【課題】所望のレジストパターンが形成可能な、インジウムおよび／またはアルミニウムを含む第１の層からなるフィールド領域を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】インジウムおよび／またはアルミニウムを含む第１の層からなるフィールド領域と、第１の層および第１の層とは異なる半導体層からなるメサ領域と、を備える半導体基板を用いた半導体装置の製造方法であって、フィールド領域表面に、半導体基板表面から半導体基板上に形成する電子ビーム露光用レジストへのインジウムおよびアルミニウムを含む成分の拡散を抑制する被覆層を形成する工程と、フィールド領域表面に被覆層が形成された半導体基板上に電子ビーム露光用レジストを塗布し、メサ領域の一部に電子ビームを露光し、現像することでメサ領域に開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、メサ領域に開口部を有するレジストパターンを用いて半導体基板を修飾する工程とを有する製造方法。 （もっと読む）

【課題】微細な種々のパターンを容易に形成できる露光方法を提供すること。
【解決手段】基板への露光方法において、基板上で、所望パターンを形成するパターン形成層の上層側にレジスト層を積層するレジスト層積層ステップと、基板への露光光を回折させる回折パターンを、レジスト層よりも上層側に形成する回折パターン形成ステップと、変形照明を用いて回折パターン上から全面露光し、これにより回折パターンで回折された回折光をレジスト層へ照射する全面露光ステップと、を含み、変形照明は、所望パターンに応じて決定された照明光源形状を有している。 （もっと読む）

【課題】レジスト下層膜用芳香族環含有重合体、この重合体を含むレジスト下層膜組成物、および素子のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】前記重合体は、下記化学式（１）で表示される繰り返し単位を含む芳香族環含有重合体である。
【化１】


化学式（１）において、Ｒ１およびＲ２は互いに独立して、水素原子、置換の炭素数１〜１０のアルキル基、また炭素数６〜２０のアリール基であり、Ａはヘテロ原子を含む芳香族化合物またはヘテロ原子を含まない芳香族化合物から誘導された作用基であり、ｎは１〜１００の整数である。 （もっと読む）

【課題】感光速度調節が可能なポジティブタイプのフォトレジスト組成物を利用して、リフトオフなどの特殊な工程に適したアンダーカット形態のプロファイルを安定的に形成するパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】本発明はリフトオフ工程に適用することができるアンダーカット形態のプロファイルを形成する表示素子用パターン形成方法に関するものである。本発明は特定構造のポリマー化合物を使用して感光速度を急速にすることによって、多層フォトレジスト層を形成する時、容易にアンダーカット形態のプロファイルを形成することができ、その結果、リフトオフ工程の適用が容易で、厚さの厚いパターンを形成することもでき、工程中、エッチング工程を省略することができるため、工程単純化を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の物質層間の溶解度差を利用してダブルパターニングを具現する半導体素子の微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の微細パターンの形成方法は、基板１００上に、空間を介して相互に離隔されている複数の第１マスクパターン１２０を、基板１００の主面と平行方向に形成するステップと、溶解剤に対して第１溶解度を有する第１物質からなる複数のキャッピング層１３０を、複数の第１マスクパターン１２０のそれぞれの側壁及び上面に形成するステップと、溶解剤に対して第１溶解度より低い第２溶解度を有する第２物質からなる第２マスク層を、空間内に形成するステップと、溶解剤を利用してキャッピング層１３０を除去し、かつ、第２マスク層の一部を除去した後、空間に残った第２マスク層の残留部分を、複数の第２マスクパターン１４０Ａとして形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】レジスト残渣を低減し、加工精度を向上させたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工膜１上に下層膜２を形成する工程と、下層膜２上に、酸により脱保護する保護基を含むシリコン含有中間膜３を形成する工程と、シリコン含有中間膜３上にレジスト膜４を形成する工程と、レジスト膜４の所定領域を露光する工程と、現像液を用いて前記レジスト膜を現像する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】レジストパターン形成処理後にエッチング処理が施される全ての基板において、処理結果の特性値を目標値に近似させ、且つ生産性を向上することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】レジストパターン形成装置Ｌｉ１〜３及びエッチングパターン形成装置Ｅｔ１〜３での処理後に夫々形成されたパターンの特性値を各基板Ｗについて測定検査する検査手段３０１、４００と、検査手段３０１、４００による各基板Ｗについての測定結果を管理すると共に、各基板Ｗが処理されたモジュールＭｄ及びチャンバＣｈを特定するための搬送情報を管理する制御手段６００とを備え、制御手段６００は、測定結果と搬送情報とに基づき、各モジュールＭｄ及び各チャンバＣｈについて設定可能な補正値の範囲を求め、補正値の範囲内で補正されたパターンの特性値が、全ての基板Ｗについて所定の値に近似するようモジュールＭｄとチャンバＣｈとの組み合わせを決定する。 （もっと読む）

