【課題】従来のフォームはんだ製造方法は、所定量の金属粒を直接溶融はんだ中に投入してから金属粒を分散させるため、フォームはんだ中にフラックスが微量残っていた。そのため従来のフォームはんだ製造方法で得られたフォームはんだではんだ付けを行うとボイドが発生したり、部品が傾斜したりして充分な接合強度が得られなかった。
【解決手段】本発明では、熱分解可能なフラックスと高融点金属粒からなる混合物で混合母合金を作製し、さらに混合母合金を大量の溶融はんだに投入・攪拌してビレットを作製する。そして該ビレットを押出、圧延、打ち抜き工程を経てペレットやワッシャーにする。 （もっと読む）

【課題】高温環境下における回路基板からの電子部品の剥離を抑制することによって、信頼性を高めた電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】電子部品モジュール１は、セラミックス基板３の両面に第１および第２の金属板５、７が接合された回路基板２と、第１の金属板５に第１のろう材層８を介して接合され、少なくとも１２５℃で動作可能な電子部品９と、第２の金属板７に第２のろう材層１０を介して接合されたベース板１１とを具備する。第１のろう材層８は、電子部品９の使用温度より高く、かつ５７５〜７３０℃の範囲の融点を有するＡｇ−Ｃｕ系ろう材またはＡｌ系ろう材からなる。第２の金属板７の厚さに対する第１の金属板５の厚さの比は５０〜２００％の範囲である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体素子、及び半導体素子と多孔質状金属層との接合面等における、クラックや剥がれを抑制可能な半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板（Ｋ）またはリードフレーム（Ｌ）に設けられたパッド部（Ｐ）上に多孔質状金属層（Ｃ）を介して半導体素子（Ｓ）の金属層が接合されている半導体装置であって、前記多孔質状金属層（Ｃ）の外周側部位の金属密度がその内側に位置する中心側と比較して低いことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】基板（Ｋ）等と半導体素子（Ｓ）の金属層とが多孔質状金属層により接合されためっきやスパッタよりも接合強度にすぐれ信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】基板（Ｋ）またはリードフレーム（Ｌ）に設けられたパッド部（Ｐ）と、半導体素子（Ｓ）の金属層とが、多孔質状金属層（Ｃ）を介して接合され、該半導体素子（Ｓ）と他の電極端子（Ｔ）間とが金属製ワイヤで接続され、かつ前記パッド部（Ｐ）、多孔質状金属層（Ｃ）、半導体素子（Ｓ）、被覆樹脂部（Ｉ）、及び半導体素子（Ｓ）と電極端子（Ｔ）間を接続する金属製ワイヤが封止樹脂（Ｈ）で封止されている半導体装置であって、
前記多孔質状金属層（Ｃ）の外周側面の少なくとも一部、及び／又は半導体素子（Ｓ）の外周側面の少なくとも一部に被覆樹脂部（Ｉ）が配置され、かつ、前記被覆樹脂部（Ｉ）と前記封止樹脂（Ｈ）との間に界面が存在している
ことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】汎用性が高く、良好な高温環境下での信頼性が得られる方法で半導体チップの実装を行い、半導体装置の高温動作を可能とする。
【解決手段】実装基板と半導体チップとの間に、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉより選択されるいずれかの金属又はその合金を含む接合支持層と、接合支持層を挟んで積層され、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎより選択されるいずれかの金属又はこれらの金属から選択される２以上の金属からなる合金を含む溶融層と、を有し、少なくとも最外層に溶融層が形成された接合層を介在させ、溶融層の融点以上の温度で保持し、液相拡散により溶融層より融点が高い合金層を形成して、実装基板と半導体チップを接合させる。 （もっと読む）

【課題】パワーＭＯＳＦＥＴなどが封止された小型面実装パッケージの低オン抵抗化を実現する。
【解決手段】シリコンチップ３は、ドレインリードを構成するリード４と一体に形成されたダイパッド部４Ｄの上に搭載されており、その主面にはソースパッド７とゲートパッド８が形成されている。シリコンチップ３の裏面は、パワーＭＯＳＦＥＴのドレインを構成しており、Ａｇペーストを介してダイパッド部４Ｄの上面に接合されている。ソースリードを構成するリード４とソースパッド７は、Ａｌリボン１０によって電気的に接続されており、ゲートリードを構成するリード４とゲートパッド８は、Ａｕワイヤ１１によって電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】回路層の一方の面に半導体素子が確実に接合され、熱サイクル及びパワーサイクル信頼性に優れたパワーモジュール及びパワーモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１１の一方の面に回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０と、回路層１２上に搭載される半導体素子３と、を備えたパワーモジュール１であって、回路層１２の一方の面には、ガラス成分を含有するガラス含有Ａｇペーストの焼成体からなる第１焼成層３１が形成されており、この第１焼成層３１の上に、酸化銀が還元されたＡｇの焼成体からなる第２焼成層３８が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉを主成分とするはんだ材料による接合構造体において、応力緩和性を改善して、接合部でのクラックや剥離の発生を防止する。
【解決手段】半導体素子１０２をＣｕ電極１０３にＢｉを主成分とする接合材料１０４を介して接合した接合構造体において、接合材料１０４から被接合材料（半導体素子１０２、Ｃｕ電極１０３）に向けて、ヤング率が傾斜的に増大するような積層構造を介して半導体素子１０２とＣｕ電極１０３とを接合することにより、パワー半導体モジュールの使用時における温度サイクルで生じる熱応力に対する応力緩和性を確保する。 （もっと読む）

