【課題】 薄膜太陽電池に好適に用いられる透明導電膜つき基板において、好ましい凹凸形状をもつ基板を得る。
【解決手段】 透明導電膜の凹凸形状においては、その凹凸形状の凸部の頂上が略部分球面からなり、明瞭な稜線が見られない凹凸形状を透明導電膜が好ましい。その凹凸形状は、ピラミッド状の凸状突起群をもつ透明導電膜として、ＣＶＤ法を用いてフッ素ドープ酸化錫膜を作製し、その凸状突起群を遊離砥粒で適切に研磨することによって製造する。 （もっと読む）

【課題】 改善された光学的および電気的膜特性を有する透明で導電性の酸化物膜（ＴＣＯ膜）であり、薄膜太陽電池において使用するのに適する表面構造を有する該膜の提供。
【解決手段】 この課題は、反応性スパッタリングによって基板上に導電性で透明な酸化亜鉛膜を生成し、プロセスにヒステリシス領域を有している方法において、ドーピング剤を含有する金属Ｚｎターゲットを使用し、該ターゲットのドーピング剤含有量が２．３原子％より少なく； 基板のための加熱器を、２００℃より高い該基板温度に調整される様に調整し；
１９０ｎｍ／分より早い静的溶着速度に相当する５０ｎｍ*ｍ／分より早い動的溶着速度に調整し；そして安定な金属プロセスと不安定なプロセスとの間の転換点と安定化されたプロセス曲線の屈曲点との間に位置する、不安定なプロセス領域内で安定化した作業点を選択する各段階を含むことを特徴とする、上記方法によって解決される。 （もっと読む）

この発明は、ＰＥＣＶＤ法を用いて、少なくとも一つの微結晶層のｐ−ｉ−ｎ層系列を備えた太陽電池を製造するための方法に関する。この方法は、ｐ−ｉ−ｎ層系列のすべての層を単一の反応室によるプロセスで析出することを特徴とする。この場合、電極の間隔を５〜１５ｍｍに選定し、基板に渡ってのガスの均質な拡散を保証するシャワーヘッド形ガス投入口によって、ガス拡散を行う。ＳｉＨ₄ のガス流量を０．０１〜３ｓｃｃｍ／ｃｍ² で供給し、その際プロセス圧力を８〜５０ｈＰａに設定する。加熱器温度を５０〜２８０°Ｃに設定するとともに、高周波電力を０．２〜２ワット／ｃｍ² とする。Ｈ₂ のガス流量を、０．３〜３０ｓｃｃｍ／ｃｍ² 、特に０．３〜１０ｓｃｃｍ／ｃｍ² とする。 （もっと読む）

Ｃ光源ヘイズ率の高い、光透過性に優れた、高い導電性を有する透明導電膜付き基体およびその製造方法、上記基板を用いた光電変換素子の提供。 基体上に導電層が形成され、該導電層上に厚みが０．５〜１０ｎｍの酸化チタン層を有することを特徴とする透明導電膜付き基体。前記導電層が酸化スズ層であり、前記透明導電膜付き基体のＣ光源ヘイズ率が５〜９０％であることが好ましい。前記基体と前記導電層との間に、基体側から高屈折率層、低屈折率層が順に積層されることが好ましい。 （もっと読む）

基板上に処理を実行する１工程として、ホール・パターンは、基板の上に形成された有機樹脂マスク材料の薄い層において提供され、処理マスクを提供する。処理工程はそれからマスクにおける開口を通して実行され、処理工程が完了すると、マスクは、構造がマスク材料の溶剤の溶剤蒸気の雰囲気の中に置かれるリフロー処理によって調整される。リフロー処理によって、マスク材料は柔らかくなりリフローし、マスクにおける開口の大きさを小さくし、後続の処理工程のために、処理工程が実行された表面領域の端がマスクによって覆われるようにする。
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【課題】高い変換効率を有し、高スループットの結晶シリコン系薄膜太陽電池の製造方法及びそれを用いて形成した太陽電池を提供するものである。
【解決手段】本発明に係る結晶シリコン系薄膜太陽電池４０の製造方法は、基板上に結晶性シリコン層を有する結晶シリコン系薄膜太陽電池を製造する際に、上記結晶性シリコン層とは異なる材料からなる異種基板１１上に、順に、結晶性シリコン前駆体層１４よりも融点が高い物質で構成される電極層１２、非晶質シリコン又は結晶成分を含む非晶質系シリコンからなる結晶性シリコン前駆体層１４を形成し、その前駆体層１４に半導体レーザのレーザ光２１を照射し、前駆体層１４を溶融・結晶化して上記結晶性シリコン層２４を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】 基板上に表面凹凸構造の制御された透明電極を形成することができ、製造されるシリコン系薄膜光電変換装置の効率を改善できる方法を提供する。
【解決手段】 基板（１）上に、透明電極（２）と、一導電型層（１１１）、実質的に真性半導体の多結晶シリコン系光電変換層（１１２）および逆導電型層（１１３）を含む多結晶シリコン系薄膜光電変換ユニット（１１）と、光反射性金属電極（１２２）を含む裏面電極（１２）とを順次形成したシリコン系薄膜光電変換装置を製造するにあたり、下地温度が２００℃以下の条件でＭＯＣＶＤ法により、平均膜厚が０．３〜３μｍ、表面凹凸の平均高低差が５０〜５００ｎｍであるＺｎＯからなる透明電極（２）を形成する。 （もっと読む）