【課題】作業ヘッドごとに別個の駆動源を設ける必要がないとともに、互いに異なる作業を行う複数の作業ヘッドの付け替え作業時の負担を軽減することが可能な基板作業装置を提供する。
【解決手段】この基板作業装置１００は、基板に対して液状材の塗布作業を行うディスペンスヘッド１０、および、基板に対して実装作業を行うマウントヘッド２０を選択的に付け替え可能なヘッド装着部３１と、ディスペンスヘッド１０およびマウントヘッド２０に共通に用いられ、ヘッド装着部３１にディスペンスヘッド１０が装着された場合には液状材が塗布されるようにディスペンスヘッド１０を駆動し、ヘッド装着部３１にマウントヘッド２０が装着された場合にはマウントヘッド２０を駆動するＲ軸モータ３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】減圧半田接合工程時に発生する溶融半田飛沫の飛散を防止し、前記飛沫による半導体チップの汚染や不良発生を抑制することのできる半導体チップの位置決め治具及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁回路基板の一面に載置される金属薄板に半導体チップを半田付けする際に用いられる半導体チップの位置決め治具３であって、位置決め治具３は、前記半導体チップを嵌め合わせる貫通孔２を有していて、貫通孔２の下端部に前記半導体チップに面して切り込まれた空間１３を有する半導体チップの位置決め治具とする。 （もっと読む）

【課題】放熱効果及び層間熱膨張係数の差から発生する反り現象を防止できるとともに、層間熱膨張係数の差による内部変形率の差から発生する内部クラックを防止できる半導体パッケージ基板を提供する。
【解決手段】ベース基板１１０と、ベース基板１１０の上部に実装される実装材１２０と、ベース基板１１０と実装材１２０との間に形成される接着層１４０と、を含み、接着層１４０は、熱伝導性接着剤１４１と、熱伝導性接着剤１４１の外周に形成される軟性接着剤１４３と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ内における半導体素子の位置ずれを抑制することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置１０は、凸部２３が形成されたパッケージ基板１１、導電性の接着剤２５、およびパッケージ基板１１上に実装された半導体素子１４、を具備する。パッケージ基板１１は、少なくとも２箇所に凸部２３が形成された基板である。導電性の接着剤２５は、凸部２３を含むパッケージ基板１１上に形成される。パッケージ基板１１上に実装される半導体素子１４は、各凸部２３に係合する複数のバイアホール２４を有している。さらに、半導体素子１４は、少なくとも２箇所のバイアホール２４が、各凸部２３に接着剤２５を介して係合するようにパッケージ基板１１上に実装される。 （もっと読む）

【課題】はんだのボイドの発生を抑制し、パワー素子と基材との密着性を高めることができるパワーモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】固相状態の金属粉末を圧縮された搬送ガスと共に吹き付けることにより、パワー素子１５をはんだ付けするための金属皮膜を、基材１１の表面に成膜する成膜工程は、搬送ガスが内包されるような吹き付け圧で基材１１の表面に金属粉末を吹き付けることにより、基材１１の表面に、金属粉末からなる第１の金属皮膜１２を成膜する第１成膜工程と、第１成膜工程における前記金属粉末の吹き付け圧よりも低い吹き付け圧で、金属粉末を前記第１の金属皮膜１２の表面に吹き付けることにより、第１の金属皮膜の表面に、前記金属粉末からなる第２の金属皮膜１３を成膜する第２成膜工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】
大気中で線はんだの表面に形成された酸化膜を除去することによりボイドの発生を抑え、常に一定の量のはんだを安定的に供給することが可能にする。
【解決手段】
試料上の所定の位置に所定の量のはんだを供給し、この試料上の所定の位置に供給されたはんだを成形し、この成形されたはんだ上に半導体チップを搭載することを試料を外気と遮断された雰囲気中に維持した状態で行うダイボンダを用いて半導体チップを接続する方法において、ダイボンダの接合材料を、試料上の所定の位置に所定の量のはんだを供給することを、線状のはんだを所定の量送り出し、大気圧中でプラズマを発生させて送り出された線状はんだの表面を発生させたプラズマで処理し、このプラズマで表面が処理された線状はんだを試料上の所定の位置に外気に晒すことなくガイドしてこの試料上に供給するようにした。 （もっと読む）

