【課題】 結晶性を向上させることが可能な光電変換素子の製造方法および光電変換素子。
【解決手段】 本発明の光電変換素子の製造方法は、ｐ型シリコン基板２上に、ガリウムヒ素を含む第１半導体層３を成長させる工程と、第１半導体層３を成長させたｐ型シリコン基板２を、リンを含む第１ガスの雰囲気内において第１温度で加熱することにより、第１半導体層３を経由させてｐ型シリコン基板２内にリンを拡散させる工程と、第１半導体層３上に、格子定数が、シリコンよりもガリウムヒ素に近い第２半導体層４を成長させる工程とを有する。そのため、ｐ型シリコン基板内にリンを拡散させるとともに、第１半導体層の表面に成長させる半導体層の結晶性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ドナー元素を含む半導体層を備えた半導体素子を形成する場合に、このドナー元素が上層に拡散することを抑制することができる半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板上にＧａドープＭｇＺｎＯ層、アンドープＭｇＺｎＯ層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層、アンドープ活性層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層と積層した積層体でＧａの拡散を分析した。アンドープＭｇＺｎＯ層の次の窒素ドープＭｇＺｎＯ層で、拡散してきたＧａの濃度が表面側になるにつれて、急激に減少しており、この窒素ドープＭｇＺｎＯ層の上層にＧａは拡散していない。このように、ドナー元素を含む同一組成のドナー含有半導体層の一部に、アクセプタ元素を含み前記ドナー含有半導体層と同一組成のアクセプタ含有半導体層を形成することで、ドナー元素の拡散を防止できる。 （もっと読む）

【課題】不純物領域が狭領域、高深度に形成される半導体装置の製造方法及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】基板上に、開口を有する第１のハードマスク６を形成する工程と、第１のハードマスク６の前記開口５の側面に犠牲膜８を形成する工程と、側面に犠牲膜８を有する開口に第２のハードマスク９を形成する工程と、第２のハードマスク９を形成した後に犠牲膜８を除去する工程と、第１のハードマスク６を介して第１導電型の不純物７をイオン注入する工程と、第１及び第２のハードマスク６，９を介して第２導電型の不純物１１をイオン注入する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く、かつ、不純物の濃度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、液相法により少なくとも１種類の金属元素を含有する溶媒とＩＩＩ族元素とを含む結晶成長用液体２を用いて第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、金属元素の少なくとも１種類を含む結晶処理用液体４中で第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を熱処理する工程と、熱処理がされた第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０上に気相法により第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 フォトセンサーにおけるフォトダイオードの構造としては、ドレイン側にｎ型シリコン、バイアス側にｐ型シリコン、ｎ型シリコンとｐ型シリコンにはさまれる形でイントリンシックシリコンを形成するのが一般的だが、フォトダイオードに加工する際にその形状、特に断面形状が最適化されていなかったため、層間絶縁膜のカバレッジ不良や配線の断線を引き起こすノッチを生じたり、リーク電流が増大したりするという問題があった。
【解決手段】 フォトダイオードのシリコンをエッチングする工程において、少なくとも次の２段階のエッチングを行う。最初のステップにてＲＩＥモードでテーパ形状を形成する。その後、ＰＥモードのエッチングにてダメージやp型にドーピングされたシリコンを除去する。このようにして、形成されたフォトダイオードのシリコンのボトム部分ではテーパー形状を持つと共に、トップ部分では切り立った形状となる。 （もっと読む）

