【課題】３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種以上の化合物と、下記一般式（２）で示される１種以上の化合物と、Ｙ−ＣＨＯで示される１種以上の化合物及び／又はその等価体とを縮合することにより得られるポリマーを含有するレジスト下層膜材料。


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【課題】レジスト膜をマスクとした反射防止膜のエッチング工程の前に、良好にレジスト膜を改質する。
【解決手段】プラズマ処理方法は、被エッチング層上に反射防止膜であるＳｉ−ＡＲＣ１５が形成され、反射防止膜上にパターン化されたＡｒＦレジスト膜１６が形成された積層膜に対して、エッチングガスから生成されたプラズマにより前記レジスト膜をマスクとして前記反射防止膜をエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程の前に実行され、プラズマ処理装置内にＣＦ_４ガスとＣＯＳガスとＡｒガスとを含む改質用ガスを導入し、該改質用ガスから生成されたプラズマによりＡｒＦレジスト膜１６を改質する改質工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の密集コンタクトホールパターン形成技術において、セルフアラインダブルパターニング技術を用いて、リソグラフィ技術で形成したパターンの２倍、あるいは３倍の密度のホールパターンを高精度で形成する。
【解決手段】２層のマスク材上に正方格子又は三角格子のドットパターンを形成し、ダブルパターニング技術で上層のマスク材に第１ホールを形成し、下層のマスク材には第１ホールより広い第２ホールを形成し、さらに第１ホールを閉塞する膜厚で絶縁膜を成膜することで、第２ホール内にボイドを残し、このボイドの形状を被処理層に転写する。 （もっと読む）

【課題】エッチングにおけるパターンの微細化を比較的容易に図る。
【解決手段】基板上にハードマスク層を有するマスクブランクスにおいて、前記ハードマスク層は、前記基板上に設けられ、導電性を有し且つウェットエッチング自在な層Ａと、前記層Ａの上に設けられ、実質的には酸素を含まないドライエッチングの対象となる層であり且つ前記層Ａに対してエッチングを行う際に前記層Ａのマスクとなる層Ｂと、を有する。 （もっと読む）

【課題】異なる領域のパターン間に重ね合わせズレを発生させずに、一の領域に微細な狭ピッチパターンを形成すると同時に他の領域に微細パターンを形成する。
【解決手段】第１領域１０１及び第２領域１０２を含む基板１００上に被加工膜１２１を形成した後、各領域間で膜厚が異なる下層レジスト膜１２２及び１２３を形成し、その後、中間層レジスト膜１２４及び上層レジスト膜１２５を形成する。ホールパターン形成用の露光マスクを用いて上層レジスト膜１２５をパターニングした後、それをマスクとして中間層レジスト膜１２４をパターニングし、その後、それをマスクとして下層レジスト膜１２２及び１２３をパターニングした後、それをマスクとして被加工膜１２１をエッチングすることにより、各領域で開口寸法が異なる複数のホール１５１ａ及び１５１ｂを同時に形成する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位ａ１を有するポリフルオレンを含有することを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化３７】
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【課題】反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜３の形成方法であって、少なくとも、ビスナフトール基を有する化合物をノボラック化した樹脂を含有するレジスト下層膜材料を基板１上にコーティングする工程と、コーティングした該レジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させる工程を含むことを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能であり、良好なドライエッチング耐性を有するエッチングマスク用ケイ素含有膜を形成でき、保存安定性が良好であり、剥離プロセスで使用される溶液で剥離が可能なケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板、更にパターン形成方法を提供する
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において成膜されるケイ素含有膜を形成するための熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物であって、少なくとも、（Ａ）酸を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、（Ｂ）熱架橋促進剤、（Ｃ）炭素数が１〜３０の１価又は２価以上の有機酸、（Ｄ）３価以上のアルコール、（Ｅ）有機溶剤、を含むことを特徴とする熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】高解像度の露光装置を用いずに微細パターンを形成する。
【解決手段】配線形成用の微細パターン形成では、寸法２ｄのレジスト膜５の両側面に寸法（１／２）ｄの架橋膜６を形成し、レジスト膜５と架橋膜６からなる寸法３ｄのラインパターンと最小寸法ｄのスペースパターンを形成する。レジスト膜５及び架橋膜６をマスクにして第２のハードマスク４に最小寸法ｄの第１の開口部を形成する。第１の開口部に埋め戻し材７を埋め込む。第２のハードマスク４及び埋め込み材７上に、レジスト膜５のパターンに対して寸法２ｄシフトさせた寸法２ｄのレジスト膜８の両側面に寸法（１／２）ｄの架橋膜９を形成し、レジスト膜８と架橋膜９からなる寸法３ｄのラインパターンと最小寸法ｄのスペースパターンを形成する。レジスト膜８及び架橋膜９をマスクにして第２のハードマスク４に最小寸法ｄの第２の開口部を形成する。 （もっと読む）

