【課題】露光特性を向上させる。
【解決手段】本発明は、所定の原子のプラズマ励起によりＥＵＶ光を生じさせる発光部(10)と、発光部から照射されたＥＵＶ光を集光させる集光部(20)と、集光部により集光したＥＵＶ光をマスクを介して基板上に照射する露光部(30)と、発光部内のＥＵＶ光の発光点の位置を検出する第１プラズマ位置モニタ(11a)と、発光部の位置を調整する発光部駆動装置(13)と、を有する露光装置を用いる。そして、プラズマ位置モニタにより検出された発光点と発光基準位置との第１ズレ量を判断し、第１ズレ量に基づいて、発光部駆動装置を駆動する。さらに、集光部により集光したＥＵＶ光の集光点の位置を検出する第１集光位置モニタ(21a)と、集光部の位置を調整する集光部駆動装置(23)と、を有する露光装置を用いる。そして、集光点と基準集光点の位置との第２ズレ量を算出し、第２ズレ量の算出結果に基づいて集光部駆動装置(23)を駆動する。 （もっと読む）

【課題】改善された放射検出器を提供する。
【解決手段】放射検出器は放射を検出する。放射検出器は複数のファラデーカップを含む。各ファラデーカップにはカバーが設けられている。各カバーは、放射がファラデーカップへと通り抜けることができる窓構成を含む。各カバーの窓構成は各ファラデーカップに対して異なる。各ファラデーカップは、放射がターゲットに入射した場合に光電子を放出するように構成されたターゲットを収容する。 （もっと読む）

【課題】単一の光源から出射した光を用いて露光と位置決めを行う場合と比較して露光用光源の交換時期を長くし、高精度な位置決めが可能な露光装置及び露光方法を提供する。
【解決手段】この露光装置は、反射型マスクに露光光を照射する露光用光源と、前記反射型マスクに位置決め光を照射する位置決め用光源と、前記露光用光源から前記反射型マスクに至る前記露光光の光路と前記位置決め用光源から前記反射型マスクに至る前記位置決め光の光路との少なくとも一部が共通するように構成された光学素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】短波長の放射線を使うリソグラフィ投影装置では反射性マスクとその支持構造体の整列を長波長の光では吸収層と反射性基板の間の反射率の差に基づいて行うことが困難であるので、それが安価にできる整列マーカおよび整列方法を提供すること。
【解決手段】この発明の整列方法は、マスクＭＡ上に基板Ｗに投影すべきパターン３と並べて設けた高さ差のある整列マーカ５を整列センサ１の光源７が出す光ビーム４で照射し、その反射光を結像光学素子８で処理して検出器９で受け、その高さ差の位置を検出してマスクＭＡと支持体ＭＴの整列に使う。それで整列マーカ５とパターン３を同じ製造プロセスで同時に製造することができ、両者間の整列不良のリスクが少なく、整列マーカ５の照明を安い光源７でパターン３の照明と独立に行えるので、この整列センサ１をリソグラフィ装置内に設け、その場での整列ができる。 （もっと読む）

【課題】 EUVマスクの裏面形状とピンチャックの表面形状の解像度の違いを考慮して、位置ずれ量に対する高精度な補正量を算出することが可能な電子ビーム描画装置及び位置ずれ量補正方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 パターンの位置ずれ補正するために必要なＥＵＶマスクの裏面形状分布データのうち、前記ピンチャックのピンに接触する箇所の裏面形状分布データを抽出し、この抽出された裏面形状分布データのみから、前記位置ずれ量を算出する電子ビーム描画装置及び位置ずれ量補正方法を提供する。
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複数の回折素子から形成されるアライメントフィーチャを有するアライメントターゲットを含むパターニングデバイスであって、各回折素子は吸収積層体および多層反射積層体を含む、パターニングデバイスが提供される。回折素子は、プリ・アライメントに使用される波長の光で照射される際に、プリ・アライメントに使用される所定の回折次数を増加させ、かつプリ・アライメントシステムの所定の方向に光を回折するように構成される。回折素子は、各アライメントフィーチャの面積の少なくとも半分を占めてよい。回折素子は、レチクルのアライメントに使用される波長で照射される際に、一次回折またはより高次の回折を増加させ、一方０次回折次数および鏡面反射を実質的に減少させるように構成され得る。各回折素子の寸法は、各アライメントフィーチャの回折格子周期に依存し得る。 （もっと読む）

