【課題】高品質の有機薄膜を、効率よく得る半導体デバイス用有機薄膜の作製装置およびこの装置も用いた半導体デバイス用有機薄膜の作製方法を提供する。
【解決手段】被製膜基板３０表面に、有機分子からなる単分子層を、化学結合を介して少なくとも１層積層し、有機薄膜を形成させるための半導体デバイス用有機薄膜の作製装置であり、前記装置は、前記被製膜基板３０を保持するための基板ステージ３１１と、前記有機分子を含有する流体を前記装置内に導入する手段３３と、前記化学結合を形成させる際に生じる副生成物を前記装置から除去する手段３２２と、前記装置内の流体を排出する手段３４とを備える。 （もっと読む）

【課題】低分子化合物を用いて高効率な有機薄膜光電変換素子を提供する。
【解決手段】π共役系低分子化合物を塗布成膜した後に、該π共役系低分子化合物から置換基の一部または全部を脱離させることにより有機半導体薄膜へと変換し、該膜上に別の半導体材料を成膜することにより光電変換層を作製した有機薄膜光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】溶液プロセスでの素子作製に適した溶解性を有しながら、成膜後に化学的安定性および半導体動作安定性が高く良好な半導体特性を示す、特定の化合物を用いて得られる結晶性有機薄膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）基板上に、溶媒可溶性化合物を溶媒に溶かした溶液を塗布する工程、（ｉｉ）前記溶媒可溶性化合物を脱離反応させて溶媒不溶化し有機薄膜を形成する工程、及び（ｉｉｉ）前記有機薄膜上に、溶媒可溶性化合物を溶媒に溶かした溶液を塗布し、脱離反応させて結晶性有機薄膜を積層する工程を含む、結晶性有機薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】一の基板上の各部において、処理条件を変えることができる処理装置を提供する。また、一の基板上の各部において、処理条件を変えることができる処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る処理装置は、天井部(105a)と、側壁部(105b)と、前記天井部と側壁部とで構成される処理空間を複数の処理室に分割する仕切り壁(105c)と、前記側壁部に設けられた排出孔(110)と、前記複数の処理室にそれぞれ接続された複数の第１のガスライン(107)と、を有するカバー(105)で、基板(100)の処理領域(E)を覆い、前記基板上に吐出された複数の吐出液(d)を前記処理室毎に処理する。かかる構成(方法）によれば、複数の処理室毎に処理条件を変化させることができ、成膜条件の最適化を容易に行うことができる。また、各処理室において、処理条件を変化させることで異なる膜を形成することができる。よって、半導体装置などの製造工程において、工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】一の基板上の各部において、処理条件を変えることができる処理装置を提供する。また、一の基板上の各部において、処理条件を変えることができる処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る処理装置は、天井部(105a)と、側壁部(105b)と、前記天井部と側壁とで構成される処理空間を複数の処理室に分割する仕切り壁(105c)と、前記複数の処理室にそれぞれ接続された複数のガスライン(107)と、を有するカバー(105)で、基板(100)の処理領域(E)を覆い、前記基板上に吐出された複数の吐出液(d)を前記処理室毎に処理する。かかる構成(方法）によれば、複数の処理室毎に処理条件を変化させることができ、成膜条件の最適化を容易に行うことができる。また、各処理室において、処理条件を変化させることで異なる膜を形成することができる。よって、半導体装置などの製造工程において、工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉ濃度が低い自立ＺｎＯ単結晶を提供する。
【解決手段】溶質であるＺｎＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液８に、種結晶基板７を直接接触させ、種結晶基板７を連続的あるいは間欠的に引上げることによって、液相エピタキシャル成長法によりＺｎＯ単結晶を種結晶基板７上に成長させることができる。ＺｎＯ単結晶を成長させた後、基板７を研磨またはエッチングで除去し、単結晶の液相エピタキシャル成長した−ｃ面側を研磨あるいはエッチングすることにより、自立ＺｎＯ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】膜厚の限界まで薄膜化することのできる有機薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】先ず、導電性高分子材料とこの導電性高分子材料の溶解性を高めるための絶縁性の高分子材料からなるドーパントとを溶媒に溶解した溶液を基板Ｗの表面に供給すると共に、当該基板Ｗを回転させ、その遠心力により溶液を展伸させてコロイド粒子の凝集体を基板Ｗの外に飛散させ、前記基板Ｗの表面に１次コロイド粒子の単層からなる塗布膜６を形成する。続いて前記基板Ｗを加熱して前記塗布膜６中の溶媒を除去し、有機薄膜６１を形成する。また前記溶液を基板Ｗの中心部に供給する前に、当該溶液に対して基板Ｗの表面の濡れ性を高めるためにプリウエット液Ｓを供給すると共に、当該基板Ｗを回転させて前記プリウエット液Ｓを基板Ｗの表面に塗布してもよい。 （もっと読む）

