【課題】プラズマ処理装置を用いて得られた膜の膜厚及び膜質が、基板の面内で均一とはならない場合がある。
【解決手段】 基板を保持することが可能な第１電極と、第１電極と対向するように設置され、第１電極と対向する部分に複数のガス供給口が形成されるとともに高周波電力が印加される第２電極とを備え、複数のガス供給口は同心円に沿って設けられると共に、１つの同心円に沿って設けられたガス供給口について、隣接する複数のガス供給口を結んだ弧の長さが内周側と外周側とで異なるプラズマ処理装置を用いた光起電力素子の製造方法であって、基板上に導電性を有する透明電極を形成するステップと、透明導電膜上にプラズマ処理装置を用いて非晶質シリコン半導体または微結晶シリコン半導体を含む光電変換層を形成するステップと、光電変換層上に導電性を有する裏面電極を形成するステップと、を備えることで、上記課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】光電変換層を高速で製膜して高い開放電圧を有する光電変換装置を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ｐ層４１と、結晶質ｉ層４２と、ｎ層４３とが積層された光電変換層３を備える光電変換装置１００の製造方法であって、原料ガスとしてＳｉＨ_４ガス、Ｈ_２ガス及び不純物ガスを用い、前記不純物ガスの流量を１ｓｃｃｍ以上とし、かつ、水素希釈率を所定の比率に調整して、前記ｐ層４１または前記ｎ層４３の少なくとも一方のバンドギャップを制御する工程を備える光電変換装置１００の製造方法。 （もっと読む）

【課題】透明電極層から微結晶シリコンｐ層への酸素の拡散を抑制することで、高い発電効率を有する光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１上に、透明電極層２と、少なくとも１つの光電変換層３とを備え、前記光電変換層３が、ｐ型結晶質シリコン層４１と、ｉ型結晶質シリコン層４２と、ｎ型シリコン層４３とを含み、前記透明電極層２と前記ｐ型結晶質シリコン層４１との間に、非晶質シリコン層７が隣接して配置される光電変換装置１００。 （もっと読む）

【課題】セレン化水素の濃度が安定したセレン化水素混合ガスを連続的に供給することが可能な太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法を提供する。
【解決手段】不活性ガスの流量と１００％セレン化水素ガスの流量とを設定された流量にそれぞれ制御する第１ステップＳ１−１，Ｓ１−２と、不活性ガスと１００％セレン化水素ガスとを混合して、セレン化水素混合ガスを調製する第２ステップＳ２と、調整されたセレン化水素混合ガス中のセレン化水素濃度を測定する第３ステップＳ３と、セレン化水素濃度の設定値と測定値との誤差に基づいて、不活性ガスの設定された流量を修正する第４ステップＳ４と、を備え、第１乃至第４ステップを１以上繰り返すことを特徴とする太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板面内において、より均一な発電量を有し、変換効率のよい光起電力素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の積層型光起電力素子は、基板上に積層された、少なくとも１つの光起電力素子を含む第１の光起電力素子部と、第１の光起電力素子部上に積層された金属酸化物からなる中間層と、中間層上に積層されたアモルファス状態のバッファ層と、バッファ層上に積層された、少なくとも１つの光起電力素子を含む第２の光起電力素子部とを備え、上記第２の光起電力素子部の上記バッファ層と接する導電層は微結晶層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の発電効率を向上させる。
【解決手段】ｐ型層３０、ｉ型層３２、ｎ型層３４を積層した薄膜太陽電池の製造方法であって、ｉ型層３２はアモルファスシリコン層であり、ｎ型層３４は微結晶シリコン層であり、ｎ型層３４を形成する工程において、ｉ型層３２から離れるにしたがってｎ型ドーパントのドーピング濃度を高くする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の発電効率を向上させる。
【解決手段】ｐ型層３０と、ｉ型層３２と、ｎ型層３４を積層したアモルファスシリコンユニットを有する太陽電池の製造工程において、ｐ型層３０を成膜する工程は、ｉ型層３２から離れるにしたがってｐ型層３０に含まれるｐ型ドーパントのドーピング濃度を高くするものであり、特に、高吸収アモルファス炭化シリコン層と低吸収アモルファス炭化シリコン層とをプラズマを発生させた状態を維持したまま連続的に形成するものとする。 （もっと読む）