【課題】低温で、有機材料から形成される膜に対して高いエッチング選択比を有する膜を形成可能な多層プロセス用材料を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に、ドライエッチング可能な下層有機膜と、加水分解により水酸基を生成し得る金属化合物（Ｗ）を含有する多層プロセス用材料を用いて形成された中間層と、上層レジスト膜とが順に積層されてなる多層積層体を形成し、該多層積層体に、ドライエッチングを含む処理を行ってパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ホールパターンの疎密に依存することなく解像限界以下のホールパターンを形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板１０１上に形成した加工対象層１０２に微細なホールパターン５５を形成するホールパターンの形成方法であって、前記加工対象層１０２上に、カーボン膜層１０３、中間マスク層１０４、フォトレジスト層１０５を順次積層して３層構造体を形成する３層構造体形成工程と、前記中間マスク層１０４にホールパターン５０をパターニングする中間マスク層パターニング工程と、サイドウォール用酸化膜形成工程と、前記サイドウォール用酸化膜１０６からなるサイドウォール部１１６を形成するサイドウォール部形成工程と、前記加工対象層１０２に前記微細なホールパターン５５をパターニングする加工対象層パターニング工程とを有することを特徴とするホールパターンの形成方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの検出が可能であるとともに、チャージアップしにくいハードマスクおよびこのハードマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスが形成された半導体基板上に被加工膜１０２を形成し、この被加工膜上にハードマスク１１０を形成してから前記被加工膜をパターニングする工程を含む半導体装置の製造方法において、前記ハードマスクとして、前記被加工膜上に順次積層された導電性カーボン膜１０３及び透光性カーボン膜からなる透明積層膜１０４を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】製造工程が複雑になるのを抑制するとともに、製造が困難で製造に時間がかかるマスクを用いることなく、１回のリソグラフィ工程により接続孔および配線溝を形成するためのパターニングを行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、デュアルダマシン法により配線を形成する半導体装置の製造方法であって、配線３を覆うように絶縁膜４、レジスト５、および、感光性シリコンを含有するレジスト６を配置する工程と、クロムマスク２０を用いてレジスト５および６を同時に露光する工程と、レジスト６の露光された部分をシリル化する工程と、現像液を用いてレジスト５の感光部５ｂを除去する工程と、レジスト６のシリル化部６ａおよび６ｂをマスクとして絶縁膜４およびレジスト５の少なくとも一部を除去することにより、絶縁膜４に接続孔７と配線溝８とを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子の微細パターン形成方法に関する。
【解決手段】より具体的には被食刻層が備えられた基板上に第１〜第３のマスクパターンからなる積層パターンを形成する段階と、前記第３のマスク膜を食刻バリアに利用して第２のマスクパターンを側面食刻する段階と、前記第３のマスクパターンを除去する段階と、前記第２のマスクパターンの上部を露出するスピンオンカーボン層を形成する段階と、前記スピンオンカーボン層を食刻バリアに利用して被食刻層を露出させる段階と、前記スピンオンカーボン層を除去する段階とを含む半導体素子の微細パターン形成方法に関する。 （もっと読む）