【課題】少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物種結晶を含み、ＩＩＩ族窒化物種結晶は主領域１ｓと主領域１ｓに対して＜０００１＞方向の極性が反転している極性反転領域１ｔとを有する下地基板１を準備する工程と、下地基板１の主領域１ｓおよび極性反転領域１ｔ上に液相法によりＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程を含み、ＩＩＩ族窒化物結晶１０は、酸化物の反応容器７内で成長され、主領域１ｓ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の大きい第１の領域１０ｓが、極性反転領域１ｔ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の小さい第２の領域１０ｔを覆う。 （もっと読む）

【課題】発光特性および色純度が画期的に向上したナノ結晶を提供する。
【解決手段】化合物半導体から構成されるナノ結晶コアと、前記ナノ結晶コアの周囲に形成される非半導体物質から構成されるバッファ層と、を含むことを特徴とするナノ結晶とその製造方法およびそれを含む電子素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来技術の複雑な工程を必要とせず、低コストで高品質なIII族窒化物結晶、その製造方法及びそれを用いたデバイスを提供する。
【解決手段】反応容器１０１内には、III族金属としてのＧａとフラックスとしてのＮａの混合融液１０２があり、結晶成長可能な温度に制御できるように加熱装置１０６が具備され、窒素原料としては窒素ガスを用いている。窒素ガスは窒素供給管１０４を通して、反応容器１０１外から反応容器１０１内の空間１０３に供給することができ、この時、窒素圧力を調整するために、圧力調整機構１０５が備えられている。これにより、III族窒化物の薄膜結晶成長用の基板となるIII族窒化物結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】陰イオンをＯサイトへ添加することが可能で、電気特性や光学特性等の改善を図ることが可能な酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】液相エピタキシャル法を用いた酸化亜鉛単結晶の製造方法において、亜鉛を含む原料溶液２として、リン酸塩を含む原料溶液２を用い、液相で酸化亜鉛単結晶をエピタキシャル成長させる。また、リン酸塩として、亜鉛のリン酸塩および／または亜鉛以外の物質のリン酸塩を用いる。また、リン酸塩として、Ｚｎ₃（ＰＯ₄）₂を用いる。 （もっと読む）

【課題】塗布法によりゲルマニウム膜を形成するための成膜法、そのためのゲルマニウムポリマーとその製造法を提供する。
【解決手段】テトラハロゲン化ゲルマニウムと、式ＲＱＸ_ｎ（ここで、Ｒは１価の有機基であり、Ｑはゲルマニウム原子またはマグネシウム原子を表し、Ｘはハロゲン原子を表し、ｎは１または３である）で表わされる有機金属ハライドと、リチウムおよび／またはマグネシウムを反応させる第１工程および第1工程で得られた反応生成物をＬｉＡｌＨ_４で処理する第２工程により、ゲルマニウムポリマーを製造する。また、このゲルマニウムポリマーの溶液を基体表面上に塗布し、加熱し次いで熱および／または光で処理してゲルマニウム膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】動作効率や静電耐圧性能の高い半導体光素子を提供する。
【解決手段】フラックス法により混合フラックスとIII族元素とを攪拌混合しながらIII族窒化物系化合物半導体結晶を結晶成長させて製造した光素子基板１０１はＳｉドープの厚さ約３００μｍのｎ型ＧａＮ結晶から成り、その上には、アンドープIn_0.1Ga_0.9N から成る層とアンドープGaN から成る層とを交互に２０ペア積層することによって構成された膜厚９０ｎｍの多重層１０５が形成されており、その上には、アンドープＧａＮから成る障壁層とアンドープIn_0.2Ga_0.8N から成る井戸層とが順次積層された多重量子井戸層１０６が形成されている。また、Ｍｇドープのｐ型Al_0.2Ga_0.8N から成るｐ型層１０７の上には、アンドープのAl_0.02Ga_0.98N から成る層１０８を形成した。ｐ側の電極は、ｐ型ＧａＮ層１１１の上に積層したＩＴＯからなるＩＴＯ電極１２０で構成した。 （もっと読む）

