【課題】ハンプのない半導体装置の製造方法と、半導体装置と、露光装置とを提供する。
【解決手段】被加工膜２の上に下層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料が塗布される。下層レジスト材料膜に露光光を照射することにより酸を発生させる。ベーク処理を施すことによって下層レジスト膜３ｂが形成される。現像処理を施すことにより、架橋した下層レジスト膜３ｂを残して、未架橋の下層レジスト材料膜の部分が除去される。中間層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料を塗布し、同様の露光処理と現像処理を施すことにより、架橋した中間層レジスト膜４ｂを残して、未架橋の中間層レジスト材料膜の部分が除去される。 （もっと読む）

【課題】３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種以上の化合物と、下記一般式（２）で示される１種以上の化合物と、Ｙ−ＣＨＯで示される１種以上の化合物及び／又はその等価体とを縮合することにより得られるポリマーを含有するレジスト下層膜材料。


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【課題】第１レジストパターンの保護性能の向上及び第２レジストの面内塗布性能の向上が図れ、かつ、レジストの省薬液化を図れるようにしたレジストパターン形成方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】ウエハにレジスト塗布処理、露光処理及び現像処理等のリソグラフィ処理を施して所定のパターンを形成するリソグラフィ工程を繰り返し行うレジストパターン形成において、ウエハに架橋剤を含有するレジストを塗布（Ｓ−１）し、その後、露光（Ｓ−４）及び現像（Ｓ−６）して第１レジストパターンを形成する。第１レジストパターンに紫外線を所定時間照射（Ｓ−７）すると共に、第１レジストパターンが形成されたウエハを所定温度で加熱（Ｓ−８）した後、第１レジストパターンが形成されたウエハに、第２レジストを塗布（ｓ−９）、露光（Ｓ−１２）及び現像（Ｓ−１４）して第２レジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の密集コンタクトホールパターン形成技術において、セルフアラインダブルパターニング技術を用いて、リソグラフィ技術で形成したパターンの２倍、あるいは３倍の密度のホールパターンを高精度で形成する。
【解決手段】２層のマスク材上に正方格子又は三角格子のドットパターンを形成し、ダブルパターニング技術で上層のマスク材に第１ホールを形成し、下層のマスク材には第１ホールより広い第２ホールを形成し、さらに第１ホールを閉塞する膜厚で絶縁膜を成膜することで、第２ホール内にボイドを残し、このボイドの形状を被処理層に転写する。 （もっと読む）

【課題】 保存安定性に優れており、レジスト膜との密着性に優れるシリコン含有膜を形成することができると共に、裾引き等のないボトム形状に優れるレジストパターンを安定して形成できるシリコン含有膜形成用組成物を提供することである。
【解決手段】 （Ａ１）ポリシロキサン、（Ｂ）特定構造を有する化合物、および（Ｃ）有機溶媒を含有することを特徴とするシリコン含有膜形成用組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】工程中のパーティクルなどによってテンプレートが破壊されることを抑制した高生産性のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工膜の上にインプリント材料を塗布し、インプリント材料に、第１凹凸が設けられた転写面を有するテンプレートの転写面を接触させて、インプリント材料に第１凹凸の形状を反映した第２凹凸を形成し、インプリント材料にテンプレートを接触させた状態でインプリント材料を硬化させ、硬化したインプリント材料の第２凹凸の凹部にマスク材を充填し、充填されたマスク材をマスクにして、インプリント材料を加工して、被加工膜の一部を露出させ、加工されたインプリント材料をマスクにして被加工膜を加工するパターン形成方法が提供される。第２凹凸の凹部の底面と被加工膜との間のインプリント材料の厚さは、第２凹凸のハーフピッチの２．５倍以上である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜、を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、及びパターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、（Ａ）熱不安定基で保護されたカルボキシル基を有するフラーレン誘導体と、（Ｂ）有機溶剤とを含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】反射防止効果が高く、耐酸素アッシング性に優れるシリコン含有膜を形成することができ、且つボトムに裾引きがないレジストパターンを安定して形成できるシリコン含有膜形成用組成物等を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン含有膜形成用組成物は、下式（１）で表される化合物由来の構造単位（ａ１）を含有するポリシロキサンと、有機溶媒と、を含有する。


