材料を加えることによって部材をサポートに接着する方法、および２つの要素を重ね合わせる装置

【課題】マス形成はんだを冷却することによって形成されるチップとホルダの間の接合部の質を向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】この方法は、ろう材を形成するマス１６を加熱するステップ、加熱ステップの前にマスおよび部材１２を支持体１４上に配置するステップを含む。具体的には、方法は、マスを支持体上に位置付けるステップと、前記マスを支持体に対して押し付けるように、第１の圧縮力Ｆ１をマス上に加えるステップとを含み、第１の力Ｆ１の強度は、マスを平らにするように選択される所定の第１の値まで上がる。次に、方法は、部材を、平らにされたマス上に位置付けるステップと、前記部材を、平らにされたマスおよび支持体に対して押し付けるように、第２の圧縮力Ｆ２を部材に加えるステップとを含み、第２の力Ｆ２の強度は第２の所定値まで上がり、第２の所定値は第１の所定値より低い。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、材料を加えることによってコンポーネントをホルダにはんだ付けする方法、および２つの要素を重ね合わせる装置に関する。
【０００２】
本発明は、より詳細には、半導体チップなどのコンポーネントをホルダ上にはんだ付けすることに適用する。
【背景技術】
【０００３】
マス（ｍａｓｓ）が加熱されるステップを含むタイプの、マス形成はんだを加えることによって、コンポーネントをホルダ上にはんだ付けする方法は、当技術分野においてはすでに知られている。
【０００４】
従来のやり方では、マス形成はんだは、半導体チップとホルダの間に挿入されるはんだペースト、または円盤もしくは長方形に切断された薄いストリップからなる。
【０００５】
一般には、加熱ステップの前に、コンポーネントは、チップとホルダの間の平行度を保証する元の位置のマス形成はんだ上に正確に配置される。
【０００６】
マス形成はんだが、はんだの融点より高い、またはその融点と等しい温度に加熱されると、マスは融解し、凝固すると、チップをホルダに取り付ける。
【０００７】
例えば、はんだを加熱するために、このマスの位置にて、レーザビームが、マスを支えるホルダの第２の面と反対側のホルダの第１の面に向けられ、ビームの衝撃によって発生するホルダ上の熱は、ホルダを通ってマスに伝わる。
【０００８】
一般には、第１には、マス形成はんだとチップの間、および第２には、ホルダとマス形成はんだの間の接触面は、比較的不整形であり、加熱ステップ中、ホルダからチップへの熱伝達を困難にする。
【０００９】
したがって、一般に、チップとホルダの間の熱伝達を向上させるためには、加熱ステップの前にチップを位置付けるとともに、表面の不整形をできる限り取り除くために、圧縮力が、チップ、マス形成はんだおよびホルダを含む組立部の上に加えられる。
【００１０】
この圧縮力の強度は、圧縮している間に半導体チップにダメージを与えないように、比較的低い必要がある。
【００１１】
しかし、この圧縮力の強度は比較的低いので、いくつかの不整形により、加熱ステップ中、熱伝達が不十分なままの状態である場合がある。
【００１２】
したがって、加熱ステップ中、チップ、マスおよびホルダを含む組立部の温度は一様でなく、その場合、マス形成はんだを冷却することにより生じる接合部は、特に、不均一の厚さなどの欠点を示す場合がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
そのため、本発明の主な目的は、マス形成はんだを冷却することによって形成されるチップとホルダの間の接合部の質を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
そのため、本発明は、前述したタイプのはんだ付け方法に関し、加熱ステップの前に、マスおよびコンポーネントをホルダ上に配置する以下のステップ：
− マスをホルダ上に位置付けるステップと、
− マスをホルダに対して押し付けるように、第１の圧縮力をマス上に加えるステップであって、第１の力の強度は、マス形成はんだを平らにするように選択される所定の第１の値まで上がる、ステップと、
− コンポーネントを、平らにされたマス上に位置付けるステップと、
− コンポーネントを、平らにされたマスおよびホルダに対して押し付けるように、第２の圧縮力をコンポーネントに加えるステップであって、第２の力の強度は、第２の所定値まで上がり、第２の所定値は、第１の所定値より低い、ステップと、
