【課題】半導体集積回路装置の量産プロセスにおいては、多層レジストパターンの再生時等に、多層レジスト膜の中間膜であるシリコン含有レジスト膜を除去する必要があるが、シリコンを含有するため通常のレジスト剥離液や酸素プラズマ処理では、除去困難であることが明らかとなった。これは、シリコンを含まないレジスト等の除去液や酸素プラズマによる処理は、通常、シリコンの除去能力が低いからである。
【解決手段】本願の一つの発明は、半導体集積回路装置の製造プロセス中におけるウエハ上の多層レジスト膜のシリコン含有中間層の除去工程において、多層レジスト膜に対して、オゾン処理を施した後、薬液を用いたウエット処理を実施するものである。 （もっと読む）

【課題】反射防止効果が高く、耐酸素アッシング性に優れるシリコン含有膜を形成することができ、且つボトムに裾引きがないレジストパターンを安定して形成できるシリコン含有膜形成用組成物等を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン含有膜形成用組成物は、下式（１）で表される化合物由来の構造単位（ａ１）を含有するポリシロキサンと、有機溶媒と、を含有する。


〔式中、Ｒ^１は、ｂ価の置換されてもよい芳香族炭化水素基又は置換されてもよい複素環基を表し、Ｒ^２及びＲ^３は各々独立して１価の有機基を表す。ａは０〜１の数であり、ｂは２又は３である。Ｘ^１は、単結合、置換されてもよいメチレン基、炭素数２〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基又はフェニレン基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】異なる領域のパターン間に重ね合わせズレを発生させずに、一の領域に微細な狭ピッチパターンを形成すると同時に他の領域に微細パターンを形成する。
【解決手段】第１領域１０１及び第２領域１０２を含む基板１００上に被加工膜１２１を形成した後、各領域間で膜厚が異なる下層レジスト膜１２２及び１２３を形成し、その後、中間層レジスト膜１２４及び上層レジスト膜１２５を形成する。ホールパターン形成用の露光マスクを用いて上層レジスト膜１２５をパターニングした後、それをマスクとして中間層レジスト膜１２４をパターニングし、その後、それをマスクとして下層レジスト膜１２２及び１２３をパターニングした後、それをマスクとして被加工膜１２１をエッチングすることにより、各領域で開口寸法が異なる複数のホール１５１ａ及び１５１ｂを同時に形成する。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンに生じるラフネスを低減して良好な形状を有するパターン形成方法を実現できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に、ラクトンがフェノールにおけるＯＨ基の水素と置換された基と酸脱離基とを含むポリマーを有する化学増幅型レジスト材料からレジスト膜１０２を形成する。続いて、レジスト膜１０２に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。その後、パターン露光が行われたレジスト膜１０２を加熱し、加熱されたレジスト膜１０２に対して現像を行って、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 （もっと読む）

