く回路パターンＡの周囲の部分に、吸収膜１５ａ，１５ｂと保護膜１４と多層反射膜１３とを選択的に除去した枠状の領域Ｂが形成される。したがって、枠状の領域Ｂに遮光膜１２が設けられることになる。 （もっと読む）

【課題】極端紫外光の生成において変換効率を向上させる。
【解決手段】極端紫外光生成方法は、チャンバ内にターゲット物質を供給するステップ（ａ）と、ターゲット物質にレーザビームを照射することにより、プラズマを生成して極端紫外光を生成するステップ（ｂ）と、を備える。レーザビームの空間的な光強度分布は、ビーム軸の中心から所定距離の位置における光強度よりも低い光強度を有する低強度領域が前記ビーム軸の中心から前記所定距離の範囲内に存在する空間的な光強度分布を有してもよい。 （もっと読む）

【課題】露光特性を向上させる。
【解決手段】本発明は、所定の原子のプラズマ励起によりＥＵＶ光を生じさせる発光部(10)と、発光部から照射されたＥＵＶ光を集光させる集光部(20)と、集光部により集光したＥＵＶ光をマスクを介して基板上に照射する露光部(30)と、発光部内のＥＵＶ光の発光点の位置を検出する第１プラズマ位置モニタ(11a)と、発光部の位置を調整する発光部駆動装置(13)と、を有する露光装置を用いる。そして、プラズマ位置モニタにより検出された発光点と発光基準位置との第１ズレ量を判断し、第１ズレ量に基づいて、発光部駆動装置を駆動する。さらに、集光部により集光したＥＵＶ光の集光点の位置を検出する第１集光位置モニタ(21a)と、集光部の位置を調整する集光部駆動装置(23)と、を有する露光装置を用いる。そして、集光点と基準集光点の位置との第２ズレ量を算出し、第２ズレ量の算出結果に基づいて集光部駆動装置(23)を駆動する。 （もっと読む）

【課題】より効率的な処理により、欠陥箇所にパターンが描画されにくくすることが可能な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、描画対象となる試料の描画領域を所定のサイズでメッシュ状に仮想分割した複数の小領域の小領域毎に、配置されるパターンの面積密度を算出する面積密度算出部６４と、試料の欠陥箇所が定義された欠陥情報を入力し、試料の配置位置を回転させて、欠陥箇所と重なる小領域の面積密度が最小となる試料の配置方向を探索する探索部６５と、探索された欠陥箇所と重なる小領域の面積密度が最小となる試料の配置方向になるように試料を配置した状態で、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光学部材の反射面を洗浄できる洗浄方法、洗浄装置、露光方法、露光装置およびデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】照明光学系２および投影光学系ＰＬが備える光学部材の少なくとも一つに設けられ、光学部材の反射面に対して複数の方向から、洗浄光ＣＬを射出する洗浄用光源ＣＳを備える露光装置１００を提供する。洗浄用光源ＣＳは、コンデンサーミラー１９ａの反射面の前方に、開口部３１を有する環状部材で形成されている。 （もっと読む）