を含むことを特徴とする。
【００１５】
第１の力の第１の所定値は、第２の力の第２の所定値より大きいので、本発明によるはんだ付け工程は、チップと、マス形成はんだとの異なる圧縮強さを考慮することが可能である。
【００１６】
例えば、第１の圧縮力の強度は５０グラム−力であり、第２の圧縮力の強度は１０グラム−力である。
【００１７】
第１に、第１の圧縮力は、チップなしのマス形成はんだに加えられるということにより、比較的高い値が、マスを十分に平らにするように選択可能であり、それにより、ホルダとマスの間の熱伝達が向上する。
【００１８】
次いで、第２に、第２の圧縮力は、平らにされたマスおよびホルダに対するコンポーネントに加えられることが可能であり、第２の所定値は、比較的低く選択可能である。そのため、チップは、圧縮力の強度が高過ぎることによるダメージから保護される。
【００１９】
加えて、第２の圧縮力をチップ、マスおよびホルダ上に加えることによって、熱伝達は、ホルダとチップの間で最適化される。
【００２０】
好ましくは、マスをホルダ上に位置付けるステップ中に、マスは、マスがホルダと接触し始める位置を検出するまで、ホルダの方に移動し、加力ステップ中に、第１の力の強度は、接触位置の検出中に設定される実質的にゼロの初期値から第１の所定値まで上がる。
【００２１】
同様に、コンポーネントを、平らにされたマス上に位置付けるステップ中に、コンポーネントは、コンポーネントが平らにされたマスと接触し始める位置を検出するまで、平らにされたマスの方に移動し、加力ステップ中に、第２の力の強度は、接触位置の検出中に設定される実質的にゼロの初期値から第２の所定値まで上がる。
【００２２】
したがって、接触位置を検出し、実質的にゼロの初期強度の圧縮力を加えるステップは、ホルダに対するマスの圧縮、ならびに平らにされたマスおよびホルダに対するチップの圧縮全体にわたって、効率的な制御を可能にする。
【００２３】
本発明によるはんだ付け方法はまた、１つまたは複数の以下の特徴を含むことが可能である：
− 第１の圧縮力および／または第２の圧縮力の強度が、強度の値から第１の所定値および／または第２の所定値まで、段階的増加で上がる。
− 加熱ステップ中、ホルダに対するコンポーネントの相対位置が、一定に維持される。
− 加熱ステップ中、このマスの位置にて、レーザビームが、ビームによるホルダの照射期間中、このマスを支えるホルダの第２の面と反対側のホルダの第１の面に向けられ、ホルダに対するコンポーネントの相対位置が、少なくとも照射の期間中、一定に維持される。
− 第１の所定値は、第１の力を加えるステップの後、マスの厚さの下限臨界値により決定される。
− 第２の所定値が臨界値未満であり、それを超えると、コンポーネントはダメージを与えられることになる。
− コンポーネントが半導体チップである。
【００２４】
また、本発明は、第１の要素を第２の要素上に配置するための装置に関し、以下を含む：
− 第１の要素を第２の要素上に移動させる手段、
− 第１の要素を第２の要素に対して押し付けるための手段、
さらに、それは、以下を含むことを特徴とする：
− 第１の要素が第２の要素と接触し始めると、接触位置を検出する手段、
− 変位手段のカウンタウェイトを形成する手段、および
− 圧縮手段と、接触位置の検出によりカウンタウェイトを形成する手段とを制御する手段。
【００２５】
また、本発明による配置装置は、以下による１つまたは複数の特徴を含むことが可能である：
− 変位手段が、第１の要素を保持するための吸引タイプの保持手段を含み、
− 変位手段が、保持手段の吸引チューブを通る光ファイバを有する赤外線タイプの温度測定手段を含み、
− 検出手段が、容量性タイプの接触検出器と、圧力センサとから選択され、
− 装置が、マス形成はんだと、半導体チップとから選択される第１の要素を、ホルダを形成する第２の要素上に配置するように設計される。
【００２６】
以下の、実施例として示される説明を読み、図面を参照すると、本発明は理解されやすくなる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明による配置装置を含むはんだ取付け部を示す図である。
【図２】本発明による、チップをホルダ上にはんだ付けするはんだ付け工程のステップを示す、図１に示された配置装置の正面図である。
【図３】本発明による、チップをホルダ上にはんだ付けするはんだ付け工程のステップを示す、図１に示された配置装置の正面図である。