【解決手段】(A)式(1)の化合物と式(2)の化合物との加水分解縮合で得られる金属酸化物含有化合物、
Ｒ¹_m1Ｒ²_m2Ｒ³_m3Ｓｉ(ＯＲ)_(4-m1-m2-m3) (1)
(Ｒはアルキル基、Ｒ¹〜Ｒ³はＨ又は１価有機基、m1〜m3は０又は１。m1＋m2＋m3は０〜３。)
Ｕ(ＯＲ⁴)_m4(ＯＲ⁵)_m5 (2)
(Ｒ⁴、Ｒ⁵は有機基、m4、m5は０以上の整数、Ｕは周期律表のＩＩＩ〜Ｖ族の元素。)
(B)式(3)又は(4)の化合物、
Ｌ_aＨ_bＸ (3)
(ＬはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ又はＣｓ、Ｘは水酸基又は有機酸基、ａは１以上、ｂは０又は１以上の整数、ａ＋ｂは水酸基又は有機酸基の価数。)
Ｍ_aＨ_bＡ (4)
(Ｍはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウム、ＡはＸ又は非求核性対向イオン、ａは１以上、ｂは０又は１以上の整数。)
(C)有機酸、
(D)有機溶剤
を含む熱硬化性金属酸化物含有膜形成用組成物。
【効果】本発明組成物で形成された金属酸化物含有中間膜を用いることで、良好なパターン形成ができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、重畳(overlay)により臨界寸法(Critical Demension; ＣＤ)が不良になる問題を除去し、露光工程の解像度より微細なパターンを形成することができる半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】 エッチング対象膜が形成された半導体基板上に露光タイプが異なる第１のフォトレジスト膜及び第２のフォトレジスト膜を形成する段階と、前記第２のフォトレジスト膜及び第１のフォトレジスト膜に露光工程を行う段階と、前記第２のフォトレジスト膜を現像して第２のフォトレジストパターンを形成する段階と、前記第２のフォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いるエッチング工程で前記第１のフォトレジスト膜をエッチングして第１のフォトレジストパターンを形成する段階と、前記第１のフォトレジストパターンを現像して補助パターンを形成する段階と、前記補助パターンを用いて前記エッチング対象膜をエッチングする段階とを含む構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜との密着性に優れ、レジストパターンの再現性を向上させるとともに、現像等に用いられるアルカリ液及びレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性を有するレジスト下層膜を形成することができ、且つ、保存安定性に優れたレジスト下層膜用組成物を提供する。
【解決手段】本レジスト下層膜用組成物は、下記式（１）で表される繰り返し単位、及び下記式（２）で表される繰り返し単位を含有する樹脂と、溶剤と、を含む。
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【課題】製造期間および製造コストを抑制しつつ高精度に光学樹脂を加工すること。
【解決手段】基板上に加工対象となる光学樹脂層を積層し、光学樹脂層上にこの光学樹脂層に対するＸ線遮光の役割を兼ねる第１のメッキシード層およびＸ線レジスト層からなるＸ線マスク形成層を積層し、Ｘ線マスク形成層上にこのＸ線マスク形成層に対するＵＶ遮光の役割を兼ねる第２のメッキシード層およびＵＶレジスト層からなる中間マスク形成層を積層した積層基板を用意し、中間マスク形成層に形成された中間マスクを用いることによってＸ線マスク形成層に高コントラストＸ線マスクを形成し、Ｘ線マスク形成層に形成された高コントラストＸ線マスクを用いることによって光学樹脂層を加工する。 （もっと読む）

【課題】製造工程が複雑になるのを抑制するとともに、製造が困難で製造に時間がかかるマスクを用いることなく、１回のリソグラフィ工程により接続孔および配線溝を形成するためのパターニングを行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、デュアルダマシン法により配線を形成する半導体装置の製造方法であって、配線３を覆うように絶縁膜４、レジスト５、および、感光性シリコンを含有するレジスト６を配置する工程と、クロムマスク２０を用いてレジスト５および６を同時に露光する工程と、レジスト６の露光された部分をシリル化する工程と、現像液を用いてレジスト５の感光部５ｂを除去する工程と、レジスト６のシリル化部６ａおよび６ｂをマスクとして絶縁膜４およびレジスト５の少なくとも一部を除去することにより、絶縁膜４に接続孔７と配線溝８とを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】エッチングにおけるプロセス変動を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板ＳＢ上に薄膜ＧＴが形成される。この薄膜ＧＴ上にレジスト層ＲＳが形成される。このレジスト層ＲＳ上に中間層ＩＬが形成される。この中間層ＩＬ上にフォトレジストパターンＰＲが形成される。このフォトレジストパターンＰＲがマスクとされて、中間層ＩＬがパターニングされる。パターニングされた中間層ＩＬがマスクとされて、レジスト層ＲＳがパターニングされる。パターニングされた中間層ＩＬおよびパターニングされたレジスト層ＲＳのいずれかがマスクに用いられて上記薄膜ＧＴがエッチングされる。この薄膜ＧＴのエッチングの開始から終了まで薄膜ＧＴのエッチングに用いられるマスクの材料が変わらない。 （もっと読む）