【課題】 放熱性がよく、ボンディング強度およびボンディング精度を損なうことのない半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置１は、少なくとも１つ以上のレーザ発光部１２を含む半導体レーザ素子１０と、半導体レーザ素子１０が実装されるサブマウント２０と、サブマウント２０が搭載される搭載面３１ａを有するパッケージ３０とを含み、サブマウント２０の厚み方向Ｚ２の一方の表面部は、半導体レーザ素子１０が実装される平坦な実装面２１ａを有し、他方の表面部である接合側表面部２１ｂは、その周縁の部分であって、平坦な表面を有する枠状の平坦部分２５ａと、平坦部分２５ａに囲繞される部分であって、平坦部分２５ａの表面よりも窪んだ凹部２６を有する凹凸部分２５ｂとから成り、接合側表面部２１ｂを介して、サブマウント２０がパッケージ３０に接合される。 （もっと読む）

【課題】熱によるチップ及びワークの性能劣化を抑えることができるチップをワークに接合する接合方法及び接合装置を提供する。
【解決手段】チップ１及びワーク２をハンダ３の融点Ｔｍ未満の予熱温度Ｔ１に保持し、チップ１及びワーク２のいずれか一方のみを予熱温度Ｔ１から昇温し、チップ１をワーク２に接触させた状態で、チップ１とワーク２との間に設けられたハンダ３を融解してワーク２にチップ１を接合する。 （もっと読む）

【課題】陽炎の影響を受けることなく位置精度良くチップをワークに接合することができる接合方法及び接合装置を提供する。
【解決手段】第２カメラ４０が撮像する画像から検出したチップ１及びワーク２の位置に基づいてチップ１をワーク２上のボンディング位置に搬送し、ボンディング位置でチップ１及びワーク２の間に設けられたハンダ３を融解してチップ１をワーク２に接合するにあたり、第２カメラ４０によるチップ１及びワーク２の撮像後にチップ１及びワーク２の少なくとも一方をハンダ３の融点Ｔｍ以上に昇温してハンダ３を融解することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】余剰半田による半田ボールの発生を抑制しつつ、半導体チップ搭載精度のより高い半導体モジュールを実現する。
【解決手段】半導体チップをマウントする部品搭載領域の外周に沿って、前記部品搭載領域と比べ半田濡れ性の低い、あるいは半田が濡れない低半田濡れ性領域が形成され、前記低半田濡れ性領域の少なくとも一部に余剰半田を流出させるに十分な開口部として半田の濡れやすい領域を設けるように構成する。 （もっと読む）

【課題】実装基板に半導体チップを半田付けする際に、組立治具と実装基板面の隙間寸法が半導体チップの厚みと半田の厚みを合わせた寸法以下にできる半導体装置の組立治具および半導体装置の組立方法を提供することである。
【解決手段】半田が溶融する温度で実装基板２１が凹状に湾曲した場合でもチップコマ１の底面２ａの一部が実装基板面２２に常に自重で接触させることで、組立治具１００と実装基板２１の間の隙間寸法Ｔ１を半導体チップ３１の厚さＷ１と溶融半田３２ａの厚さＷ２ａを合わせた寸法Ｔ２以下にできる。その結果、半田溶融時に半導体チップ３１が横方向にズレしてチップコマ１の開口部５からはみ出ることがなく、半導体チップ３１の実装基板２１への位置決めを精度よく行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と基板とのダイボンディング接合において、半導体素子が実装される装置の大型化を引き起こすことなく、接合部位からのダイボンド剤の溢れ出しを起こりにくくし、かつ半導体素子から基板への放熱が効率良く起こるようにする。
【解決手段】半導体素子（ＬＥＤ）３が載置される素子載置面２ａに、複数の環状凸条部２ｂが設けられる。ＬＥＤ３と素子載置面２ａとをダイボンディング接合する際に、環状凸条部２ｂがダイボンド剤４の広がりを抑制するため、ダイボンド剤４は素子載置面２ａの周辺部へ溢れ出しにくくなる。また、環状凸条部２ｂは、ＬＥＤ３と素子載置面２ａとの接合面面積を大きくするため、ＬＥＤ３の放熱効率を向上することができる。更に、環状凸条部２ｂは、素子載置面２ａの直下に設けられるため、ＬＥＤ３が実装される装置の大型化を引き起こさない。 （もっと読む）

【課題】サイズの小型化が可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体素子１２および半導体素子１２に電気的に接続される電極１４を有する半導体装置１０において、電極１４上の所定位置には、金属膜２０が設けられ、金属膜２０上の所定位置には、半導体素子１２が嵌め込まれる凹部２２が設けられ、凹部２２の内底面には、半田層３２を介して、半導体素子１２が固定される半導体装置１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】導電性発熱体の電流印加配線に電流を流して半田層のみを局所的に加熱して半導体を接合することにより、熱応力の減少および基板の変形を防止することができる半導体パッケージ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体パッケージ基板の製造方法は、（Ａ）上部に半田層１２０が形成された接続部１１０を一面に備えたベース基板１００を準備する段階と、（Ｂ）半田層１２０の上部に、電流印加配線３１０の備えられた導電性発熱体３００を配置する段階と、（Ｃ）電流印加配線３１０に電流を印加して半田層１２０を加熱することにより、半導体チップ２００を接続部１１０と接合する段階と、（Ｄ）導電性発熱体３００の電流印加配線３１０を除去する段階とを含んでなる。 （もっと読む）

