【課題】半導体素子を基板側に向かって加圧しつつリフローはんだ付けを行うはんだ付け装置において、ワイヤボンディングの接合強度の低下を防止する。
【解決手段】重り１２により半導体素子２を基板１側に向かって加圧しつつリフローはんだ付けを行うはんだ付け装置において、重り１２における半導体素子２に接触する加圧接触面１２ａを鏡面仕上げする。これによると、リフローはんだ付け工程で半導体素子２におけるワイヤボンディング実施面２ａに傷が付くことを防止することができ、ひいてはワイヤボンディングの接合強度の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 鉛を実質的に含有しない接合材を用い、高温条件においても良好な機械的強度を保持可能な接合体及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、金属材料の溶融温度が２６０℃以上であり、鉛及び金を主成分とした金属合金を代替する接合材料として、被接合部に物理蒸着法により形成されるＳｎと、前記Ｓｎより高融点を有する金属材料とからなる接合層を、他方の被接合部に接合することにより、３００℃以上４５０℃以下の温度範囲において、良好な接合状態が確保でき、かつ高い高温強度を維持することを可能とした。 （もっと読む）

【課題】従来のフォームはんだ製造方法は、所定量の金属粒を直接溶融はんだ中に投入してから金属粒を分散させるため、フォームはんだ中にフラックスが微量残っていた。そのため従来のフォームはんだ製造方法で得られたフォームはんだではんだ付けを行うとボイドが発生したり、部品が傾斜したりして充分な接合強度が得られなかった。
【解決手段】本発明では、熱分解可能なフラックスと高融点金属粒からなる混合物で混合母合金を作製し、さらに混合母合金を大量の溶融はんだに投入・攪拌してビレットを作製する。そして該ビレットを押出、圧延、打ち抜き工程を経てペレットやワッシャーにする。 （もっと読む）

【課題】Sn-Sb系はんだ合金を用いた半導体装置であって、ヒートサイクル時の耐クラック性をより向上した半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】はんだ合金により導電性部材間を接合してなる半導体装置において、前記はんだ合金は、主成分としてSnおよびSbを含有するものとし、前記SnとSbとから生成される金属間化合物の粒径サイズを20μｍ以上とする。半導体装置の製造方法としては、はんだ合金による接合時に、はんだ合金を溶融した後の冷却速度、即ち、はんだ合金の液相線から固相線を通過する冷却勾配（℃／sec）を、２．５〜０．１とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と実装部材との接合温度以上でも動作可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１の金属を含む面を有する基板３１と、外周領域３１ａに設けられた第１の絶縁材３２および前記第１の絶縁材の上に設けられた導電部３３を有する枠部３６とを有する。半導体素子２０は、前記導電部と電気的に接続可能である。接合金属層５０は、第２の金属と、前記第２の金属内に分散された第３の金属と、前記第２の金属内に分散された第４の金属とを有する。また、接合金属層は、前記第２の金属の重量百分率が前記第３の金属の重量百分率よりも高く、かつ前記第３の金属の重量百分率が前記第４の金属の重量百分率よりも高い固溶体層により、前記半導体素子と前記内部領域とを接合可能である。 （もっと読む）

【課題】汎用性が高く、良好な高温環境下での信頼性が得られる方法で半導体チップの実装を行い、半導体装置の高温動作を可能とする。
【解決手段】実装基板と半導体チップとの間に、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉより選択されるいずれかの金属又はその合金を含む接合支持層と、接合支持層を挟んで積層され、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎより選択されるいずれかの金属又はこれらの金属から選択される２以上の金属からなる合金を含む溶融層と、を有し、少なくとも最外層に溶融層が形成された接合層を介在させ、溶融層の融点以上の温度で保持し、液相拡散により溶融層より融点が高い合金層を形成して、実装基板と半導体チップを接合させる。 （もっと読む）

【課題】Sn系はんだを用いて半導体素子を接続した半導体装置において、高温環境下においても動作安定性を確保でき、かつ、高電流負荷に耐えうる構造体を提供する。
【解決手段】金属製導体に固定したセラミックス基板２３に半導体素子を装着して金属製導体に放熱用のヒートシンクを取付けた構成を有する半導体装置において、半導体素子はセラミックス基板２３に装着する側の面にNiメタライズ層が形成されており、半導体素子のNiメタライズ層が形成された面とセラミックス基板２３とを母相の平均結晶粒径が２０μｍ以上のSn系はんだで接合した構成とした。 （もっと読む）