【課題】基板上にレジストを塗布し、パターン状に露光しレジストのパターンを形成する方法であって、従来の露光装置や製膜装置を利用して、さらに微細なパターンを形成できるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１上にポジタイプのレジスト又はネガタイプのレジストを塗布し第一レジスト３とし、次にその上に第一レジストとは逆のタイプのレジストを塗布し第二レジスト４とし、次にパターン形成されたマスク５を介し露光し、次に第二レジスト４を弱現像し、次に第二レジスト４が残余されていない領域の第一レジスト３及び第二レジスト４の残余部をエッチングにより除去し、次に第一レジストを弱現像することにより、マスクのパターンの境界に対応する部位に線状レジストパターン３１を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】帯電防止膜剥離時の剥離残りが防止され、現像後の面内均一性に優れたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】パターン形成方法が、レジスト膜を半導体基板上に形成する工程、前記レジスト膜上に帯電防止膜を形成する工程、前記レジスト膜に対して電子線を露光する工程、温度３０℃以上３５℃以下の剥離液を用いて前記帯電防止膜を剥離する工程、および前記レジスト膜に対して現像を行い所定のパターンを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】レジスト間あるいはレジストとリフトオフ材料間が混ざり合って寸法精度やパターン精度が劣化することを防止すると共に、リフトオフ時に容易に有機溶剤に溶解し、安定した製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に非水溶性フォトレジスト材料１１を塗布形成する工程と、上記非水溶性フォトレジスト材料１１の上面に中間層として水溶性フッ化物含有溶液２０を塗布形成する工程と、上記中間層２０上に非水溶性フォトレジスト材料１２を塗布形成する工程とを有する製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は電子デバイス基板上のフォトレジストの再加工のために該基板上の多重層フォトレジスト層を除去する組成物。
【解決手段】該組成物は（ｉ）少なくとも三つの別個の溶媒、（ｉｉ）少なくとも一つの有機スルホン酸、及び（ｉｉｉ）少なくとも一つの腐食防止剤を含む。本発明はまた該組成物を使用する方法にも関係する。該組成物及び方法は３分未満の接触時間で且つ６５℃未満の温度でそのような多重層フォトレジストを除去することに成功し、これにより枚葉式ウェハーツールにおける高い処理能力をもたらした。 （もっと読む）

【課題】 Ｏ_２系エッチングガスのプラズマを使用して３層レジストの下層レジスト膜をドライ現像する際に、エッチング形状の制御と残渣の抑制を両立させることが可能なプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 プラズマエッチング装置１の処理室内で、エッチングガスとして、分子内に炭素原子を含む炭素含有化合物ガスとＯ_２ガスとを含む混合ガスを用い、かつ総ガス流量に対する炭素含有化合物ガスの流量比を４０〜９９％として、上層有機系材料膜および中間層をマスクとして下層有機系材料膜をエッチングすることにより、前記中間層のパターンを前記下層有機系材料膜に転写する工程を含む、プラズマエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】レジスト除去後においてもＳｉが基板上に残ることなく、容易にシリコン含有二層レジストを除去する方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に、有機高分子化合物を含む下層膜２０とシリコン含有レジスト膜３０とを順次積層してなるシリコン含有二層レジストが形成されたレジスト積層基板から、シリコン含有二層レジストを除去する方法であって、有機溶剤によってシリコン含有レジスト膜３０の剥離を行う剥離工程と、剥離工程後の下層膜２０表面をアルカリ系洗浄液又はフッ酸で洗浄する洗浄工程と、酸素プラズマ処理によって下層膜２０を除去するアッシング工程と、を備えるシリコン含有二層レジスト除去方法である。 （もっと読む）

【課題】パターン形成方法に関し、パターン疎密に依るエッチング形状の差を解消することが可能であり、また、エッチングシフト量の変動などに対して即応性に優れ、且つ、低コストのパターン形成方法を提供しようとする。
【解決手段】パターン密度が異なる回路パターンの形成を必要とする被エッチング膜２のエッチングに於いて、パターン密度にかかわらずエッチング後に所望の寸法をもつ被エッチング膜２を形成する為、所望のエッチングシフト量が得られるレジスト膜厚をそれぞれのパターン密度に応じて決定し、前記パターン密度に対応して膜厚を変化させたレジスト膜４をマスクとしてエッチングを行う。 （もっと読む）

半導体ウエハなどの基板からイオン注入フォトレジストを除去する方法であって、フォトレジストのクラストとバルク層との界面を変形するためにフォトレジストを加熱すること、及び、前記フォトレジストに亀裂を生じさせるために加熱温度を調節することからなる前記方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 真空成膜法を用いた方法であって、厚みが大きくパターン化された材料層を、容易にその側面が基板となす角度を垂直等の任意の角度とすることのできる方法を提供すること。
【解決手段】 基板１上に、中間樹脂層２２を有するレジスト層２を形成するレジスト層形成工程と、レジスト層２に所定のパターンを露光する露光工程と、基板１が露出するトレンチを形成するとともに当該トレンチ側面に溝２３が形成されるように中間樹脂層２２を除去して、レジストフレームを形成する現像工程と、材料パターン部分３１及び被リフトオフ部分３２を有する真空成膜層３を真空成膜法により形成する真空成膜工程と、被リフトオフ部分３２をレジストフレームとともに除去して、材料パターン部分３１を有する材料パターンを得るリフトオフ工程とを備える、パターン化された材料層の形成方法。 （もっと読む）