【課題】従来のフォームはんだ製造方法は、所定量の金属粒を直接溶融はんだ中に投入してから金属粒を分散させるため、フォームはんだ中にフラックスが微量残っていた。そのため従来のフォームはんだ製造方法で得られたフォームはんだではんだ付けを行うとボイドが発生したり、部品が傾斜したりして充分な接合強度が得られなかった。
【解決手段】本発明では、熱分解可能なフラックスと高融点金属粒からなる混合物で混合母合金を作製し、さらに混合母合金を大量の溶融はんだに投入・攪拌してビレットを作製する。そして該ビレットを押出、圧延、打ち抜き工程を経てペレットやワッシャーにする。 （もっと読む）

【課題】 発光面となる前面側がチップ基板上から浮き上がることなくハンダによって電気的接合することができると共に、ある一定の傾きを有した状態でも安定して電気的接合を図ることのできるＬＥＤチップを提供することである。
【解決手段】 前面１２ａが発光面、背面１２ｂが電極面となるＰＮ接合構造による発光本体１２と、前記背面１２ｂにＰ層及びＮ層の一部が露出する一対のチップ電極１３ａ，１３ｂとを備え、前記前面１２ａ及び背面１２ｂと直交する一側面を載置面１２ｃとして、電極パターンが形成されたチップ基板上に載置されるＬＥＤチップ１１において、前記背面１２ｂ側の一部に、前記載置面１２ｃの一端から延長する底面部１４ａを有して突出する実装支持部材１４を設けた。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の接合強度の低下が抑制されたセラミックス配線基板を提供する。
【解決手段】セラミックス配線基板１０は、セラミックス基板１１とその上に形成された配線層１２とを具備する。配線層１２は、セラミックス基板１１の表面に順に積層された下地金属層１５、第１の拡散防止層１６および第１のＡｕ層１７を有する配線部１３と、配線部１３上の所望の位置に順に積層された第２の拡散防止層１９、空孔抑制層２０および半田層１８を有する接続部１４とを備える。空孔抑制層２０はＡｕやＡｕを８５質量％以上含むＡｕ−Ｓｎ合金により構成される。 （もっと読む）

