【課題】チップサイズ６．５ｍｉｌ（１６５μｍ）に対応するＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料ホルダ１とその下方に配置された回収ホルダ２との間にスライダー３をスライド自在に設け、そのスライダー３に原料ホルダ１の原料溶液溜４から原料溶液が供給されると共に回収ホルダ２の溶液収納槽５へ原料溶液を排出する基板ホルダ部６を形成し、その基板ホルダ部６内に基板８を縦に複数枚保持させた後、スライダー３をスライドさせて基板ホルダ部６内に原料溶液を供給し、基板８上にエピタキシャル層を液相エピタキシャル成長させた後、スライダー３をスライドさせて基板ホルダ部６内の原料溶液を排出するＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法において、基板８を基板ホルダ部６内に保持させる際に、隣り合う基板８，８間のメルト幅１３を３ｍｍ以下とし、ＬＥＤ用エピタキシャルウェハの総厚を１９０μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】特性を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ１ｃは、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層（０≦ｘ≦１）を含むＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ基板（０≦ｙ≦１）と、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層２０とを備える。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘは、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘよりも低い。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａの不純物濃度は、裏面１１ｂの不純物濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】原料メルト内の温度を均一にして対流の発生を防止でき、これにより、ウェハ面内の膜厚を均一に成長できるエピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料メルト２を収容する溶液溜め３を有する原料ホルダー４と、基板５を収容する基板ホルダー部６を有すると共に、基板５を溶液溜め３の底部に位置させるように、原料ホルダー４に対して相対的にスライド自在なスライダー７と、を備えたグラファイト製のグラファイト治具１を用いて、基板５上にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェハの製造方法において、溶液溜め３内の中央部に、溶液溜め３内の原料メルト２に浸るように対流防止部材８を設け、溶液溜め３内の原料メルト２の対流を防止し、原料メルト２内の温度を均一にして、ウェハ面内の膜厚を均一に成長させる方法である。 （もっと読む）

【課題】メルト析出物によるエピタキシャル層の表面欠陥の低減を図った発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面側に基板２を保持した基板ホルダー３上に、前記一方の面側に対向して原料溶液Ｌａ，Ｌｂを収納した原料ホルダー５を設け、基板ホルダー３をスライドして原料溶液Ｌａ，Ｌｂに基板２を接触させ、基板２上にエピタキシャル層を成長させる発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法において、基板ホルダー３の前記一方の面側であり基板ホルダー３に保持した基板２のスライド方向に、原料溶液Ｌａ，Ｌｂが降温中に基板ホルダー３との界面に析出した析出物を除去する析出物除去溝７ａ，７ｂを形成し、降温を開始した後、基板ホルダー３をスライドし、析出物除去溝７ａ，７ｂに析出物を落として除去した後、基板２上にエピタキシャル層を成長させる方法である。 （もっと読む）

【課題】コストを低減し、かつ反りを低減したＡｌＧａＡｓ支持基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、ＬＥＤの製造方法、ＡｌＧａＡｓ支持基板、エピタキシャルウエハおよびＬＥＤを提供する。
【解決手段】ＡｌＧａＡｓ支持基板１０は、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＧａＡｓ基板１１と、ＧａＡｓ基板１１の主表面１１ａ側に形成された第１のＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１２と、ＧａＡｓ基板１１の裏面１１ｂ側に形成された第２のＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ層１３とを備えている。ＡｌＧａＡｓ支持基板１０の製造方法は、以下の工程を備えている。ＧａＡｓ基板１１を準備する。主表面１１ａ側に、液相成長法により第１のＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１２を形成する。裏面１１ｂ側に、液相成長法により第２のＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ層１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長に寄与しなかった原料溶液を原料溶液受けに落下させる際の落下速度をコントロールすることで、基板表面に残る原料溶液を減らし、結晶欠陥部を少なくすることが可能な発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層を成長させた後、原料溶液溜４ａ，４ｂの上方から加重ブロック９ａ，９ｂにて原料溶液Ｌａ，Ｌｂに下方向の力を加えつつ基板５をスライドさせ、メルト落下穴７を通じて原料溶液Ｌａ，Ｌｂを落下させるようにした。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層原料に含まれる酸素を効果的に除去し、成長溶液中の酸素濃度を低減することによって、エピタキシャル層中の酸素不純物が少なく発光特性が良好なＬＥＤ用エピタキシャルウエハを高い歩留りで製造する。
【解決手段】ｐ型ＧａＡｓ基板上に、所望する発光波長に必要なＡｌ混晶比のｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、 ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層を有するエピタキシャルウエハを液相エピタキシー法により製造する方法であって、成長溶液の調合におけるドーパント材料および／またはアルミニウム材料の混合は、成長装置内で前記材料を所定の温度に加熱した状態で成長溶液に投入して行われ、前記所定の温度Ｔ〔単位：Ｋ〕を前記材料の融点Ｔ_ｍ〔単位：Ｋ〕に対して０．８Ｔ_ｍ≦Ｔ≦０．９９Ｔ_ｍの範囲とする。 （もっと読む）

