III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶基板およびIII族窒化物半導体デバイス
【課題】少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本III族窒化物結晶の製造方法は、III族窒化物種結晶を含み、III族窒化物種結晶は主領域1sと主領域1sに対して<0001>方向の極性が反転している極性反転領域1tとを有する下地基板1を準備する工程と、下地基板1の主領域1sおよび極性反転領域1t上に液相法によりIII族窒化物結晶10を成長させる工程を含み、III族窒化物結晶10は、酸化物の反応容器7内で成長され、主領域1s上に成長するIII族窒化物結晶10の成長速度の大きい第1の領域10sが、極性反転領域1t上に成長するIII族窒化物結晶10の成長速度の小さい第2の領域10tを覆う。
【解決手段】本III族窒化物結晶の製造方法は、III族窒化物種結晶を含み、III族窒化物種結晶は主領域1sと主領域1sに対して<0001>方向の極性が反転している極性反転領域1tとを有する下地基板1を準備する工程と、下地基板1の主領域1sおよび極性反転領域1t上に液相法によりIII族窒化物結晶10を成長させる工程を含み、III族窒化物結晶10は、酸化物の反応容器7内で成長され、主領域1s上に成長するIII族窒化物結晶10の成長速度の大きい第1の領域10sが、極性反転領域1t上に成長するIII族窒化物結晶10の成長速度の小さい第2の領域10tを覆う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、転位密度が低いIII族窒化物結晶の製造方法、この製造方法により得られるIII族窒化物結晶基板およびこのIII族窒化物結晶基板を含むIII族窒化物半導体デバイスに関する。
【背景技術】
【0002】
III族窒化物結晶は、発光素子(発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)など)、電子素子(整流器、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ、高電子移動度トランジスタ(HEMT)など)、半導体センサ(温度センサ、圧力センサ、放射線センサ、可視−紫外光検出器など)、表面弾性波デバイス(SAWデバイス)、加速度センサ、微小電気機械部品(MEMS部品)、圧電振動子、共振器、圧電アクチュエータなどに利用が可能である。ここで、上記各種デバイスの特性を向上させるために、転位密度の低いIII族窒化物結晶が求められている。
【0003】
転位密度の低いIII族窒化物結晶の製造方法として、以下の方法が提案されている。特開2003−183100号公報(以下、特許文献1という)は、下地基板上に規則正しくストライプマスクパターンを設けて、その上に複数のファセットからなる直線状のV溝を形成し、このV溝を維持しながらGaN結晶を気相成長させ、V溝の直下にGaN結晶内の転位を集合させて(転位が集中している領域を結晶欠陥集合領域という)その周囲の転位密度を低減するファセット成長方法を開示する。
【0004】
特許文献1の上記ファセット成長方法は、結晶欠陥集合領域以外の領域の転位密度は1×105cm-2程度に低減できるが、結晶欠陥集合領域の転位密度は高い。また、かかる欠陥集合領域は、その領域以外の領域に対して<0001>方向の極性が反転している場合が多い。このため、ファセット成長により得られたGaN結晶の基板上にIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させることが難しく、半導体デバイスの歩留まりが低い。
【0005】
また、特開平10−312971号公報(以下、特許文献2という)は、サファイアなどにGaN薄膜が形成された下地基板を準備し、この下地基板上により開口部を有するSiO2などのマスクを形成し、GaN結晶を開口部からマスク上を横方向にエピタキシャル成長させるエピタキシャルラテラルオーバーグロース(ELO)法を開示する。
【0006】
特許文献2の上記ELO法は、歪みおよびクラックを発生することなく横方向の結晶成長が可能となり、下地基板に直接GaN結晶を成長させる場合に比べて転位密度が低減するが、横方向に成長した結晶が合体する部分で新たな転位が発生するため、転位密度を1×107cm-2以下にすることが困難である。このため、かかるGaN結晶の基板は、LDの基板として実用化が困難である。
【0007】
また、米国特許第5868837号明細書(以下、特許文献3という)は、600℃〜800℃程度の温度と5MPa程度の窒素ガス圧力雰囲気下で、Ga−Na融液に窒素ガスを供給してGaN結晶を成長させるナトリウムフラックス法を開示する。
