【課題】半導体素子と一対の電極とを１回の接合で、一対の電極に対する半導体素子の厚さ方向の位置を適切に規定した状態で互いに接合することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の電極４上に、位置決め部材２１を含有する第１のはんだ２を介して、半導体素子１を配置する工程と、半導体素子１の第１の電極４に対向する面と反対側の面上に、第２のはんだ３を介して、第２の電極５を配置する工程と、第１のはんだ２および第２のはんだ３を溶融させて、半導体素子１と第１のはんだ２および第２のはんだ３とをそれぞれ接合させるリフロー工程とを有し、リフロー工程において、第１のはんだ２が溶融することで、位置決め部材２１により第１の電極４に対する半導体素子１の厚み方向の位置が決定され、第２のはんだ３が溶融することで、第２の電極５に対する半導体素子１の厚み方向の位置が決定されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 鉛を実質的に含有しない接合材を用い、高温条件においても良好な機械的強度を保持可能な接合体及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、金属材料の溶融温度が２６０℃以上であり、鉛及び金を主成分とした金属合金を代替する接合材料として、被接合部に物理蒸着法により形成されるＳｎと、前記Ｓｎより高融点を有する金属材料とからなる接合層を、他方の被接合部に接合することにより、３００℃以上４５０℃以下の温度範囲において、良好な接合状態が確保でき、かつ高い高温強度を維持することを可能とした。 （もっと読む）

【課題】従来のフォームはんだ製造方法は、所定量の金属粒を直接溶融はんだ中に投入してから金属粒を分散させるため、フォームはんだ中にフラックスが微量残っていた。そのため従来のフォームはんだ製造方法で得られたフォームはんだではんだ付けを行うとボイドが発生したり、部品が傾斜したりして充分な接合強度が得られなかった。
【解決手段】本発明では、熱分解可能なフラックスと高融点金属粒からなる混合物で混合母合金を作製し、さらに混合母合金を大量の溶融はんだに投入・攪拌してビレットを作製する。そして該ビレットを押出、圧延、打ち抜き工程を経てペレットやワッシャーにする。 （もっと読む）

【課題】Sn-Sb系はんだ合金を用いた半導体装置であって、ヒートサイクル時の耐クラック性をより向上した半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】はんだ合金により導電性部材間を接合してなる半導体装置において、前記はんだ合金は、主成分としてSnおよびSbを含有するものとし、前記SnとSbとから生成される金属間化合物の粒径サイズを20μｍ以上とする。半導体装置の製造方法としては、はんだ合金による接合時に、はんだ合金を溶融した後の冷却速度、即ち、はんだ合金の液相線から固相線を通過する冷却勾配（℃／sec）を、２．５〜０．１とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と実装部材との接合温度以上でも動作可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１の金属を含む面を有する基板３１と、外周領域３１ａに設けられた第１の絶縁材３２および前記第１の絶縁材の上に設けられた導電部３３を有する枠部３６とを有する。半導体素子２０は、前記導電部と電気的に接続可能である。接合金属層５０は、第２の金属と、前記第２の金属内に分散された第３の金属と、前記第２の金属内に分散された第４の金属とを有する。また、接合金属層は、前記第２の金属の重量百分率が前記第３の金属の重量百分率よりも高く、かつ前記第３の金属の重量百分率が前記第４の金属の重量百分率よりも高い固溶体層により、前記半導体素子と前記内部領域とを接合可能である。 （もっと読む）

