【課題】３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種以上の化合物と、下記一般式（２）で示される１種以上の化合物と、Ｙ−ＣＨＯで示される１種以上の化合物及び／又はその等価体とを縮合することにより得られるポリマーを含有するレジスト下層膜材料。


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【課題】歩留まりの高い微細パターを有する半導体デバイスの製造方法等を提供する。
【解決手段】本発明の半導体デバイスの製造方法は、回折格子層７及び絶縁層９を形成する工程と、シリコン非含有樹脂層１１を形成するシリコン含有樹脂層形成工程と、周期構造パターン１１ｐ１を形成する工程と、シリコン含有樹脂層１３を形成する工程と、シリコン含有樹脂層１３をエッチングする工程と、シリコン含有樹脂層１３をマスクとしてシリコン非含有樹脂層１１をエッチングする工程と、シリコン非含有樹脂層１１をマスクとして絶縁層９をエッチングする工程とを備える。シリコン含有樹脂層形成工程は、シリコン含有樹脂溶液を回転塗布する工程と、シリコン含有樹脂層１３を第１の温度まで加熱する工程と、シリコン含有樹脂層１３の外縁部１３ｅ１に揮発性成分を有するリンス液１４を回転塗布する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、単層レジストプロセス、多層レジストプロセス、サイドウォールスペーサー法用等のレジスト膜の下層のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、現像後のレジストパターンの裾引きが抑制され、また、アンダーカット形状や逆テーパー形状を抑制し、パターン倒れがないレジスト下層膜材料、及びこれを用いてリソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有し、光及び／又は熱によってスルホン酸を発生する高分子化合物を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化１】
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【課題】 本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜、を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、及びパターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、（Ａ）熱不安定基で保護されたカルボキシル基を有するフラーレン誘導体と、（Ｂ）有機溶剤とを含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】１９３ｎｍ以上の露光光に対して透明で、さらに液浸露光時において、目的の形状の微細パターンを欠陥なくかつ再現良く形成可能なレジスト積層体を提供する。
【解決手段】基材上にフォトレジスト層（Ｌ１）と透明な保護層（Ｌ２）を有し、該保護層（Ｌ２）が積層体の最表面に形成するレジスト積層体であって、保護層（Ｌ２）が波長１９３ｎｍ以上の紫外光での吸光係数が１．０μｍ^-1以下、現像液溶解速度が５０ｎｍ／ｓｅｃ以上、かつ純水に対する溶解速度が１０ｎｍ／ｍｉｎ以下であるレジスト積層体。 （もっと読む）