【図４】本発明による、チップをホルダ上にはんだ付けするはんだ付け工程のステップを示す、図１に示された配置装置の正面図である。
【図５】本発明による、チップをホルダ上にはんだ付けするはんだ付け工程のステップを示す、図１に示された配置装置の正面図である。
【図６】本発明による、チップをホルダ上にはんだ付けするはんだ付け工程のステップを示す、図１に示された配置装置の正面図である。
【図７】本発明による、チップをホルダ上にはんだ付けするはんだ付け工程のステップを示す、図１に示された配置装置の正面図である。
【図８】本発明による、チップをホルダ上にはんだ付けするはんだ付け工程のステップを示す、図１に示された配置装置の正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
はんだ取付け部は、図１に示されている。はんだ取付け部は、全体共通の参照符号１０で指定される。
【００２９】
取付け部１０は、マス形成はんだ１６を加えることによって、コンポーネント１２をホルダ１４上にはんだ付けするために使用される。
【００３０】
説明されている実施例において、コンポーネント１２は、従来の半導体チップである。従来のやり方では、マス形成はんだ１６は、はんだ付けペーストまたは円盤もしくは長方形に切断された薄いストリップからなる。
【００３１】
説明されている実施例において、ホルダ１４は、ホルダ１４によって支持される半導体チップ１２を保護するための保護ボックスの一部を形成する合成材料でできている部分ＰＳによって少なくとも部分的に取り囲まれている金属部分ＰＭ、具体的には、銅を含む。
【００３２】
ホルダ１４は、両側に第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２を含み、マス形成はんだ１６は、ホルダ１４の金属部分ＰＭの第２の面Ｓ２に取り付けられるように意図されている。好ましくは、第２の面Ｓ２は、ニッケルの薄層によりメッキされている。
【００３３】
チップ１２およびマス１６をホルダ１４上に正確に配置するために、はんだ取付け部１０はまた、マス形成はんだ１６と、半導体チップ１２とから選択される第１の要素を、ホルダ（ホルダ１４など）を形成する第２の要素上に配置するための装置１８を含む。
【００３４】
配置装置１８は、チップ１２またはマス１６を、ホルダを形成する第２の要素上に変位させるための手段２０を含む。この実施例において、変位手段２０は、Ｘ軸およびＹ軸に実質的に平行な水平面に、およびＺ軸に実質的に平行な垂直方向に、チップ１２またはマス１６を変位させるための連結式手段２２を含む。
【００３５】
また、好ましくは、変位手段２０は、第１の要素１２または１６を保持するための保持手段２４を含む。
【００３６】
好ましくは、保持手段２４は、吸引タイプである。そのため、保持手段２４は、例えば真空ポンプを含む吸引手段２８に接続されている吸引チューブ２６を備える。
【００３７】
保持手段２４を正確に変位させるために、変位手段２０は、連結式手段２２を接続するための接続手段３０を備え、保持手段２４は、手段２４が連結式手段２２に締結されている活動化状態と、手段２４が連結式手段２２から分離されているアイドル状態とを取ることができる。
【００３８】
これらの接続手段３０は、例えば、第１のクランピングジョー３４Ａおよび第２のクランピングジョー３４Ｂ（図２から図８）が備えられている連結式手段２２に締結されている水平動作（この実施例においては、ｙ軸に平行）を持つ第１の線形アクチュエータアーム３２Ａおよび第２の線形アクチュエータアーム３２Ｂを含む。例えば、アクチュエータアーム３２は、ロッドを有する空気式タイプの線形シリンダである。各ジョー３４Ａ、３４Ｂは、対応するシリンダ３２Ａ、３２Ｂのロッドの一端部に締結されている。
【００３９】
この実施例において、接続手段３０の活動化状態では、クランピングジョー３４は、保持手段２４を締め付けるように意図され、接続手段３０のアイドル状態では、クランピングジョー３４は、保持手段２４を解放するように意図されている。
【００４０】
また、配置装置１８は、第１の要素上の圧縮力を第２の要素に対して加えるように意図されている、第１の要素を第２の要素に対して押し付ける圧縮手段３６を有する。
【００４１】