【課題】エッチングにおけるプロセス変動を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板ＳＢ上に薄膜ＧＴが形成される。この薄膜ＧＴ上にレジスト層ＲＳが形成される。このレジスト層ＲＳ上に中間層ＩＬが形成される。この中間層ＩＬ上にフォトレジストパターンＰＲが形成される。このフォトレジストパターンＰＲがマスクとされて、中間層ＩＬがパターニングされる。パターニングされた中間層ＩＬがマスクとされて、レジスト層ＲＳがパターニングされる。パターニングされた中間層ＩＬおよびパターニングされたレジスト層ＲＳのいずれかがマスクに用いられて上記薄膜ＧＴがエッチングされる。この薄膜ＧＴのエッチングの開始から終了まで薄膜ＧＴのエッチングに用いられるマスクの材料が変わらない。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜としての機能を有しており、エッチング耐性に優れた下層膜を形成でき、且つデュアルダマシン工程におけるビアへの埋め込み性が良好な下層膜用組成物及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本下層膜用組成物は、下記式（１−Ａ）及び／又は（１−Ｂ）で表される繰り返し単位を有するポリナフタレン誘導体と、溶剤と、を含有する。


〔Ｒ^１は、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基等を示す。また、ａは０〜２の整数、ｂは０〜４の整数であり、１≦ａ＋ｂ≦６である。更に、ｃは０〜３の整数、ｄは０〜３の整数であり、１≦ｃ＋ｄ≦６である。〕 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセス用のレジスト下層膜形成材料であり、特に短波長の露光に対して優れた反射防止膜として機能し、透明性が高く、最適なn値、k値を有し、エッチング耐性に優れたレジスト下層膜形成材料を得ること。
【解決手段】式(1)で示される繰り返し単位を有する重合体を含むフォトレジスト下層膜形成材料。
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【課題】 微細なパターンを低コストで簡易に形成する。
【解決手段】 下地材１１の上に下層１２、中間層１３、および上層レジスト１４を順次に設け、上層レジストをパターニングして、上層レジストパターン１４ａを形成する。この上層レジストパターンをマスクとして中間層に反応性イオンエッチングが施され、中間層パターン１３ａが形成される。この中間層パターンをマスクとして下層がパターニングされ、下層パターン１２ａが形成される。下地材は、この下層パターンをマスクとしてパターニングされる。中間層はＳｉからなる。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィー用レジスト下層膜のためのレジスト下層膜形成組成物、該レジスト下層膜形成組成物を用いたリソグラフィー用レジスト下層膜の形成方法、及びフォトレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 スルホン結合を有する樹脂を含む半導体装置製造のリソグラフィープロセス用レジスト下層膜形成組成物。樹脂が、主鎖又は主鎖と連結する側鎖にスルホン結合が導入されたものである。レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し、５０〜３００℃で焼成し、レジスト下層膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成してレジスト下層膜を形成し、該レジスト下層膜上にフォトレジストを被覆し、このレジスト下層膜とフォトレジストを被覆した基板を露光し、現像し、ドライエッチングにより基板上に画像を転写して集積回路素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】 誘電体空隙を有する相互接続構造体を提供する。
【解決手段】 多相フォトレジスト材料を用いて誘電体層内部に空隙を形成することにより改善された性能及びキャパシタンスを有する相互接続構造体が提供される。相互接続構造部は、相互接続構造部の周りの誘電体層の部分の中に円柱状空隙構造体を有する誘電体層内に埋め込まれる。相互接続構造部はまた、生成される異なる誘電率を有する２つ又は複数の相を有する誘電体内に埋め込むこともできる。この相互接続構造体は現行の後工程プロセスに適合する。 （もっと読む）