【課題】感光速度調節が可能なポジティブタイプのフォトレジスト組成物を利用して、リフトオフなどの特殊な工程に適したアンダーカット形態のプロファイルを安定的に形成するパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】本発明はリフトオフ工程に適用することができるアンダーカット形態のプロファイルを形成する表示素子用パターン形成方法に関するものである。本発明は特定構造のポリマー化合物を使用して感光速度を急速にすることによって、多層フォトレジスト層を形成する時、容易にアンダーカット形態のプロファイルを形成することができ、その結果、リフトオフ工程の適用が容易で、厚さの厚いパターンを形成することもでき、工程中、エッチング工程を省略することができるため、工程単純化を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】解像性を損なうことなく、レジストパターン形状が逆テーパ形状となることを回避可能なレジストパターン形状制御材料、半導体装置の製造方法、及び磁気ヘッドの製造方法の提供。
【解決手段】本発明のレジストパターン形状制御材料は、スルホン基を有する基材樹脂、光酸発生剤、及び溶剤を含むことを特徴とする。基材樹脂が、ベンゼンスルホン酸からなるモノマー単位を含むポリマーである態様、基材樹脂が、硫黄含有量で１重量％以上のスルホン基を有する態様などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜との密着性に優れ、レジストパターンの再現性を向上させるとともに、現像等に用いられるアルカリ液及びレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性を有するレジスト下層膜を形成することができ、且つ、保存安定性に優れたレジスト下層膜用組成物を提供する。
【解決手段】本レジスト下層膜用組成物は、下記式（１）で表される繰り返し単位、及び下記式（２）で表される繰り返し単位を含有する樹脂と、溶剤と、を含む。
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【課題】良好な微細パターンを形成することのできるレジストパターン形成方法と、これを用いた半導体装置の製造方法とを提供する。
【解決手段】半導体基板１０３の上に、酸を供給し得る第１のレジストパターン１０１ａを形成した後、第１のレジストパターンの上に第２のレジスト１０２を形成する。次に、第１のレジストパターンに接する第２のレジストの界面部分に架橋層１０４を形成する。その後、第２のレジストの非架橋部分を除去して、第２のレジストパターンを形成する。第２のレジストパターン１０２ａを形成する工程は、水で現像する第１の現像工程と、第１の現像工程の後に、第２のレジストに対する溶解性が水より高い溶液で現像する第２の現像工程と、第２の現像工程の後に水でリンスする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ホトレジスト膜上に積層される保護膜であって、ホトレジスト膜からのアウトガスによる露光装置の汚染を抑止可能で、環境に与える影響が小さく、高い撥水性を有し、かつホトレジスト膜とのミキシングが生じにくく高解像のホトレジストパターンを形成することが可能な保護膜形成用材料、ホトレジストパターンの形成方法、及び保護膜洗浄除去液を提供する。
【解決手段】保護膜形成用材料として、（ａ）非極性ポリマー、及び（ｂ）非極性溶剤を含有する保護膜形成用材料。また、この保護膜形成用材料を用いたホトレジストパターンの形成方法、及びこのホトレジストパターンの形成方法に用いられる保護膜洗浄除去液。 （もっと読む）

【課題】支持体上に高精細かつ高アスペクト比のパターンを形成できるパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体上に下層膜を形成する工程、該下層膜上にシリコン系ハードマスクを形成する工程、該ハードマスク上に化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程、第一のマスクパターンを介して該レジスト膜を選択的に露光・現像して第一のレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンをマスクとし、ハードマスクをエッチングして第一のパターンを形成する工程と、前記第一のパターン上に化学増幅型ポジ型シリコン系レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程、第二のマスクパターンを介して該レジスト膜を選択的に露光・現像して第二のレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンをマスクとし、下層膜をエッチングして第二のパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】高解像性のレジストパターンを形成できる新規なレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明は、支持体１上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成する工程と、前記第一のレジスト膜２を、第一のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して第一のレジストパターン３を形成する工程と、前記第一のレジストパターン３が形成された前記支持体１上に、アルコール系有機溶剤を含む有機溶剤（Ｓ”）を含有するネガ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜６を形成する工程と、前記第二のレジスト膜６を、第二のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して前記第一のレジストパターン３よりも密なレジストパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】ガラスやフィルムに対して微細かつ高アスペクト比のレジストパターンを形成することができるパターン構造体及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、感光性レジスト材料１３Ｂを露光、現像してパターン層１５を形成する方法において、基板１１の上に感光性レジスト材料１３Ｂを塗布する工程の前に、基板の上に同一又は他の感光性レジスト材料からなる下地層１３Ａを形成する。パターン層１５の下地として、下地層１３Ａを設けることで、基板１１とパターン層１５の密着性を高めて微細かつ高アスペクト比のパターン層１５の形成を可能とする。また、基板１１と下地層１３Ａとの間の密着性を高めるために、例えばＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）からなる密着層１２を介在させるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】レジスト間あるいはレジストとリフトオフ材料間が混ざり合って寸法精度やパターン精度が劣化することを防止すると共に、リフトオフ時に容易に有機溶剤に溶解し、安定した製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に非水溶性フォトレジスト材料１１を塗布形成する工程と、上記非水溶性フォトレジスト材料１１の上面に中間層として水溶性フッ化物含有溶液２０を塗布形成する工程と、上記中間層２０上に非水溶性フォトレジスト材料１２を塗布形成する工程とを有する製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ−１）酸触媒を用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られる反応混合物から上記酸触媒を除去して得られるケイ素含有化合物、
（Ａ−２）塩基性触媒を用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られる反応混合物から上記塩基性触媒を除去して得られるケイ素含有化合物、
（Ｂ）式（１）又は（２）の化合物、
Ｌ_aＨ_bＸ （１）
（ＬはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ又はＣｓ、ＸはＯＨ又は有機酸基、ａは１以上、ｂは０又は１以上、ａ＋ｂは水酸基又は有機酸基の個数である。）
ＭＡ （２）
（Ｍはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウム、Ａは非求核性対向イオン。）
（Ｃ）炭素数が１〜３０の有機酸、
（Ｄ）有機溶剤、
を含む熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。
【効果】本発明の組成物を用いて形成されたケイ素含有中間膜を用いることで、その上に形成したフォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能である。 （もっと読む）