【課題】 放熱性がよく、ボンディング強度およびボンディング精度を損なうことのない半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置１は、少なくとも１つ以上のレーザ発光部１２を含む半導体レーザ素子１０と、半導体レーザ素子１０が実装されるサブマウント２０と、サブマウント２０が搭載される搭載面３１ａを有するパッケージ３０とを含み、サブマウント２０の厚み方向Ｚ２の一方の表面部は、半導体レーザ素子１０が実装される平坦な実装面２１ａを有し、他方の表面部である接合側表面部２１ｂは、その周縁の部分であって、平坦な表面を有する枠状の平坦部分２５ａと、平坦部分２５ａに囲繞される部分であって、平坦部分２５ａの表面よりも窪んだ凹部２６を有する凹凸部分２５ｂとから成り、接合側表面部２１ｂを介して、サブマウント２０がパッケージ３０に接合される。 （もっと読む）

【課題】高い粘度の部材を、短いタクトタイムで均一に塗布できる半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置１００は、第１主面から第２主面に貫通した複数の第１貫通孔を有する第１ブロック３と、前記第１主面側から前記複数の第１貫通孔のそれぞれに挿入され、前記第２主面から一方の端を突出させたスタンプピン５であって、前記挿入方向において前進および後退が可能な複数のスタンプピン５と、前記第１貫通孔よりも内径の大きな複数の第２貫通孔を有し、前記第１主面に対して平行な平面視において、前記第２貫通孔が前記第１貫通孔に重なるように配置された第２ブロック７と、前記複数の第２貫通孔のそれぞれの内部に配置され、スタンプピン５を前記挿入方向に付勢する複数のバネと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 めっき法や真空成膜法等で成膜する高価なＮｉ接合層に対し、金属粒子と溶剤を主成分とする金属ペースト等を代わりに用いることで、製造工程を簡便にし、ランニングコストの大幅な改善を行うことができる接合用積層体、およびこの接合用積層体を含むＬＥＤ素子等に使用可能な接合体を提供することを課題とする。
【解決手段】 金属ナノ粒子焼結体層１１と、金属粒子または金属酸化物粒子を含む接合層１２と、を備えることを特徴とする、接合用積層体１である。 （もっと読む）

【課題】回路基板やリードフレームのステージなどの支持板上に半導体チップを実装する際に、半導体チップが移動や回転等の位置ずれを生じないようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法であって、支持板２の半導体チップ実装領域２Ａ及び半導体チップ１の裏面の一方に、第１金属を含む層５及び第２金属を含む層６の一方を形成し、半導体チップ実装領域及び半導体チップの裏面の他方の、第１金属を含む層及び第２金属を含む層の一方が形成された領域の一部に相当する領域に、第１金属を含む層及び第２金属を含む層の他方を形成し、半導体チップ実装領域に半導体チップを位置合わせし、第１金属及び第２金属を含む合金を含む層９を形成して、半導体チップを半導体チップ実装領域に接合する。 （もっと読む）

【課題】電子部品中の電気的接合部の接合層に関し、鉛成分を含有せず先行技術よりもより高い接合強度・破壊靱性が得られる接合材を接合層として有する半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、電子部材同士が接合層を介して電気的に接続されている半導体装置であって、前記接合層は、Agマトリックスと、前記Agマトリックス中に分散しAgよりも硬度が高い金属Ｘからなる分散相とを含み、前記Agマトリックスと前記金属Ｘ分散相とは互いに金属接合し、前記Agマトリックスと前記電子部材の最表面とは互いに金属接合し、前記金属Ｘ分散相と前記電子部材の最表面とは互いに金属接合しており、前記金属Ｘ分散相は1μm以下の結晶粒を含み、前記Agマトリックスは100 nmよりも小さな結晶粒を含んでいることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子部品と相手部材とをポーラス状の貴金属よりなる金属導体を介して機械的に接合してなる電子装置において、金属導体の強度を適切に向上できるようにする。
【解決手段】電子部品１０と、電子部品１０と機械的に接続される相手部材２０と、電子部品１０および相手部材２０の間に介在し当該両者１０、２０を機械的に接続するものであって空孔３３を有するポーラス状をなすＡｇなどの貴金属よりなる金属導体３０と、を備え、金属導体３０は、その端面３１が電子部品１０および相手部材２０の間隙の端部より露出しており、金属導体３０の端面３１側から内部に向かって、金属導体３０を機械的に補強するポリイミドなどの補強樹脂６０が、金属導体３０の空孔３３に含浸されている。 （もっと読む）