【0008】
特許文献3の上記ナトリウムフラックス法は、液相法としては比較的穏やかな温度および圧力条件で、転位密度の低い低欠陥のGaN結晶を成長させる可能性があるが、その結晶成長速度が低いため、大型のGaN結晶を得ることが困難である。
【0009】
さらに、特開2004−221480号公報(以下、特許文献4という)は、異なる極性A,B部分が混在する出発基板を、いずれか一方の極性部分の全部または一部をエッチングにより除去した骨格基板を形成し、この骨格基板上に基板と同じ材料の結晶を成長させることにより、上記除去部を他方の極性を有する結晶で埋め込み、表面全体が他方の極性を有する結晶が得られることを開示する。しかし、特許文献4の方法は、一方の極性部分は他方の極性部分に対して<0001>方向の極性が反転している部分であるため、その部分を気相法による結晶成長により埋め込む場合には、その部分の極性(一方の極性)を引き継いだ成長が起こる。したがって、結晶表面全体が他方の極性を有する結晶で覆われる程度に、エッチングによりその基板の一方の極性部分の全部または一部を深く除去することが必要であり、その製造方法が煩雑となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0010】
【特許文献1】特開2003−183100号公報
【特許文献2】特開平10−312971号公報
【特許文献3】米国特許第5868837号明細書
【特許文献4】特開2004−221480号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
本発明は、上記問題点を解決し、少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のIII族窒化物結晶の製造方法、この製造方法により得られるIII族窒化物結晶基板およびこのIII族窒化物結晶基板上を含むIII族窒化物半導体デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明は、III族窒化物種結晶を含み、III族窒化物種結晶は主領域と主領域に対して<0001>方向の極性が反転している極性反転領域とを有する下地基板を準備する工程と、下地基板の主領域および極性反転領域上に液相法によりIII族窒化物結晶を成長させる工程を含み、III族窒化物結晶は、酸化物の反応容器内で成長され、主領域上に成長するIII族窒化物結晶の成長速度の大きい第1の領域が、極性反転領域上に成長するIII族窒化物結晶の成長速度の小さい第2の領域を覆うことを特徴とするIII族窒化物結晶の製造方法である。
【0013】
本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法において、下地基板は、極性反転領域の表面が、主領域の表面に比べて窪んでいるものとできる。また、下地基板の{0001}面において、極性反転領域は複数のストライプ状領域であり、各ストライプ状領域が互いに平行に周期的に配置され得る。また、下地基板の{0001}面において、極性反転領域は複数のドット状領域であり、各ドット状領域が二次元的に周期的に配置され得る。また、下地基板の{0001}面において、極性反転領域は二次元的に稠密に配置されている正六角形の六辺部分であり得る。
【0014】
さらに、本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法において、III族窒化物結晶を1μm以上の厚さに成長させることができる。また、III族窒化物結晶はその表面の抵抗率を0.01Ω・cm以下とすることができる。
【0015】
さらに、本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法において、下地基板上に液相法で成長させたIII族窒化物結晶を気相法でさらに成長させる工程を含むことができる。
【0016】
また、本発明は、上記の製造方法により得られるIII族窒化物結晶を加工して得られるIII族窒化物結晶基板である。ここで、III族窒化物結晶の加工は、III族窒化物結晶を切断または劈開することを含むことができる。また、本発明は、上記のIII族窒化物結晶基板上に、少なくとも1層のIII族窒化物半導体層が形成されているIII族窒化物半導体デバイスである。
【発明の効果】
【0017】
本発明によれば、少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のIII族窒化物結晶の製造方法、この製造方法により得られるIII族窒化物結晶基板およびこのIII族窒化物結晶基板を含むIII族窒化物半導体デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法の一実施形態を示す概略断面図である。ここで、(a)は下地基板を準備する工程を示し、(b)は液相法によりIII族窒化物結晶を成長させる工程を示す。