【課題】二重露光によるパターンニングにおいて、第一層目のレジストパターンとミキシングすることなく、第二層目のレジストパターンを形成可能な樹脂組成物及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本パターン形成方法は、（１）第一レジスト層形成用樹脂組成物を用いて、基板上に第一パターンを形成する工程と、（２）第一パターンを光に対して不活性化させる工程と、（３）第二レジスト層形成用樹脂組成物を用いて、第一パターンが形成された基板上に第二レジスト層を形成し、所用領域を露光する工程と、（４）現像することによって、第一パターンのスペース部分に、第二パターンを形成する工程と、を備えており、第二レジスト層形成用樹脂組成物は、酸の作用によりアルカリ可溶性となる樹脂と溶剤とを含んでおり、且つこの溶剤は、第一レジストパターンを溶解しないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】下層レジストをエッチングする際、サイドエッチの発生しにくい下層レジスト材料を、エッチング前に非破壊で光学的に見分ける方法およびそのための装置、ならびにこの方法を使用する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に成膜したレジスト膜の評価方法であって、
レジストのエッチング耐性と光学特性との相関データをあらかじめ取得するステップと、
前記レジスト膜の光学特性を評価するステップと、
レジスト膜の光学特性を評価する前記ステップで得た前記光学特性と前記相関データとに基づいて、前記レジスト膜のエッチング耐性を評価するステップと、
を含むことを特徴とするレジスト膜の評価方法。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜との密着性に優れ、レジストパターンの再現性を向上させるとともに、現像等に用いられるアルカリ液及びレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性を有するレジスト下層膜を形成することができ、且つ、保存安定性に優れたレジスト下層膜用組成物を提供する。
【解決手段】本レジスト下層膜用組成物は、（Ａ）環状アルキレンオキシド基及び下記構造式［Ｉ］で表される基を有していないポリシロキサンと、（Ｂ）環状アルキレンオキシド基及び／又は下記構造式［Ｉ］で表される基を有する化合物と、を含有する。
−Ｒａ−Ｏ−Ｒｂ ［Ｉ］
〔構造式［Ｉ］において、Ｒａはメチレン基、炭素数２〜６のアルキレン基、フェニレン基又はＣＯを示し、Ｒｂは水素原子又は熱分解性基を示す。〕 （もっと読む）

【課題】反射防止膜としての機能を有しており、エッチング耐性に優れた下層膜を形成でき、且つデュアルダマシン工程におけるビアへの埋め込み性が良好な下層膜用組成物及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本下層膜用組成物は、下記式（１−Ａ）及び／又は（１−Ｂ）で表される繰り返し単位を有するポリナフタレン誘導体と、溶剤と、を含有する。


〔Ｒ^１は、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基等を示す。また、ａは０〜２の整数、ｂは０〜４の整数であり、１≦ａ＋ｂ≦６である。更に、ｃは０〜３の整数、ｄは０〜３の整数であり、１≦ｃ＋ｄ≦６である。〕 （もっと読む）

