【課題】ＭＯＳ集積回路と受動素子の複合デバイスが可能で、半導体装置のサイズ並びに製造コストも低減できるＳＯＩ基板を提供すること。
【解決手段】多角形の断面を有するファイバー１と、ファイバー１の少なくとも一面上で成膜後に結晶化された半導体薄膜３とを有するファイバーＳＯＩ基板５であって、ファイバー１の表面には、ファイバー１の線方向に延び且つ幅方向に間隔をおいて複数配置される溝８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＳ基板を用いた半導体装置に形成するｎＭＯＳ素子のオン電流を増加させる手段を提供する。
【解決手段】サファイア基板に単結晶シリコン層を積層したＳＯＳ基板の単結晶シリコン層に形成したｎＭＯＳ素子のチャンネル領域とサファイア基板との間に絶縁膜層を形成し、絶縁膜層上の単結晶シリコン層の応力状態を引張応力状態にする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する液晶表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して、結晶性半導体膜を形成するとともに該結晶性半導体膜から触媒元素を除き、その後逆スタガ型薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する液晶表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して、結晶性半導体膜を形成するとともに該結晶性半導体膜から触媒元素を除き、その後逆スタガ型薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて液滴吐出法により選択的に形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】 基板を損傷させることなく単結晶化領域を拡大させることができ、工業的生産性に優れた半導体薄膜の製造方法および半導体薄膜の製造装置を提供する。
【解決手段】 前駆体半導体薄膜に吸収される波長を有する主パルスレーザおよび副パルスレーザを時間的および空間的に重ね合わせて前駆体半導体薄膜に照射して多結晶半導体薄膜を製造する方法であって、主パルスレーザの照射開始後に複数の副パルスレーザからなる副パルスレーザ列を照射し、主パルスレーザの照射が完了した後に副パルスレーザ列の照射を完了させる半導体薄膜の製造方法とこの製造方法を実施するために用いられる半導体薄膜の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】 半導体膜が溶融して、結晶化する状態をリアルタイムで観察することが可能であり、半導体薄膜の、例えば、成長速度及び成長方向を正確に測定することが可能な結晶化装置及び結晶化方法を提供する。
【解決手段】 結晶化装置１は、基板２６に設けられた非単結晶半導体薄膜２７にエネルギー光を照射して、この非単結晶半導体薄膜２７を溶融して結晶化する結晶化用光学系２を具備する結晶化装置１であって、前記エネルギー光の光路外に配置され、測定用の照明光を照射する測定用照明光学系３０と、測定光を複数の測定光に分割する光学素子４１と、各々の測定光を光検出器の受光面に前記非単結晶半導体薄膜２７の像としてそれぞれ結像するレンズ４５Ａ，４５Ｂと、前記光検出器を含み、前記受光面の像のそれぞれを結晶化情報に変換する複数の計測器５０Ａ，５０Ｂと、前記結晶化情報を処理する画像処理装置とを具備する。 （もっと読む）

【課題】非晶質または多結晶半導体薄膜（１２）に形成される再結晶領域（２１）の正確な配置を容易にし、さらにこの再結晶領域に形成される薄膜トランジスタ（９８）等の電子素子の形成工程に利用可能なアライメントマーク（１５）を形成する。
【解決手段】表面が絶縁材料からなる基板（１１）に非晶質または多結晶半導体薄膜（１２）を形成し、第１のレーザ光（１９）の照射により該非晶質または多結晶半導体薄膜の所定の位置にアライメントマーク（１５）を形成し、該アライメントマークに基いた位置合わせにより、所定の位置に第２のレーザ光（２０）の照射による大粒径化された再結晶領域（２１）を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜から粒径の大きな結晶相の半導体を得る工程において、以降の工程で、アライメントマークとして利用可能なマーク構造を、同一の露光工程において半導体膜に形成する。
【解決手段】この発明は、光を変調して結晶化のための光強度分布を形成する光強度変調構造ＳＰと、光強度変調構造と一体にまたは独立に設けられ、光を変調して所定形状のパターンを含む光強度分布を形成するとともに結晶化領域の予め定められた位置を示すマーク形成構造ＭＫと、を有することを特徴とする光変調素子３に関する。この光変調素子によれば、絶縁基板上に所定厚さに堆積された半導体膜の任意の位置に、結晶核を形成し、その結晶核から所定の方向に結晶を成長させるとともに、半導体膜の任意の位置にアライメントマークＡＭを、同一工程で形成できる。 （もっと読む）