【図2】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法の他の実施形態を示す概略断面図である。ここで、(a)は下地基板を準備する工程を示し、(b)は液相法によりIII族窒化物結晶を成長させる工程を示す。
【図3】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法において用いられる下地基板における極性反転領域の配置の一例を示す概略平面図である。
【図4】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法において用いられる下地基板における極性反転領域の配置の他の例を示す概略平面図である。
【図5】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法において用いられる下地基板における極性反転領域の配置のさらに他の例を示す概略平面図である。
【図6】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法において用いられる下地基板における極性反転領域の配置のさらに他の例を示す概略平面図である。
【図7】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法において用いられる下地基板における極性反転領域の配置のさらに他の例を示す概略平面図である。
【図8】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法において用いられる下地基板における極性反転領域の配置のさらに他の例を示す概略平面図である。
【図9】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法において用いられる下地基板における極性反転領域の配置のさらに他の例を示す概略平面図である。
【図10】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法のさらに他の実施形態を示す概略断面図である。ここで、(a)は下地基板上に液相法により成長されたIII族窒化物結晶を示し、(b)はIII族窒化物結晶基板を形成する工程を示す。
【図11】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法のさらに他の実施形態を示す概略断面図である。ここで、(a)は下地基板上に液相法により成長されたIII族窒化物結晶を示し、(b)は液相法により成長されたIII族窒化物結晶をさらに気相法で成長させる工程を示し、(c)はIII族窒化物結晶基板を形成する工程を示す。
【図12】本発明にかかるIII族窒化物半導体デバイスの一例を示す概略断面図である。
【図13】本発明にかかるIII族窒化物半導体デバイスの他の例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
(実施形態1)
本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法の一実施形態は、図1を参照して、III族窒化物種結晶を含み、III族窒化物種結晶は主領域1sと主領域1sに対して<0001>方向の極性が反転している極性反転領域1tとを有する下地基板1を準備する工程(図1(a))と、下地基板1の主領域1sおよび極性反転領域1t上に液相法によりIII族窒化物結晶10を成長させる工程(図1(b))を含む。ここで、主領域1s上に成長するIII族窒化物結晶10の成長速度の大きい第1の領域10sが、極性反転領域1t上に成長するIII族窒化物結晶10の成長速度の小さい第2の領域10tを覆うことを特徴とする。
【0020】
実施形態1は、主領域1sと主領域1sに対して<0001>方向の極性が反転している極性反転領域1tを有するIII族窒化物結晶を含む下地基板1上に、液相法によりIII族窒化物結晶10を成長させる。具体的には、まず、反応容器7内に下地基板1を配置し、下地基板1のまわりにIII族元素を含有する結晶成長用液体2を形成する。次に、結晶成長用液体2に窒素含有ガス3を供給して、下地基板1上にIII族窒化物結晶10を成長させる。また、結晶成長用液体2に窒素含有物(たとえば、III族窒化物)を溶解させて、下地基板上にIII族窒化物結晶を成長させてもよい。
【0021】