【課題】発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】ｐ型層３０と、ｉ型層３２と、ｎ型層３４とを積層したアモルファスシリコン太陽電池ユニットを備え、ｐ型層３０は、ｐ型ドーパントが添加された高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａと、ｐ型ドーパントが実質的に添加されていないアモルファスシリコンバッファ層３０ｂとを含んだものとする。ここで、アモルファスシリコンバッファ層３０ｂのバンドギャップは１．６５ｅＶ以上とする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池のＦＦ特性の向上、歩留まりの低減に有効な裏面電極層を積層してなる太陽電池、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ガラス基板上に、モリブデンからなる金属裏面電極層を積層した化合物系薄膜太陽電池であって、上記金属裏面電極層は、スパッタ法により、その表面の反射率が１０％以上３５％以下の範囲で上記ガラス基板上に製膜されていることを特徴とする化合物系薄膜太陽電池を提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良好な半導体膜を成膜する。
【解決手段】処理室１０と、処理室１０の内部に互いに対向するように配置された第１電極２１及び第２電極２５とを備え、第１電極２１の第２電極２５側にはガス導入口２３を内部に有する凹部２２が設けられ、凹部２２は、ガス導入口２３から導入された原料ガスのプラズマ状態における電子密度を高めるように構成されたホロー放電部２２ｈと、ホロー放電部２２ｈで解離させた原料ガスの反応を促進させて処理室１０の内部に供給するためのバッファ部２２ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】均一の成膜を行い品質管理を図ることができる薄膜製造方法および薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】帯状の基板を収納する第１の基板収納手段１と第２の基板収納手段２との間に、前記第１の基板収納手段１と第２の基板収納手段２の一方から他方に向けて前記基板Ｓを送り出しながら前記基板Ｓの主面に複数種類の薄膜を選択的に形成する薄膜形成手段を配設し、前記薄膜の一層を形成する度に前記基板Ｓの送り出し方向を反転させると共に薄膜種類を変えて、前記複数種類の薄膜を前記主面に順次積層する薄膜製造方法において、前記帯状の基板Ｓに形成された薄膜を検出する検出部７Ａ，７Ｂを前記基板収納手段１，２に設け、該検出部７Ａ，７Ｂによって検出された薄膜の膜質を評価し、適切な電極間隔を演算する膜質評価演算部８を設け、この膜質評価演算部８の演算結果から電極間隔を電極間隔指令制御部９によって制御する。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗率の低いアモルファスカーボン及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボンは、水素濃度が５〜３０％（ａｔｍ）であり、ドーピング元素を含有している。Ｐ型ドーピングにはホウ素、Ｎ型ドーピングには窒素を１０％（ａｔｍ）以下の濃度で含有させる。これによって、電気抵抗率が低く導電型を制御可能な、太陽電池などの光電変換素子用アモルファスカーボンが実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの損傷が抑制される薄膜太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜太陽電池モジュールは、基板と、それぞれが一定の幅を有する３つ以上のセルストリングを含むセルモジュールとを備え、各セルストリングは、直列接続された複数の太陽電池セルを備え、前記セルストリングは、前記基板上に、前記太陽電池セルが直列接続された方向に対して垂直な方向に並べて設けられかつ双方的に互いに並列接続され、前記太陽電池セルは、それぞれ表面電極、光電変換層及び裏面電極をこの順で重ねて備え、各セルストリングは、該セルストリングに含まれかつ隣接する前記太陽電池セルの一方の表面電極と他方の裏面電極とを電気的に接続しかつ該セルストリングの幅と同じ幅を有するコンタクトラインを備え、前記３つ以上のセルストリングのうち両端の前記セルストリングの少なくとも一方は、他の前記セルストリングより広い幅を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ汎用性のある方法で、微結晶シリコン層からなる光電変換層の表面に凹凸を設けることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】この薄膜太陽電池の製造方法は、基板５０上に第１導電型（例えばｎ型）微結晶シリコン層を形成する工程と、第１導電型微結晶シリコン層上にｉ型微結晶シリコン層を形成する工程と、ｉ型微結晶シリコン層を水素プラズマで処理する工程と、ｉ型微結晶シリコン層上に第２導電型（例えばｐ型）微結晶シリコン層を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送するための開口部が設けられた成膜室を有しており、かつメンテナンスコストが低い薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置は真空容器１０、成膜室１００、カソード電極１２０、アノード電極１３０、及び排気部１４０を備える。成膜室１００は真空容器１０内に配置され、被処理基板２００に成膜処理を行う。また成膜室１００には、被処理基板２００を搬入及び搬送するための開口部１１２が設けられている。カソード電極１２０及びアノード電極１３０は、成膜室１００の中に配置されており、被処理基板２００を介して互いに対向している。排気部１４０は成膜室１００の中に延伸し、カソード電極１２０とアノード電極１３０の間の空間１５０を排気する。そして排気部１４０は、外面が空間１５０に面していない。 （もっと読む）

