【課題】近赤外〜遠赤外域に受光感度を有するＩＩＩ−Ｖ族半導体において、キャリア濃度を高精度で制御できる受光素子、およびその受光素子の素材となるエピタキシャルウエハ、およびそのエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる基板と、光を受光するための受光層と、該受光層のバンドギャップエネルギより大きいバンドギャップエネルギを有する窓層と、少なくとも受光層に位置するｐｎ接合とを備え、窓層の表面において、二乗平均面粗さが１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィルファクタの大きいメサ構造を採用した上で、メサ構造の溝の壁面におけるリーク電流を抑制することができる受光素子等を提供する。
【解決手段】 本発明の受光素子１０は、半導体基板１上に画素が形成された受光素子であって、光を受光するための受光層３と、受光層内に位置するｐｎ接合１５と、画素と該画素の周囲とを溝によって隔てるメサ構造とを備え、メサ構造の溝７の壁面にわたって、ｐｎ接合の端が該メサ構造の壁面に露出しないように不純物壁面層８が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】設計自由度を低下させることなく、感度の向上を図ることができる受光素子を提供する。
【解決手段】受光素子１は、入射光を表面プラズモンに変換する周期構造領域１ａと、周期構造領域１ａの外縁に沿うように配置され、表面プラズモンに応じて電荷を発生する光電変換領域１ｂと、周期構造領域１ａの内側に位置するように配置され、表面プラズモンに応じて電荷を発生する光電変換領域１ｃと、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、２波長の光に対し同等の感度を有し、かつ２波長の光の両方に対し高感度となる受光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る受光素子は、第１波長の光と第２波長の光を受光する受光素子であって、第１主面、該第１主面に対向する第２主面、及び貫通孔を有する基板と、該第２主面の上に該貫通孔の直上部分を有するように形成された、該第１波長の光と該第２波長の光を同等の反射率で反射する多重反射層と、該多重反射層の上に形成された、該第１波長の光と該第２波長の光を吸収しキャリアを生成する吸収層と、該第１波長と該第２波長の中間の波長の光に対し最も反射率が低くなるように該吸収層の上に形成された無反射層とを有する。 （もっと読む）

【課題】 暗電流の抑制や受光部の入射光量の増大により、得られる画像データ画質を改善した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子１は、半導体から成る基板１０と、基板１０中に形成され光電変換によって生じた電荷を蓄積する基板とは逆の導電型の半導体から成る受光部１１と、基板１０上に設けられる絶縁層１２と、絶縁層１２上に設けられ受光部１１が蓄積する電荷と同じ極性の固定電荷を有する固定電荷層１３と、固定電荷層１３上に設けられる反射防止層１４と、基板１０中の受光部１１と隣接する位置に設けられ受光部１１から読み出された電荷が一時的に蓄積される電荷転送部１５と、少なくとも電荷転送部１５の直上に設けられる転送電極１６と、を備える。反射防止層１４は、受光部１１の直上の領域内に設けられる。 （もっと読む）

【課題】安定動作をすることができる半導体受光素子を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ＩｎＧａＡｓ光吸収層２、多重反射層３、ＩｎＧａＡｓ光吸収層７、ＩｎＰ窓層９が順に積層されている。ＩｎＰ窓層９は、ＩｎＧａＡｓ光吸収層２，７より大きいバンドギャップを持つ。ＩｎＰ窓層９の一部にｐ型不純物拡散領域１１が設けられている。アノード電極１２はｐ型不純物拡散領域１１上に設けられ、光が入射する開口を持つ。ｎ型ＩｎＰ基板１の下面にカソード電極１３が設けられている。ｐ型不純物拡散領域１１の外側にメサ溝１４が設けられている。メサ溝１４を挟んでｐ型不純物拡散領域１１の反対側にｐ型不純物拡散領域１６が設けられている。ｐ型不純物拡散領域１６はＩｎＧａＡｓ光吸収層２に達し、金属膜１７はｐ型不純物拡散領域１６を介してＩｎＧａＡｓ光吸収層２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】入射光の反射防止のための微細凹凸構造を画素毎に作り分けるに際し、半導体基板にダメージを与えることなく、低コストで高い信頼性と再現性を得る。
【解決手段】単結晶からなる半導体基板の表面に、半導体基板に対してエッチング選択比を有する保護膜を形成する第１の工程と、保護膜上に、所定のピッチで配置されるドット形状のレジストパターンを形成する第２の工程と、第２の工程により形成されたレジストパターンをマスクとするウェットエッチングにより、保護膜を選択的に除去する第３の工程と、第３の工程により選択的に除去された後に残存する保護膜をマスクとするウェットエッチングにより、半導体基板をエッチング加工することで、半導体基板の表面に所定のピッチで配列される凹凸構造を形成する第４の工程と、第４の工程により凹凸構造を形成した後、半導体基板上に残存する保護膜を除去する第５の工程とを含む固体撮像素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子１００は、Ｆｅ−ＩｎＰ基板１０と、Ｆｅ−ＩｎＰ基板１０上に設けられたｎ−ＩｎＰエッチングストッパ層１４と、ｎ−ＩｎＰエッチングストッパ層１４上に設けられたＩｎＧａＡｓ層３２と、ＩｎＧａＡｓ層３２上に設けられたｐ−ＩｎＰウィンドウ層２２と、により構成されるメサ３０と、ｎ−ＩｎＰエッチングストッパ層１４上に設けられ、かつメサ３０の側面を覆うＩｎＰパッシベーション層４０と、を備えている。ＩｎＧａＡｓ層３２は、ｎ−ＩｎＰエッチングストッパ層１４と異なる材料により構成されており、ｐ−ＩｎＰウィンドウ層２２は、ｎ−ＩｎＰエッチングストッパ層１４と同一の材料から構成されている。また、ｐ−ＩｎＰウィンドウ層２２の層厚がＩｎＧａＡｓ層３２の層厚の１／３以下である。 （もっと読む）

