【課題】高温環境下における回路基板からの電子部品の剥離を抑制することによって、信頼性を高めた電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】電子部品モジュール１は、セラミックス基板３の両面に第１および第２の金属板５、７が接合された回路基板２と、第１の金属板５に第１のろう材層８を介して接合され、少なくとも１２５℃で動作可能な電子部品９と、第２の金属板７に第２のろう材層１０を介して接合されたベース板１１とを具備する。第１のろう材層８は、電子部品９の使用温度より高く、かつ５７５〜７３０℃の範囲の融点を有するＡｇ−Ｃｕ系ろう材またはＡｌ系ろう材からなる。第２の金属板７の厚さに対する第１の金属板５の厚さの比は５０〜２００％の範囲である。 （もっと読む）

【課題】ｎ型半導体基板との密着性およびオーミック特性の良好なダイボンド用金属層の構造を提供する。
【解決手段】まず、ｎ型Ｓｉ基板１０上にＡｕ層１４を形成する。次に、ｎ型Ｓｉ基板１０とのオーミック接触が良好なＳｎをＡｕに添加したＡｕＳｎ層１３を、Ａｕ層１４上に形成する。ＡｕＳｎ層１３を形成する時に熱加熱を行うか、或いは、ＡｕＳｎ層１３を形成した後に熱処理を行うことにより、ＡｕＳｎ層１３のＳｎがＡｕ層１４に拡散して、Ａｕ層１４はＳｎが拡散したＡｕ層１２となる。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板付き冷却器の基板に対して素子をはんだ付けする際、雰囲気室を減圧（気圧変動）したときに、冷却器内の異物を飛散させることなくはんだ付けを行うことができるはんだ付け方法及び装置を提供すること。
【解決手段】はんだ付け装置３０にて絶縁基板付き冷却器１０の基板１２に対して半導体素子１１をはんだ付けする際、冷却器１６の出入口に対し、真空ポンプ３３に接続された冷却器内排気配管３４に取り付けられたカプラ３６ａ，３６ｂを装着した状態で、チャンバ３１内をチャンバ内排気配管３２を介して真空ポンプ３３により減圧する。 （もっと読む）

【課題】ルツボに供給される半田ワイヤのルツボでの通路をシールでき、しかも、この半田ワイヤを滑らかにルツボに供給することが可能な半田供給装置を提供する。
【解決手段】ルツボ２１に供給される半田ワイヤ６１をこのルツボ２１内で加熱して溶融し、ルツボ２１に設けられたノズル２２から溶融半田２０を吐出する半田供給装置である。ルツボ２１の半田ワイヤ挿入孔７０を半田ワイヤ６１のルツボ２１内への供給を許容しつつ密封するシール部材７１を備える。シール部材７１に、半田ワイヤ６１が通過する液体７４を用いる。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板上に金属板からなる回路基板を接合し、該金属回路基板の所要箇所に半導体素子を装着する構成の半導体装置で、氷点下から100℃以上の高温ヒートサイクルにも耐える高耐熱性を有した構成の提供。
【解決手段】半導体素子３の直下にMo材４ａを配置しかつ当該素子の接合部にはCu材４ｂを配置した構成とすることで、金属回路基板２と半導体素子間において、Mo材は該素子に対してCu材の平面方向の膨張を抑制でき、接合面にはMo材に比べ柔らかいCu材があることで接合部に与える応力を緩和でき、高耐熱、高強度な実装が可能となり、また、同様の作用効果を有する応力緩和機構として、Mo材は該素子直下の接合部のCu材を拘束するように配置、筒形状のMo材を採用できる。 （もっと読む）

【課題】高温域ではんだ付けが可能となる鉛フリーはんだ材料を安定供給する。
【解決手段】第１共晶合金と、第２共晶合金とを含み、第１共晶合金は、Ｚｎ−Ａｌ合金からなり、第２共晶合金は、Ｇｅ−Ｎｉ合金、Ｃｕ−Ｇｅ合金、Ａｇ−Ｃｕ合金およびＡｇ−Ｇｅ合金よりなる群から選ばれた少なくとも１種からなるはんだ材料。 （もっと読む）

ピックアンドプレースマシン（１０、２０１）は、配置のために、部品（３０４）を解放可能に把持するように構成された配置ヘッド（２０６）を含む。ロボットシステムは、配置ヘッド（２０６）に結合されて、配置ヘッド（２０６）と工作物（２０３）との間の相対運動を生成する。画像取得システム（３０５）は、部品（３０４）が配置される前に、意図された部品（３０４）配置（３５２）位置の少なくとも一つの画像を取得するように構成される。制御部（２９８）は、画像取得システム（３５０）に動作可能に結合され、制御部（２９８）は、少なくとも一つの配置前画像を処理して、意図された配置位置（３５２）にデポジットされた半田（３５４、３５６）に関連する基準値を生成するように構成される。
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【課題】 サブマウントの実装信頼性を改善し、さらに半導体素子を正常に作動させることが可能な高性能のサブマウントを提供すること。
【解決手段】 一方の主面に半導体素子の搭載部を有する絶縁基板２と、絶縁基板２の一方の主面から他方の主面にかけて形成された貫通孔６と、貫通孔６の内壁に、絶縁基板２の一方の主面から他方の主面にかけて形成された配線導体層３とを有する。 （もっと読む）