【課題】化学的および電気的に安定し、信頼性のある有機半導体薄膜を製造することができる新規な芳香族エンジイン誘導体を提供する。
【解決手段】下記化学式１〜化学式３のいずれかで表わされる芳香族エンジイン誘導体。
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【課題】カルシウムがドープされた強いｐ型のＳｒＣｕ_２Ｏ_２薄膜を製造する。
【解決手段】Ｃａ（ＯＡｃ）_２・Ｈ_２Ｏ、Ｓｒ（ＯＡｃ）_２、Ｃｕ（ＯＡｃ）_２・Ｈ_２Ｏ、および酢酸を調製し（１２）、これらを、混合した後に還流する（１４）。そして、溶液を濾過する（１８）。以上により得られた溶液をウェーハ上に塗布し（２２）、次いで、該ウェーハをベーキングして溶剤成分を蒸発させる（２８）。続いて、フォーミングガス中においてアニール処理を行う（３０）。最後に窒素雰囲気中において瞬間的に酸素を供給する（３２）。 （もっと読む）

【課題】 良好な電気的性能を有する半導体デバイスを効率よく製造する。
【解決手段】 下記一般式Ｉ及び一般式IIで表される金属アルコキシド化合物（一般式Ｉ及び一般式IIで表される化合物はその一部が連結して複合アルコキシドを形成していてもよい）を含有し、１〜１００ｍＰａ・ｓの粘度を有する金属アルコキシド溶液を用いて半導体デバイスを作製する。
Ｚｎ（ＯＲ¹）₂ ・・・［Ｉ］
Ｍ（ＯＲ²）₃ ・・・［II］
（式中、Ｍはアルミニウム、鉄、インジウム及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率Ｚｎ／Ｍが０．２〜１０の範囲である。Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数が１〜２０の置換、又は無置換のアルキル基を表す。） （もっと読む）

【課題】電荷輸送性、発光性に優れる新規な芳香族重合体の提供。
【解決手段】下記式（１）で示される繰り返し単位を１種類以上含む、芳香族グラフト重合体。


（式中、Ａｒ¹は下記式（２）で表される側鎖を有する２価のπ共役系環状化合物残基を表し、該側鎖は、Ａｒ¹で表される２価のπ共役系環状化合物残基の環構造の環内に含まれる炭素原子であって、ｓｐ²混成軌道を有する該炭素原子に結合している。


（式中、Ａｒ²は２価のπ共役系環状化合物残基を有する基を表し、Ｘ¹は直接結合、又はＮＱ¹−、−ＰＱ²−、−ＢＱ³−からなる２価の基を表す。Ｚは直接結合、又は２価の連結基を表す。ｋは３以上の整数を表し、Ｅ¹は水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。）） （もっと読む）

【課題】 新規な液相合成ナノ粒子の製造方法および半導体表面の被覆方法と、それにより得られた発光可能な半導体ナノ粒子または半導体被覆を用いた発光素子の提供。
【解決手段】 不活性有機溶媒中において、半導体元素を含んでなる分子と還元剤とを化学反応させて半導体ナノ粒子または半導体被覆を形成させるに際し、前記半導体分子と前記還元剤とを、前記半導体分子に含まれる半導体元素のモル数Ａに対する前記還元剤の当量数Ｂの比Ｂ／Ａが、３以上４以下となるようにして、０℃以下の反応温度で反応させる。還元剤には不活性有機溶媒に可溶なものを用い、均一反応が起きる条件で、所望のナノ粒子を得ることができる。また、半導体材料を不活性有機溶媒中に浸漬し、前記の比Ｂ／Ａを１以上４以下とすることで、半導体材料の表面に半導体元素を含む被覆層を形成させることができる。 （もっと読む）

複数の半導体デバイスを有する電子的な基板を得るための方法および装置が、説明される。ナノワイヤ薄膜が、基板上に形成される。ナノワイヤ薄膜は、動作電流レベルを達成するのに十分なナノワイヤの密度を有するように形成される。複数の半導体領域が、ナノワイヤ薄膜に画定される。コンタクトが、半導体デバイス領域において形成され、それによって、電気的な接続を複数の半導体デバイスに提供する。さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、ｐ型ドーピングナノワイヤおよびｎ型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。
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【課題】 導電性を向上させたＰ型有機半導体材料の改質方法及びその薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】 銅フタロシアニン（化式1）、もしくはポリチオフェン（化式３）とサリチル酸亜鉛を混合し溶解させた後、基板上にスピンコート法により薄膜をし、その後オーブンで加熱し溶媒を除去した。もしくはポリチオフェン薄膜を形成後、ポリチオフェンに溶解性のあるクロロホルムを適量含む混合溶媒で用いたサリチル酸亜鉛溶液を滴下して半導体薄膜を得た。 （もっと読む）