かかる下地基板1は、たとえば、III族窒化物種結晶が、特許文献1の段落0221から0271の記載のように、ハイドライド気相成長(HVPE)法によるファセット成長法により作製され、III族窒化物種結晶の主領域1sは転位密度が低く、III族窒化物種結晶の極性反転領域1tは主領域1sに比べて転位密度が高くなっている。なお、図1においては、下地基板1が主領域1sと極性反転領域1tとで形成されるIII族窒化物結晶である場合を図示しているが、III族窒化物結晶以外の異種基板上に主領域1sと極性反転領域1tとで形成されるIII族窒化物結晶が形成されている下地基板(図示せず)を用いることもできる。
【0022】
下地基板1の主領域1s上に成長するIII族窒化物結晶10の第1の領域10sは、主領域1sの極性と低転位密度を引き継いで結晶成長する。また、下地基板1の極性反転領域1t上に成長するIII族窒化物結晶10の第2の領域10tは、極性反転領域1tの極性と高転位密度を引き継いで結晶成長する。したがって、III族窒化物結晶10の第2の領域10tは、第1の領域10sに対して<0001>方向の極性が反転しており、また、転位密度が高くなっている。
【0023】
しかし、第1の領域10sの結晶成長速度は、第2の領域10tの結晶成長速度よりも大きい。このため、III族窒化物結晶10の成長とともに、第1の領域10sが、第2の領域10tを覆い、埋め込む。このようにして、III族窒化物結晶10を成長させることにより、ある結晶厚さ以上においては、第1の領域10sのみが存在するため、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度が低いIII族窒化物結晶が得られる。すなわち、本実施形態においては、第1の領域10sの結晶成長速度が第2の領域10tの結晶成長速度よりも大きいことに着目することにより、特許文献4に示すような下地基板の一方の極性を有する領域部分の全部または一部の深い除去を行なうことなく、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度が低いIII族窒化物結晶を得ることが可能となる。
【0024】
このように、本発明者は、液相法によるIII族窒化物結晶の成長においては、種結晶の極性反転領域上への結晶成長速度と、主領域上への結晶成長速度との間に大きな差が出るという新たな現象を発見した。この発見を利用して、部分的に欠陥密度が高い極性反転領域を持つ種結晶を準備し、極性反転領域を埋め込み、少なくとも表面では全面で単一な極性で、全面に低転位密度となる結晶を製造する技術を提供することが、本発明の特徴のひとつである。
【0025】
ここで、III族窒化物結晶の成長において、第2の領域10tが第1の領域10sにより覆われてしまうときの結晶の厚さ(第2領域被覆結晶厚さともいう、以下同じ)は、極性反転領域1tの表面の面積、III族窒化物結晶10の結晶成長条件により決まる。
【0026】
実施形態1において、下地基板1上にIII族窒化物結晶10を成長させるための液相法は、特に制限はないが、III族窒化物結晶が融液となるような高温高圧の条件を、実用的な2インチ径の結晶を作製できる設備で発生させることは困難であるため、溶液成長法を用いることが好ましい。さらに、作業の安全性の観点から、溶液には主にIII族元素を含む融液を用いることが特に好ましい。
【0027】
上記実施形態1において、下地基板1に含まれるIII族窒化物種結晶における主領域1sと極性反転領域1tの配置については、特に制限はないが、III族窒化物結晶10の成長の際に、第1の領域10sが第2の領域10tを効率よく覆うようにする観点から、以下の実施形態のような配置とすることが好ましい。
【0028】
(実施形態1A)
下地基板1における極性反転領域1tの配置の一実施形態は、図3〜図5を参照して、下地基板1の{0001}面において、極性反転領域1tは複数のストライプ状領域1ta,1tbであり、各ストライプ状領域1ta,1tbが互いに平行に周期的に配置されている。均一な結晶成長を行なう観点から、各ストライプ状領域1ta,1tbは、一定の幅Wを有し、一定のピッチPで平行に配置されていることが好ましい。また、各ストライプ状領域1ta,1tbのストライプ方向は、特に制限ないが、極性反転領域を安定して成長させる観点から、<1−100>方向または<11−20>方向に平行であることが好ましい。液相成長においては、HVPE法などの量産性の高い気相法に比べて、成長速度が遅いため、結晶構造を反映した晶癖が出やすく、結晶成長面上に六角柱状または六角台形状の凸部(図示せず)が形成されやすいが、この凸部の側面は、<0001>方向に垂直な方向とともに<1−100>方向に垂直な方向に主に結晶成長することから、III族窒化物結晶10の成長において、第1の領域10sが互いに平行な面で接合するため、第1の領域10sの成長が促進されるからである。