【課題】 引っ張り応力がかかった半導体層が設けられた基板上に高電圧駆動デバイスを形成できるようにする。
【解決手段】 酸化防止膜４をマスクとしてエピタキシャル成長を行うことにより、第１単結晶半導体層３上に第２単結晶半導体層５を形成し、酸化防止膜４をマスクとして第２単結晶半導体層５の熱処理を行うことにより、第２単結晶半導体層５を熱酸化させるとともに、第２単結晶半導体層５の構成成分を歪み半導体領域Ｒ１の第１単結晶半導体層３内に拡散させ、歪み半導体領域Ｒ１の第１単結晶半導体層３を第３単結晶半導体層３´に変換し、エピタキシャル成長を用いることにより、無歪み半導体領域Ｒ２の第１単結晶半導体層３上および歪み半導体領域Ｒ１の第３単結晶半導体層３´上に第４単結晶半導体層７を形成する。 （もっと読む）

【課題】水蒸気アニールによる半導体薄膜の処理を行う場合であっても導電型によらずにしきい値電圧を確保できる薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板３１上にＴＦＴ４０、４３を形成し、これらを覆う状態で少なくとも最下層を構成する膜中に水酸基が含有されない層間絶縁膜４０を形成する。その後、水分雰囲気中において熱処理を行うことによりＴＦＴ４０、４３を構成する半導体薄膜３４のダングリングボンドに酸素または水素を結合させると共に、層間絶縁膜４０の緻密化を図る。層間絶縁膜４０は、例えば窒化シリコンからなる。 （もっと読む）

【課題】 ３次元的に方位制御された多結晶膜を形成して、キャリア移動度が十分高い高性能な薄膜半導体装置を作製する。
【解決手段】 （１）基板上に多結晶膜を形成し、（２）多結晶膜に互いに異なる２方向からのイオン注入を行うことによって、イオン注入方向の結晶方位がチャネリング方位である結晶粒ｂのみを３次元的に制御して残し、それ以外の結晶方位の結晶格子を破壊してアモルファス領域ｅとする。（３）３次元的に制御された結晶粒ｂおよび、それ以外の非晶質膜を熱処理して、３次元的に制御された結晶粒ｂをシードとして結晶化させることにより、３次元的に制御された結晶粒のみからなる多結晶膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】レーザー光学系の熱レンズ効果による結像位置のズレと、被処理基板側の平坦性に起因する結像位置のズレとの両者を補正することができる基板高さ補正システムを備えたレーザー結晶化装置及びレーザー結晶化方法を提供する。
【解決手段】レーザー結晶化装置１は、被処理基板２７に設けられた薄膜２８にレーザー光を照射して、この薄膜２８の照射領域を溶融して結晶化する結晶化用光学系２を具備するレーザー結晶化装置１であって、前記レーザー光の光路外に配置され、前記薄膜２８の照射領域を照明する測定光を射出する測定用光源３１と、前記測定光で前記結晶化用光学系２の結像光学系２６を介して前記薄膜２８を照明し、前記薄膜２８で反射した前記測定光を検出する基板高さ補正手段３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜に５族元素（１５族元素）を有する半導体膜または希ガス元素
を有する半導体膜を形成し加熱して、触媒元素を結晶性半導体膜から除去した後、逆スタガ型ＴＦＴを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を有し、高スループットの結晶シリコン系薄膜太陽電池の製造方法及びそれを用いて形成した太陽電池を提供するものである。
【解決手段】本発明に係る結晶シリコン系薄膜太陽電池４０の製造方法は、基板上に結晶性シリコン層を有する結晶シリコン系薄膜太陽電池を製造する際に、上記結晶性シリコン層とは異なる材料からなる異種基板１１上に、順に、結晶性シリコン前駆体層１４よりも融点が高い物質で構成される電極層１２、非晶質シリコン又は結晶成分を含む非晶質系シリコンからなる結晶性シリコン前駆体層１４を形成し、その前駆体層１４に半導体レーザのレーザ光２１を照射し、前駆体層１４を溶融・結晶化して上記結晶性シリコン層２４を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、基板上に高品質な半導体膜を形成するための半導体膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、バイアス触媒ＣＶＤ，高密度バイアス触媒ＣＶＤ，バイアス減圧ＣＶＤ，バイアス常圧ＣＶＤを利用して、基板に半導体膜を形成する半導体膜形成方法である。真空容器１に原料ガスを供給し、真空容器１中に配置された基板１０と電極３ａとの間にグロー放電開始電圧以下の電界を印加して、基板１０上に、少なくとも錫、ゲルマニウム、鉛のいずれか一つ以上を含有する半導体膜と、絶縁膜と、を形成することを含む工程と、この半導体膜および絶縁膜にレーザーを照射してアニールする工程と、このアニールする工程の後工程であって、水蒸気でアニールを行う工程と、を備える。 （もっと読む）