【課題】 所望の抵抗値を容易に実現することができるアモルファスカーボン半導体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 アモルファスカーボン２を成膜した後、熱処理を行うことにより、アモルファスカーボン２中に分散していたグラファイト形成核を中心として、その周囲部分のみでアモルファスカーボン２を溶融・結晶化させ、所定の大きさのグラファイト３を形成する。このように製造されたアモルファスカーボン半導体１においては、ｓｐ２結合リッチな導電性のグラファイト３がアモルファスカーボン２中に分散している。そのため、アモルファスカーボン２とグラファイト３との割合を体積比で９０：１〜５０：５０の範囲に調整することで、アモルファスカーボン半導体１の抵抗値を低抵抗化させて、所望の抵抗値を容易に実現することができる。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置のユニットセルを構成する半導体層として、欠陥が低減された非単結晶半導体層を形成し、光電変換効率の向上を図る。
【解決手段】第１電極と第２電極との間に、一導電型である第１不純物半導体層と、真性である非単結晶半導体層と、第１不純物半導体層と逆導電型である第２不純物半導体層と、が順に積層されて半導体接合を構成するユニットセルを１つ以上含み、光入射側に配置されたユニットセルにおいて、非単結晶半導体層は、二次イオン質量分析法によって計測される濃度で、窒素を５×１０^１８／ｃｍ^３以上５×１０^２０／ｃｍ^３以下の濃度範囲で含み、酸素および炭素は５×１０^１８／ｃｍ^３未満の濃度である光電変換装置とする。 （もっと読む）

【課題】 透明導電層／光電変換層界面の反射損失を低減し、かつ導電型層と光電変換層との界面電気特性を著しく改善する。
【解決手段】 光入射側から順に、透光性基板と、透明導電層と、シリコンオキサイドを含むｐ型導電型層と、微結晶シリコンを含むｐ型導電型層と、光電変換層と、裏面電極層と、を備える光電変換装置であって、シリコンオキサイドを含むｐ型導電型層は透明導電層上に形成されてなり、微結晶シリコンを含むｐ型導電型層はシリコンオキサイドを含むｐ型導電型層上に形成されてなり、光電変換層は微結晶シリコンを含むｐ型導電型層上に形成されてなる、光電変換装置、によって、解決する。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板の処理結果に面内分布が生じることを抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、処理室１００、第１電極１１０及び第２電極１２０からなる電極対、及び押付部材（第１開閉部材１４２と第２開閉部材１４４）を備える。電極対は処理室１００内に設けられている。そして第１電極１１０及び第２電極１２０は、互いに対向している。処理室１００内には、処理室１００の幅より長い長尺状の可撓性基板２００が搬送される。押付部材は、第１電極１１０及び第２電極１２０より外側に設けられており、可撓性基板２００を第１電極１１０に押し付ける。 （もっと読む）

【課題】水分が浸入しても、高い発電力を維持することができる太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】本実施形態に係る太陽電池モジュール１０は、透明基板１１上に積層された第１透明導電膜１２、第１透明導電膜１２上に積層された光電変換層１３、光電変換層１３上積層された第２透明導電膜１４ａ、及び第２透明導電膜１４ａ上に積層された金属膜１４ｂから構成される発電領域２１を備える。そして金属膜１４ｂは、発電領域２１の端部において第２透明導電膜１４ａの側壁を覆うとともに、光電変換層１３に接している。 （もっと読む）