【課題】マスクとして用いる層に形成された開口部の幅を縮小する基板処理方法を提供する。
【解決手段】サセプタにウエハＷを載置した後、上部フォトレジスト層４０に形成された開口部４１の幅を縮小する際に、サセプタへプラズマ生成用の高周波電力のみを印加してＣＦ_４ガス及びＣＨ_４ガスからプラズマを生じさせ、幅が縮小された開口部４１を介してハードマスク層３９に開口部４２を形成しつつ、該開口部４２の幅を縮小する際に、サセプタ１２へイオン引き込み用及びプラズマ生成用の高周波電力を印加してＣＦ_４ガス、ＣＨ_４ガス及びＯ_２ガスからプラズマを生じさせ、さらに、下部フォトレジスト層３８に形成された開口部４３の幅を縮小する際に、サセプタ１２へプラズマ生成用の高周波電力のみを印加してＣ_４Ｆ_８ガス及びＯ_２ガスからプラズマを生じさせる。 （もっと読む）

【課題】第一のレジスト膜上に第一のレジストパターンを形成した後、第一のレジストパターンの上に第二のレジスト膜を形成し第二のレジストパターンを形成するために、第一のレジストパターンに対して化学的な処理を行って第二のレジスト液に溶解しないように性状を変化させるフリージングプロセスにおいて、第一のレジストパターンが第二のレジスト液に溶解せず、第一のレジストパターンの寸法が変化しない、更には、第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのドライエッチング耐性が同じであるという要件を満たすように、第一のレジストパターンに対して化学的な処理を行う為のフリージングプロセス用の表面処理剤及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】多価アルコール化合物を含有するパターン形成用表面処理剤、及び、当該表面処理剤を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】凹凸形状を含む基板上に、簡易な方法で精度良くレジストを塗布する。
【解決手段】凹凸形状を含む基板１０１の表面にレジストを塗布してレジスト層を形成する第１の工程と、レジスト層１０３，１０４を露光、現像することによりパターニングする第２の工程と、第２の工程でパターニングされたレジスト層をエッチングマスクとして２回目のドライエッチングを行う第３の工程を有し、第１の工程は、第１のレジスト塗布工程と第２のレジスト塗布工程を備え、第１のレジスト塗布工程と第２のレジスト塗布工程では、塗布するレジストの流動性が異なる。 （もっと読む）

本発明は、電気デバイスおよび電子デバイスの製造方法に関する。ポリマーフィルムが、基板上にパターン化される。厚いフィルムペーストが、パターン化ポリマーの上に付着される。厚いフィルムペーストが、ポリマーの、厚いフィルムペースト中への拡散を可能にする条件下で乾燥される。これにより、拡散領域がアルカリ現像溶液に不溶性となる。
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