【課題】大きな開口率を実現することができるアバランシェフォトダイオードを得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１の主面上に、アバランシェ増倍層３、ｐ型ＩｎＰ電界緩和層４、光吸収層５、及びアンドープＩｎＰ窓層６が順に積層されている。アンドープＩｎＰ窓層６の一部にｐ型不純物領域８が設けられている。直線状ｐ側電極９がｐ型不純物領域８上に配置されてｐ型不純物領域８に接続されている。直線状ｐ側電極９は、ｎ型ＩｎＰ基板１の主面に対向する平面視において直線状である。 （もっと読む）

【課題】 焦点検出の精度を向上させる。
【解決手段】 それぞれが光電変換素子を含む複数の焦点検出用の画素と、光電変換素子で生じた信号を読み出すための複数の配線層とを有する光電変換装置は、複数の配線層の最下層の配線層の下面に比べて、光電変換素子の受光面を含み受光面に平行な面に近接した下面を有し、光電変換素子の一部の上を覆う遮光膜を含む。 （もっと読む）

【課題】 近赤外の長波長領域まで受光でき、かつ画素ピッチを密にしても受光感度を確保できる、受光素子アレイ等を提供する。
【解決手段】 この受光素子アレイ１０は、近赤外波長領域に対応するバンドギャップエネルギを有する受光部Ｐが、複数、配列され、受光部は、選択拡散によって形成されたｐ型領域６の先端部にｐｎ接合１５を有し、受光部Ｐを区分けするように、ｎ型領域７が該受光部の間に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 波長域１８００ｎｍ程度にまで受光感度を有し、微弱な光に対応して、暗電流を低くできる受光素子等を提供する。
【解決手段】 選択拡散によってｐｎ接合１５が形成され、受光層３は、第１の組成のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ３ａと第２の組成のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ３ｂとが交互に２対以上積層されてなり、第１の組成のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ３ａはその吸収端波長が１．８μｍ〜１．７５μｍの間にあり、かつ第２の組成のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ３ｂはそれより短く、ＩｎＰ窓層５と受光層３との間に、該ＩｎＰ窓層および受光層に接してＩｎＰに格子整合するＩｎ_０．５３Ｇａ_０．４７ＡｓまたはＩｎＡｌ_０．４８Ａｓ_０．５２の中間層４が位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 暗電流を増大させることなく、近赤外の長波長側に受光感度を拡大することができる、受光素子等を提供する。
【解決手段】本発明の受光素子は、ＩｎＰ基板１の上に位置し、ＩｎＧａＡｓ層３ａとＧａＡｓＳｂ層３ｂとが交互に積層されたタイプ２の多重量子井戸構造の受光層３を備え、ＩｎＧａＡｓ層またはＧａＡｓＳｂ層の層内において上面または下面へと、そのＩｎＧａＡｓまたはＧａＡｓＳｂのバンドギャップエネルギが小さくなるように、厚み方向に組成の勾配が付いていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板裏面入射において、近赤外域の短波長側〜長波長側にわたって全体に高い受光感度を有する受光素子等を提供する。
【解決手段】 受光層が（ＩｎＧａＡｓ／ＧａＳｂ）タイプ２のＭＱＷであり、補助層４と、基板側から光を入射する構造とを備え、補助層４はｐ型不純物を含み、そのバンドギャップエネルギが、ＩｎＰ基板１のバンドギャップエネルギより小さく、厚みが受光層３の１／５以上あり、補助層内において、ｐ型不純物の濃度が、１Ｅ１８ｃｍ^−３〜１Ｅ１９ｃｍ^−３から受光層側における５Ｅ１６ｃｍ^−３以下に低下しており、ｐ型不純物の分布が、拡散によって形成されたものか、またはエピタキシャル成長にて形成されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 近赤外の長波長域まで受光でき、画素ピッチを密にしても暗電流を小さくでき、かつ画素の結晶性を損なうおそれがない、受光素子等を提供する。
