回路部品１７を回路基板１に接着させるため、まず、少なくとも１つの先行接着ドット１４を、接触エリア２内において、回路部品１７と回路基板１との間に配置する。次に、接着ドット４を、規則的に配列する。そして最後に、回路部品１７及び回路基板１を互いに押圧して、接着ドット１４を一体化する。
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回路素子（１）は回路基板（２）に次のステップにより接着される：ａ）グリッパ（４）を使用して回路素子（１）を捕捉する；ｂ）回路素子（１）と回路基板（２）の間に加えられた接着剤が圧迫されるよう、回路基板（２）の表面から目標距離まで表面に向けてグリッパ（４）を移動させる；ｃ）回路素子（１）を解放し、回路素子（１）からグリッパ（４）を取り除く；ｄ）回路基板（２）の表面に垂直な軸（Ａ）の周りにグリッパ（４）を回転させる；ｅ）グリッパ（４）を再度目標距離内に移動させる；ｆ）再度グリッパ（４）を取り除く。
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【課題】半導体装置の全体的な放熱性を向上させる。
【解決手段】増幅用のｎチャネルＬＤＭＯＳが形成された半導体チップ１１ａ，１１ｃ，１１ｂの裏面のソース電極を配線基板１０の主面の配線パターン１０ｂに接合し、これを配線基板１０の主面から裏面に延びるビアホール１０ｃ２を通じて配線基板１０の裏面の基準電位供給用の配線パターン１０ｂに電気的および熱的に接続する。一方、上記ｎチャネルＬＤＭＯＳに電源電圧を供給するトレンチゲート構造のｐＭＯＳが形成された半導体チップ１１ｂの裏面のドレイン電極を配線基板１０の主面の配線パターン１０ｂに接合し、これを配線基板１０の主面から配線基板１０の厚さ途中の位置まで延びるビアホール１０ｃ３と電気的および熱的に接続する。さらにそのビアホール１０ｃ３の下方に絶縁体板１０ａ１を挟んでビアホール１０ｃ４を設ける。 （もっと読む）

【課題】簡便な機構で多品種に対応することが可能なワーク吸着ユニットを提供することを目的とする。
【解決手段】ワークを真空吸着によって保持するワーク吸着ユニット６において、吸着面１１ａの吸着孔１２を真空吸引する吸引孔１６ａの上面に板バネ状の弁体１４ｂを設け、弁体１４ｂを折り曲げることによって真空吸引方向と反対方向に付勢しておき、吸着孔１２が開放された状態において真空吸引されると真空吸引によって生じる流体力によって弁体１４ｂが真空吸引方向に変位して吸引孔１６ａを塞ぎ、吸着孔１２が閉塞された状態において真空吸引されると弁体１４ｂが付勢力によって吸引孔１６ａから離隔するように構成する。これにより対象物によって閉塞された吸着孔１２からのみ真空吸引し、これ以外の吸着孔１２からの真空吸引を遮断することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子が搭載された状態で加熱しても該半導体素子が剥離することのない信頼性の高い配線基板、及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】 矩形状のダイアタッチ領域内にサーマルビア２０３が複数備えられ、少なくともこのサーマルビア２０３の内部及び該サーマルビア２０３の半導体素子搭載面側の開口端縁近傍にソルダレジスト１０７が形成される配線基板において、上記複数のサーマルビア２０３が、上記矩形状のダイアタッチ領域のコーナー部以外の部分に配置されることを特徴とする配線基板２０２による。 （もっと読む）