圧縮手段３６は、例えば、連結式手段２２に締結されている垂直動作（実施例においては、ｚ軸に平行）を持つ第１の線形アクチュエータアーム３８Ａおよび第２の線形アクチュエータアーム３８Ｂを備える。アクチュエータアーム３８は、保持手段２４上に垂直推力を及ぼすことによって、第１の要素上の垂直圧縮力を第２の要素に対して加えるように意図されている。
【００４２】
また、各アクチュエータアーム３８は、ロッドを有する空気式タイプの線形シリンダである。そのため、従来のやり方において、アクチュエータアーム３８は、各シリンダのロッドが引き込まれるアイドル状態と、各シリンダのロッドが引き伸ばされる作動状態とを取るように意図されている。
【００４３】
シリンダロッドに締結されている保持手段２４は、アクチュエータアーム３８のシリンダが活動化状態からアイドル状態に変わると引き上げられ、そうでない場合は引き下げられるように、シリンダロッドによって変位する。
【００４４】
説明されている実施例において、装置１８はまた、（図１に示されている）圧縮力強度を調整するための手段４０を含む。
【００４５】
加えて、また、配置装置１８は、第１の要素が第２の要素と接触し始めると、接触位置を検出するための手段４２を含む。好ましくは、検出手段４２は、保持手段２４内に一体化される圧力センサを含む。
【００４６】
変形形態として、検出手段４２は、容量性タイプの接触検出器を含む。
【００４７】
また、配置装置１８は、変位手段２０のカウンタウェイト（図示せず）を形成する手段を含む。この実施例において、より正確には、手段は、保持手段２４のカウンタウェイトを形成し、圧縮手段３６の要素、より詳細には、アクチュエータアーム３８の要素を形成する。
【００４８】
また、配置装置１８は、圧縮手段３６と、手段４２によって接触位置を検出することによりカウンタウェイトを形成する手段とを制御するための手段４４を含む。
【００４９】
マス形成はんだ１６を加熱して、チップ１２をホルダ１４上にはんだ付けするために、取付け部１０はまた、例えば、レーザビーム４６を放射するレーザ源など、熱源（図示せず）を含む。
【００５０】
また、取付け部１０は、マス形成はんだ１６の位置における点５０に、レーザビーム４６の焦点を合わせるための手段４８を含む。
【００５１】
場合により、マス形成はんだ１６および半導体チップ１２の温度を、これら２つの要素を加熱しながら調べるために、変位手段２０は、赤外線タイプの温度測定手段５２（図１）を含む。
【００５２】
例えば、測定手段５２は、保持手段２４の吸引チューブ２６を通る光ファイバ５４を含む。場合により、測定手段５２はまた、光ファイバ５４に接続されている赤外線高温計５６を含む。
【００５３】
次に、図２から図８を参照して、本発明によるはんだ付け方法の主なステップを説明することにする。
【００５４】
まず、この方法は、コンポーネント１２およびマス１６をホルダ１４上に配置するためのステップを含む。
【００５５】
したがって、図２に示されている第１の配置ステップ中に、マス１６は、ホルダ１２上に位置付けられる。図２に見られるように、マス形成はんだ１６の初期の全体的形状は、比較的不整形である。
【００５６】
このステップ中に、クランピングジョー３４は保持手段２４を締め付け、それにより、保持手段２４は、連結式手段２２に締結される。加えて、アクチュエータアーム３８は、それらのアイドル状態にある。したがって、連結式手段２２によって完全に制御されているので、保持手段２４の変位は比較的正確である。
【００５７】
保持手段２４は、吸引によってマス形成はんだ１６を保持する。
【００５８】
次いで、変位手段２０は、座標Ｘ_０、Ｙ_０およびＺ_０により、第１の所定の位置Ｐ_０まで、比較的迅速に、水平および垂直にマス１６を変位させる。
【００５９】
この実施例において、座標Ｘ_０、Ｙ_０は、チップ１２との電気的接続を意図されるホルダ１４上の電気コネクタ（図示せず）の位置によりあらかじめ規定されている。座標Ｚ_０は、ホルダ１４およびマス１６が、これら２つの要素の間のいかなる偶発的な接触も回避するよう十分に離れているように選択される。
【００６０】
次いで、手段２０は、マス１６がホルダ１４と接触し始める位置を検出するまで、マス１６を垂直方向Ｚに徐々に変位させる。
【００６１】
マス１６がホルダ１４と接触し始める位置を検出すると、手段４４は、圧縮手段３６の活動化を制御する。
【００６２】
したがって、図３によって示されている、マス１６をホルダ１４上に配置するための第２のステップ中に、圧縮手段３６は、第１の圧縮力Ｆ１をマス１６上に加えて、保持手段２４を使用して、マス１６をホルダ１４に対して押し付ける。
【００６３】
