【課題】はんだ接続時の接続不良を低減し、パワー半導体素子を歩留りよく接続することができる接続材料付き半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体材料１の表面に設けられた電極２となる金属層と、前記金属層の表面であって前記半導体材料の表面に接する面とは異なる面上に設けられた、前記金属層を被接続部材に接続させるための接続金属層５と、を備え、前記接続金属層５は、Ａｌ濃度が０ｍａｓｓ％より大きく１０ｍａｓｓ％以下であるＺｎ−Ａｌ合金、またはＺｎとＡｌとを積層させて形成された積層体からなるものである。 （もっと読む）

【課題】接合強度が高く、放熱特性および耐熱性にも優れる接合体を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体素子３０と、半導体素子３０を実装する回路層２０が形成された絶縁性を有するセラミックス基板１０と、を備え、半導体素子３０と回路層２０は、アルミニウムを主成分とし、ゲルマニウム、マグネシウム、珪素、銅からなる群より選択される少なくも１種類を含有するアルミニウム系ろう材６０により、真空中または不活性雰囲気中でろう付けすることにより接合されている。 （もっと読む）

【課題】例えば、アルミニウム系金属材料のように、常温で安定な酸化膜を表面に有する部材を含む接合を大気中で、しかもフラックスを用いることなく、低コストで強度に優れた接合が可能な接合方法と共に、このような接合方法を適用した各種の接合部品を提供する。
【解決手段】重ね合わせた被接合材１，１の間にインサート材２を介在させた状態で、当該被接合材１，１を相対的に加圧しつつ加熱して、被接合材１，１とインサート材２の間で共晶反応を生じさせ、共晶反応溶融物を被接合材の酸化皮膜１ａと共に接合面から排出して被接合材１，１を接合するに際して、上記酸化皮膜１ａと共に共晶反応溶融物を含む排出物Ｄを排出するための凹部１ｃを接合面に設ける。 （もっと読む）

【課題】高温環境下における回路基板からの電子部品の剥離を抑制することによって、信頼性を高めた電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】電子部品モジュール１は、セラミックス基板３の両面に第１および第２の金属板５、７が接合された回路基板２と、第１の金属板５に第１のろう材層８を介して接合され、少なくとも１２５℃で動作可能な電子部品９と、第２の金属板７に第２のろう材層１０を介して接合されたベース板１１とを具備する。第１のろう材層８は、電子部品９の使用温度より高く、かつ５７５〜７３０℃の範囲の融点を有するＡｇ−Ｃｕ系ろう材またはＡｌ系ろう材からなる。第２の金属板７の厚さに対する第１の金属板５の厚さの比は５０〜２００％の範囲である。 （もっと読む）

【課題】汎用性が高く、良好な高温環境下での信頼性が得られる方法で半導体チップの実装を行い、半導体装置の高温動作を可能とする。
【解決手段】実装基板と半導体チップとの間に、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉより選択されるいずれかの金属又はその合金を含む接合支持層と、接合支持層を挟んで積層され、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎより選択されるいずれかの金属又はこれらの金属から選択される２以上の金属からなる合金を含む溶融層と、を有し、少なくとも最外層に溶融層が形成された接合層を介在させ、溶融層の融点以上の温度で保持し、液相拡散により溶融層より融点が高い合金層を形成して、実装基板と半導体チップを接合させる。 （もっと読む）