【課題】レジストと反射防止膜の間に設け、レジストとの密着性と耐レジスト現像液性を兼ね備え、更にはレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性の有るレジスト下層用組成物を得る。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物の加水分解物およびその縮合物もしくはいずれか一方、ならびに（Ｂ）紫外光照射および／または加熱により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするレジスト下層膜用組成物。
Ｒ^１_ａＳｉ（ＯＲ^２）_４−ａ （１）
（Ｒ^１は水素原子、フッ素原子または１価の有機基を示し、Ｒ^２は１価の有機基を示し、ａは１〜２の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】少なくとも、有機膜の上に、反射防止用ケイ素樹脂膜、その上にフォトレジスト膜を順次形成した基板であって、反射防止用ケイ素樹脂膜の上のレジストパターンをより確実にほぼ垂直形状にすることができる基板を提供する。
【解決手段】少なくとも、有機膜の上に、反射防止用ケイ素樹脂膜、その上にフォトレジスト膜を順次形成した基板であって、前記反射防止用ケイ素樹脂膜が、ナノインデンターによるハードネスが０．４ＧＰａ以上１．１ＧＰａ以下のものであることを特徴とする基板。 （もっと読む）

【課題】凹凸形状を含む基板上に、簡易な方法で精度良くレジストを塗布する。
【解決手段】凹凸形状を含む基板１０１の表面にレジストを塗布してレジスト層を形成する第１の工程と、レジスト層１０３，１０４を露光、現像することによりパターニングする第２の工程と、第２の工程でパターニングされたレジスト層をエッチングマスクとして２回目のドライエッチングを行う第３の工程を有し、第１の工程は、第１のレジスト塗布工程と第２のレジスト塗布工程を備え、第１のレジスト塗布工程と第２のレジスト塗布工程では、塗布するレジストの流動性が異なる。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で示される繰り返し単位Ａ及び／又はＢを有する高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。


【効果】レジスト膜上に形成されるレジスト保護膜が、非水溶性でアルカリ水溶液に溶解可能であり、しかもレジスト膜とミキシングしないものであるので、良好な液浸リソグラフィーを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】光学像よりも微細なスペースあるいはホールパターンを形成することができるレジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１上に形成された被加工膜１０２上に第１レジスト膜１０３を形成する工程と、第１レジスト膜上に第２レジスト膜を形成しさらにレジストパターン１０５を形成する工程と、レジストパターン上に金属元素または半導体元素を含有するオーバーコート膜を形成する工程と、オーバーコート膜をレジストパターンとの界面から所定距離の部分を溶媒に対して不溶化する工程と、オーバーコート膜の溶媒に可溶な部分を溶媒で除去してオーバーコート膜パターン１０７を形成する工程と、オーバーコート膜パターンを第１レジスト膜に転写して下層レジスト膜パターンを形成する工程と、前記下層レジスト膜パターンを前記被加工膜に転写して被加工膜パターンを形成する工程と、を有する。 （もっと読む）