【課題】 受光部の第１半導体層に第２の導電型の不純物が拡散することが抑制される受光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 受光素子（１００）の製造方法は、半導体基板（１）上に第１導電型ＩｎＰからなる第１半導体層（６）と第２導電型ＩｎＰからなる第２半導体層（７）とが順に形成された積層体において、第２半導体層の受光領域（７ａ）上の少なくとも一部にＩｎＧａＡｓおよびＩｎＧａＡｓＰの少なくとも一方を含む拡散抑制層（８）を形成する工程と、拡散抑制層上に絶縁層（９）を形成する工程と、拡散抑制層および絶縁層を熱拡散マスクとして用いて第２導電型の不純物を含む雰囲気中で熱拡散することによって第２導電型の不純物を第１半導体層の一部に熱拡散させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 熱拡散時間が短縮化されるとともに、不純物の拡散のばらつきを抑制することができる受光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 受光素子（１００）の製造方法は、第１導電型の半導体層（５）の受光領域（５ａ）の外周部に第２導電型または無導電型の不純物を注入する工程と、不純物を注入する工程後に、半導体層（５）の再結晶化温度未満の温度を有しかつ第２導電型の元素を含む雰囲気内で、受光領域（５ａ）に熱拡散させる処理を施す熱拡散工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】注入ダメージや結晶格子の歪みなどを生じることなく、基板表面から浅い領域に活性化率が高い不純物領域を形成し、固体撮像装置の白傷欠陥不良を抑制する。
【解決手段】ＰＤの高濃度Ｐ型不純物拡散領域４、読み出しゲート部のＰ型半導体領域５、ゲート部のＰ型半導体活性領域６、チャネルストップ領域８を、ボロンを少なくともその一部が６個のボロンからなる８面体構造のクラスタの形態で含有する不純物領域によって形成する。この不純物層は、ボロンの高濃度イオン注入、クラスタによるイオン注入、ボロンとシリコンを含む化合物の分解によって形成することができ、低温プロセスにより浅い接合深さで高濃度不純物領域を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型不純物の異常拡散の発生を防止すること。
【解決手段】半導体装置は、何れか一方が光感応層または発光層として機能し、ｐ型の不純物が低濃度にドープされ、且つ互いにヘテロ接合する第１および第２のIII−V族化合物半導体層を備える。第２のIII−V族化合物半導体層のエネルギーギャップは、第１のIII−V族化合物半導体層のそれより小さく、各半導体層におけるｐ型のドーパントとしては、Ｂｅ又はＣが用いられる。このとき、第２のIII−V族化合物半導体層は、第１のIII−V族化合物半導体層上に積層されていても良い。また、第１のIII−V族化合物半導体層と第２のIII−V族化合物半導体層は（Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ）と（Ａｓ，Ｐ，Ｎ）のうち少なくともそれぞれ一つ以上含んでいても良い。 （もっと読む）

【課題】生産性を高めることが可能なアバランシェフォトダイオードを提供する。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰバッファ層２、ｎ型ＧａＩｎＡｓ光吸収層３、ｎ型ＧａＩｎＡｓＰ遷移層４、ｎ型ＩｎＰ電界調節層５、ｎ型ＩｎＰアバランシェ増倍層６、ｎ型ＡｌＩｎＡｓ窓層７、ｐ型ＧａＩｎＡｓコンタクト層８を順次成長させる。次に、受光領域の外周に沿った環状領域にＢｅをイオン注入して、熱処理により活性化させ傾斜型接合を形成して、エッジブレークダウンを防ぐためのｐ型周辺領域９とする。さらに、前記受光領域に、Ｚｎを選択的にｎ型ＩｎＰアバランシェ増倍層６に至るまで熱拡散し、ｐ型導電領域１０を形成する。 （もっと読む）

本発明は、高濃度にドープされた薄いエピタキシ層と低濃度にドープされた半導体基板との半導体接合領域を有する光感応性素子に関する。さらに、光入射窓の外側、エピタキシ層と半導体基板とのあいだに絶縁層が配置されている。本発明によれば、エピタキシ層の厚さは５０ｎｍ未満であるので、光入射窓に入射する光量子の大部分は低濃度にドープされた半導体基板に吸収される。
（もっと読む）

【課題】様々な波長の光線に対して効率的に電気信号へ変換することが可能な多波長受光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多波長受光素子は、第１導電型基板と、前記第１導電型基板上に位置した第１真性半導体層と、前記第１真性半導体層上に位置した高濃度第２導電型埋込層と、前記高濃度第２導電型埋込層上に位置した第２真性半導体層と、前記第２真性半導体層に浅く形成された多数の高濃度第１導電型フィンガー領域とを含んでなり、前記第１導電型と第２導電型は極性が互いに反対である。 （もっと読む）