【0029】
各ストライプ領域のストライプ方向が、<1−100>方向に平行な例を図3に示し、<11−20>方向に平行な例を図4に、<1−100>方向から<11−20>方向に45°回転した方向に平行な例を図5に示す。
【0030】
(実施形態1B)
下地基板1における極性反転領域1tの配置のさらに他の実施形態は、図6および図7を参照して、下地基板の{0001}面において、極性反転領域1tは複数のドット状領域1tm,1tnであり、各ドット状領域1tm,1tnが二次元的に周期的に配置されている。極性反転領域1tがドット状領域1tm,1tnとして配置されていることにより、ストライプ状領域として配置される場合(実施形態1A)に比べて、主領域1sの表面の面積を大きくすることができ、成長させるIII族窒化物結晶の第1の領域10s(低転位密度の領域)の表面の面積が大きくなり、III族窒化物結晶の厚さがより小さくても、第2の領域(高転位密度の領域)を覆うことができる。
【0031】
ここで、二次元的に周期的な配置には、特に制限はない。図6においては、直径Wの各ドット状領域1tm,1tnは、その中心が二次元的に稠密に配置された一辺がPの正方形1fの各頂点に位置するように配置されている。ここで、上記の正方形1fのいずれかの対向する2辺の方位は<1−100>方向に平行である。換言すれば、直径Wの各ドット状領域1tm,1tnは、<1−100>方向および<11−20>方向に、一定のピッチPで配置されている。
【0032】
また、図7に示すように、直径Wの各ドット状領域1tm,1tnは、極性反転領域へ転位を収束させやすくする観点から、その中心が二次元的に稠密に配置された一辺がPの正三角形1gの各頂点に位置するように配置されることが好ましい。ここで、上記の正三角形1gのいずれか一辺の方位は<1−100>方向に平行であることが特に好ましい。液相成長においては、結晶成長面上に六角柱状または六角台形上の凸部(図示せず)が形成されやすいが、この凸部の側面は、<0001>方向に垂直な方向とともに<1−100>方向に垂直な方向に主に結晶成長することから、III族窒化物結晶10の成長において、第1の領域10sが互いに平行な面で接合するため、第1の領域10sの成長が促進されるからである。
【0033】
(実施形態1C)
下地基板における極性反転領域1tの配置のさらに他の実施形態は、図8および図9を参照して、下地基板1の{0001}面において、極性反転領域1tは二次元的に稠密に配置されている一辺がLの正六角形1hの六辺部分である。ここで、六辺部分とは、図8および図9に示すように正六角形1hの六辺を中心とする幅Wの部分をいう。
【0034】
ここで、上記六辺の方向は、特に制限はないが、極性反転領域を安定して成長させる観点から、<1−100>方向または<11−20>方向に平行であることが好ましい。ウルツ鉱型の結晶構造を有するIII族窒化物結晶は、{0001}面において6回対称の結晶構造であることから、図8に示されている上記六辺の方向は<11−20>方向に平行であり、図9に示されている上記六辺の方向は<1−100>方向に平行である。さらに、上記六辺の方向は、<1−100>方向に平行であることが特に好ましい。液相成長においては、結晶成長面上に六角柱状または六角台形状の凸部(図示せず)が形成されやすいが、この凸部の側面は、<0001>方向に垂直な方向とともに<1−100>方向に垂直な方向に結晶成長することから、III族窒化物結晶10の成長において、第1の領域10sが互いに平行な面で接合するため、第1の領域10sの成長が促進されるからである。
【0035】
また、実施形態1において、III族窒化物結晶は、1μm以上の厚さに成長させることが好ましい。下地基板1の主領域1sおよび極性反転領域1t上に、液相法により、厚さ1μm以上のIII族窒化物結晶10を成長させることにより、第1の領域10sが確実に第2の領域10tを覆うことができるため、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度が低いIII族窒化物結晶が容易に得られる。
【0036】
また、一般に光デバイス用基板は抵抗率が低いほど好ましく、III族窒化物結晶は、その表面の抵抗率が0.01Ω・cm以下であることが、青紫色LDなどに用いられる導電性基板を形成する観点からは、好ましい。ここで、表面の抵抗率が0.01Ω・cm以下のIII族窒化物結晶は、上記の製造方法により容易に得られる。
【0037】
また、実施形態1において、III族窒化物結晶を成長させる反応容器は、耐熱性が高く化学的に安定で機械的強度の高いものであれば特に制限なく、酸化アルミニウム(Al2O3)などの酸化物、熱分解窒化ホウ素(pBN)などの窒化物などで形成されていることが好ましい。結晶に不純物が混入するのを防止して転位密度が低く抵抗率の高い結晶がより得られやすい観点から、pBNなどの窒化物で形成されていることがより好ましい。