【課題】はんだにより半導体チップを板状のダイパッドに接合した構成の半導体装置において、その信頼性の向上及び小型化・薄型化を図ることができるようにする。
【解決手段】はんだ４により半導体チップ２を接合するダイパッド３を備え、ダイパッド３の平坦な上面３ａのうち半導体チップ２の配置領域に、前記上面３ａから窪んではんだ４を収容する凹部１２が形成されたリードフレームを提供する。また、前記凹部１２が、前記ダイパッド３の上面３ａよりも低く位置して当該上面３ａに平行する平坦な底面１２ａと、当該底面１２ａの周縁から前記ダイパッド３の上面３ａに向かうにしたがって前記配置領域から離れるように延びる傾斜面１２ｂとによって構成されているリードフレームを提供する。 （もっと読む）

【課題】回路基板のダイパッドに対して、電子部品を隙間なく確実に、かつ容易に実装することが可能な電子部品の実装方法、および電子部品の実装構造を提供する。
【解決手段】半導体チップ２１の接合面２１ａの一部分だけがハンダチップ１３と接するように、ダイパッド１１の一面１１ａに対して、半導体チップ２１の接合面２１ａを傾斜させるように、半導体チップ２１をダイパッド１１に載置する（電子部品載置工程）。これによって、半導体チップ２１は、例えば、四隅のうちのいずれかの角部分がハンダチップ１３に乗り上げるように傾斜する。同時に、半導体チップ２１は、ハンダチップ１３に接している部分以外の一端（端部）が、ダイパッド１１の一面１１ａに接するように傾斜する。 （もっと読む）

【課題】櫛形タイプの冷却フィンを備えた熱交換器であっても、パワーモジュールに使用して、Ｘ線検査によりボイドを正確に検出すること。
【解決手段】パワーモジュール２の熱交換器１は、ケース３と、ケース３に収容された櫛形タイプの冷却フィン４と、ケース３の上面に接合剤１０により接合されたヒートスプレッダとを備える。ＩＧＢＴ６は、ヒートスプレッダの上面に接合剤１０により固定される。冷却フィン４は、平板状のベース部４ａの下面から複数のフィン部４ｄが互いに隙間９を置いて平行かつ斜めに突き出している。冷却フィン４は、複数のフィン部４ｄにつき、隣り合う一方のフィン部４ｄ１の先端４ｅと他方のフィン部４ｄ２の基端４ｆとが同じ幅Ｗ２を有すると共に、ベース部４ａの上面及び下面と直交する方向に重なるように配置される。 （もっと読む）

【課題】基板と電子部品の間から食み出す液状材料の食み出し状態を安定化させる。
【解決手段】食み出し情報抽出手段Ｃによって抽出された情報と食み出し情報記憶手段Ｄに記憶された情報とに基いて、新たに電子部品搭載手段Ａで搭載される電子部品８と其の周辺状況を撮像手段Ｂで撮像した際に食み出し情報抽出手段Ｃによって抽出される情報と食み出し情報記憶手段Ｄに記憶された情報との類似の度合いが増大するように、つまり、液状材料５の実際の食み出し状態と理想的な食み出し状態との乖離が解消されるように電子部品搭載手段Ａにおける電子部品８の押圧時間ｔまたは電子部品８の押圧圧力である搭載荷重を調整する。 （もっと読む）

【課題】良好な信頼性を維持しつつ、レーザバーとサブマウントを面接合させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１８と、該基板の表面に形成されたエピタキシャル層２０と、該エピタキシャル層の表面に形成された表面電極２２と、該表面電極に形成されたエピタキシャル面めっき２４と、該基板の裏面に形成された裏面電極２６と、該裏面電極に形成された基板面めっき２８と、を有するレーザバー１２と、該エピタキシャル面めっき又は該基板面めっきにはんだにより固定されたサブマウント１６と、を備える。該エピタキシャル面めっき２４は該基板面めっき２８よりも厚く形成され、該エピタキシャル面めっき又は該基板面めっきの全面が、該はんだ１４により該サブマウントと面接合する。 （もっと読む）