より正確には、このステップ中、連結式手段２２を接続するための手段３０と、保持手段２４とは、アイドル状態にある。そのため、保持手段２４は、連結式手段２２に、もはや締結されていない。
【００６４】
次いで、アクチュエータアーム３８は、マス１６上の圧縮力Ｆ１をホルダ１４に対して加えるために、保持手段２４上に、ｚ軸によって規定される方向に沿って、垂直推力を及ぼす。本発明によれば、圧縮手段３６は、第１の力Ｆ１の強度を、マス形成はんだ１６を平らにするように選択される第１の所定値まで上げる。
【００６５】
好ましくは、圧縮力Ｆ１の強度を正確に制御するために、手段４４はまた、接触位置を検出すると、保持手段２４のカウンタウェイトを形成する手段の活動化を制御する。そのため、カウンタウェイトを形成する手段の活動化は、マス１６上に及ぼされる保持手段２４の重力を相殺する。
【００６６】
この場合、接触位置を検出すると、第１の力Ｆ１の強度は、第１に、調整手段４０による力の強度を調整することによって、および第２に、カウンタウェイトを形成する手段を活動化にすることによって、ゼロの初期値に調整可能である。
【００６７】
したがって、力Ｆ１が加えられるステップ中、圧縮手段３６は、第１の力Ｆ１の強度を、接触位置を検出すると設定される実質的にゼロの初期値から第１の所定値まで上げる。
【００６８】
好ましくは、第１の圧縮力Ｆ１の強度は、強度の値から第１の所定値まで、段階的増加で上がる。
【００６９】
力Ｆ１が加えられるステップ中、保持手段２４は、シリンダロッド３８が、圧縮力Ｆ１の強度の第１の所定値に到達するのに必要とされる長さｌ_１だけ引き伸ばされる位置Ｐ１に下りる。
【００７０】
説明されている実施例において、第１の所定値は、約５０グラム−力である。
【００７１】
概して、マス形成はんだ１６の初期の厚さは、圧縮力が加えられるステップの前では、約１００ミクロンである。
【００７２】
好ましくは、第１の所定値は、第１の力Ｆ１が加えられるステップの後で、マス１６の厚さの下限臨界値により決定される。
【００７３】
例えば、この厚さの下限臨界値は、限界の厚さであるとして規定され、それを下回ると、マス１６の冷却により生じる接合部は、比較的脆弱である可能性がある。この実施例において、マスの厚さの下限臨界値は、約７０ミクロンである。
【００７４】
マス１６が平らにされた後、吸引手段５２は非活動化にされ、それにより、保持手段２４はマス１６を解放する（図４）。次いで、アクチュエータアーム３８は、活動化状態からアイドル状態に切り替わり、保持手段２４を引き上げることを可能にする。加えて、具体的には、クランピングジョー３４を含む保持手段２４を接続するための手段３０は活動化にされ、それにより、保持手段２４は、再度、連結式手段２２に締結される。
【００７５】
図５に示されている第３の配置ステップ中、半導体チップ１２は、平らにされたマス１６上に位置付けられる。
【００７６】
変位手段２０は、吸引によってチップ１２を拾い上げるように移動する。
【００７７】
次いで、変位手段２０は、座標Ｘ_０、Ｙ_０およびＺ_０により、所定位置Ｐ_０まで、比較的迅速に、水平および垂直にチップ１２を変位させる。この位置では、チップ１２は、マス１６と接触しない。
【００７８】
手段２０は、チップ１２が平らにされたマス１６と接触し始める位置を検出するまで、チップ１２を垂直方向Ｚに徐々に変位させる。
【００７９】
チップ１２が平らにされたマス１６と接触し始める位置を検出すると、手段４４は、圧縮手段３６の活動化を制御する。
【００８０】
したがって、図６に示されている第４の配置ステップ中に、チップ１２と、平らにされたマス１６との間の接触面の不整形を低減するために、圧縮手段３６は、第２の圧縮力Ｆ２をチップ１２上に加えて、チップ１２を、平らにされたマス１６およびホルダ１４に対して押し付ける。
【００８１】
本発明によれば、圧縮手段３６は、第２の力Ｆ２の強度を第１の所定値未満の第２の所定値まで上げる。
【００８２】
第２の所定値は、臨界値未満であり、それを超えると、チップ１２はダメージを与えられることになる。例えば、第２の所定値は、約１０グラム−力である。
【００８３】
好ましくは、圧縮力Ｆ２の強度を正確に制御するために、手段４４はまた、チップ１２がマス１６と接触し始める時の位置を検出すると、保持手段２４のカウンタウェイトを形成する手段の活動化を制御する。カウンタウェイトを形成する手段を活動化にし、調整手段４０を使用して第２の力の強度の値を調整することによって、初期値は、実質的にゼロの値に調整可能である。