【課題】露光装置の特性が劣化するような露光条件においても、生産性を低下させることなく半導体装置を製造できる、半導体装置の製造方法、生産管理装置および生産管理システムを提供する。
【解決手段】露光装置に接続される生産管理システムにおいて、規定された基板処理計画を実行した場合に、露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎを光Ｌが継続的に通過することに起因する露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎの特性の変化を予測し、該特性の変化が露光処理中に閾値を超える場合に、その時刻を取得する予測部１４と、上記時刻に到達する前に、露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎのそれぞれで上記特性が均一化されるように基板処理計画を変更して改めて規定する計画変更部１６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内光学要素の汚染を低減する。
【解決手段】極端紫外光生成装置は、レーザシステムと共に用いられる極端紫外光生成装置であって、前記レーザシステムから出力されるレーザ光を入射させるための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内のレーザ光が照射される所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、前記チャンバ内に配置される少なくとも１つの光学要素と、前記所定の領域付近に磁場を生成するための磁場生成部と、前記磁場の磁力線方向に配置され、レーザ光がターゲット物質に照射された際に発生し磁力線に沿って流れるイオンを回収するためのイオン回収部と、前記チャンバ内にエッチングガスを導入するガス導入部と、を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】光学素子の性能劣化を抑制することを可能にする。
【解決手段】チャンバ装置は、レーザシステムと共に用いられるチャンバ装置であって、前記レーザシステムから出力されるレーザ光を入射させるための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、前記所定の領域に磁場を生成する磁場生成部と、前記磁場の磁力線方向に配置され、前記チャンバ内で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されることで生成され、前記磁力線に沿って移動する帯電粒子を回収する帯電粒子回収部と、を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】多層反射膜中の１５０ｎｍ未満の大きさの高酸化物欠陥が検出されない多層反射膜付基板および反射型マスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、高屈折率材料である金属を含有する材料からなる高屈折率層と低屈折率材料であるケイ素を含有する材料からなる低屈折率層を交互に積層してなる多層反射膜２をスパッタ成膜装置を用いてスパッタリング法で形成することにより、多層反射膜付基板を製造する。また、多層反射膜２上に保護膜３及び吸収体膜４を形成することにより、反射型マスクブランク１０を製造する。ここで、基板１が搬入されるスパッタ成膜装置の室内の気体を水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換し終えた後に、該室内の減圧を行い、次いで多層反射膜２のスパッタリング法による成膜を開始する。 （もっと読む）

【課題】ＴａとＮを含有する材料からなる極端紫外線吸収膜を有する基板を用い、前記極端紫外線吸収膜に対して炭素（Ｃ）を含むガスを用いたプラズマエッチングを行うことにより、前記極端紫外線吸収膜にパターンを形成する工程を有する極端紫外線露光用マスクの製造方法において、前記工程でのプラズマエッチングの終点を高精度に検出する。
【解決手段】酸窒化タンタル（ＴａＯＮ）からなる低反射膜１６および窒化タンタル（ＴａＮ）からなる極端紫外線吸収膜１５にパターンを形成するためのプラズマエッチング工程で、プラズマエッチング中に発生する光を分光し、エッチング反応生成物であるシアン（ＣＮ）に起因する３８８ｎｍを含む範囲の波長の発光強度を測定し、その強度変化からプラズマエッチングの終点を検出してプラズマエッチングを終了する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、吸収体層のエッチング後の工程検査で、ハードマスク層を除去することなく欠陥検査することを可能にし、さらに、この工程検査で黒欠陥が見つかった場合でも、複雑な工程を要することなく、容易に欠陥修正が可能なＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクス、反射型マスク、およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 吸収体層エッチング後のハードマスク層表面とバッファ層表面との段差を、欠陥検査に使用する検査光の１／４波長の奇数倍の大きさに調整し、検査光を垂直に照射した際の、ハードマスク層表面からの反射光と、バッファ層表面からの反射光の位相差によるエッジ遮光効果を利用して欠陥検査を行うことにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】成膜時のガラス基板側面への膜材料の付着を抑制することができ、かつ、製造時の欠陥を抑制することができるＥＵＶマスクブランクスの製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１０の側面全周を覆うように前記ガラス基板の側方に配置される側面保護板２０、および、前記ガラス基板の成膜面１１の外縁部を覆うように前記ガラス基板の上方に配置される遮蔽板３０を用いて、前記ガラス基板上に前記反射層および前記吸収層を少なくともこの順にスパッタリングして形成する。 （もっと読む）

【課題】コンタミナントがリソグラフィ装置の投影系に侵入するのを防ぐ効果を改善する。
【解決手段】リソグラフィ装置は、パターン形成された放射ビームを基板上に投影するよう構成された投影系を備える。投影系は、パターン形成された放射ビームが通過可能な開口部を備える。開口部の少なくとも一部は、投影系の壁の傾斜面と、投影系のミラーの傾斜面とを備える。 （もっと読む）

