【解決手段】ナフタレン、フルオレン、フルオレノン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、アントラキノン、キサントン、チオキサントン、ベンゾクマリン、フェナレン-1-オン、アセナフテンから選ばれる芳香族基含有繰り返し単位を有し、酸によりアルカリに溶解する高分子化合物を含む第1のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第1のレジスト膜を形成する工程と第1のレジスト膜上にアルキルアルコールを溶剤とする第2のポジ型レジスト材料を塗布して第2のレジスト膜を形成する工程と高エネルギー線で露光、ベーク後現像液を用いて前記第1,2のレジスト膜を同時に現像してレジストパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
【効果】第2層のレジスト膜を第1層レジスト膜と組み合わせることにより第2層のレジスト膜単独の場合よりも現像後のレジストパターンをマスクにして基板をエッチング加工したりイオンを打ち込んだりするときの耐性を高くできる。 （もっと読む）

【課題】反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜３の形成方法であって、少なくとも、ビスナフトール基を有する化合物をノボラック化した樹脂を含有するレジスト下層膜材料を基板１上にコーティングする工程と、コーティングした該レジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させる工程を含むことを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】解像性を損なうことなく、レジストパターン形状が逆テーパ形状となることを回避可能なレジストパターン形状制御材料、半導体装置の製造方法、及び磁気ヘッドの製造方法の提供。
【解決手段】本発明のレジストパターン形状制御材料は、スルホン基を有する基材樹脂、光酸発生剤、及び溶剤を含むことを特徴とする。基材樹脂が、ベンゼンスルホン酸からなるモノマー単位を含むポリマーである態様、基材樹脂が、硫黄含有量で１重量％以上のスルホン基を有する態様などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜が溶解しないように上層膜剤の塗布前のいわゆるプリウェットを実現し、上層膜剤の省液化を図る。
【解決手段】上層膜形成装置には、スピンチャック１３０と、上層膜を形成するための上層膜剤を吐出する第１のノズル１４３と、上層膜剤用のプリウェット溶剤Ａを吐出する第２のノズル１５０が設けられる。第２のノズル１５０から吐出されるプリウェット溶剤Ａには、炭素数１〜１０の一価または二価のアルコール類、炭素数１〜８のハロゲンを置換基として有していてもよいアルキル基を有するエーテル類、及び炭素数７〜１１の炭化水素類の中から選ばれる一種以上の化合物を含有しているものが用いられる。ノズル１５０からプリウェット溶剤Ａが吐出され、当該プリウェット溶剤Ａがレジスト膜の表面に塗布される。その後ノズル１４３から上層膜剤が吐出され、上層膜剤がスピン塗布法によりレジスト膜の表面に塗布されて上層膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】レジスト間あるいはレジストとリフトオフ材料間が混ざり合って寸法精度やパターン精度が劣化することを防止すると共に、リフトオフ時に容易に有機溶剤に溶解し、安定した製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に非水溶性フォトレジスト材料１１を塗布形成する工程と、上記非水溶性フォトレジスト材料１１の上面に中間層として水溶性フッ化物含有溶液２０を塗布形成する工程と、上記中間層２０上に非水溶性フォトレジスト材料１２を塗布形成する工程とを有する製造方法。 （もっと読む）

【課題】凹凸形状を含む基板上に、簡易な方法で精度良くレジストを塗布する。
【解決手段】凹凸形状を含む基板１０１の表面にレジストを塗布してレジスト層を形成する第１の工程と、レジスト層１０３，１０４を露光、現像することによりパターニングする第２の工程と、第２の工程でパターニングされたレジスト層をエッチングマスクとして２回目のドライエッチングを行う第３の工程を有し、第１の工程は、第１のレジスト塗布工程と第２のレジスト塗布工程を備え、第１のレジスト塗布工程と第２のレジスト塗布工程では、塗布するレジストの流動性が異なる。 （もっと読む）

【課題】ディジタル・リソグラフィを採用し、従来よりも小さいフィーチャ・サイズを有する構造体を製造可能とする。
【解決手段】基板の上にターゲット材料層を堆積させる、第１のステップと、ターゲット材料層の上に相変化材料を堆積させる、第２のステップと、相変化材料のプリント・パターンの下にある領域内を除くターゲット材料層と、相変化材料のプリント・パターンの下にあるターゲット材料層の全部ではなく一部と、を除去する、第３のステップと、を含み、その結果、前記基板の上にターゲット材料の微細なフィーチャであって、それらの幅が当初それらの上に置かれた前記相変化材料のその部分の幅より小さいフィーチャ、が形成される。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたパターンをマスクとしてエッチングを行うパターン形成方法において、パターン表面に、低温で、耐エッチング性が高い金属酸化物膜を、パターン表面に選択的に形成するために好適に用いられる下層膜形成用材料、積層体およびパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板と、加水分解により水酸基を生成し得る金属化合物（Ｗ）が溶剤（Ｓ）に溶解してなる膜形成用材料を用いて形成される金属酸化物膜との間に下層膜を形成するための下層膜形成用材料であって、多環式の炭化水素環を有し、該炭化水素環の環上の少なくとも１つの炭素原子が主鎖を構成する構成単位（ａ）を有し、前記金属化合物（Ｗ）と反応する官能基を有さず、かつ前記溶剤（Ｓ）に溶解可能な樹脂（Ａ１）を含有することを特徴とする下層膜形成用材料。 （もっと読む）