【課題】面内膜厚の均一なウェハが得られるエピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２を収納するための基板ホルダー３の上部に、原料溶液Ｌを収納するための溶液ホルダー５を対向して設け、基板ホルダー３あるいは溶液ホルダー５をスライドして原料溶液Ｌに基板２を接触させ、基板２上に半導体結晶を成長させるエピタキシャルウェハの製造方法において、原料溶液Ｌに基板２側面の上部を接触させる製造方法である。 （もっと読む）

【課題】輝度低下要因の一つであるカーボン混入を低減させ、高輝度の発光素子（例えば、赤色ＬＥＤ）を作製するためのエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、活性層、クラッド層を含むエピタキシャル層を液相エピタキシャル成長法により順次成長させるエピタキシャルウエハの製造方法において、上記エピタキシャル層を成長させる際、上記エピタキシャル層内に取り込まれるカーボン量を３〜６×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｃの範囲とすべく、最高到達温度での保持時間を１．２５〜２ｈｒとし、その後降温させ、降温中に上記エピタキシャル層を成長させる方法である。 （もっと読む）

【課題】液相エピタキシャル成長において、装置構成が複雑にならずに、不要な多結晶析出物が原因であるウェハー表面の結晶薄膜の成長不良を抑えることができ、歩留り良く半導体単結晶薄膜を成長させるようにする。
【解決手段】原料溶液１に満たされた成長容器２内で半導体ウェハー３上に結晶薄膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法において、半導体ウェハー３表面に付着してエピタキシャル成長を阻害する大きさの多結晶体が入り込まないように、半導体ウェハー３を平行に間隔をおいて配置する。 （もっと読む）

【課題】輝度低下要因の一つである不要な不純物の混入を低減させ、高輝度な発光素子が得られるエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、半導体層を液相エピタキシャル法により順次形成するエピタキシャルウエハの製造方法において、基板２を収納するための成長治具３と原料溶液Ｌを収納するための溶液フォルダ５との互いに接触する面３ｕ，５ｄを、予め鏡面研磨加工しておく方法である。 （もっと読む）

【課題】１回の成長操作で複数枚のエピタキシャルウェハを作製して、成長効率を向上できること。
【解決手段】溶液ホルダ１２と２段の基板ホルダ１３Ａ、１３Ｂとを備えた成長治具１１の上記溶液ホルダ１２には、基板ホルダ１３Ａ、１３Ｂのそれぞれに対応して原料溶液を収容する溶液溜１５Ａ及び１６Ａと、１５Ｂ及び１６Ｂとがそれぞれ設けられ、各基板ホルダには、溶液溜内の原料溶液に接触可能に基板１７を載置する基板載置部１８が形成され、溶液ホルダ１２に対して基板ホルダ１３Ａ、１３Ｂを同時にスライドさせて原料溶液を基板に接触させることにより、基板ホルダ１３Ａ及び１３Ｂに載置された２枚の基板にエピタキシャル層を同時に成長させるものである。 （もっと読む）

【課題】原料溶液中の酸化物を減少して、作製されるエピタキシャルウェハの上記酸化物起因の欠陥を低減させること。
【解決手段】溶液ホルダ１２と基板ホルダ１３とを備えた成長治具１１の上記溶液ホルダ１２には、原料溶液１９Ａ、１９Ｂを収容する溶液溜１５Ａ、１５Ｂが設けられ、上記基板ホルダ１３には、上記溶液溜１５Ａ、１５Ｂ内の原料溶液１９Ａ、１９Ｂに接触可能に基板１６を載置する基板載置部１７が設けられ、上記溶液ホルダ１２と上記基板ホルダ１３をスライドさせて上記原料溶液を上記基板１６に接触させることにより、当該基板１６にエピタキシャル層を成長させる液相成長装置１０であって、上記溶液溜１５Ａ、１５Ｂの内壁面２０の表面粗さが、Ｒａ＝１．０〜３．０μｍに設定されて構成されたものである。 （もっと読む）