【課題】はんだのボイドの発生を抑制し、パワー素子と基材との密着性を高めることができるパワーモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】固相状態の金属粉末を圧縮された搬送ガスと共に吹き付けることにより、パワー素子１５をはんだ付けするための金属皮膜を、基材１１の表面に成膜する成膜工程は、搬送ガスが内包されるような吹き付け圧で基材１１の表面に金属粉末を吹き付けることにより、基材１１の表面に、金属粉末からなる第１の金属皮膜１２を成膜する第１成膜工程と、第１成膜工程における前記金属粉末の吹き付け圧よりも低い吹き付け圧で、金属粉末を前記第１の金属皮膜１２の表面に吹き付けることにより、第１の金属皮膜の表面に、前記金属粉末からなる第２の金属皮膜１３を成膜する第２成膜工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】レーザ光源の位置に狂いが生じたり、半田が破壊されたりするといった問題を生じることのない、信頼性の高いレーザモジュールを実現するために、融点の低いＡｕ−Ｓｎ９０％半田を、接合後に、硬質半田として使用し得る接合方法を提供する。
【解決手段】２つの部材Ａと，Ｂと、をＡｕ−Ｓｎ半田で接合する接合方法であって、接合後のＡｕ−Ｓｎ半田Ｓ’におけるＳｎの重量％濃度を、３８．０％以上８２．３％以下としている。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉを主成分とするはんだ材料による接合構造体において、応力緩和性を改善して、接合部でのクラックや剥離の発生を防止する。
【解決手段】半導体素子１０２をＣｕ電極１０３にＢｉを主成分とする接合材料１０４を介して接合した接合構造体において、接合材料１０４から被接合材料（半導体素子１０２、Ｃｕ電極１０３）に向けて、ヤング率が傾斜的に増大するような積層構造を介して半導体素子１０２とＣｕ電極１０３とを接合することにより、パワー半導体モジュールの使用時における温度サイクルで生じる熱応力に対する応力緩和性を確保する。 （もっと読む）

【課題】素子表面の凹凸発生を抑制したはんだ接合方法およびはんだ接合モジュールを得る。
【解決手段】Ｓｎ−Ｓｂ−Ｃｕ−Ｎｉはんだ、または、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｉｎはんだを用いて素子と電極を接合するはんだ接合方法であって、素子と電極のはんだ接合プロセスとして、第１の昇温過程、第１の高温保持過程、第１の冷却過程を有する第１の加熱冷却工程と、第２の昇温過程、第２の高温保持過程、第２の冷却過程を有し、第１の加熱冷却工程に続いて行われる第２の加熱冷却工程とを備えており、第１の加熱冷却工程は、第１の高温保持過程における加熱保持温度が、はんだの液相線温度よりも３０℃〜５０℃高く、第１の冷却過程における冷却速度が、４００℃／分以上であり、第２の加熱冷却工程は、第２の高温保持過程における加熱保持温度が、はんだの固相線温度よりも３０〜５０℃低いものである。 （もっと読む）

【課題】硬化成分及び該硬化成分用の硬化剤を含有する熱硬化性接着剤と、その熱硬化性接着剤中に分散した金属フィラーとを含有する熱伝導性接着剤において、熱伝導性接着剤が固化する前に、低融点金属を液化させて高融点金属粉間を互いに十分に結びつけることができるようにし、且つ熱伝導性接着剤自体の接着力を良好なレベルに維持できるようにする。
【解決手段】硬化成分及び該硬化成分用の硬化剤を含有する熱硬化性接着剤と、その熱硬化性接着剤中に分散した金属フィラーとを有する熱伝導性接着剤は、金属フィラーとして、銀粉及びハンダ粉を使用する。ハンダ粉は、熱伝導性接着剤の熱硬化処理温度よりも低い溶融温度を示し、且つ該熱硬化性接着剤の熱硬化処理条件下で銀粉と反応して、当該ハンダ粉の溶融温度より高い融点を示す高融点ハンダ合金を生成するものを使用する。硬化剤としては、金属フィラーに対してフラックス活性を有する硬化剤を使用する。 （もっと読む）

【課題】ｎ型半導体基板との密着性およびオーミック特性の良好なダイボンド用金属層の構造を提供する。
【解決手段】まず、ｎ型Ｓｉ基板１０上にＡｕ層１４を形成する。次に、ｎ型Ｓｉ基板１０とのオーミック接触が良好なＳｎをＡｕに添加したＡｕＳｎ層１３を、Ａｕ層１４上に形成する。ＡｕＳｎ層１３を形成する時に熱加熱を行うか、或いは、ＡｕＳｎ層１３を形成した後に熱処理を行うことにより、ＡｕＳｎ層１３のＳｎがＡｕ層１４に拡散して、Ａｕ層１４はＳｎが拡散したＡｕ層１２となる。 （もっと読む）