【課題】 湿式現像可能な反射防止膜組成物及びその使用方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板表面とポジ型フォトレジスト組成物の間に塗布する反射防止膜組成物を開示する。反射防止膜組成物は、水性アルカリ性現像液中で現像可能である。この反射防止膜組成物は、ラクトン、マレイミド、及びＮ−アルキルマレイミドから成る群から選択される１つ又は複数の部分を含む少なくとも１つのモノマー単位と、１つ又は複数の吸光性部分を含む少なくとも１つのモノマー単位とを含むポリマーを含む。このポリマーは酸に不安定な基を含まない。本発明はまた、フォトリソグラフィにおいて本発明の反射防止膜組成物を用いて、レリーフ像を形成し転写する方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】ディジタル・リソグラフィを採用し、従来よりも小さいフィーチャ・サイズを有する構造体を製造可能とする。
【解決手段】基板の上にターゲット材料層を堆積させる、第１のステップと、ターゲット材料層の上に相変化材料を堆積させる、第２のステップと、相変化材料のプリント・パターンの下にある領域内を除くターゲット材料層と、相変化材料のプリント・パターンの下にあるターゲット材料層の全部ではなく一部と、を除去する、第３のステップと、を含み、その結果、前記基板の上にターゲット材料の微細なフィーチャであって、それらの幅が当初それらの上に置かれた前記相変化材料のその部分の幅より小さいフィーチャ、が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させるとともに、エッチング工程を短縮化することが可能な、多層レジスト膜のパターニング方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多層レジスト膜のパターニング方法は、半導体基板上に下層レジスト膜１０４を形成する工程と、下層レジスト膜１０４の上に、シリコン含有上層レジスト膜を形成する工程と、該シリコン含有上層レジスト膜を所定の形状にパターニングする工程と、０．０７５ｍＴｏｒｒ以上、５０ｍＴｏｒｒ以下の圧力下において、Ｏ_２ガスとＡｒガスとを含むエッチングガスを用い、パターニングされたシリコン含有上層レジスト膜１０６をマスクとして下層レジスト膜１０４をドライエッチングする工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】
２層あるいは３層レジストプロセス用下層膜として、エッチング耐性、反射防止効果、耐ポイゾニング効果の高い下層膜を形成する。
【解決手段】 式（１）の複数のビスフェノール基を有する化合物を含有するフォトレジスト下層膜形成材料。


（Ｒ¹は同一又は異種の水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基である。Ｒ²は同一又は異種の水素原子又は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数２〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数２〜６のアセタール基、炭素数２〜６のアシル基、又はグリシジル基であり、ｎは２〜４の整数である。） （もっと読む）

半導体製造方法であって、半導体基板（１０２）上に像形成層（１１２）及び下層（１１０）を含む薄膜（１０９）を形成する工程を含む。像形成層（１１２）は、印刷寸法（１２４）を有する印刷フィーチャーを作成するべくパターニングされる。下層（１１０）はその後処理され、下層（１１０）中にテーパー状の側壁を有する空孔（１２０）を作成する。ここで、空孔（１２０）は前記印刷寸法よりも小さく、下方に位置する前記基板に最も近接した位置に完成寸法（１２６）を有する。下層（１１０）を処理する工程は、当該ウェハを高密度低圧Ｎ_２プラズマに暴露する工程を含んでもよい。
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高温に耐えるレリーフ画像を形成するのに使用するための、非−ＮＭＰ溶媒中の接着促進剤を伴う安定な非感光性ポリイミド前駆体組成物およびこの画像を作成する方法。この非感光性ポリイミド前駆体組成物は、ａ）ガンマ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）中に可溶な１つまたはそれ以上のポリアミド酸および水性のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ただしポリアミド酸は、ポリイミド前駆体組成物が併用されるべき感光性組成物中に使用される溶媒に対しても耐性があるものとする；ｂ）ガンマ−ブチロラクトンを含む溶媒；およびｃ）式Ｉ〜ＶＩ（式中、Ｒ¹はＨ、Ｃ₁〜Ｃ₁₀の線状、環状または分枝状のアルキル、フェニルもしくはハロフェニルまたはアルキル置換フェニルであり、Ｒ²はＣ₁〜Ｃ₁₀の線状、環状もしくは分枝状のアルキル、フェニル、ハロフェニルもしくはアルキル置換フェニルまたは以下のＶＩＩ、ＶＩＩＩまたはＩＸ（式中、Ｒ³はＣ₁〜Ｃ₄の線状もしくは分枝状のアルキル基またはＣ₁〜Ｃ₄の線状もしくは分枝状のアルコキシ基であり、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶は独立にＣ₁〜Ｃ₄の線状もしくは分枝状のアルキル基であり、ｍは１から大体４の整数であり、またｎは１から大体５の整数である）の部分構造の１つである）によって表される構造から選択される１つまたはそれ以上の接着促進剤を含有する。
を含む。
【化１】

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【課題】 線幅精度の高いパターンを形成することのできるレジストパターンの形成方法、基板の加工方法及びデバイスの作成方法を提供する。
【解決手段】 レジスト層２０４を被加工基板２０５上に形成するレジスト層形成工程と、レジスト層２０４を近接場光で露光する露光工程と、露光されたレジスト層２０４をアルカリ水溶液または有機溶剤を用いてウエット現像を行なう現像工程と、を備えると共に、レジスト層２０４を感度曲線から算出されたγ値が１．６以上のレジストにより形成する。 （もっと読む）