【課題】浸漬リソグラフィにおいて、レジスト膜上に形成されるバリア膜のバリア性を向上して、良好な形状を有する微細パターンを形成できるようにする。
【解決手段】基板の上にレジスト膜１０２を形成し、続いて、形成したレジスト膜１０２の上に、フラーレンを含むバリア膜１０３を形成する。その後、バリア膜１０３の上に液体１０４を配した状態で、バリア膜１０３を介してレジスト膜１０２に露光光１０５を選択的に照射することによりパターン露光を行なう。続いて、バリア膜１０２を除去した後、パターン露光が行なわれたレジスト膜１０２に対して現像を行なうことにより、良好な形状を有するレジストパターン１０２ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】 微細パターン形成する工程を備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 被加工膜の上に、酸を含有する下層膜を形成する工程と、
前記下層膜の上にレジストを塗布する工程と、前記レジストに露光及び現像を行い、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして、下層膜をエッチングすることにより、前記下層膜を貫通して前記被加工膜に至る開口を形成する工程と、前記開口の内壁に露出する前記下地層の側壁にパターンシュリンク材を塗布する工程と、熱処理により前記酸を前記パターンシュリンク材中に拡散させて架橋領域層を形成する工程と、前記架橋領域層が形成されない前記パターンシュリンク材を除去する工程と、前記架橋領域層と、前記レジストパターンと、前記下層膜と、をマスクとして、前記被加工膜をエッチングする工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】光学像よりも微細なスペースあるいはホールパターンを形成することができるレジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１上に形成された被加工膜１０２上に第１レジスト膜１０３を形成する工程と、第１レジスト膜上に第２レジスト膜を形成しさらにレジストパターン１０５を形成する工程と、レジストパターン上に金属元素または半導体元素を含有するオーバーコート膜を形成する工程と、オーバーコート膜をレジストパターンとの界面から所定距離の部分を溶媒に対して不溶化する工程と、オーバーコート膜の溶媒に可溶な部分を溶媒で除去してオーバーコート膜パターン１０７を形成する工程と、オーバーコート膜パターンを第１レジスト膜に転写して下層レジスト膜パターンを形成する工程と、前記下層レジスト膜パターンを前記被加工膜に転写して被加工膜パターンを形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセス用の下層膜にクラック耐性をもたせるパターン形成方法、下層膜形成組成物、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板（１）上に形成された被加工膜（２）上に下層膜（３）を形成する工程と、前記下層膜（３）に酸化処理を行う工程と、前記下層膜（３）のマスクとなる中間膜（５）を形成する工程と、前記中間膜（５）上にレジスト膜（６）を形成する工程と、前記レジスト膜（６）を露光し、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを前記中間膜（５）に転写し、中間膜パターンを形成する工程と、前記中間膜パターンを前記下層膜（３）に転写し、下層膜パターンを形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】リフトオフ処理時間を大にすることなく、寸法精度に優れた微細パターンを容易に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】表面レジスト層１５は、前述のパターン露光領域外のみ通常のポジ型レジストとして現像される。そして、下層のレジスト層１３はネガ型に反転した表面レジスト層１５のパターン露光領域下部も現像されるため、下層のレジスト層１３は表面レジスト層１５に対し、アンダーカットされた断面形状となる。なお、表面レジスト層１５は、下層のレジスト層１３との相互拡散の影響により逆テーパ形状を有する。 （もっと読む）

【課題】 ２層フォトレジストプロセスにおいて上層レジストと下層膜とのインターミキシングレイヤーを生ずることなく良好なアンダーカット形状を形成できる実用性の高い下層用組成物及びレジストパターン形成方法を提供する。
【解決の手段】 基板上に形成した下層有機膜と上層ポジ型フォトレジスト膜との２層の膜を、マスクを介して露光し、現像することによりアンダーカット形状を有するレジストパターンを上記基板上に形成するための上記下層有機膜用の組成物であって、３−メチルフェノールと４−メチルフェノールとの混合物であるフェノール成分（Ａ１）と、芳香族アルデヒド及びホルムアルデヒドからなるアルデヒド成分（Ａ２）とを縮合してなるアルカリ可溶性樹脂（Ａ）と、溶剤（Ｂ）とからなる下層有機膜組成物、及び、これを用いたレジストパターン形成方法。 （もっと読む）