Fターム[5F048CA00]の内容
MOSIC、バイポーラ・MOSIC (97,815) | バイポーラトランジスタの構造 (853)
Fターム[5F048CA00]の下位に属するFターム
ウェル内に形成 (89)
単層基板上に形成 (54)
基板上のエピ層に形成 (158)
絶縁分離領域に形成 (109)
PN接合分離領域に形成 (60)
MOSと異なる平面に形成 (35)
バイポーラトランジスタの下に埋め込み層 (114)
埋め込みベース (7)
二重拡散ベース (15)
分割ベース (5)
ウェルコレクタ (55)
シリサイドコンタクト(E、B、C) (34)
多結晶Si配線(E、B、C) (59)
エミッタ側壁 (38)
複数の耐圧が異なるバイポーラトランジスタ (8)
多層配線 (12)
Fターム[5F048CA00]に分類される特許
1 - 1 / 1
絶縁膜層分離IC製造
【課題】二酸化ケイ素や窒化ケイ素など非常に薄い低応力誘電体材料と半導体層とで
形成された可とう性の膜で集積回路(24、26、28、...30)を製造する汎用手
法を提供する。
【解決手段】膜(36)の半導体層中に半導体デバイス(24、26、28...3
0)を形成する。最初に、標準厚さの基板(18)から半導体膜層(36)を形成し、次
いで、基板の薄い表面層をエッチングまたは研磨する。他のバージョンでは、ボンディン
グされた従来の集積回路ダイ用の支持および電気的相互接続として可とう性膜を使用し、
膜中の複数の層に相互接続部を形成する。1つのそのような膜に複数のダイを接続するこ
とができ、膜は次いでマルチチップ・モジュールとしてパッケージされる。
(もっと読む)
1 - 1 / 1
[ Back to top ]