マイクロリソグラフィ投影露光用の装置（１０）は、結像光線（１５）によってマスクパターン（１６）を投影することにより基板（２０）の表面（２１）にマスクパターン（１６）を結像するための光学系（１８）を備え、光学系（１８）は、ＥＵＶおよび／または高周波数の波長領域で作動するように構成されている。測定光線（３４）を案内するための測定光路（３６）を備え、光学系（１８）の少なくとも２つの光学素子（２２）が測定光路に含まれ、測定光路（３６）は、光学系（１８）が装置（１０）の作動時に測定光線（３４）によって部分的にのみ照射されるように、光学系（１８）の内部に延在している。
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【課題】本発明は、アライメントマークを透過によって検出することが可能なＥＵＶリソグラフィ用の反射型マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板の一方の面に形成された多層膜と、上記多層膜上に形成された中間層と、上記多層膜および中間層が形成された基板上にパターン状に形成された吸収体と、上記基板の他方の面に形成された導電膜とを有する反射型マスクであって、上記吸収体のパターンが回路パターンとアライメントマークとを構成し、上記アライメントマークが配置されているアライメント領域では上記基板の他方の面が露出していることを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

マイクロリソグラフィ用の投影露光装置（１０）が提案される。投影露光装置は、マスク構造（２０）を配置したマスク（１８）を保持するためのマスク保持手段（１４）と、基板（３０）を保持するための基板保持手段（３６）と、露光プロセス中に基板（３０）にマスク構造（２０）を結像するための投影光学系と（２６）、投影露光装置の基準素子に対してマスク保持手段（１４）の位置から機械的に分離された所定位置に配置した測定構造（４８）とを備える。投影露光装置（１０）は、投影光学系（２６）による結像によって生成された測定構造（４８）の像を検出するように構成された検出器（５２）と、投影露光装置の動作中にマスク構造（２０）の結像および測定構造（４８）の結像が前記投影光学系（２８）によって同時に行われるように構成した投影露光装置（１０）と、露光中に検出器（５２）の領域で測定構造（４８）の像の側方位置を検出するように構成された評価装置とを備える。
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【課題】形状を高精度で信頼性よく測定することが可能な測定システム、測定方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】測定対象物１０の設計形状を規定する第１及び第２形状因子の公差を格納する外部記憶部２６と、測定対象物１０の第１形状因子の測定データを得る測定器１４と、第１形状因子の測定データと外部記憶部２６から読み出した第１形状因子の公差とを比較する比較部３２と、測定データから予測形状を構成して図形として成立するか検証する検証部３４と、検証部３４が構成した予測形状から第２形状因子の予測データを計算する計算部３６と、計算部３６が計算した予測データを外部記憶部２６から読み出した第２形状因子の公差と比較して測定形状を判定する判定部３８とを備える。 （もっと読む）

【課題】マスク基板の正確な位置検出を実現する位置検出装置および方法を提供する。
【解決手段】マスク基板９の裏面と照明の射光中心部が概ね同一面上になるように設置され、該基板に対し側面方向から該基板の表裏面に概略平行な方向に光を照射する少なくとも一つの第１の照明装置３と、該基板の表面上方から基板エッジ部１０を含む領域に、該基板の表面に対して概略垂直な方向に光を照射する第２の照明装置４と、撮像範囲に該エッジ部が位置するように該基板の裏面側に配置され、該基板の裏面側を撮像する撮像装置５と、第１の照明装置３から光を照射した状態で撮像装置５により得られた第１の画像と、第２の照明装置４から光を照射した状態で撮像装置５により得られた第２の画像とから、該基板の少なくとも一箇所の該エッジ部のエッジ位置を検出する位置検出部１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】既存の半導体素子製造工程に使われる光学顕微鏡をそのまま使用して直径の細いナノ線又は炭素ナノチューブの映像を獲得すること。
【解決手段】ナノ線感知用光学顕微鏡システム１は、光源を生成し、この生成された光源をナノ線素子用試料に提供する光源部１０と、この光源部から提供された光源の経路上に設けられ、この光源を偏光させる回転偏光板２０と、この回転偏光板で偏光され、ナノ線素子用試料に入射された光源を用いてナノ線映像を検出する光学顕微鏡３０と、この光学顕微鏡の一方の領域に設けられ、光学顕微鏡で検出されたナノ線映像を撮影して貯蔵するＣＣＤカメラ３１と、このＣＣＤカメラを介して貯蔵されたナノ線映像を高速フーリエ変換処理するデータ処理部５０を備えている。これにより、ナノ線ａ，ｂ，ｃの光学的異方性に起因してナノ線に入射する光の偏光方向によって反射光の強さが変化する。 （もっと読む）