【課題】
第１の基板１と接合する第２の基板４の一部が湾曲していても接合部の厚さを制御でき、高信頼な半導体装置を提供する。
【解決手段】
第１及び第２の基板を接合する接合材は、多孔質金属とはんだで構成し、この多孔質金属は、周辺部では厚さ方向の両端まで存在して両基板間の間隔を調整するとともに、、中心部では、厚さ方向全般にわたっては存在せず、基板の湾曲による設計誤差を中心部のはんだで吸収できるようにした。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の使用時の２５０℃程度の発熱に対しても放熱性が優れ、また半導体素子と電極とを品質良く接合すること。
【解決手段】 半導体素子１０２と電極１０３との間に形成され、それらを接合する接合部２０４を備え、接合部２０４は、Ａｌ層１０５と、その両側に形成された各金属間化合物層１０９−１、１０９−２とを有し、接合部２０４は、箔状のＡｌ１０５の外層に、ＮｉまたはＺｎよりなる中間層１０６−１、１０６−２と、ＣｕまたはＮｉまたはＡｇよりなる第１金属層１０７−１、１０７−２と、Ｓｎよりなる第２金属層１０８−１、１０８−２とをこの順で有する接合材料１０４を利用して形成される、半導体素子の接合構造体。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣデバイスの動作温度は高温となるので、その裏面にヒートシンクをハンダ接合すると動作時にハンダが溶ける。
【解決手段】ヒートシンク３４ａはその前面を半導体チップ３２の裏面の金属電極膜４２に向けて配置される。ヒートシンク３４ａを構成する熱伝導板５０ａの裏面に厚みの途中まで達した開口部５２ａを設ける。開口部５２ａの底部の熱伝導板５０ａを被溶接部５４ａとし、ヒートシンク３４ａの裏面側から開口部５２ａに入射させるレーザビーム５６により、被溶接部５４ａと金属電極膜４２とを溶融・合金化してヒートシンク３４ａを半導体チップ３２に接合する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と、フレームあるいは基板、または、金属板と金属板との接合を、鉛を使用しない材料を用い、かつ、高い信頼性を確保する。
【解決手段】半導体素子と、フレームあるいは基板との接合材料として、Zn系金属層101がAl系金属層102a，102bによって挟持され、さらにAl系金属層102a，102bの外側がX系金属層103a，103b（X=Cu、Au、Ag、Sn）によって挟持された積層材料を接合材料として用いることによって、高酸素濃度雰囲気においても、表面のX系金属層が、当該接合材料が溶融する時点まで、ZnとAlを酸化から保護し、当該接合材料のはんだとしての濡れ性、接合性を保つことができ、接合部の高い信頼性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子間や半導体素子と回路基板との間で生じる熱膨張による歪応力を緩和して高い信頼性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】電極３を有する半導体素子２と、回路基板１とが、接合部材を介して接合された構成を１以上含む半導体装置であって、前記接合部材は、Ａｌ合金層５と純Ａｌ層６との積層構造からなり、前記Ａｌ合金層は、前記半導体素子の電極側に配置され、前記純Ａｌ層は、前記回路基板側に配置されていることに要旨を有する。 （もっと読む）

【課題】
パワーモジュールなどの半導体装置に使用される鉛フリーの接続材料において、常用する温度領域よりも高温に晒された場合に応力緩衝機能が劣化する場合があった。
【解決手段】
最表層を含む領域をZn系層とし、その内部に複数の浮島状のAl系相３を有する接続材料とし、その接続材料によって二つの部材１，２を接続することで、Al酸化物による濡れ性低下と耐熱性低下を抑制し、Al系相３により接続時の応力緩衝を行うとともに、使用時にAl系相３の硬化してもZn-Al合金層４で柔軟性を確保して接続材料の応力緩衝機能の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 優れた応力緩和性により高い接合信頼性を確保できる高温Ｐｂフリーはんだペーストを提供する。
【解決手段】 平均粒径１μｍ以上１００μｍ以下のＡｌ粉に対して被覆処理を施さないか、あるいはその少なくとも一部に対してＡｕ等を用いて厚み１μｍ以下の皮膜を形成する被覆処理を施すことによって得た金属粉と、Ｚｎを主成分とし、所定量のＡｌ等を含む２元乃至４元合金からなるＺｎ合金はんだ粉と、フラックスとを有する高温Ｐｂフリーはんだペーストであって、金属粉とＺｎ合金はんだ粉との合計を１００質量％としたとき、金属粉が３質量％以上４０質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】接合信頼性を向上させた接合材料およびその接合材料を用いた半導体装置とそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子と、フレームあるいは基板との接合材料として、Al系層１０1がX系層１０２（X=Ge、Mg、In、Sn、Ag、Au、Ga）によって挟持され、さらにX系層１０２の外側がZn系層１０３によって挟持されたクラッド材を接合材料として用いる。このようなクラッド材を用いて接合することによって、材料の融点を下げ、半導体素子の割れを防ぐとともに、接合部のボイド率を１０wt.%以下に抑えることが出来る。また、半導体素子とフレームあるいは基板との濡れ性も確保できる。したがって、接合部の高い信頼性を確保することが出来る。 （もっと読む）

