【課題】固体撮像装置において、ゴーストなどの発生を抑制して、画像品質を向上させる。
【解決手段】入射光Ｈを受光する複数の画素ＰＸが半導体基板１０１の上面に配列されているセンサ基板１００と、前記センサ基板の上面に下面が対面しており、前記入射光が透過する透明基板３００と、前記透明基板の上面と前記センサ基板の上面との間のいずれかの位置に設けられており、前記入射光が透過する回折格子６０１とを有し、前記回折格子は、前記半導体基板の上面にて前記複数の画素が配列された画素領域ＰＡに前記入射光が入射し回折されることで生ずる反射回折光を回折するように形成する。 （もっと読む）

【課題】近赤外域〜遠赤外域にわたって高い受光感度を持ち、製造が容易であり、安定して高品質が得られる、受光デバイス、半導体エピタキシャルウエハ、これらの製造方法、および検出装置を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板と、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板の上に位置し、（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）が繰り返し積層された多重量子井戸構造の受光層３とを備え、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板がＩｎＡｓ基板１であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ピンチオフ電圧のばらつきの少ないＪＦＥＴを用いた光電変換装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】光を信号電荷に変換する受光素子１と、受光素子１の上に形成された反射防止膜３９ａと、接合型電界効果トランジスタ４３と、を有する画素がアレイ状に配置された光電変換装置において、接合型電界効果トランジスタ４３の上に反射防止膜３９が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来と比較して光電変換効率（感度）をより向上させたフォトダイオードおよびフォトダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】 ＰＩＮフォトダイオード１００は、Ｐ型シリコン基板と、Ｐ型のシリコン層１１２と、Ｐ型のシリコン層１１２上に形成され、シリコン層１１２との接合面を含むＮ型のシリコン層１１４と、シリコン層１１４の表面から一定の深さに形成され、シリコン層１１４の不純物濃度よりも不純物濃度が高いＮ型の低抵抗のシリコン領域１１６と、シリコン領域１１６上に形成されたシリコン酸化膜１２０と、シリコン酸化膜１２０上に形成されたシリコン窒化膜１２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン窒化膜の屈折率より高い屈折率を有し、かつシリコン窒化膜と同等の吸収係数により膜中の減衰が殆どなく、金属汚染による暗電流増加の要因とならない材料を用いて低反射構造を実現する。
【解決手段】シリコン基板１上の反射防止膜６に、炭素とシリコンを含む結晶性の膜、あるいはシリコン酸化膜に炭素を注入して得られる膜を用いることにより、反射を低減させると共に反射防止膜６中の光減衰を抑え、しかも、反射防止膜６を金属を含まない膜で構成することにより暗電流の増加を抑制する。 （もっと読む）

【課題】素子特性および製造歩留まりの変動を小さくできる構造を有する半導体受光素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】フォトリソグラフィ法でマスク４０に開口部４０ａと絶縁膜４６に開口部４６ａとを形成して、マスク４８を形成する。開口部４０ａ及び開口部４６ａは、単一のフォトリソグラフィ工程で形成される。マスク４８は、熱拡散法を用いて半導体多層膜に錫を導入する領域を規定する開口部４８ａを有する。マスク５０を備える中間生産物を、錫を含む雰囲気５２に晒すと、開口部５０ａから半導体多層膜に錫が拡散すると共にマスク５０の絶縁膜パターンが設けられた領域には錫は拡散されない。錫はｎ型ドーパントであるので、半導体多層膜中にｎ型半導体領域５０が形成される。ｎ型ドーパントは、ｎ型半導体領域５０がＩｎＧａＡｓ半導体層３４に到達するように導入される。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域から可視域にまで十分高い受光感度を持つことができる光検出装置およびそれを用いた視界支援装置を提供する。
【解決手段】 本発明の光検出装置１０は、近赤外域〜赤外域に吸収端を有する、エピタキシャル層のＧａＩｎＮＡｓ受光層３と、ＧａＩｎＮＡｓ受光層３への光の入射面に位置する、ＡＲ(Anti-Reflection)多層膜である半導体多層膜１２とを備え、前記ＡＲ多層膜は、そのＡＲ多層膜が接する半導体層よりも可視から近赤外までの波長域において反射率が低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】受光部のフォトダイオード周囲の少なくとも一部にフォトダイオードと同導電型の領域を形成し、その領域側に入射した光子によって発生したキャリアを掃き出すことで、フォトダイオードの受光感度特性の向上を可能にする。
【解決手段】第１導電型の半導体基板１０に形成されたもので前記第１導電型とは逆の第２導電型の第１領域２１を有する受光部１１と、前記受光部１１の周囲の前記半導体基板１０の少なくとも一部に、第１導電型の分離領域２３を介して形成されたもので前記第１領域２１と電気的に独立した第２導電型の第２領域２２とを備え、前記第２領域２２は、前記第１領域２１とは独立した電位に固定され、前記受光部１１上に形成された層間絶縁膜４１の開口部４２は前記第１領域２１上から前記分離領域２３上を通り前記第２領域２２の一部上に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜としてシリコン窒化膜を用いた場合と比べて、さらに反射ロスを低減した固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置の１画素分の受光セル１００は、入射光に応じて電荷を蓄積するフォトダイオード１２と、フォトダイオード１２が形成されている半導体基板１１と、半導体基板１１の面のうち、入射光が入射する面に形成されている絶縁膜１３と、フォトダイオード１２の上方かつ絶縁膜１３の上層に反射防止膜として形成されているポリシリコン膜１２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】劣化因子による性能劣化を抑制することが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】基板１上に形成された下部電極２と、下部電極２上方に形成された光電変換層３と、光電変換層３上方に形成された上部電極４とを含む光電変換素子１００であって、下部電極２、光電変換層３、及び上部電極４を覆う層であって、水分や酸素等の劣化因子を吸着する吸着性及び劣化因子と反応する反応性の少なくとも一方を有する劣化因子吸着・反応性層５と、劣化因子吸着・反応性層５を覆って、下部電極２、光電変換層３、及び上部電極４を保護する保護層６とを備える。 （もっと読む）

