【課題】バルク中の不純物に起因するバルク中の漏れ電流および素子の表面の漏れ電流を低減する。
【解決手段】シリコン基板１１の表面に設けられたシリコン熱酸化膜２１を、窒素および水素を含有する雰囲気中（例えば、アンモニア雰囲気中）で熱窒化することによって、シリコン熱酸化膜２１の少なくとも一部の表面に該シリコン熱酸化膜２１が窒化されてなるシリコン窒化酸化膜２２を形成し、シリコン基板１１とシリコン熱酸化膜２１との界面のダングリングボンドを水素により終端する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオード間のクロストークを低減するとともに、長波長光に対しても感度を高める。
【解決手段】第１導電型の第１半導体層２１上に、第１導電型の第２半導体層２２が設けられる。第２半導体層２２における上部に、第２導電型の複数の第１半導体領域２３ａ，２３ｂが設けられる。各第１半導体領域２３ａ，２３ｂを取り囲むように、第２半導体層２２における上部に、第２導電型の第２半導体領域２４が設けられる。不純物濃度が第１半導体層２１及び第２半導体層２２よりも高濃度である第１導電型の複数の第３半導体領域２５ａ，２５ｂが、複数の第１半導体領域２３ａ，２３ｂの下方に間隔をあけて、第２半導体層２２中に設けられる。複数の第３半導体領域２５ａ，２５ｂは、複数の第１半導体領域２３ａ，２３ｂ、第１半導体層２１及び第２半導体層２２と共に複数のフォトダイオードを構成する。 （もっと読む）

【課題】信号利得Ｇを有しかつ、p-ｉ-nやショットキー型のような優れた応答性と低い暗電流性を備えた可視−紫外光波帯の高感度の有機−無機ハイブリッド接合型光電変換素子を提供する。
【解決手段】基本接合構造を、素子上部から、ホールのエミッタ層兼窓層として機能する正孔輸送型の有機半導体薄膜であるp^*(n^*)型有機半導体薄膜と、低キャリア濃度且つ高抵抗の無機半導体層であるｉ型無機半導体光電変換層と、p(n)型無機半導体コレクタ層とからなるp^*-ｉ-p(n^*-ｉ-n)対称接合構造として、数Ｖから数十Ｖの直流あるいは交流のバイアス電圧を印加する有機−無機ハイブリッド接合型光電変換素子とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトダイオード及びシリコンフォトダイオードアレイであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオード及びフォトダイオードアレイを提供すること。
【解決手段】Ｐ⁻型半導体基板２０は、互いに対向する第１主面２０ａ及び第２主面２０ｂを有し、光感応領域２１を含んでいる。光感応領域２１は、Ｎ^＋型不純物領域２３と、Ｐ^＋型不純物領域２５と、Ｐ⁻型半導体基板２０においてバイアス電圧を印加した際に空乏化する領域と、からなる。Ｐ⁻型半導体基板２０の第２主面２０ｂには、不規則な凹凸１０が形成されている。Ｐ⁻型半導体基板２０の第２主面２０ｂ側には、アキュムレーション層３７が形成されており、アキュムレーション層３７における、光感応領域２１に対向している領域は光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】光半導体を用いた光モジュールを製造するためのコストの増加を抑えた、基板を透過して光の入射や出射を行う光半導体を提供する。
【解決手段】光透過性を有する基板１１と、基板１１の表側に形成され、光電変換を行うフォトダイオード部１２と、基板１１の裏側における、フォトダイオード１２の裏側以外の領域に形成された、裏側ｎ電極１４ａ及び裏側ｐ電極１４ｂと、基板１１の表側に形成され、フォトダイオード部１２と電気的に接続される表側電極１３（表側ｎ電極１３ａ及び表側ｐ電極１３ｂ）と、を備え、表側電極１３が、裏側ｎ電極１４ａ及び裏側ｐ電極１４ｂと連絡されている。 （もっと読む）

【課題】ホトダイオードアレイおよびその製造方法において、実装時における光検出部のダメージによるノイズの発生を防止する。
【解決手段】ｎ型シリコン基板３の被検出光の入射面側に、複数のホトダイオード４がアレイ状に形成され、かつ入射面側とその裏面側とを貫通する貫通配線８がホトダイオード４について形成されたホトダイオードアレイにおいて、その入射面側に、ホトダイオード４の形成領域を被覆し、被検出光を透過する透明樹脂膜６を設けてホトダイオードアレイ１とする。 （もっと読む）