【課題】環境変化に対する光学性能の変化を低減することができる結像光学系の設計方法を提供する。
【解決手段】第１の焦点距離ｆ１を有する第１のレンズ群と、第２の焦点距離ｆ２を有する第２のレンズ群とを有し、物体面のパターンの像を像面上に結像する結像光学系の設計方法であって、結像光学系が配置される環境が、真空雰囲気から大気雰囲気又は大気雰囲気から真空雰囲気に環境変化した場合において、第１の焦点距離ｆ１と第２の焦点距離ｆ２との比ｆ１／ｆ２に応じて生じるピント位置差Δｄ１を、ａ１及びｂ１を定数としてΔｄ１＝ａ１・（ｆ１／ｆ２）＋ｂ１と定義したときに、定数ａ１及びｂ１を求めるステップと、環境変化によるピント位置差の許容値をΔｄ_Ｔ１として、第１の焦点距離ｆ１と第２の焦点距離ｆ２との比ｆ１／ｆ２を、ｆ１／ｆ２＝（Δｄ_Ｔ１−ｂ１）／ａ１に基づいて決定するステップとを有することを特徴とする設計方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークを描画する時間が短く、製造コストの低いスリット板を提供する。
【解決手段】本発明によるスリット板は、露光装置において、レチクルステージとウェハステージとを位置合せするためにウェハステージに取り付けられる空間像センサに備わる。本発明による空間像センサのスリット板は、スリット板を位置合せするためにスリット板上に付けられるアライメントマークが市松模様を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内外の気圧差による位置決め精度の低下を抑制できる真空用位置決め装置を提供する。
【解決手段】隔壁部６ｂが真空チャンバ１の外壁面１ａと蛇腹状シール部材８を気密に結合され、大気圧と真空チャンバ１内の気圧との気圧差に起因する隔壁部６ｂを挟んで垂直に作用する力の不釣合い分の影響をキャンセルする大気圧低減機構１１を真空チャンバ１と隔壁部６ｂとの間に設けた。 （もっと読む）

【課題】 光電子増倍管を備えた空間像計測センサを使用した場合においても真空放電による装置の破損または故障を防止することができる露光装置を提供する。
【解決手段】 この発明の露光装置は、レチクルステージＲＳＴに載置されるレチクルＲに形成されたパターンを基板ステージＷＳＴに載置される感光性基板Ｗ上に露光する露光装置において、基板ステージ上に設置され、レチクルステージまたはレチクルに形成された位置計測用マーク３を検出するための微細スリット、シンチレータ及び光電子増倍管を備えて構成される空間像計測センサ２２と、レチクルステージにガスを供給するレチクル用ガスフロー機構８及び基板ステージにガスを供給する基板用ガスフロー機構１８の少なくとも一方と、空間像計測センサにより位置計測用マークを検出する際に、レチクル用ガスフロー機構及び基板用ガスフロー機構の少なくとも一方によるガスの供給を停止するガスフロー停止手段１０，２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】異なる真空チャンバー内に設置される装置同士が正確に所定の相対位置となる位置合せを行う位置合せ装置、さらに、特に半導体の製造に用いる露光装置の露光装置本体と光源装置とが正確に所定の相対位置となる位置合せを行う位置合せ装置とそれを備えた露光装置、その露光装置を用いたデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】第一の装置および第二の装置の内、少なくとも一方がチャンバー内に収められ、前記第一の装置と前記第二の装置間の相対位置合せ機能を有する位置合せ装置で、前記第一の装置と前記第二の装置の相対位置を少なくとも１自由度として測定する。 （もっと読む）

【課題】 真空用露光装置においてアライメント光学系やフォーカス光学系を好適に使用することを目的とする。
【解決手段】 基板の位置および高さの少なくともいずれかを計測するための光学系を備える真空用露光装置であって、密封されたカバーによって前記光学系の少なくとも一部が覆われる。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成でありながら、環境変化に対する光学性能の変化を低減することができる結像光学系、露光装置及びデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 物体面のパターンの像を像面上に結像する結像光学系であって、真空雰囲気での結像倍率αを有し、第１の結像位置に結像する第１の結像光学系と、真空雰囲気での結像倍率βを有し、第２の結像位置に結像する第２の結像光学系とを有し、前記結像光学系が配置される環境が、真空雰囲気から大気雰囲気、又は、大気雰囲気から真空雰囲気に変化した場合において、前記第１の結像位置が光軸に沿って変化する方向と、前記第２の結像位置が光軸に沿って変化する方向とが、互いに逆方向であることを特徴とする結像光学系を提供する。 （もっと読む）

【課題】極端紫外線（ＥＵＶ）光を用いる露光装置におけるウェハとレチクルの位置合わせを高精度で行う。
【解決手段】極端紫外線光を用いてレチクルステージ２０上の基準パターン１１０を検出する位置合わせ装置１００においては、ウェハステージ１０上のスリット１２０を経て光ファイバー等の光導波路１３２に極端紫外線光を導波させるのが難しいため、スリット１２０に対向して蛍光体１２２を配設し、スリット１２０を通過した極端紫外線光を波長の長い光に変えて光導波路１３２に導入し、制御部１４０において位置合わせのための電気信号へ変換する。 （もっと読む）