【解決手段】 近赤外波長領域に受光感度を有するＩＩＩ−Ｖ族半導体による受光素子５０であって、近赤外波長領域に対応するバンドギャップエネルギのＩＩＩ−Ｖ族半導体を有する受光部１０を備え、受光部１０が、該受光部より大きいバンドギャップエネルギを持つ半導体層１に取り囲まれるように埋め込まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣＭＯＳ技術と共存可能な高速高効率光検出器を作る問題に対処すること。
【解決手段】本構造は、薄いＳＯＩ基板の上のＧｅ吸収層から成り、分離領域、交互になるｎ型およびｐ型コンタクト、および低抵抗表面電極を利用する。本デバイスは、下の基板で生成されたキャリアを分離するために埋込み絶縁物を利用して高帯域幅を、Ｇｅ吸収層を利用して広いスペクトルにわたった高量子効率を、薄い吸収層および狭い電極間隔を利用して低電圧動作を、さらに平面構造およびIV族吸収材料の使用によってＣＭＯＳデバイスとの共存性を、達成する。本光検出器を製作する方法は、薄いＳＯＩまたはエピタキシャル酸化物へのＧｅの直接成長および高品質吸収層を達成するための後の熱アニールを使用する。この方法は、相互拡散に利用可能なＳｉの量を制限し、それによって、下のＳｉによるＧｅ層の実質的な希釈を起こすことなく、Ｇｅ層をアニールすることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】 フォトダイオードと絶縁膜との界面における光の反射率を最小化し、イメージ
感度を向上させたＣＭＯＳイメージセンサーを提供すること。
【解決手段】 Ｓｉのフォトダイオード１２が形成された基板１０と、基板１０の上に形
成されるＳｉＯ_２の絶縁膜１４と、基板１０及び絶縁膜１４の間に介在する半反射膜１３
と、絶縁膜１４の上に形成され、単位画素を構成する複数の金属配線Ｍ１〜Ｍ４と、カラ
ーフィルター１９と、マイクロレンズ２１とを備えているＣＭＯＳイメージセンサーであ
って、半反射膜１３の屈折率が、Ｓｉのフォトダイオード１２の屈折率とＳｉＯ_２の絶縁
膜１４の屈折率との間の値である。 （もっと読む）

【課題】窒化物膜の酸化の進行を抑制し信頼性が高く、優れた光学特性を有する誘電体多層膜を備える半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子(100)は、発光又は受光素子構造を含む半導体の積層体(20)と、該積層体(20)の外面を被覆する誘電体多層膜(40)と、を備え、前記誘電体多層膜(40)は、窒化物の第１膜(41)と、該第１膜(41)に接して設けられた酸化ホウ素の第２膜(42)と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光の感度を向上させた光電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体基板１０１と、半導体基板１０１内に形成されたウェル領域１０２と、ウェル領域１０２内に形成された受光部を有し、受光部は第一の半導体領域１０３と第二の半導体領域１０４を有し、第二の半導体領域１０４は第一の半導体領域１０３よりも半導体基板１０１の表面側に位置し、第二の半導体領域１０４の禁制帯幅は、第一の半導体領域１０３の禁制帯幅よりも広いことを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードを構成している光吸収層を含むメサ部側壁における電流リークの問題が解消できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成された第１導電型の第１化合物半導体からなる下側コンタクト層１０２と、下側コンタクト層１０２の上に形成された第１化合物半導体からなる電子走行層１０３と、電子走行層１０３の上に形成された第２化合物半導体からなる光吸収層１０４と、光吸収層１０４の上に形成された第２導電型の第１化合物半導体からなる上側コンタクト層１０５と、下側コンタクト層１０２に形成された第１電極１０６および上側コンタクト層１０５に形成された第２電極１０７とを少なくとも備え、基板１０１の上で、電子走行層１０３は、光吸収層１０４および上側コンタクト層１０５より広い面積に形成されている。 （もっと読む）