【解決手段】ナフタレン、フルオレン、フルオレノン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、アントラキノン、キサントン、チオキサントン、ベンゾクマリン、フェナレン-1-オン、アセナフテンから選ばれる芳香族基含有繰り返し単位を有し、酸によりアルカリに溶解する高分子化合物を含む第1のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第1のレジスト膜を形成する工程と第1のレジスト膜上にアルキルアルコールを溶剤とする第2のポジ型レジスト材料を塗布して第2のレジスト膜を形成する工程と高エネルギー線で露光、ベーク後現像液を用いて前記第1,2のレジスト膜を同時に現像してレジストパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
【効果】第2層のレジスト膜を第1層レジスト膜と組み合わせることにより第2層のレジスト膜単独の場合よりも現像後のレジストパターンをマスクにして基板をエッチング加工したりイオンを打ち込んだりするときの耐性を高くできる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、基板の段差埋め込み性に優れ、耐溶媒性を有し、基板のエッチング中によれの発生がないだけでなく、エッチング後のパターンラフネスが良好なレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成用組成物、及びこれを用いたレジスト下層膜形成方法、パターン形成方法。
【解決手段】少なくとも、フルオレン骨格を有するビスナフトール化合物の酸触媒縮合樹脂（Ａ）、フルオレン骨格を有するビスナフトール化合物（Ｂ）、フラーレン化合物（Ｃ）及び有機溶剤を含有することを特徴とするレジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】モールドをプレスすることにより得られたパターンの残膜を除去する際、そのレジストパターンの線幅精度、形状を劣化させることなく、微細なパターンを形成可能にする方法を提供する。
【解決手段】ポジ型感光性樹脂層２と、該ポジ型感光性樹脂を感光させる感光波長の光を吸収することが可能な吸収層３と、がこの順に積層された基板１を用意する工程と、凸部を有するモールド４の前記凸部を前記ポジ型感光性樹脂層２と前記吸収層３との二層にプレスする工程と、前記二層と前記モールド４とを離間させる工程と、前記光を前記二層の上面側から前記二層に照射する工程と、前記吸収層３を除去する工程と、前記ポジ型感光性樹脂層２を現像する工程と、をこの順で有する構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】良好に所望のパターンを形成することが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】上層ハードマスク層１０３上に下層レジスト層１０４を形成する工程と、下層レジスト層上に下層レジスト層と露光感度の異なる上層レジスト層１０５を形成する工程と、互いの透過光に１８０度の位相差が生じる第１及び第２の透過領域を有し、第１及び第２の透過領域が照射領域内に互いに隣接して設けられたフォトマスク１０を介して下層レジスト層及び上層レジスト層に露光光を照射する工程と、露光光が照射された下層レジスト層及び上層レジスト層の現像を行うことで、上層ハードマスク層が露出した第１の領域と、下層レジスト層が露出した第２の領域と、下層レジスト層及び上層レジスト層が残った第３の領域とを有する構造を形成する工程とを備えることを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】感光速度調節が可能なポジティブタイプのフォトレジスト組成物を利用して、リフトオフなどの特殊な工程に適したアンダーカット形態のプロファイルを安定的に形成するパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】本発明はリフトオフ工程に適用することができるアンダーカット形態のプロファイルを形成する表示素子用パターン形成方法に関するものである。本発明は特定構造のポリマー化合物を使用して感光速度を急速にすることによって、多層フォトレジスト層を形成する時、容易にアンダーカット形態のプロファイルを形成することができ、その結果、リフトオフ工程の適用が容易で、厚さの厚いパターンを形成することもでき、工程中、エッチング工程を省略することができるため、工程単純化を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】重ね合わせ露光を行うことなくリソグラフィ・プロセスを用いて、露光装置の解像限界を超えるような微細パターンを形成する。
【解決手段】パターン形成方法は、ウエハＷ上にネガレジスト３及びより高感度のポジレジスト４を塗布することと、ウエハＷのポジレジスト４及びネガレジスト３をライン・アンド・スペースパターンの像で露光することと、ポジレジスト４及びネガレジスト３をウエハＷの表面の法線に平行な方向に現像することとを有する。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜との密着性に優れ、レジストパターンの再現性を向上させるとともに、現像等に用いられるアルカリ液及びレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性を有し、レジスト材料の染み込み量が少ないレジスト下層膜を形成することができ、且つ保存安定性に優れるレジスト下層膜用組成物を提供する。
【解決手段】本レジスト下層膜用組成物は、下記一般式（１）で表される構成単位を含有するポリシロキサンと、溶剤と、を含む。