【0038】
(実施形態2)
本発明にかかるIII族窒化物結晶の他の実施形態は、図2を参照して、III族窒化物種結晶を含み、III族窒化物種結晶は主領域1sと主領域1sに対して<0001>方向の極性が反転している極性反転領域1tとを有する下地基板1を準備する工程(図2(a))と、下地基板1の主領域1sおよび極性反転領域1t上に液相法によりIII族窒化物結晶10を成長させる工程(図2(b))を含む。ここで、主領域1s上に成長するIII族窒化物結晶10の成長速度の大きい第1の領域10sが、極性反転領域1t上に成長するIII族窒化物結晶10の成長速度の小さい第2の領域10tを覆うことを特徴とする。また、下地基板1は、極性反転領域1tの表面が、主領域1sの表面に比べて窪んでいることを特徴とする。
【0039】
すなわち、本実施形態は、図2を参照して、実施形態1において、III族窒化物結晶10を成長させる下地基板1は、極性反転領域1tの表面が、主領域1sの表面に比べて窪んでいる。すなわち、下地基板1は凹凸のある表面を有し、極性反転領域1tの表面が下地基板1の凹部面となり、主領域1sの表面が下地基板1の凸部面となっている。
【0040】
本実施形態においては、下地基板1の極性反転領域1tの表面が主領域1sの表面に比べて窪んでいるため、この表面上にIII族窒化物結晶10を成長させる際に、実施形態1の場合に比べて、極性反転領域1t上に成長する第2の領域10tの成長に対して主領域1s上に成長する第1の領域10sの成長がより優先的となり、第2領域被覆結晶厚さが小さくなるため、より薄い結晶成長により、すなわち、より短時間の結晶成長で、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度が低いIII族窒化物結晶が得られる。
【0041】
また、実施形態2においても、実施形態1の場合と同様に、下地基板における極性反転領域1tの配置は実施形態1A、実施形態1Bおよび実施形態1Cのいずれかと同様の配置であることが好ましく、III族窒化物結晶は1μm以上の厚さに成長させることが好ましく、III族窒化物結晶はその表面の抵抗率が1×105Ω・cm以上であること好ましく、III族窒化物結晶を成長させる反応容器はAl2O3などの酸化物、pBNなどの窒化物などで形成されていることが好ましく、pBNなどの窒化物で形成されていることがより好ましい。
【0042】
(実施形態3)
本発明にかかるIII族窒化物結晶のさらに他の実施形態は、図1,図2および図11を参照して、III族窒化物種結晶を含み、III族窒化物種結晶は主領域1sと主領域1sに対して<0001>方向の極性が反転している極性反転領域1tとを有する下地基板1を準備する工程(図1(a),図2(a))と、下地基板1の主領域1sおよび極性反転領域1t上に液相法によりIII族窒化物結晶10を成長させる工程(図1(b),図2(b))と、下地基板1上に液相法で成長させたIII族窒化物結晶10を気相法でさらに成長させる工程(図11(a),(b))を含む。
【0043】
すなわち、実施形態3は、実施形態1または実施形態2において下地基板1上に液相法で成長させたIII族窒化物結晶10を気相法でさらに成長させる工程(図11(a),(b))を含む。かかる工程により、少なくとも表面が、全面的に転位密度が低く、単一の極性を有するIII族窒化物結晶を高い成長速度で効率よく低コストで製造することができる。ここで、図11(b)に示すように、III族窒化物結晶10は、液相法により成長された第1の領域10sおよび第2の領域10tと、気相法により成長された気相成長領域10vとが、一体化している。
【0044】
ここで、気相法には、特に制限はないが、エピタキシャル成長が容易に行なえる観点から、HVPE法、有機金属化学気相堆積(MOCVD)法、分子線エピタキシ(MBE)法などが好ましい。さらに、結晶成長速度が高い観点から、HVPE法が特に好ましい。
【0045】
(実施形態4)
本発明にかかるIII族窒化物結晶基板の一実施形態は、図10の(a),(b)および図11の(b),(c)を参照して、実施形態1〜実施形態3のいずれかにより製造されたIII族窒化物結晶10を加工して得られるIII族窒化物結晶基板L1,L2,V1,V2,V3,V4,V5,V6およびV7である。ここで、III族窒化物結晶基板L1,L2は、液相法により成長された領域(第1の領域10sおよび第2の領域10t)から得られる基板を示し、III族窒化物結晶基板V1,V2,V3,V4,V5,V6,V7は、気相法により成長された領域(気相成長領域10v)から得られる基板を示す。なお、III族窒化物結晶基板L1には、下地基板であるIII族窒化物種結晶が含まれ得る。