〔式中、Ｒ^１は、ｂ価の置換されてもよい芳香族炭化水素基又は置換されてもよい複素環基を表し、Ｒ^２及びＲ^３は各々独立して１価の有機基を表す。ａは０〜１の数であり、ｂは２又は３である。Ｘ^１は、単結合、置換されてもよいメチレン基、炭素数２〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基又はフェニレン基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】レジスト下層膜用芳香族環含有重合体、この重合体を含むレジスト下層膜組成物、および素子のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】前記重合体は、下記化学式（１）で表示される繰り返し単位を含む芳香族環含有重合体である。
【化１】


化学式（１）において、Ｒ１およびＲ２は互いに独立して、水素原子、置換の炭素数１〜１０のアルキル基、また炭素数６〜２０のアリール基であり、Ａはヘテロ原子を含む芳香族化合物またはヘテロ原子を含まない芳香族化合物から誘導された作用基であり、ｎは１〜１００の整数である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面エネルギーの低い薄膜に、ダメージなくパターニングを行う薄膜のパターニング方法、デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜２０上に、蒸着膜３０を積層する工程と、
前記蒸着膜上に、フォトレジスト層４０を積層する工程と、
フォトリソグラフィにより、前記フォトレジスト層をパターニングし、パターニングされた前記フォトレジスト層を用いて前記蒸着膜をエッチングしてパターニングする工程と、
パターニングされた前記蒸着膜をパターンマスクとして、前記薄膜をエッチングしてパターニングを行う工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】新規多層フォトレジスト系の提供。
【解決手段】多層フォトレジスト系が提供されている。特別の局面においては、本発明は、オーバーコートされたフォトレジスト用の下層組成物、特に短い露光波長で像形成されるオーバーコートされたケイ素含有フォトレジストに関する。好ましい下層組成物は、耐エッチング性と反射防止性を付与する１つ以上の樹脂と他の構成成分、例えばフェニルあるいは他の耐エッチング性の基を含有する１つ以上の樹脂とアントラセンまたはフォトレジストの露光放射線に有効な反射防止性発色団部分である他の部位を含む。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性が維持され、反射率が低減されたレジスト下層膜を形成可能なレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）芳香族環を有する重合体と、（Ｂ）下記一般式（１）で表される化合物と、（Ｃ）有機溶媒と、を含有するレジスト下層膜形成用組成物。


（一般式（１）中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子などであり、Ｒのうち、１又は２つがアダマンチル基、１又は２つがグリシジルエーテル基である。ｎは０〜３の整数である） （もっと読む）