【課題】 ノイズ電荷の重畳を防いで正確な電流信号を生成することが可能な受光素子を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に形成され、複数区画に分割され入射光に応じた電流値を出力する受光部を少なくとも１つ有する第１の受光領域と、半導体基板上に形成され、複数区画に分割され入射光に応じた電流値を出力する受光部を少なくとも１つ有する第２の受光領域と、第１の受光領域および第２の受光領域に接続され、第１の受光領域及び第２の受光領域の出力する電流値のうちの一方を択一的に出力するとともに、他方を所定の電位に接続する選択回路と、を備えることで、上記課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】積層面内方向の接合容量の小さな受光素子を含む半導体装置を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体層１１とｎ型半導体層１２とのＰＮ接合によってフォトダイオードが構成されている。フォトダイオードの周囲に、ｎ型半導体層１２を複数の受光領域Ｓに分離する第１ｐ型素子分離領域１３と、第１ｐ型素子分離領域１３の表面の一部からｎ型半導体層１２の表面の一部に渡って形成された素子分離絶縁層１４と、第１ｐ型素子分離領域１３およびｎ型半導体層１２の双方に接して設けられると共に第１ｐ型素子分離領域１３よりも受光領域Ｓ側に突出して設けられた第２ｐ型素子分離領域１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】 各フォトダイオードを構成する受光領域間の間隔を狭くすることが可能なフォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】 逆バイアスの印加時には、ガードリング４及び受光領域３から延びた空乏層ＤＰ４，ＤＰ３Ａ，ＤＰ３Ｂ，ＤＰ３Ｃが重なり（ピンチオフ状態）、ガードリング４と受光領域３との間に介在する分離領域２Ｂが、バイアス電位の与えられる半導体基板１から隔離される。分離領域２Ｂが半導体基板１に対しては電気的に浮いた状態となるため、ガードリング４及び受光領域３と分離領域２Ｂとの間のアバランシェ降伏が抑制される。すなわち、受光領域３Ａ，３Ｂ，３Ｃの間隔を狭くしても、分離領域２Ｂとの間にアバランシェ降伏が生じにくくなり、これらの間の耐圧が上昇する。 （もっと読む）

光活性材料を用いて、電源エレクトロニクスデバイスおよび回路の光制御に影響を与えるために従来法に対する大きな性能利点を有する電源デバイスおよび回路を作成する。浅いドナーをホウ素関連Ｄ−センターで補償することにより炭化ケイ素光活性材料を形成する。生成する材料はｎ型であることもｐ型であることもあるが、ポリタイプ毎に異なる、Ｄ−センターからの光励起電子が伝導バンド末端に近い状態となることが可能となるのに必要な閾値エネルギーよりも過剰な光子エネルギーを有する電磁放射線で照射するとき、その中に持続的光伝導性を誘導する能力により、他の材料と区別される。
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アバランシェフォトダイオードが、高品質電気光学的活性基板と、活性基板に接着されたハンドル基板と、アバランシェ電流利得を生成するための高電界領域を含む、高品質電気光学的活性基板内に形成されたアバランシェフォトダイオード活性エリアとを含む。活性基板に接着されたハンドルウェハを使用することにより、本発明のアバランシェフォトダイオードは、所望の電気特性を減少させることなしに、より厚さおよび強度がある。
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【課題】高いバイアス電圧を印加することなく、応答速度の低下を回避しつつ光感度の向上が図れる光検出素子を提供することを目的とする。
【解決手段】表面Ｓ１ａと入射光を検出する光検出領域１４ａとを有しており光検出領域１４ａが平面視で光入射方向からみて表面Ｓ１ａの中央部に設けられたフォトダイオード１ａと、表面Ｓ１ｂと入射光を検出する光検出領域１４ｂとを有しており光検出領域１４ｂが平面視で光入射方向からみて表面Ｓ１ｂの中央部に設けられたフォトダイオード１ｂと、光を反射する反射面３９ａを有する反射部３９とを備え、フォトダイオード１ａ、フォトダイオード１ｂ及び反射部３９は、光検出領域１４ａ、光検出領域１４ｂ及び反射面３９ａが所定の光入射方向に対し重なるように順に配置され、フォトダイオード１ａとフォトダイオード１ｂとは、電気的に並列接続されている。 （もっと読む）

