【課題】本発明は、一つ以上の発色団によって感光性が与えられた感光性半導体薄膜の製造方法に関する。
【解決手段】
ａ）金属酸化物、半金属酸化物及びそれらの混合物から選択された、一つ以上の半導体酸化物の前駆体のゾル−ゲル重合によって得られた溶液の少なくとも一つのフィルムを、支持体へ沈着する段階と、
ｂ）ａ）で得られたフィルムに対する乾燥段階と、
ｃ）ｂ）で得られたフィルムに対する液体または気体媒体中で行われる酸性、塩基性または中性処理段階と、
ｄ）ｃ）で得られたフィルムを一つ以上の発色団を含む溶液に接触させることによって、前記発色団によって前記フィルムに感光性を与える段階と、
を連続して含む少なくとも一サイクルを有する感光性半導体薄膜の製造方法。 （もっと読む）

窒素を含む雰囲気下において、Ｇａ、ＡｌおよびＩｎから選ばれる少なくとも一つのＩＩＩ族元素とアルカリ金属とを含むフラックスに、Ｍｇを含有させ、そのフラックス中でＩＩＩ族窒化物結晶を成長し、ＩＩＩ族窒化物基板を形成する。Ｍｇは、ＩＩＩ族窒化物結晶のＰ型ドーピング材料であるため、結晶にＭｇが混入しても、結晶はＰ型若しくは半絶縁性の電気特性を示し、電子デバイス応用において問題となることがない。また、前記フラックスにＭｇを含有させることで、フラックス中への窒素の溶解量が増大し、速い成長レートでの結晶成長が可能となり、結晶成長の再現性も向上する。 （もっと読む）

第１ステージと第２ステージとを有する、ツリーの形態を持つナノ構造を形成する方法。第１ステージは、基板表面上に少なくとも１つの触媒粒子を供給し、かつ、各触媒粒子を介して第１ナノウィスカーを成長させる工程を含む。第２ステージは、各第１ナノウィスカーの周囲に、１つ以上の第２触媒粒子を供給し、各第１ナノウィスカーの周囲から横方向に伸びる第２ナノウィスカーを成長させる工程を含む。更なるステージは、以前のステージのナノウィスカーから伸びる１つ以上のさらなるナノウィスカーを成長させる工程を含み得る。ヘテロ構造は、ナノウィスカー中に形成され得る。このようなナノ構造は、太陽電池アレイまたは光放出フラットパネルのコンポーネントを形成し得る。その構造において、ナノウィスカーは光電性材料から形成される。神経ネットワークは、複数の第１ナノウィスカーを近くに一緒に配置し、連続するステージで成長したナノウィスカーを通して隣接するツリーが互いに接触し、ナノウィスカー内のヘテロ結合が電流の流れに対してトンネル障壁を形成するようにすることによって、形成され得る。
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