【課題】レジストパターンの寸法変化を抑制することができるパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】Ｄｅｎｓｅ部及びＦｌａｔ部を有するギャップが存在する被加工基板上に、平坦化膜形成用組成物を塗布して平坦化膜を形成する工程（１）と、平坦化膜上にレジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成する工程（２）と、レジスト膜に放射線を照射して、レジスト膜を選択的に露光する工程（３）と、露光したレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程（４）と、レジストパターンをマスクとして用いて、平坦化膜及び被加工基板に所定のパターンを形成する工程（５）と、を含み、平坦化膜形成用組成物が、所定の重合体（Ａ）と、架橋剤（Ｂ）と、有機溶媒（Ｃ）と、を含有するものであるパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク層又は中間層に形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】シリコン基材５０上にアモルファスカーボン膜５１、Ｓｉ−ＡＲＣ膜５２、フォトレジスト膜５３が順に積層され、フォトレジスト膜５３は、Ｓｉ−ＡＲＣ膜５２の一部を露出させる開口部５４を有するウエハＷにおいて、ＣＨＦ_３ガスとＣＦ_３Ｉガスとの混合ガスから生成されたプラズマによって、フォトレジスト膜５３の開口部５４の開口幅を縮小させる開口幅縮小ステップと、開口部５４の底部のＳｉ−ＡＲＣ膜５２をエッチングするエッチングステップを１ステップとして行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多層レジスト法（特には２層レジスト法及び３層レジスト法）において、レジスト上層膜であるフォトレジスト層より下層を形成するために用いられ、該下層形成後はアルカリ現像液に不溶又は難溶となるレジスト下層膜材料であって、耐ポイゾニング効果が高く、環境への負荷の少ないレジスト下層膜を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、レジスト上層膜であるフォトレジスト層より下層を形成するために用いられ、該下層の形成後はアルカリ現像液に不溶又は難溶となるレジスト下層材料であって、該レジスト下層材料は、少なくとも、熱酸発生剤を含み、該熱酸発生剤は、１００℃以上の加熱により下記一般式（１）で示される酸を発生するものであることを特徴とするレジスト下層材料。
ＲＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＦ_２ＳＯ_３⁻Ｈ^＋ （１） （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れており、且つ、レジスト膜との密着性及びレジストパターンの再現性に優れると共に、現像等に用いられる現像液に対して十分な耐性を有し、レジスト除去時の酸素アッシングに対して十分なマスク性（エッチング耐性）を有するシリコン含有膜を形成できる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物等を提供する。
【解決手段】本組成物は、式（１）の化合物（ａ１）３０〜８０質量部、式（２）の化合物（ａ２）５〜６０質量部、並びに、式（３）の化合物（ａ３）及び式（４）の化合物（ａ４）のうちの少なくとも一方５〜５０質量部〔但し、化合物（ａ１）〜（ａ４）の合計を１００質量部とする。〕に由来するポリシロキサンと、溶媒と、を含有する。
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【課題】パターンつきフォトレジストマスクと、その下に配された中間マスク層と、その下に配された機能性有機質マスク層と、その下に配されたエッチング層とによって形成されるスタックにおいてエッチング層内のエッチング構成の限界寸法を制御するための方法を提供する。
【解決手段】中間マスク層４１６は、パターンつきフォトレジストマスク４２０に対して選択的にエッチングすることによって開口される。機能性有機質マスク層４１２の開口は、ＣＯＳを含む開口ガスを流すこと、プラズマを発生させること、および開口ガスを流すことを停止する工程とを含んでいる。その後エッチング層４０８は、所望の寸法にエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】重ね合わせ露光を行うことなくリソグラフィ・プロセスを用いて、露光装置の解像限界を超えるような微細パターンを形成する。
【解決手段】パターン形成方法は、ウエハＷ上にネガレジスト３及びより高感度のポジレジスト４を塗布することと、ウエハＷのポジレジスト４及びネガレジスト３をライン・アンド・スペースパターンの像で露光することと、ポジレジスト４及びネガレジスト３をウエハＷの表面の法線に平行な方向に現像することとを有する。 （もっと読む）

【課題】ラインアンドスペースパターン疎密部の下層レジスト層のサイドエッチを防止し、疎密差なく異方性形状に加工する多層レジスト膜のドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】無機系中間層２０２のエッチング後、窒素を主成分として含んだ化合物（例えばＮ２）と酸素を主成分として含んだ化合物（例えばＯ２）に加え、サイドエッチを防止するために臭化水素（ＨＢｒ）を添加した混合プロセスガスを用いて下層レジスト層２０３をエッチングする。無機系中間層２０２に対して高い選択比を維持しつつ、ＣｘＢｒｙ，ＣｘＮｙなどの反応生成物を下層レジスト層２０３の側壁に堆積させ側壁保護効果を高めることにより、パターン疎密部において疎密差を制御しながら下層レジスト層２０３をサイドエッチなく異方性形状に加工できる。 （もっと読む）

【解決手段】(A)式(1)の化合物と式(2)の化合物との加水分解縮合で得られる金属酸化物含有化合物、
Ｒ¹_m1Ｒ²_m2Ｒ³_m3Ｓｉ(ＯＲ)_(4-m1-m2-m3) (1)
(Ｒはアルキル基、Ｒ¹〜Ｒ³はＨ又は１価有機基、m1〜m3は０又は１。m1＋m2＋m3は０〜３。)
Ｕ(ＯＲ⁴)_m4(ＯＲ⁵)_m5 (2)
(Ｒ⁴、Ｒ⁵は有機基、m4、m5は０以上の整数、Ｕは周期律表のＩＩＩ〜Ｖ族の元素。)
(B)式(3)又は(4)の化合物、
Ｌ_aＨ_bＸ (3)
(ＬはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ又はＣｓ、Ｘは水酸基又は有機酸基、ａは１以上、ｂは０又は１以上の整数、ａ＋ｂは水酸基又は有機酸基の価数。)
Ｍ_aＨ_bＡ (4)
(Ｍはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウム、ＡはＸ又は非求核性対向イオン、ａは１以上、ｂは０又は１以上の整数。)
(C)有機酸、
(D)有機溶剤
を含む熱硬化性金属酸化物含有膜形成用組成物。
【効果】本発明組成物で形成された金属酸化物含有中間膜を用いることで、良好なパターン形成ができる。 （もっと読む）