【解決手段】硫黄をドープしたチタニアドープ石英ガラス部材。
【効果】本発明によれば、ＥＵＶリソグラフィの実用機に適したゼロ膨張となる温度を有し、広い低熱膨張温度域を有する、硫黄を共添加したチタニアドープ石英ガラス部材、その製造方法、及びこの硫黄を共添加したチタニアドープ石英ガラス部材からなるＥＵＶリソグラフィ用フォトマスク基板等のＥＵＶリソグラフィ用光学部材を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下や露光処理等への悪影響を抑制する。
【解決手段】一対の接続部材ＡＭ１１、ＡＭ１２を所定の軸周りに回転自在に接続する関節部ＪＴ１２を有する。関節部は、一対の接続部材を非接触で、所定の軸周り方向に相対的に回転自在、且つ所定の軸と直交する方向への相対移動を拘束するベアリング装置ＢＲ１２を有する。 （もっと読む）

【課題】反射率の熱的安定性を向上させることができる反射型マスクブランクを提供すること。
【解決手段】基板と、当該基板上に形成されて露光光を反射する多層反射膜２と、当該多層反射膜上に形成されて露光光を吸収する吸収体膜とを有する反射型マスクブランクであって、上記多層反射膜は、シリコン層７とモリブデン層６とを交互に積層した材料から構成され、上記シリコン層７とモリブデン層６との間に、モリブデンと炭素を含む材料からなる拡散防止層８、例えば炭化モリブデン、炭化二モリブデンまたはそれらの窒化物からなる拡散防止層が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】改善された、または代替的なスペクトル純度フィルタを提供する。
【解決手段】スペクトル純度フィルタは、部材を貫通する複数のアパーチャを備える。アパーチャは、第１波長を有する放射を抑制し、かつ第２波長を有する放射の少なくとも一部を透過させるように構成される。放射の前記第２波長は、放射の前記第１波長よりも短い。前記スペクトル純度フィルタの第１領域は、前記第１波長を有する前記放射および前記第２波長を有する前記放射に対する第１放射透過プロファイルをもたらす第１の構成を有し、前記スペクトル純度フィルタの第２領域は、前記第１波長を有する前記放射および前記第２波長を有する前記放射に対する第２の異なる放射透過プロファイルをもたらす第２の異なる構成を有する。 （もっと読む）

【課題】レチクルステージの移動中のレチクル滑りを実質的に除去するシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】システムは、マスク保持システム、マスク力デバイス、サポート移送デバイスを含む。マスク保持システムは、サポートデバイスおよび保持デバイスを含み、保持デバイスはマスク、例えば、パターンを有するレチクルなどのパターニングデバイスをサポートデバイスに取外し可能に結合する。マスク力デバイスは、リソグラフィ装置内の投影光学系が放射ビームを用いて基板のターゲット部分上にパターニングデバイスによって付与されるパターンを正確に投影できるように、加速力をマスクに提供するためにマスクに取外し可能に連結されている。サポート移送デバイスは、マスクサポートデバイスに結合され、かつマスク力デバイスと同時にマスクサポートデバイスを移動させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高いパターン転写精度を実現することが可能な反射型マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板の一方の面に形成された多層膜と、上記多層膜上に形成された中間層と、上記中間層上に形成された吸収層とを有する反射型マスクであって、上記吸収層は、上記吸収層が部分的に除去された吸収体転写パターンが形成された吸収体転写パターン領域を有し、上記吸収体転写パターン領域の外周の少なくとも一部には、上記多層膜、中間層および吸収層が除去されて上記基板が露出している遮光枠部が形成されており、上記遮光枠部内の上記多層膜が露出した側面のみに、洗浄薬液による洗浄に対して耐性を有する保護用酸化皮膜が形成されていることを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】反射光学素子の反射面の近傍に瞳面を配置し、かつ開口数の不均一性を低減できる光学系を提供する。
【解決手段】入射光３７Ｉの方向と反射光３７Ｒの方向とが異なるように配置されたミラーＭ２を備えた投影光学系であって、入射光３７Ｉのうち反射光３７Ｒと重ならない部分３７Ｉａにおけるその投影光学系の瞳面３５ＡがミラーＭ２の反射面の上方に形成され、反射光３７Ｒのうち入射光３７Ｉと重ならない部分３７Ｒａにおける瞳面３５Ｂがその反射面の上方に形成される。 （もっと読む）