【課題】導電箔とその保護膜が形成された絶縁基材に対して平行に半導体チップを固着し、熱膨張による応力を起因とした半導体装置の損傷の防止を図る。
【解決手段】絶縁基材１１の表面上に導電箔１２が配置され、導電箔１２を覆って、その一部を露出する複数の第１の開口部１７Ａ、及び複数の第２の開口部１７Ｂを有する保護膜１７が配置されている。各第１の開口部１７Ａで露出する導電箔１２の表面上に導電突起体１４が配置される。表面に複数のパッド電極１２を有した半導体チップ２０は、その裏面が複数の導電突起体１４と対向するように、ダイボンドペースト１５を介して保護膜１７上に固着される。各第２の開口部１７Ｂで露出する導電箔１２は、それぞれボンディングワイヤを介してパッド電極２１と接続される。絶縁基材１１の表面上の半導体チップ２０等は、封止材１６に覆われて封止される。 （もっと読む）

【課題】接合強度が高く、放熱特性および耐熱性にも優れる接合体を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体素子３０と、半導体素子３０を実装する回路層２０が形成された絶縁性を有するセラミックス基板１０と、を備え、半導体素子３０と回路層２０は、アルミニウムを主成分とし、ゲルマニウム、マグネシウム、珪素、銅からなる群より選択される少なくも１種類を含有するアルミニウム系ろう材６０により、真空中または不活性雰囲気中でろう付けすることにより接合されている。 （もっと読む）

【課題】Zn-Al合金はんを用いた場合の、Alの濡れ性の低下、濡れ性の低下を抑える酸化防止材料使用時のコスト高、材料作製のプロセスの増加、及び接続後冷却時あるいは温度サイクル時の熱応力による半導体素子破壊を防止する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子４と、被接続部材５と、半導体素子と被接続部材とを接続する第一の接続層とを有して構成される半導体装置であって、第一の接続層は、Al層１の両面にZn-Al合金層３１a、３１bが設けられた構成であることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 鉛フリー化した接合技術を採用し、高耐熱性、高熱伝導性、高密着性の優れた半導体装置を実現する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、金属層を表面に持つリードフレーム１６ａと金属層を裏面に持つ半導体素子１１の間を、鉛元素非含有の金属微粒子層１５、金属粒子−樹脂複合材料層もしくは金属箔１４、および金属微粒子層１３の３層構造のダイマウント材を用いて、各接合界面を、金属拡散接合することにより、高熱伝導性、高密着性を実現することを可能にしたものである。 （もっと読む）