【課題】硬化性能が良好で下地との密着性に優れる光硬化性組成物、および下地との密着性に優れ、迷光による偽信号の発生が軽減され色欠陥の少ない該光硬化性組成物を用いて形成される反射防止膜を提供する。前記反射防止膜を有する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】着色剤、光重合性化合物、光重合開始剤およびアルカリ可溶性樹脂を含有し、該光重合性化合物が少なくともビスフェノール系化合物及びイソシアヌル環含有化合物のいずれか１種を含む光硬化性組成物、及びそれを用いた反射防止膜、並びに該反射防止膜を有する個体撮像素子。 （もっと読む）

【課題】 受光素子を内蔵する半導体装置を形成する際、受光素子間の分割部をエッチング等のダメージから保護する。
【解決手段】 分割フォトダイオード領域１の受光領域１２と共に、フォトダイオード間を分割する受光領域１２外の分割部８とカソードとのジャンクション領域を含む分割領域に反射防止膜を形成し、その反射防止膜を覆うようにポリシリコン膜１４を形成する。これにより、受光領域１２外の分割部８とカソードとのジャンクション領域の反射防止膜がポリシリコン膜１４によってエッチング等から保護されるようになるため、この領域での結晶欠陥の発生や不純物濃度の変動等が抑えられ、高性能かつ高品質のフォトダイオード内蔵型半導体装置が形成される。 （もっと読む）

【課題】 発光素子の高出力化に伴ってその発光出力をモニタする受光素子の飽和が問題となっている。本発明では発光素子の特性評価試験を低価格で精度よく行え、かつ小型化が可能な発光素子試験装置を提供する。
【解決手段】 多数の微細孔を均一に分散した光吸収膜からなる遮光膜を受光素子の受光面に形成し、受光素子の出力電流を抑制することで飽和特性を制御する。具体的には、半導体レーザダイオード６からのモニタ光のうち、光吸収層１０ｅの微細孔１０ｃ以外の部分に入射したモニタ光は光吸収層１０ｅに吸収され、微細孔１０ｃ内に入射したモニタ光はホトダイオード１０の光入射面に到達する。よってホトダイオード１０における飽和が抑えられ、半導体レーザダイオード６の特性評価試験を精度良く行うことができる。また、光吸収層１０ｅは、反射光に起因する半導体レーザダイオード６の誤作動も防ぐ。 （もっと読む）

【課題】同一基板に集積回路、受光素子およびマイクロミラーを搭載する光半導体装置において、受光素子上の反射防止膜の膜厚バラツキにより光電変換効率が低下する問題がある。
【解決手段】同一の半導体基板１に集積回路を構成するトランジスタ２、受光素子３およびマイクロミラー５を搭載する光半導体装置であって、受光素子３上に形成された反射防止膜１６と、反射防止膜１６上に形成され、反射防止膜１６を露出する状態に開口された第１絶縁膜１８と、第１絶縁膜１８上に形成され、反射防止膜１６上の第１絶縁膜１８の開口の周辺部およびマイクロミラー５上の周辺部に残存されたエッチングストップ膜１９とを有する。この構成によると、所望の膜厚に制御された反射防止膜１６が受光素子３上に形成されるので、受光素子３の高感度化が図られる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣＭＯＳ技術と共存可能な高速高効率光検出器を作る問題に対処すること。
【解決手段】本構造は、薄いＳＯＩ基板の上のＧｅ吸収層から成り、分離領域、交互になるｎ型およびｐ型コンタクト、および低抵抗表面電極を利用する。本デバイスは、下の基板で生成されたキャリアを分離するために埋込み絶縁物を利用して高帯域幅を、Ｇｅ吸収層を利用して広いスペクトルにわたった高量子効率を、薄い吸収層および狭い電極間隔を利用して低電圧動作を、さらに平面構造およびIV族吸収材料の使用によってＣＭＯＳデバイスとの共存性を、達成する。本光検出器を製作する方法は、薄いＳＯＩまたはエピタキシャル酸化物へのＧｅの直接成長および高品質吸収層を達成するための後の熱アニールを使用する。この方法は、相互拡散に利用可能なＳｉの量を制限し、それによって、下のＳｉによるＧｅ層の実質的な希釈を起こすことなく、Ｇｅ層をアニールすることができるようになる。 （もっと読む）