【００８４】
次いで、第２の力Ｆ２の強度は、接触位置を検出すると設定される初期の実質的にゼロの値から、第２の所定値まで上がる。
【００８５】
好ましくは、第２の圧縮力Ｆ２の強度は、強度の値から第２の所定値まで、段階的増加で上がる。
【００８６】
力Ｆ２が加えられるステップ中、保持手段２４は、シリンダロッド３８が、圧縮力Ｆ２の強度の第２の所定値に到達するのに必要とされる長さｌ_２だけ引き伸ばされる位置Ｐ２に下りる。
【００８７】
配置ステップを行った後、方法はまた、図７に示されているマス形成はんだ１６を加熱するためのステップを含む。
【００８８】
そのため、マス形成はんだ１６を加熱するために、レーザビーム４６は、ホルダ１４の第１の面Ｓ１上に向けられる。より正確には、レーザビーム４６は、ビーム４６によるホルダ１４の照射期間中、マス形成はんだ１６の位置に向けられる。
【００８９】
レーザビーム４６によるホルダ１４の照射の点５０に発生する熱は、ホルダ１４を通じて、マス形成はんだ１６およびチップ１２に伝わる。
【００９０】
表面の不整形は、圧縮力Ｆ１およびＦ２が加えられるステップ中に弱められるので、熱伝達は、ホルダ１４とマス１６の間、ならびにマス１６とチップ１２の間で比較的良好である。
【００９１】
この実施例において、加熱ステップ中、ビーム４６によるホルダの照射期間中は少なくとも、チップ１２およびホルダ１４の相対位置は、一定に維持される。
【００９２】
そのため、加熱ステップの前に、保持手段２４は、位置Ｐ２に固定される。具体的には、シリンダロッド３８を長さｌ_２だけ引き伸ばされた状態に維持しながら、制御手段４４は、圧縮手段３６を非活動化にし、クランピングジョー３４は、活動化にされる。
【００９３】
加熱ステップの前は、マス１６は、比較的硬質である。第２の所定値と等しい強度の力Ｆ２は、マス１６と、力Ｆ２の強度とやはり等しい強度の保持手段２４上のチップ１２との反作用によって、従来通りに補償される。
【００９４】
加熱ステップ中、保持手段２４は、位置Ｐ２に維持される。マス１６の軟化により、マス１６と、保持手段２４上のチップ１２との反作用の強度は、マス１６が液状である場合は、ゼロに下がる。圧縮手段３６が非活動化にされるので、チップ１２およびマス１６上に保持手段２４によって及ぼされる力Ｆ２の強度は、同様にして、低下する。
【００９５】
これは、特には、加熱ステップ中のマス１６の軟化を考慮に入れるために行われ、それにより、チップ１２へのダメージが回避される。加熱ステップ中に、チップ１２および軟化されたマス１６上に過度の強度の圧縮力を加えると、チップ１２の側面に軟化されたマス１６を突き出してしまうこともあり、それにより、チップ１２をホルダ１４上に直接、押し付けてしまうこともありえる。
【００９６】
好ましくは、チップ１２およびホルダ１４の相対位置は、マス形成はんだ１６が冷却されるまで一定に維持される。
【００９７】
加えて、レーザビーム４６によるホルダ１４の照射中、およびマス１６の冷却中、具体的には、チップ１２の温度は、測定手段５２を使用して調べられることが可能である。光ファイバ５４は、チップ１２によって放射される赤外線フラックスを収集し、それを高温計５６に送る。次いで、高温計５６は、収集された光束を温度値に変換する。
【００９８】
図８に示されているように、マス１６が冷却された後、吸引手段２８は非活動化にされ、保持手段２４はチップ１２を解放する。接続手段３０は非活動化にされ、ジョー３４は保持手段２４を解放する。シリンダロッド３８は引き込まれ、保持手段２４を引き上げることを可能にする。次いで、接続手段３０は、再度、活動化にされ、連結式手段２２は、保持手段２４を移動させて、例えば、新規要素をホルダ１４上に配置し、はんだ付けすることを可能にする。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
マス（１６）が加熱されるステップを含むタイプの、マス形成はんだ（１６）を加えることによって、コンポーネント（１２）をホルダ（１４）にはんだ付けする方法であって、加熱ステップの前に、マス（１６）およびコンポーネント（１２）をホルダ（１４）上に配置する以下のステップ、
マス（１６）をホルダ（１４）上に位置付けるステップと、
マス（１６）をホルダ（１４）に対して押し付けるように、第１の圧縮力（Ｆ１）をマス（１６）上に加えるステップであって、第１の力（Ｆ１）の強度は、マス形成はんだ（１６）を平らにするように選択される所定の第１の値まで上がる該ステップと、