【0046】
こうして得られるIII族窒化物結晶基板は、少なくともその表面が、全面的に転位密度が低く、単一の極性を有しているため、半導体デバイスの基板として好適に用いられる。
【0047】
III族窒化物結晶を加工する方法には、特に制限はなく、たとえば、III族窒化物結晶を、その主面と平行に板状に切断または劈開することを含むことができる。かかる切断または劈開により、板状のIII族窒化物結晶基板が容易に得られる。また、III族窒化物結晶を加工する方法には、得られたIII族窒化物結晶基板の主面を研削および/または研磨することを含むことができる。また、反応性イオンエッチング(RIE)などの気相エッチングにより、さらに研削および/または研磨後の主面のダメージ層を除去する工程を含んでもよい。このような主面が研削および/または研磨されたIII族窒化物結晶基板の主面上に結晶性のよい少なくとも1層のIII族窒化物半導体層を形成することができる。
【0048】
(実施形態5)
本発明にかかるIII族窒化物半導体デバイスの一実施形態は、図12および図13を参照して、実施形態4のIII族窒化物結晶基板100上に、少なくとも1層のIII族窒化物半導体層110,120が形成されているIII族窒化物半導体デバイスである。かかるIII族窒化物半導体デバイスは、少なくとも表面が全面的に転位密度が低く単一の極性を有しているIII族窒化物結晶基板を有しているため、このIII族窒化物結晶基板上に形成されているIII族窒化物半導体層は転位密度が低く結晶性がよく、高い特性を有する。III族窒化物半導体デバイスとして、以下にLDとHEMTの例を挙げる。
【0049】
(実施形態5A)
本発明にかかるIII族窒化物半導体デバイスの一例であるLDは、図12を参照して、少なくとも表面が全面的に転位密度が低く単一の極性を有しているIII族窒化物結晶基板100一方の主面上に、少なくとも1層のIII族窒化物半導体層110として、n型Al0.1Ga0.9Nクラッド層111、n型GaNガイド層112、4対のInGaN/GaN層からなる多重量子井戸活性層113(発光層)、p型Al0.2Ga0.8N保護層114、p型GaNガイド層115、p型Al0.1Ga0.9Nクラッド層116およびp型GaNコンタクト層117が順に形成されている。このp型GaNコンタクト層117上にp側電極118としてPdAu合金電極が形成されている。ここで、p側電極118、p型GaNコンタクト層117および一部のp型Al0.1Ga0.9Nクラッド層116がメサエッチングにより除去され、リッジ部が形成されている。また、III族窒化物結晶基板100の他方の主面上にn側電極119としてTi/Al合金電極が形成されている。
【0050】
(実施形態5B)
本発明にかかるIII族窒化物半導体デバイスの他の例であるHEMTは、図13を参照して、少なくとも表面が全面的に転位密度が低く単一の極性を有しているIII族窒化物結晶基板100一方の主面上に、少なくとも1層のIII族窒化物半導体層120として、アンドープAl0.26Ga0.74Nスペーサ層121、Siドープn型Al0.26Ga0.74Nキャリア供給層122およびSiドープn型GaNコンタクト層123が順に形成されている。Siドープn型GaNコンタクト層123上に、ソース電極126およびドレイン電極127となるTi/Alがそれぞれ電子ビーム蒸着によって形成され、これらが熱処理によって合金化されてTi/Al合金電極が形成されている。また、Ti/Al合金電極、Siドープn型GaNコンタクト層123および一部のSiドープn型Al0.26Ga0.74Nキャリア供給層122の中央部がストライプ状にリセスエッチングにより除去され、露出したSiドープn型Al0.26Ga0.74Nキャリア供給層122上に、ゲート電極125としてPt層/Ti層/Au層の積層電極が、ソース電極126およびドレイン電極127と接触しないように電子ビーム蒸着によって形成されている。ここで、ゲート電極125は、Siドープn型Al0.26Ga0.74Nキャリア供給層122側からPt層/Ti層/Au層の順に形成されている。
【実施例】
【0051】
(実施例1)
1.下地基板の準備
図1および図3を参照して、下地基板1として、転位密度が1×104〜1×105cm-2の主領域1sと転位密度が1×108〜1×109cm-2の極性反転領域1tとを有する直径が2インチ(50.8mm)で厚さが350μmのGaN種結晶を準備した。この下地基板1の主領域1sの表面は(0001)面であり、極性反転領域1tの表面は(000−1)面であった。また、この下地基板1の(0001)面において、極性反転領域1tは、複数のストライプ状領域1ta,1tbであり、各ストライプ状領域1ta,1tbは、50μmの幅Wを有し、300μmのピッチPで平行に配置されていた。また、各ストライプ状領域1ta,1tbのストライプ方向は<1−100>方向に平行であった。