【課題】製造コストの上昇を抑えつつ、Ｚｎ−Ａｌ系はんだの表面の酸化を抑止することができると共に良好な濡れ性を示し、フラックスレスで接続を行うことができる高耐熱接合材料、及び、それを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】アルミニウム２を中心に、第一の亜鉛３、アルミニウム２、第二の亜鉛４の三層がクラッドされた金属箔からなり、第一の亜鉛３及び第二の亜鉛４のアルミニウム２との接続界面ではない表面に、耐酸化性を有する金属層５、６が形成されている、高耐熱接合材料。 （もっと読む）

【課題】
パワーモジュールの大容量化に伴う素子接続部の温度上昇に伴い、濡れ性がよく、高耐熱な鉛フリーの接続材料が必要となっていた。
【解決手段】
Sn１１bとAl１２を主成分とする合金箔１３でありAl含有率が40mass%以下の合金箔１３の最表層にSn系層１１aをクラッドまたは加圧成形して、合金表層の酸化膜を除去する。このときに、合金箔のAl含有率を40mass％以下とする。これにより、SnとAlの分離を抑えて、濡れ性が確保でき、耐熱性が高く、軽量な接続材料および接続ができる。 （もっと読む）

【課題】Ｚｎ系合金とＡｌ系合金のクラッド材熱処理時のボイド発生を低減させ、接続信頼性を向上することを可能とする接続材料の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも第一のＺｎ系合金層１０１の上にＡｌ系合金層１０２を重ね、前記Ａｌ系合金層１０２の上に第二のＺｎ系合金層１０１を重ねて、クラッド圧延により圧延率を６０％以上で接続材料１０を製造する方法である。 （もっと読む）

【課題】Ｚｎ／Ａｌクラッド材の接合温度を低下させることによって、使用温度域における残留熱応力を低減し、接合部の信頼性を向上させることができる接続材料を提供する。
【解決手段】Ｍｇを含有するＡｌ系合金層２と、Ａｌ系合金層２の両面に隣接するＺｎ層３，４とからなるものである。 （もっと読む）

【課題】高出力で信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】基体と、前記基体に設けられた導電部材と、前記導電部材の少なくとも一部に設けられた銀含有金属と、前記基体上に載置された発光素子と、前記発光素子および前記銀含有金属の表面において、一部を被覆する絶縁部材と、前記絶縁部材が形成されていない部位を被覆するように設けられる絶縁性のフィラーと、を備える発光装置。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と、フレームあるいは基板との接続を、鉛を使用しない材料を用い、かつ、高い信頼性を確保する。
【解決手段】半導体素子と、フレームあるいは基板との接続材料として、Al系合金層１０２がZn系合金層１０１によって挟持されたクラッド材による接続材料を用いる。クラッド材にはZn-Al合金１０３が存在するが、Zn-Al合金１０３の割合は全体の４０％以下とする。また、Zn合金層１０１の平均結晶粒径は0.85μm 以上、50μm以下である。このようなクラッド材を用いて接続することによって接続部のボイド率を１０％以下に抑えることが出来る。また、半導体とフレームあるいは基板との濡れ性も確保できる。したがって、接続部の高い信頼性を確保することが出来る。 （もっと読む）

【課題】
従来のＺｎ／Ａｌ／Ｚｎクラッド材を用いた接続を行う場合、接続部の熱抵抗を少なくとも現行の高鉛はんだ並みとするためには、接続部の厚さは現行のはんだの２倍（約１００μｍ）以下とする必要がある。またＡｌ層の応力緩衝能を十分に発現するためには、Ａｌ層の厚さを出来る限り厚くする必要がある。十分な接続性を得るためには、接続時に約２ｇ／ｍｍ２以上の荷重で加圧する必要があり、量産コストが著しく上昇してしまうという課題を有する。
【解決手段】
半導体素子と、フレームと、前記半導体素子と前記フレームとを接続する接続部と、を有し、前記接続部はＺｎ−Ａｌ合金を含み、前記接続部と前記半導体素子との界面および前記接続部と前記フレームとの界面は、Ａｌ酸化物膜の面積が界面全体の面積に対して０％以上５％以下であることを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）