半導体放射線検出器は、半導体材料のバルク層と、バルク層の第１の表面に以下の順序で、第２の伝導性タイプの半導体の修正内部ゲート層と、第１の伝導性タイプの半導体のバリア層と、第２の伝導性タイプの半導体のピクセルドーピングとを備える。ピクセルドーピングは、ピクセルドーピングに対応するピクセルを創成するために少なくとも１つのピクセル電圧と結合されるように適応されている。デバイスは第１の伝導性タイプの第１のコンタクトを備える。前記ピクセル電圧はピクセルドーピングと第１のコンタクトとの間の電位差として規定される。バルク層は第１の伝導性タイプのものである。第１の表面の反対側のバルク層の第２の表面に、デバイスのアクティブエリアの外側で二次電荷を輸送するか、又は放射線入射窓として機能するようないかなる導電性背面層も存在しない。
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【課題】生産性を高めることが可能なアバランシェフォトダイオードを提供する。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰバッファ層２、ｎ型ＧａＩｎＡｓ光吸収層３、ｎ型ＧａＩｎＡｓＰ遷移層４、ｎ型ＩｎＰ電界調節層５、ｎ型ＩｎＰアバランシェ増倍層６、ｎ型ＡｌＩｎＡｓ窓層７、ｐ型ＧａＩｎＡｓコンタクト層８を順次成長させる。次に、受光領域の外周に沿った環状領域にＢｅをイオン注入して、熱処理により活性化させ傾斜型接合を形成して、エッジブレークダウンを防ぐためのｐ型周辺領域９とする。さらに、前記受光領域に、Ｚｎを選択的にｎ型ＩｎＰアバランシェ増倍層６に至るまで熱拡散し、ｐ型導電領域１０を形成する。 （もっと読む）

半導体導波路に基づく光受信機が開示される。本発明の幾らかの局面による装置は、一の第二波長範囲の光を吸収する一の第二種類の半導体領域に隣接して、一の第一波長範囲の光を吸収する一の第一種類の半導体領域を含む一の吸収領域と、前記吸収領域に隣接するおよび分離されるとして定義され、前記吸収領域で形成される複数の電子をマルチプライする一の電界が存在する一の真性半導体領域を含む一のマルチプリケーション領域と、を含む。 （もっと読む）

【課題】増幅が多層半導体インテリジェント増幅器設計を通じて達成される増幅アバランシェ装置を提供する。
【解決手段】数個ほどの少ない電子で構成された弱い信号を検出するように配置された電極（２）及び（８）と、アバランシェ領域（３）と、量子化器（４）と、積算器（５）と、調整器（６）と、基板（７）とを含むアバランシェ増幅構造体（１）。量子化器（４）は、アバランシェ過程を調節する。積算器（５）は、信号電荷を蓄積する。調整器（６）は、積算器（５）を空にして量子化器（４）を制御する。アバランシェ増幅構造体（１）は、ノーマル量子化器リバースバイアス設計、ノーマル量子化器ノーマルバイアス設計、ラテラル量子化器ノーマルバイアス設計、可変量子化器ノーマルバイアス調節電極設計、ノーマル量子化器ノーマルバイアス調節電極設計、及びラテラル量子化器ノーマルバイアス環状積算器設計を含む。アバランシェ増幅構造体（１）は、同様に多チャンネル装置のアレイをもたらすように配置される。構造体は、自国防衛の極めて重要な装置に直ちに適用可能である。 （もっと読む）

【課題】 微弱な光を検出する際に、高い検出効率と低い暗計数率を有する半導体受光素子および該半導体受光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体受光素子１０は、第１導電型増倍領域１３と、第２導電型領域１２とを備える。第１導電型増倍領域１３と接するように第２導電型増倍領域１２は形成されている。第１導電型増倍領域１３は、不純物濃度が１×１０¹⁴ｃｍ^-3以上５×１０¹⁵ｃｍ^-3以下である。第２導電型増倍領域１２は、不純物濃度が第１導電型増倍領域１３の不純物濃度よりも高く、かつ厚みが０．２μｍ以上３．０μｍ以下である。第２導電型領域１２の不純物濃度は、好ましくは５×１０¹⁵ｃｍ^-3以上８×１０¹⁷ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

拡散またはエッチング工程のいずれかで製造された素子の頂部の小さな局所化された接点層と、下部接点領域を定める半導体層とを含むプレーナ型雪崩効果光ダイオードである。半導体増幅層が２つの接点領域の間に配置され、また半導体吸収層が増幅層と上部接点層との間に配置されている。光ダイオードは、低キャパシタと低電界を半導体増幅層と吸収層の周辺部近くに有する。 （もっと読む）