【課題】汎用性が高く、良好な高温環境下での信頼性が得られる方法で半導体チップの実装を行い、半導体装置の高温動作を可能とする。
【解決手段】実装基板と半導体チップとの間に、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉより選択されるいずれかの金属又はその合金を含む接合支持層と、接合支持層を挟んで積層され、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎより選択されるいずれかの金属又はこれらの金属から選択される２以上の金属からなる合金を含む溶融層と、を有し、少なくとも最外層に溶融層が形成された接合層を介在させ、溶融層の融点以上の温度で保持し、液相拡散により溶融層より融点が高い合金層を形成して、実装基板と半導体チップを接合させる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と基板との接合強度のばらつきを抑制し、得られる製品の歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体素子１と、少なくとも表面の主元素をＣｕとする基板２と、前記半導体素子より小さな形状のＺｎＡｌ共晶はんだチップ３’と、をそれぞれ準備する工程と、前記半導体素子と前記基板とをそれぞれの接合面が対向するように配置して、これら基板と半導体素子との間に前記ＺｎＡｌ共晶はんだチップを挟む工程と、前記基板と前記半導体素子との間に挟んだ前記ＺｎＡｌ共晶はんだチップに荷重３１をかけながら昇温して、前記ＺｎＡｌ共晶はんだチップを融解させてＺｎＡｌはんだ層３を形成する工程と、前記ＺｎＡｌはんだ層に荷重をかけながら降温する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを導電パターン付き絶縁基板に半田付けする工程において、半導体チップの位置ズレが発生しない半導体装置の組立治具およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】組立治具２００の構成部品として上下に自在に可動できる仕切り板２５を設けることで、導電パターン付き絶縁基板２８が凸状または凹状のいずれに曲がっても、半田付け工程で半導体チップ２９の位置ズレをの発生を防止できる半導体装置の組立治具およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のオン状態における素子全体にわたる抵抗成分のうち、半導体基板に起因する抵抗成分を低減することができ且つ半導体基板の裏面側からの放熱効果を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子が形成された第１の主面と、該第１の主面の反対側の面である第２の主面とを有する半導体基板と、該半導体基板の第２の主面に固着されたリードフレーム１１４とを備えている。第２の主面を構成するコレクタ層８には、少なくとも１つの凹部８ａが形成されている。リードフレーム１１４における第２の主面と固着される面には、コレクタ層８に形成された各凹部８ａと嵌合する凸部１１４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】プロセス温度の低温化とプロセス時間の短縮化可能な積層化高融点半田層およびその形成方法、およびこの積層化高融点半田層を適用した半導体装置を提供する。
【解決手段】低融点メタル薄膜層８１と、低融点メタル薄膜層８１の表面および裏面に配置された高融点メタル薄膜層８２とを有する３層構造を複数積層化した積層化構造８０と、積層化構造８０の表面に配置された第１高融点メタル層１ａと、積層化構造８０の裏面に配置された第２高融点メタル層１ｂとを備え、低融点メタル薄膜層８１と高融点メタル薄膜層８２、積層化構造８０と第１高融点メタル層１ａおよび第２高融点メタル層１ｂは、液相拡散接合によって互いに合金化された積層化高融点半田層５、およびこの積層化高融点半田層５を適用する半導体装置１０。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な方法で、電子デバイスを構成する部材間の接合強度をより高めることが可能な電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基体２と、半導体基体２を実装する基体１と、半導体基体２を基体１側に接合する接合部３とを備えた電子デバイス１０の製造方法であって、接合部３がＡｕを含む接合材料からなり、半導体基体２の接合部３側が接合材料を構成する元素以外から構成される母材材料からなり、基体１に設けた接合部３を溶融する温度以上に加熱して液相状態にした接合材料と固相状態の母材材料とを接触させる接触工程と、接触工程後に、Ａｕと母材材料を構成する元素との合金の融点の温度以上に加熱して、半導体基体２を基体１側に接合する接合工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉを主成分とするはんだ材料による接合構造体において、応力緩和性を改善して、接合部でのクラックや剥離の発生を防止する。
【解決手段】半導体素子１０２をＣｕ電極１０３にＢｉを主成分とする接合材料１０４を介して接合した接合構造体において、接合材料１０４から被接合材料（半導体素子１０２、Ｃｕ電極１０３）に向けて、ヤング率が傾斜的に増大するような積層構造を介して半導体素子１０２とＣｕ電極１０３とを接合することにより、パワー半導体モジュールの使用時における温度サイクルで生じる熱応力に対する応力緩和性を確保する。 （もっと読む）