【課題】製造が単純化され、熱放散および電気絶縁が最適化され、それと同時に通電容量が増大するように、上述したタイプのパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】基板１０２と、少なくとも１つのパワー半導体デバイス１０４と、少なくとも１つのリードフレーム要素１０６とを有するパワー半導体モジュールに関する。さらに、このようなパワー半導体モジュール１００の製造方法。少なくとも１つの第１のリードフレーム要素とパワー半導体デバイスとの間の接合と、第１のリードフレーム要素と基板との間の接合は、焼結金属接合１１０、好ましくは焼結銀接合を備えている。 （もっと読む）

【課題】
接合部中のボイド、界面の接合不良を低減できるダイボンダ、及びこれを用いたダイボンドプロセスを提供する。
【解決手段】
リードフレーム、又は基板に半導体チップをはんだで接合するダイボンダにおいて、上記リードフレーム、又は基板を搬送する搬送部と、上記リードフレーム、又は基板上にはんだを供給するはんだ供給部と、上記リードフレーム、又は基板上のはんだに半導体チップを搭載、接合する搭載部を備え、上記はんだを上記リードフレーム、又は基板上に供給する直前にはんだ表面の酸化膜を除去する表面清浄化ユニットを有することを特徴とするダイボンダ設備により、ダイボンド品質を向上させる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性に優れた硬化物を与え、接着強度が良好で、作業性にも優れる導電性樹脂組成物、および、そのような導電性樹脂組成物を用いた信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ当量が２００〜２０００の可とう性エポキシ樹脂を主成分とするエポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）硬化促進剤と、（Ｄ）銀粉と、を必須成分とする導電性樹脂組成物であって、（Ｄ）銀粉が、その全量を１００質量部としたとき、（ｄ１）不定形銀粉が６０質量部以上、（ｄ２）フレーク状銀粉が３０質量部以上、を含有してなることを特徴とする導電性樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合後に部材汚染を生じることなく接合可能となる半導体デバイスの製造法であって、接合部材に対し均一に塗布可能としつつ、簡便なプロセスで接合可能となる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、基板と半導体素子とを接合部材として接合する半導体デバイスの製造方法において、（ａ）一方の接合部材に、所定の純度及び粒径の貴金属粉と、所定の沸点の有機溶剤とからなり、チクソトロピー指数（ＴＩ）値が６．０以上である貴金属ペーストを塗布する工程、及び（ｂ）前記貴金属ペーストを介して前記一方の接合部材と他方の接合部材とを配置し、少なくとも焼結体を８０〜３５０℃に加熱しながら一方向又は双方向から加圧して接合する工程、を含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と、フレームあるいは基板、または、金属板と金属板との接合を、鉛を使用しない材料を用い、かつ、高い信頼性を確保する。
【解決手段】半導体素子と、フレームあるいは基板との接合材料として、Zn系金属層101がAl系金属層102a，102bによって挟持され、さらにAl系金属層102a，102bの外側がX系金属層103a，103b（X=Cu、Au、Ag、Sn）によって挟持された積層材料を接合材料として用いることによって、高酸素濃度雰囲気においても、表面のX系金属層が、当該接合材料が溶融する時点まで、ZnとAlを酸化から保護し、当該接合材料のはんだとしての濡れ性、接合性を保つことができ、接合部の高い信頼性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】基体同士の強固な接合を形成すること。
【解決手段】第１基体と第２基体とを、金属粒子と有機溶剤とを含む金属ペーストを介し接着させる工程と、前記金属ペーストの有機溶剤を除去することにより、前記金属粒子の凝集体を形成する工程と、前記凝集体を構成する金属粒子の表面を還元性ガスを用い還元させる工程と、前記凝集体を構成する金属粒子の表面を還元させる工程の後、前記第１基体と前記第２基体とを押圧することにより、前記第１基体と前記第２基体とを前記凝集体を用い接合する工程と、を含む電子装置の製造方法。 （もっと読む）