【課題】不具合の発生を低減することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電極１０３と、電極１０３上の一部に形成されたＡｇ層２０１と、電極１０３上でかつＡｇ層２０１の周囲に形成されたＮｉ層２０２と、Ａｇ層２０１に対向して配置された半導体素子１０２と、Ａｇ層２０１と半導体素子１０２の矩形の接合面とが接合されたＢｉを主成分とする接合部３０４とを備え、Ａｇ層２０１は、半導体素子１０２の接合面３０５を包含し、最大で接合面３０５の外周の外側に形成された、各辺をその長さの最大で０．３倍、４辺の外側へ延伸させた外周を持つ領域である、半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】高い粘度の部材を、短いタクトタイムで均一に塗布できる半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置１００は、第１主面から第２主面に貫通した複数の第１貫通孔を有する第１ブロック３と、前記第１主面側から前記複数の第１貫通孔のそれぞれに挿入され、前記第２主面から一方の端を突出させたスタンプピン５であって、前記挿入方向において前進および後退が可能な複数のスタンプピン５と、前記第１貫通孔よりも内径の大きな複数の第２貫通孔を有し、前記第１主面に対して平行な平面視において、前記第２貫通孔が前記第１貫通孔に重なるように配置された第２ブロック７と、前記複数の第２貫通孔のそれぞれの内部に配置され、スタンプピン５を前記挿入方向に付勢する複数のバネと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 非破壊により、はんだ接合部の劣化を容易に診断する。
【解決手段】 実施形態によれば、基板、基板の一主面上に設けられた配線部、及び配線部上にナノカーボンを含有するはんだ接合部を介して実装された少なくとも１つの半導体チップを含む電子部品を加熱しながら、電子部品の温度分布を測定し、及び温度分布の測定データに基づいてはんだ接合部の劣化を検出することを含むはんだ接合部の劣化診断方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の使用時の２５０℃程度の発熱に対しても放熱性が優れ、また半導体素子と電極とを品質良く接合すること。
【解決手段】 半導体素子１０２と電極１０３との間に形成され、それらを接合する接合部２０４を備え、接合部２０４は、Ａｌ層１０５と、その両側に形成された各金属間化合物層１０９−１、１０９−２とを有し、接合部２０４は、箔状のＡｌ１０５の外層に、ＮｉまたはＺｎよりなる中間層１０６−１、１０６−２と、ＣｕまたはＮｉまたはＡｇよりなる第１金属層１０７−１、１０７−２と、Ｓｎよりなる第２金属層１０８−１、１０８−２とをこの順で有する接合材料１０４を利用して形成される、半導体素子の接合構造体。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合後に部材汚染を生じることなく接合可能となる半導体デバイスの製造法であって、接合部材に対し均一に塗布可能としつつ、簡便なプロセスで接合可能となる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、基板と半導体素子とを接合部材として接合する半導体デバイスの製造方法において、（ａ）一方の接合部材に、所定の純度及び粒径の貴金属粉と、所定の沸点の有機溶剤とからなり、チクソトロピー指数（ＴＩ）値が６．０以上である貴金属ペーストを塗布する工程、及び（ｂ）前記貴金属ペーストを介して前記一方の接合部材と他方の接合部材とを配置し、少なくとも焼結体を８０〜３５０℃に加熱しながら一方向又は双方向から加圧して接合する工程、を含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】伝導冷却パッケージレーザーのパッケージ方法を提供して、半導体レーザー特性が製造工程における高熱に影響されることを低減し、且つ半導体レーザーが生じる脆化・破砕の状況を低減する。
【解決手段】伝導冷却パッケージレーザー２００のパッケージ方法及び構造であって、半導体レーザー素子２１０を第１のヒートスプレッダ２３０に溶接するステップと、アルミニウムニッケル多層薄膜複合材料２４０によって第１のヒートスプレッダ２３０を第２のヒートスプレッダ２５０に固定するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】熱膨張率の差による接合材料層の剥離やクラックの発生を抑制しつつ、発熱サイクル等に起因する熱応力を緩和して、接合材料層による接合の信頼性を向上することが可能な半導体装置の接合方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の接合方法は、半導体素子２の第１面２ａ上に第１の焼結パターン４ｘを形成する工程と、基板１の第２面１ａ上に第２の焼結パターン３ｘを形成する工程と、第１の焼結パターン４ｘ上または第２の焼結パターン３ｘ上の何れか一方又は両方に第３の金属粒子を含む第３の金属粒子ペースト５を配置する工程と、第１の焼結パターン４ｘと第２の焼結パターン３ｘとの間に第３の金属粒子ペースト５が介在するように、半導体素子２の第１面２ａと基板１の第２面１ａとを対向させた状態で、加熱することにより、半導体素子２の第１面２ａと基板１の第２面１ａとの間を接合する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 パワー半導体素子のダイボンディングや各種電子部品の組立て等に好適であり、接合したチップの割れや剥れをなくし、高い接合信頼性を確保できるＺｎ系の高温鉛フリーはんだペーストを提供する。
【解決手段】 Ｚｎを７０質量％以上含有するＺｎ合金はんだ粉と、Ｎｉ又はＣｕを主成分とする金属粉と、残部のフラックスとからなるＺｎ系の高温鉛フリーはんだペーストであり、金属粉は平均粒径１〜１００μｍのＮｉ粉又はＣｕ粉、その表面にＡｕ又はＡｇからなる膜厚１μｍ以下の皮膜を設けた被覆Ｎｉ粉又は被覆Ｃｕ粉であって、金属粉とＺｎ合金はんだ粉の合計を１００質量％としたとき、金属粉の合計が５〜６５質量％である。 （もっと読む）

【課題】 実質的に３００℃程度のリフロー温度に耐えることが可能な、濡れ性、接合性、および信頼性に優れた高温用のＰｂフリーはんだ合金を提供する。
【解決手段】 Ｚｎを主成分とするＰｂフリーはんだ合金であって、第２元素としてＧｅを０.０１質量％以上１６.０質量％以下含有し、第３元素としてＡｌおよびＳｎの内の少なくとも一方を、Ａｌの場合は０.０１質量％以上１.０質量％未満、Ｓｎの場合は０.０１質量％以上１０.０質量％以下含有し、Ｐは０.５００質量％を超えて含有していない。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを基板に接合するために均一に分散されたハンダの層を形成するための軟質ハンダディスペンス装置を提供し、特に大型の反動チップのための接合プロセスの生産性を改善する。
【解決手段】半導体チップを前記基板上に接合するために基板上にハンダをディスペンスする装置は、ディスペンス本体と、このディスペンス本体を通じて延在する第１及び第２のディスペンスチャネルとを備え、ディスペンスチャネルのそれぞれは、別々のハンダワイヤを受け取るように操作されて、基板に面する前記ディスペンス本体の端部に前記ハンダワイヤを供給する。ディスペンスチャネルは、加熱された基板に接触した際に溶融する固体状態のワイヤを前記ディスペンス本体の端部から導入するようにさらに操作される。 （もっと読む）

