【課題】原料溶液中の酸化濃度を低減し、赤色発光ダイオードを高い歩留りで製造する液相成長方法及び液相成長装置を提供すること。
【解決手段】ＧａＡｓ基板を収容する基板ホルダ１２と、原料溶液溜１５を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを対向させ、且つ相対的に摺動可能としたエピタキシャル成長装置を用いて、Ａｌを含む化合物半導体のエピタキシャル層を成長する液相成長方法において、原料溶液溜１５と別の場所にＡｌをチャージし、昇温途中でＡｌを原料溶液溜に混ぜる。このＡｌを原料溶液溜に混ぜる温度は好ましくは５５０℃〜６５０℃とする。 （もっと読む）

【課題】 ボトムアップ系とトップダウン系との利点を最大限活かすことができる高機能の機能素子の製造に用いて好適な薄膜積層構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 円柱状または多角柱状の基体５３を回転させながらノンレシプロカルな工程で薄膜を累積することにより、一体化した薄膜積層構造体を製造する。薄膜の厚さは例えば１０００ｎｍ以下とする。薄膜の累積はＬＢ法または交互吸着法により行う。ＬＢ法では薄膜として単分子膜を累積する。この薄膜積層構造体を用いて記憶素子や太陽電池などの機能素子を構成する。 （もっと読む）

溶融装置アセンブリは、溶融したソース材料の装入材料を、結晶性の物体の製造に使用する結晶製造装置に供給する。溶融装置アセンブリは、ハウジングと、該ハウジングの中に配置されたルツボを有している。該ルツボの中に入れられた固体ソース材料を溶融させるために、ルツボに対してヒータが配置されている。ルツボが溶融したソース材料の流れを制御するためのノズルを有していることによって、溶融したソース材料の特定の流れを選択された流量で結晶製造装置へ供給することができる。結晶製造装置に溶融したソース材料を装入する方法、および１つの溶融装置アセンブリによって複数の結晶製造装置へ供給する方法を提供する。
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【課題】 高品位であり、製造効率も高く、しかも半導体製造プロセスの基板として使用可能で、有用なIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 III族窒化物結晶の製造方法において、組成式Ａｌ_sＧａ_tＩｎ_1-s-tＮ（ただし、０≦ｓ≦１、０≦ｔ≦１、ｓ＋ｔ≦１）で表される半導体からなる第１の層１１を形成し、窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも１つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融液に第１の層１１の表面を接触させることによって、第１の層１１よりも転位密度等の結晶構造の欠陥が大きい第２の層１２を形成し、窒素を含む雰囲気下において、上記融液中で、組成式Ａｌ_uＧａ_vＩｎ_1-u-vＮ（ただし、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、ｕ＋ｖ≦１）で表される半導体からなり転位密度等の結晶構造の欠陥が第２の層１２よりも小さい第３の層１３を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ基板裏面からのＡｓ抜けを防止して特性不良の少ない発光ダイオードを製造することができる液相エピタキシャル成長方法を提供すること。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１を収容する基板ホルダ１２と、原料溶液溜１５を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを対向させ、且つ相対的に摺動可能としたエピタキシャル成長装置を用いて、化合物半導体のエピタキシャル層を成長する液相エピタキシャル成長方法において、所定の温度から冷却しながら成長用原料溶液にＧａＡｓ基板１を接触させて基板上にエピタキシャル層を成長するに際し、前記ＧａＡｓ基板１の裏面に予めＳｉＯ₂膜５を設けておき、成長中におけるＧａＡｓ基板１の裏面からのＡｓ抜けを防止する。 （もっと読む）

【目的】裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法にあって、ＣＢＤ法によりバッファ層を形成するに際して、溶液の混合および温度を制御することによって光吸収層の界面へのｎ型ドーパントの拡散とバッファ層の形成の最適化を図って接合性の良い特性の安定したｐｎ接合を得ることができるようにする。
【構成】光吸収層の界面へｎ型ドーパントを拡散させる第１の工程と、表面反応律速領域による第１のバッファ層６１を形成する第２の工程と、供給律速領域による第２のバッファ層６２を第１のバッファ層に重ねて形成する第３の工程とをとるようにする。 （もっと読む）