【課題】プロセス温度の低温化とプロセス時間の短縮化可能な積層化高融点半田層およびその形成方法、およびこの積層化高融点半田層を適用した半導体装置を提供する。
【解決手段】低融点メタル薄膜層８１と、低融点メタル薄膜層８１の表面および裏面に配置された高融点メタル薄膜層８２とを有する３層構造を複数積層化した積層化構造８０と、積層化構造８０の表面に配置された第１高融点メタル層１ａと、積層化構造８０の裏面に配置された第２高融点メタル層１ｂとを備え、低融点メタル薄膜層８１と高融点メタル薄膜層８２、積層化構造８０と第１高融点メタル層１ａおよび第２高融点メタル層１ｂは、液相拡散接合によって互いに合金化された積層化高融点半田層５、およびこの積層化高融点半田層５を適用する半導体装置１０。 （もっと読む）

【課題】金属製部材を強固に熱衝撃性よく接合できるペースト状銀粒子組成物、接合強度と熱衝撃性が優れた金属製部材接合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】(A)平均粒径が０.３μｍを越え１０μｍ以下であり、アスペクト比（平均粒径／平均厚さ）が５以上１００以下である加熱焼結性フレーク状銀粒子と、(B)平均粒径（メディアン径Ｄ50）が０.００５μｍ以上０.１μｍ未満である加熱焼結性銀微粒子と（(A)と(B)の質量比が、５０：５０から９５：５の範囲内である）、(C)揮発性分散媒とからなるペースト状銀粒子組成物、該ペースト状銀粒子組成物の加熱焼結により複数の金属製部材を接合する金属製部材接合体の製造方法、その製造方法による金属製部材接合体。 （もっと読む）

【課題】ナノ金属ペーストを用いて上位，中位，下位に重ねた三つの部品間を接合させる際に、各部品の間に未接合部分を残すことなく、かつ同じ接合工程で各部品を一括して接合てきるように改良した接合方法，および組立治具を提供する。
【解決手段】半導体モジュールの組立治具８に、ナノ金属ペースト１７を塗布した絶縁基板２，半導体チップ３，ヒートスプレッダ４をセットしての各部品の相互を離間させて保持し、この状態で熱を加えてナノ金属ペーストの有機成分を揮散させ（プレ加熱工程）、続く加熱接合工程では各部品の接合面を重ね合わせた上で、外部から加圧力を加えてナノ金属粒子同士，およびナノ金属粒子と部品の接合母材とを融合／溶着させる。 （もっと読む）

【課題】 溶解温度幅が広く、かつ、素子への半田層の這い上がりが低くできる半田層を備えた、サブマウント及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 片面あるいは両面に半田層４，５を被着し、半田層４で半導体素子を接合するサブマウント１であって、少なくとも半導体素子が接合される半田層４において、半田層を構成する元素の組成比を半田層の深さ方向に変化させる。好ましくは、この半田層４の組成は、半導体素子を接合する表面側の融点がその裏面側の融点よりも低くなるような組成分布とすればよい。半導体素子を搭載する接合工程において、従来の共晶組成の半田よりも幅の広い温度範囲で接合でき、かつ、より低い温度での接合ができる。特に、低温においては半導体素子への半田の這い上がり高さを小さくできるので、効果的に、半導体素子の短絡不良を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 サブマウントの接合バラツキを無くすために、溶解温度幅の広い半田層を備えたサブマウント及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子が搭載されるサブマウント１において、サブマウント基板２の表面に形成され、半導体素子を接合する半田層４を含み、半田層４は、その構成元素の共晶組成ではない組成である。この場合、半田層４の溶解開始温度と完全溶解温度との間にとくに１０℃以上の温度差があることが好ましい。このため、半導体素子を搭載する接合工程において、従来の共晶組成の半田よりも幅の広い温度範囲で接合でき、かつ、より低い温度での接合ができる。 （もっと読む）

【課題】 融点の異なる複数の半田層と半田層の酸化を防止する半田保護層とを備えたサブマウントを提供する。
【解決手段】 半導体素子を搭載するサブマウント基板２と、サブマウント基板２の表面に配設する半田層３と、半田層３の最表面に配設する半田保護層４と、を含むサブマウント１であって、半田層３は、融点が異なる少なくとも２種類以上の半田層３Ａ，３Ｂからなる。半田層３を融点の異なる複数の半田層３とその半田保護層４から構成しているので融解開始温度、半田保護層の融解開始温度、完全融解温度の何れも低くなる。このため、２段階以上にわけて融解でき、半田層３の融解性を高められると共に、表面の酸化防止として形成した半田保護層４を容易に融解させることができ、半導体素子との接合温度を低くできるので、熱応力の小さい接合を形成することができる。 （もっと読む）