【課題】Ｚｎ系合金とＡｌ系合金のクラッド材熱処理時のボイド発生を低減させ、接続信頼性を向上することを可能とする接続材料の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも第一のＺｎ系合金層１０１の上にＡｌ系合金層１０２を重ね、前記Ａｌ系合金層１０２の上に第二のＺｎ系合金層１０１を重ねて、クラッド圧延により圧延率を６０％以上で接続材料１０を製造する方法である。 （もっと読む）

【課題】金属ナノ粒子を用いた接合技術において、スペーサを接合層に残しつつ、接合強度を高めることができる接合技術を提供することを課題とする。
【解決手段】接合体１０は、第１の部材１１と、第２の部材１２と、これらの部材１１、１２とを接合する接合層１３とからなり、この接合層１３に塑性変形されたスペーサ１４が残されている。
【効果】スペーサを採用したため、接合層の膜厚を必要なだけ厚くすることができる。次に、スペーサを塑性変形させるため、金属ナノ粒子を主体とするペーストを、大きな加圧力で加圧することができ、緻密化を高めることができる。緻密化により、金属ナノ粒子同士の接合を促すことができ、焼結後の接合強度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ａｕを主成分とする高融点Ｐｂフリーはんだを、パワー用半導体装置の内部接合材料として適用し得る接合構造体を提供する。
【解決手段】半導体素子１０１上に被覆形成される半導体素子保護樹脂２０５を、半導体素子１０１の中間接合層２０３とはんだ接合層２０４の間の外周面域にも被覆形成させ、半導体素子１０１内部の耐クラック性、および半導体素子１０１とはんだ材料１０４との界面に加わる応力の緩和性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、前記従来の課題を解決するもので、Ｂｉを主成分とする接合材料により、半導体素子と電極とを接合した接合構造体において、半導体素子のＣｕあるいはＡｇを含む層のバリ発生を抑制することによって、品質の優れた半導体部品を提供すること。
【解決手段】半導体素子に形成したバリア層（ＣｕあるいはＡｇを含む層）１０２の表面に、Ｂｉを主成分とするはんだ層１０３をめっき法や蒸着法、スパッタ法によって層状にあらかじめダイシング工程前に形成しておくことによって、ダイシング時に発生するバリア層（ＣｕあるいはＡｇを含む層）１０２のバリを防止する。 （もっと読む）

【課題】接合材料の主成分であるＢｉは、延性が低いことから、パワー半導体素子とリードフレームとの間の接合部の接合材料に用い、ヒートサイクルによる繰り返し応力が加わると、モールド樹脂と接合部との界面で剥離が発生しやすくなる。
【解決手段】接合構造体２００は、半導体素子１０１と、半導体素子１０１に対向して配置される電極１０３と、半導体素子１０１の裏面電極２０１に対向する側の表面のバリア層２０４と、半導体素子１０１と電極１０３とを接続するＢｉを主成分とする接合材料からなる接合部１０５とを有し、半導体素子１０１、バリア層２０４、電極１０３及び接合部１０５の外周をモールド樹脂２０６により封止されている接合構造体２００であって、接合材料が有機物由来の官能基２０７を含有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化銀を粒子状で供給する場合に生じる初期の空隙率を低下させ、組成（還元剤と酸化銀との構成比）を維持することのできる接合材料、及びその製造方法、並びにそれを用いた実装方法を提供する。
【解決手段】電子部品や半導体を電気的に接合するための接合材料に関し、酸化銀を粒子として供給するのではなく、その最表面が酸化銀層であるものを用いる。接合材料となる酸化銀は金属銀を酸化させることにより、粒子ではなく高密度な層として提供できる。金属銀の供給は、金属銀を目的の形状に鋳造、鍛造、圧延することで可能である。さらに、蒸着、めっきすることで、様々な材質に対してその表面に金属銀を供給することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の生産性の向上を図る。
【解決手段】半田ペーストを吐出する複数のノズルを有するディスペンスヘッド５５により、リードフレーム１３上の複数の位置に同時に半田ペーストを塗布し、複数のコレットを有するマウントヘッド７４により、１回のサイクル動作で複数の半導体チップ９９をピックアップし、半田ペーストが塗布されたリードフレーム１３にマウントする。 （もっと読む）