（Ｘは、置換されていてもよいメチレン基、又は置換されていてもよい炭素数２〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を表す。） （もっと読む）

【課題】パターン縁部の凸凹を抑制し、所望の形状のレジストパターンが得られるレジストパターン形成方法を提供すること。また、当該レジストパターン形成方法を利用した金属パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】基板１０上に形成したレジスト層４０に、パターン露光を行う。次に、高解像度用の現像液を用いて、レジスト層４０を現像し、レジスト層４０に開口部（抜きパターン４２）を形成する。次に、露光部及び非露光部のいずれも同じレートで溶解する溶液を用いて、レジスト層４０を処理し、レジスト層４０の開口部（抜きパターン４２）の開口径を広げる。これにより、レジストパターンを形成する。そして、このレジストパターンを利用して金属パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】製造期間および製造コストを抑制しつつ高精度に光学樹脂を加工すること。
【解決手段】基板上に加工対象となる光学樹脂層を積層し、光学樹脂層上にこの光学樹脂層に対するＸ線遮光の役割を兼ねる第１のメッキシード層およびＸ線レジスト層からなるＸ線マスク形成層を積層し、Ｘ線マスク形成層上にこのＸ線マスク形成層に対するＵＶ遮光の役割を兼ねる第２のメッキシード層およびＵＶレジスト層からなる中間マスク形成層を積層した積層基板を用意し、中間マスク形成層に形成された中間マスクを用いることによってＸ線マスク形成層に高コントラストＸ線マスクを形成し、Ｘ線マスク形成層に形成された高コントラストＸ線マスクを用いることによって光学樹脂層を加工する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳトランジスタを形成する場合、ＮＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域とＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域とは別々の露光工程を用いて形成されており、ＮＭＯＳトランジスタとＰＭＯＳトランジスタの少なくとも片方のＭＯＳトランジスタの特性が低下する頻度は増える。よってＣＭＯＳトランジスタの特性がばらつくという課題がある。
【解決手段】各々厚みが異なる第１レジスト層４１、第２レジスト層４２、第３レジスト層４３を用い、ＰＭＯＳ領域４４のソース／ドレイン領域４４ｓｄと、ＮＭＯＳ領域４５のソース／ドレイン領域４５ｓｄとを、同一のレジストマスクを用いて形成する。１度のフォトリソグラフ工程で、ソース／ドレイン領域４４ｓｄと４５ｓｄを形成することができる。そのため、位置合わせ工程でのずれに起因する性能の低下が抑えられ、高性能な半導体装置の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上にレジストを塗布し、パターン状に露光しレジストのパターンを形成する方法であって、従来の露光装置や製膜装置を利用して、さらに微細なパターンを形成できるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１上にポジタイプのレジスト又はネガタイプのレジストを塗布し第一レジスト３とし、次にその上に第一レジストとは逆のタイプのレジストを塗布し第二レジスト４とし、次にパターン形成されたマスク５を介し露光し、次に第二レジスト４を弱現像し、次に第二レジスト４が残余されていない領域の第一レジスト３及び第二レジスト４の残余部をエッチングにより除去し、次に第一レジストを弱現像することにより、マスクのパターンの境界に対応する部位に線状レジストパターン３１を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

新規で現像剤に可溶なハードマスク組成物およびその組成物を用いてマイクロエレクロトニクス構造体を形成する方法を提供する。該組成物は、溶媒系中に、下記式を有する化合物と、現像速度を制御する化合物と、架橋剤とを有する。前記方法は、組成物を基板に塗布し、該組成物を硬化することを含む。イメージング層が組成物に塗布され、続いて、露光と、イメージング層の露光された部分および前記露光された部分に隣接したハードマスク組成物が除去される現像とが行われる。ハードマスク組成物の構造体の寸法は、現像速度で制御され、イメージング層の形状の寸法の何分の一かの形状の寸法を生成し、最終的に基板に転写されるパターンを作製する。