【課題】回路基板やリードフレームのステージなどの支持板上に半導体チップを実装する際に、半導体チップが移動や回転等の位置ずれを生じないようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法であって、支持板２の半導体チップ実装領域２Ａ及び半導体チップ１の裏面の一方に、第１金属を含む層５及び第２金属を含む層６の一方を形成し、半導体チップ実装領域及び半導体チップの裏面の他方の、第１金属を含む層及び第２金属を含む層の一方が形成された領域の一部に相当する領域に、第１金属を含む層及び第２金属を含む層の他方を形成し、半導体チップ実装領域に半導体チップを位置合わせし、第１金属及び第２金属を含む合金を含む層９を形成して、半導体チップを半導体チップ実装領域に接合する。 （もっと読む）

【課題】基板等と半導体素子等がはんだ層を介して接合された半導体装置に関し、はんだ付け性が良好であり、かつ、基板等とはんだ層の間の接合界面強度も高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と半導体素子５がはんだ層３を介して接合されている半導体装置１０の製造方法であって、少なくとも基板１のはんだ層側となる表面１ａにスパッタリング等のドライプロセスにてＮｉ金属、Ｓｎ金属、Ａｕ金属もしくはそれらの合金のいずれか一種からなる薄膜２を形成するステップ、基板１の表面に形成された薄層２の上にはんだペースト３’を塗工し、はんだペースト３’の上に半導体素子５を載置して加熱炉内の高温雰囲気下ではんだ層３を形成し、はんだ層３を介して基板１と半導体素子５を接合して半導体装置１０を製造するステップからなる。 （もっと読む）

【課題】
第１の基板１と接合する第２の基板４の一部が湾曲していても接合部の厚さを制御でき、高信頼な半導体装置を提供する。
【解決手段】
第１及び第２の基板を接合する接合材は、多孔質金属とはんだで構成し、この多孔質金属は、周辺部では厚さ方向の両端まで存在して両基板間の間隔を調整するとともに、、中心部では、厚さ方向全般にわたっては存在せず、基板の湾曲による設計誤差を中心部のはんだで吸収できるようにした。 （もっと読む）

【課題】導電性発熱体の電流印加配線に電流を流して半田層のみを局所的に加熱して半導体を接合することにより、熱応力の減少および基板の変形を防止することができる半導体パッケージ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体パッケージ基板の製造方法は、（Ａ）上部に半田層１２０が形成された接続部１１０を一面に備えたベース基板１００を準備する段階と、（Ｂ）半田層１２０の上部に、電流印加配線３１０の備えられた導電性発熱体３００を配置する段階と、（Ｃ）電流印加配線３１０に電流を印加して半田層１２０を加熱することにより、半導体チップ２００を接続部１１０と接合する段階と、（Ｄ）導電性発熱体３００の電流印加配線３１０を除去する段階とを含んでなる。 （もっと読む）

【課題】
接合部中のボイド、界面の接合不良を低減できるダイボンダ、及びこれを用いたダイボンドプロセスを提供する。
【解決手段】
リードフレーム、又は基板に半導体チップをはんだで接合するダイボンダにおいて、上記リードフレーム、又は基板を搬送する搬送部と、上記リードフレーム、又は基板上にはんだを供給するはんだ供給部と、上記リードフレーム、又は基板上のはんだに半導体チップを搭載、接合する搭載部を備え、上記はんだを上記リードフレーム、又は基板上に供給する直前にはんだ表面の酸化膜を除去する表面清浄化ユニットを有することを特徴とするダイボンダ設備により、ダイボンド品質を向上させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、実装する半導体レーザの発光領域に対する応力をより低減し、且つ、半導体レーザとの接合強度を確保することができる半田付け構造及び半田付け方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半田付け構造は、発光領域を有する半導体レーザを実装可能な半田付け構造であって、第一の電極と、第一の電極の第一領域に形成された第一の半田と、第一の電極の第二領域に形成された第二の半田と、を有し、第一領域は、第一の電極の表面のうち、半田付け構造に半導体レーザが実装された場合に、発光領域の直下に位置する領域であり、第二領域は、第一の電極の表面のうち、第一の領域を除いた領域であり、第一の半田の引張強度は、第二の半田の引張強度よりも小さく、第一の半田と第二の半田とは、半田付け構造に半導体レーザが実装された状態において、互いに接触しない。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と、フレームあるいは基板、または、金属板と金属板との接合を、鉛を使用しない材料を用い、かつ、高い信頼性を確保する。
【解決手段】半導体素子と、フレームあるいは基板との接合材料として、Zn系金属層101がAl系金属層102a，102bによって挟持され、さらにAl系金属層102a，102bの外側がX系金属層103a，103b（X=Cu、Au、Ag、Sn）によって挟持された積層材料を接合材料として用いることによって、高酸素濃度雰囲気においても、表面のX系金属層が、当該接合材料が溶融する時点まで、ZnとAlを酸化から保護し、当該接合材料のはんだとしての濡れ性、接合性を保つことができ、接合部の高い信頼性を確保することができる。 （もっと読む）