【課題】 非破壊により、はんだ接合部の劣化を容易に診断する。
【解決手段】 実施形態によれば、基板、基板の一主面上に設けられた配線部、及び配線部上にナノカーボンを含有するはんだ接合部を介して実装された少なくとも１つの半導体チップを含む電子部品を加熱しながら、電子部品の温度分布を測定し、及び温度分布の測定データに基づいてはんだ接合部の劣化を検出することを含むはんだ接合部の劣化診断方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板等と半導体素子等がはんだ層を介して接合された半導体装置に関し、はんだ付け性が良好であり、かつ、基板等とはんだ層の間の接合界面強度も高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と半導体素子５がはんだ層３を介して接合されている半導体装置１０の製造方法であって、少なくとも基板１のはんだ層側となる表面１ａにスパッタリング等のドライプロセスにてＮｉ金属、Ｓｎ金属、Ａｕ金属もしくはそれらの合金のいずれか一種からなる薄膜２を形成するステップ、基板１の表面に形成された薄層２の上にはんだペースト３’を塗工し、はんだペースト３’の上に半導体素子５を載置して加熱炉内の高温雰囲気下ではんだ層３を形成し、はんだ層３を介して基板１と半導体素子５を接合して半導体装置１０を製造するステップからなる。 （もっと読む）

【課題】マス形成はんだを冷却することによって形成されるチップとホルダの間の接合部の質を向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】この方法は、ろう材を形成するマス１６を加熱するステップ、加熱ステップの前にマスおよび部材１２を支持体１４上に配置するステップを含む。具体的には、方法は、マスを支持体上に位置付けるステップと、前記マスを支持体に対して押し付けるように、第１の圧縮力Ｆ１をマス上に加えるステップとを含み、第１の力Ｆ１の強度は、マスを平らにするように選択される所定の第１の値まで上がる。次に、方法は、部材を、平らにされたマス上に位置付けるステップと、前記部材を、平らにされたマスおよび支持体に対して押し付けるように、第２の圧縮力Ｆ２を部材に加えるステップとを含み、第２の力Ｆ２の強度は第２の所定値まで上がり、第２の所定値は第１の所定値より低い。 （もっと読む）

【課題】 キャリア上に搭載される光学部品の反りを抑制可能な光半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本光半導体装置の製造方法は、キャリア３０上に供給されたロウ材４０を溶融させる工程と、溶融したロウ材４０上に、部品保持用のツール５０を用いて半導体レーザチップ６０を搭載する工程と、ロウ材４０を冷却して固化する工程と、ロウ材４０を冷却する工程の後、半導体レーザチップ６０からツール５０を離した状態で、半導体レーザチップ６０が搭載されたロウ材４０を再溶融させる工程と、再溶融されたロウ材４０を再び冷却して固化する工程と、含む。 （もっと読む）

【課題】伝導冷却パッケージレーザーのパッケージ方法を提供して、半導体レーザー特性が製造工程における高熱に影響されることを低減し、且つ半導体レーザーが生じる脆化・破砕の状況を低減する。
【解決手段】伝導冷却パッケージレーザー２００のパッケージ方法及び構造であって、半導体レーザー素子２１０を第１のヒートスプレッダ２３０に溶接するステップと、アルミニウムニッケル多層薄膜複合材料２４０によって第１のヒートスプレッダ２３０を第２のヒートスプレッダ２５０に固定するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップを金属基板上に接合する際に、接合面内の接合材の厚さの不均一を少なくすることにより、接合層の薄い部分への熱応力集中を防ぎ、半導体装置の熱応力耐久性を向上することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 半田ペースト２中に主材半田粒子１１より高融点の半田粒子９を微量添加し、主材半田粒１１子を溶融させる温度で主材半田粒子９の金属基板１への濡れ広がりを充分に確保し、その後、温度を上昇させて高融点の半田粒子９を溶かす半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の内部接合用の高温はんだ接合材と、基板実装に際して内部接合部が溶融しない半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳｎまたはＳｎ系はんだ合金によって、網目構造を有する多孔質金属体の空孔部分を充填し、かつその表面を被覆する。 （もっと読む）

【課題】
パワーモジュールなどの半導体装置に使用される鉛フリーの接続材料において、常用する温度領域よりも高温に晒された場合に応力緩衝機能が劣化する場合があった。
【解決手段】
最表層を含む領域をZn系層とし、その内部に複数の浮島状のAl系相３を有する接続材料とし、その接続材料によって二つの部材１，２を接続することで、Al酸化物による濡れ性低下と耐熱性低下を抑制し、Al系相３により接続時の応力緩衝を行うとともに、使用時にAl系相３の硬化してもZn-Al合金層４で柔軟性を確保して接続材料の応力緩衝機能の低下を抑制することができる。 （もっと読む）