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【課題】 誘電体空隙を有する相互接続構造体を提供する。
【解決手段】 多相フォトレジスト材料を用いて誘電体層内部に空隙を形成することにより改善された性能及びキャパシタンスを有する相互接続構造体が提供される。相互接続構造部は、相互接続構造部の周りの誘電体層の部分の中に円柱状空隙構造体を有する誘電体層内に埋め込まれる。相互接続構造部はまた、生成される異なる誘電率を有する２つ又は複数の相を有する誘電体内に埋め込むこともできる。この相互接続構造体は現行の後工程プロセスに適合する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト用のトップコーティング組成物、及びそれを用いたフォトレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】トリス(トリメチルシロキシ)シリル基を有する第１反復単位を含み、５，０００〜２００，０００の質量平均分子量を有するポリマーと、有機溶媒とからなるトップコーティング組成物である。疏水性特性を提供するトリス(トリメチルシロキシ)シリル基を含む組成物を使用してレジスト膜を覆うトップバリアーを形成した状態で液浸リソグラフィ工程を行うことによって、液浸媒体を通じた露光中にフォトレジスト成分が液浸媒体に溶解されることを防止できる。現像液に対する溶解度特性を向上させるために、極性基を有する第２反復単位をさらに含みうる。 （もっと読む）

【課題】 真空成膜法を用いた方法であって、厚みが大きくパターン化された材料層を、容易にその側面が基板となす角度を垂直等の任意の角度とすることのできる方法を提供すること。
【解決手段】 基板１上に、中間樹脂層２２を有するレジスト層２を形成するレジスト層形成工程と、レジスト層２に所定のパターンを露光する露光工程と、基板１が露出するトレンチを形成するとともに当該トレンチ側面に溝２３が形成されるように中間樹脂層２２を除去して、レジストフレームを形成する現像工程と、材料パターン部分３１及び被リフトオフ部分３２を有する真空成膜層３を真空成膜法により形成する真空成膜工程と、被リフトオフ部分３２をレジストフレームとともに除去して、材料パターン部分３１を有する材料パターンを得るリフトオフ工程とを備える、パターン化された材料層の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層中に複数の段差構造を形成する際の加工精度の向上を図るとともに、加工工程数を低減することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に第１の感光性塗布膜５を形成する工程と、前記第１の感光性塗布膜５上に、前記第１の感光性塗布膜より感度の高い第２の感光性塗布膜６を形成する工程と、第１の加工マスク７を用いて露光を行い、前記第１の感光性塗布膜５及び前記第２の感光性塗布膜６に前記第１のパターンを転写する工程と、第２の加工マスク８を用いて、前記第２の感光性塗布膜６のみ感光する露光量で露光を行い、前記第２の感光性塗布膜６に前記第２のパターンを転写する工程と、前記第１の感光性塗布膜５及び前記第２の感光性塗布膜６を現像し、前記第１の感光性塗布膜５と前記第２の感光性塗布膜６を異なるパターンに加工する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】 下層に密パターンを形成し、上層にパターンを形成するレジストパターンの形成方法において、ミキシングを抑制できるレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 次の（i）〜（ii）の工程；（i）基板上にポジ型レジスト組成物を用いて第１のレジスト層を形成し、選択的に露光して、該第１のレジスト層に密パターンの潜像部を形成する工程；（ii）該第１のレジスト層の上にネガ型レジスト組成物を用いて第２のレジスト層を形成し、選択的に露光した後、第１のレジスト層と第２のレジスト層を同時に現像して、前記密パターンの潜像部の一部を露出させる工程；を含むレジストパターンの形成方法であって、前記ネガ型レジスト組成物として、第１のレジスト層を溶解しない有機溶剤に溶解したネガ型レジスト組成物を用いることを特徴とするレジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

フォトレジスト層の粘着性を改良する非晶質炭素層（１６）を含む半導体デバイス（１０）、及びその半導体デバイスを製造する方法。デバイス（１０）は、表面（１５）を有する基板（１２）と、該基板の表面（１５）に設けられた非晶質炭素層（１６）と、該基板の表面に設けられた低表面エネルギー材料（１４）層とを含む。デバイス（１０）は、表面（１５）を有する基板（１２）を提供するステップと、低表面エネルギー材料層（１４）を析出させるステップと、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）やスパッタリングを用いて、基板（１２）の表面に低表面エネルギー材料層（１４）に接する非晶質炭素層（１６）を析出させるステップとから形成される。
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