コンポーネント（１２）を、平らにされたマス（１６）上に位置付けるステップと、
コンポーネント（１２）を、平らにされたマス（１６）およびホルダ（１４）に対して押し付けるように、第２の圧縮力をコンポーネント（１２）に加えるステップであって、第２の力（Ｆ２）の強度は、第２の所定値まで上がり、第２の所定値は、第１の所定値未満である該ステップと
を含むことを特徴とする、方法。
【請求項２】
マス（１６）をホルダ（１４）上に位置付けるステップ中に、マス（１６）は、マス（１６）がホルダ（１４）と接触し始める位置の検出まで、ホルダ（１４）の方に移動し、加力ステップ中に、第１の力（Ｆ１）の強度が、接触位置の検出中に設定される実質的にゼロの初期値から第１の所定値まで上がる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
コンポーネント（１２）を、平らにされたマス（１６）上に位置付けるステップ中に、コンポーネント（１２）が、コンポーネント（１２）が平らにされたマス（１６）と接触し始める位置を検出するまで、平らにされたマス（１６）の方に移動し、加力ステップ中に、第２の力（Ｆ２）の強度が、接触位置の検出中に設定される実質的にゼロの初期値から第２の所定値まで上がる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
第１の圧縮力（Ｆ１）および／または第２の圧縮力（Ｆ２）の強度が、強度の値から第１の所定値および／または第２の所定値まで、段階的増加で上がる、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
加熱ステップ中、コンポーネント（１２）と、ホルダ（１４）との相対位置が一定に維持される、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
加熱ステップ中、このマスの位置にて、レーザビーム（４６）が、ビーム（４６）によるホルダ（１４）の照射期間中、マス（１６）を支えるホルダ（１４）の第２の面（Ｓ２）と反対側のホルダ（１４）の第１の面（Ｓ１）に向けられ、コンポーネント（１２）と、ホルダ（１４）との相対位置が、一定に維持される、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
第１の所定値が、第１の力（Ｆ１）が加えられるステップの後、マス（１６）の厚さの下限臨界値により決定される、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
第２の所定値が臨界値未満であり、それを超えると、コンポーネント（１２）はダメージを与えられることになる、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
コンポーネント（１２）が半導体チップである、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
第１の要素を第２の要素上に配置する装置（１８）であって、
第１の要素（１２、１６）を第２の要素（１４）上に移動させる手段（２０）、
第１の要素（１２、１６）を第２の要素（１４）に対して押し付ける手段（３６）を含み、
また、
第１の要素（１２、１６）が第２の要素（１４）と接触し始める接触位置を検出するための手段（４２）、
変位手段（２０）のカウンタウェイトを形成する手段、
圧縮手段（３６）と、接触位置の検出によりカウンタウェイトを形成する手段とを制御するための手段（４４）、
を含むことを特徴とする、装置。
【請求項１１】
変位手段（２０）が、第１の要素（１２、１６）を保持するための吸引タイプの保持手段（２４）を含む、請求項１０に記載の装置（１８）。
【請求項１２】
変位手段が、保持手段（２４）の吸引チューブ（２６）を通る光ファイバ（５４）を有する赤外線タイプの温度測定手段（５２）を含む、請求項１１に記載の装置（１８）。
【請求項１３】
検出手段（４２）が、容量性タイプの接触検出器と、圧力検出器とから選択される、請求項１０から１２のいずれか一項に記載の装置（１８）。
【請求項１４】
マス形成はんだ（１６）と、半導体チップ（１２）とから選択される第１の要素を、ホルダ（１４）を形成する第２の要素上に配置するように設計されている、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の装置（１８）。

【図１】