【課題】原料融液溜と融液中心部側との熱交換を促進する。
【解決手段】 原料融液溜８（９，１０）にエピタキシャル成長原料を投入してこの原料融液溜８（９，１０）の加熱により溶融した後、原料融液溜８（９，１０）の融液に基板７の成長面を接触させてエピタキシャル成長させるようにしたエピタキシャルウエハの製造方法において、前記原料融液溜８（９，１０）の融液に接する表面を原料融液溜の中心部側に拡大して、融液中心部側と前記原料融液溜との熱交換を促進する。 （もっと読む）

【課題】サイリスタ不良の発生を大幅に減少できるエピタキシャルウエハの製造方法及び発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】液相エピタキシャル成長装置内に設置したｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３を順次、液相エピタキシャル成長させた後、そのまま液相エピタキシャル成長装置内で再度温度を上昇させる熱処理を施してエピタキシャルウエハを作製する。エピタキシャル成長後、再度温度を上昇させる熱処理により、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２との組成界面付近のｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３に含まれる炭素のピーク濃度が下がるため、組成界面付近でｐ型変換層が発生せず、サイリスタ不良が発生しないエピタキシャルウエハが得られる。 （もっと読む）

【課題】 不純物である酸素を低減させ、赤色発光ダイオードを高輝度かつ高い歩留りで製造できるＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法及びＬＥＤ用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】 基板上に、ＡｌＧａＡｓ活性層、ＡｌＧａＡｓクラッド層を液相エピタキシャル法により順次形成するシングルヘテロ接合構造のエピタキシャルウェハを製造する方法において、エピタキシャル層成長前に成長炉内温度を２５０℃程度に約２時間保持し、その間に真空引き及びＨ₂ パージを連続的に行うことで原料溶液及びグラファイト成長治具の純化を行った後、成長させるようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】 基板を水平面内で回転させることにより、液相エピタキシャル成長におけるウェハ面内の特性の均一性を向上させるＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】 円形基板４を水平面内で回転しながら、上方のメルト部５に貯留されている原料融液６又は上方から供給される原料融液に接触させることにより、目的とするＡｌＧａＡｓ層、ＧａＰ層、ＧａＡｓＰ層などの化合物半導体層を液相で成長する。 （もっと読む）

【課題】 ガリウム砒素からなる基板の裏面からの砒素が抜けることを防止して、不良発生率の少ない発光ダイオードを製造することができる液相成長装置を提供すること。
【解決手段】 ガリウム砒素からなる基板を収容するための基板収納載置凹部１６を設けたスライダ１２と、原料溶液溜１５を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを、互いに対向させて相対的に摺動可能とし、原料溶液に基板１を接触させて基板１上に化合物半導体からなる半導体層を成長する液相成長装置において、上記スライダ１２の基板収納載置凹部１６の底面に、基板１の底面を下方から部分的に支持する基板ホルダ部１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】 冷却過程において原料溶液を撹拌する機構を備えることによって原料溶液の温度を均質化し、これにより、大面積の基板上でも、その上に成長されるエピタキシャル層の膜厚が周辺と中央とで差が生じないようにした液相成長装置を提供することにある。
【解決手段】 基板ホルダ１を有するスライダー２と、原料溶液溜を形成する原料溶液ホルダ３を有する原料溶液ホルダ保持体１１とを、互いに対向させて相対的に摺動可能とし、所定の温度から冷却しながら原料溶液６又は７に基板５を接触させて、基板５上に半導体のエピタキシャル層を成長する液相成長装置において、上記原料溶液ホルダ３に、原料溶液を基板５に接触させた後の冷却過程において原料溶液６、７を撹拌する羽根９を原料溶液溜中に有する撹拌機構１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】 基板表面の酸化膜及び不純物を最小限に除去できる液相エピタキシャル成長方法を提供することにある。
【解決手段】 ＧａＡｓ基板４上にＡｌＧａＡｓ層を液相エピタキシャル法によりエピタキシャル成長するに際し、上記ＡｌＧａＡｓ層の成長開始温度をＡｌ及びＡｓが飽和溶解する温度よりも１〜１０℃高めることで、基板４の表面を溶解しながら成長させる。 （もっと読む）