【0052】
なお、実施例1の下地基板は、特許文献1に記載の成長法に基づいて、(111)A面上に複数のストライプ状マスク層が形成されているGaAs基板上に、HVPE法によりGaN結晶を成長させることにより得られた。ここで、各ストライプ状マスク層は、50μmの幅を有し、300μmのピッチで平行に配置されていた。また、各ストライプ状マスク層のストライプ方向はGaAs基板の<11−2>方向に平行であった。すなわち、GaAs基板のストライプ状マスク層上にはGaN結晶の極性反転領域1tが、マスク層以外のGaAs基板上には主領域1sが形成されていた。
【0053】
2.液相法によるIII族窒化物結晶の成長
上記下地基板1上に、溶液成長法により、III族窒化物結晶10であるGaN結晶を成長させた。具体的には、内径が52mmで高さが30mmのAl2O3製の坩堝(反応容器7)内に、その底部に下地基板1を配置し、12gの金属Gaを入れて加熱することにより、下地基板1上にGa融液(結晶成長用液体2)を形成した。次に、下地基板1およびGa融液(結晶成長用液体2)の温度を950℃として、Ga融液(結晶成長用液体2)に窒素含有ガス3としてN2ガスを供給して、N2ガス圧力を6.078MPa(60気圧)として、100時間、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させた。冷却後、坩堝内に残留するGaを塩酸で除去した後、下地基板1上に成長して下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を取り出した。GaN結晶の厚さは3μmであった。
【0054】
3.III族窒化物結晶の評価
下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)の極性および転位密度を以下のようにして観察した。
【0055】
この下地基板と一体化したGaN結晶を燐酸と硫酸の混合溶液に漬け、250℃に加熱して1時間エッチングして光学顕微鏡で観察した。その結果、下地基板1の極性反転領域1t上に成長した部分も、他の部分と同様にエッチングされにくくなっていることが判明した。また、この下地基板と一体化したGaN結晶を蛍光顕微鏡で観察したところ、GaN結晶の極性の反転を反映するような発光の変化している箇所は見られなかった。これらの結果から、この下地基板と一体化したGaN結晶の表面は、全面がGa面((0001)面)になっていること、すなわち、単一の極性を有していることが確認できた。
【0056】
また、この下地基板と一体化したGaN結晶の表面の転位密度は、カソードルミネッセンス(CL)により観察したところ、全面的に一様に1×104〜1×105cm-2と低かった。
【0057】
上記の結果から、実施例1の下地基板と一体化したGaN結晶は、GaN結晶の厚さが3μmにおいて、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度の低い結晶であることが確認できた。
【0058】
4.LDの作製
図12を参照して、次に、この下地基板と一体化したGaN結晶をIII族窒化物結晶基板100として、このIII族窒化物結晶基板100上に、少なくとも1層のIII族窒化物半導体層110を形成することにより、LDを作製した。
【0059】
具体的には、このIII族窒化物結晶基板100を研磨し、反応性イオンエッチング(RIE)により表面ダメージ層を除去した。次に、III族窒化物結晶基板100の一方の主面上に、III族窒化物半導体層110として、厚さ3μmのn型Al0.1Ga0.9Nクラッド層111、厚さ0.1μmのn型GaNガイド層112、4対のInGaN/GaN層からなる厚さ0.05μmの多重量子井戸活性層113(発光層)、厚さ0.02μmのp型Al0.2Ga0.8N保護層114、厚さ0.1μmのp型GaNガイド層115、厚さ0.4μmのp型Al0.1Ga0.9Nクラッド層116および厚さ0.1μmのp型GaNコンタクト層117を順に形成した。これらのIII族半導体層110の形成は、MOCVD法により、III族元素原料ガスとしてトリメチルガリウムガスおよびトリメチルアルミニウムガス、窒素原料ガスとしてアンモニアガス、キャリアガスとして水素ガス、n型ドーパントガスとしてシランガス、p型ドーパントとしてマグネシウムを用いて、基板温度を1080℃として行なった。
【0060】
次に、メサエッチングにより、両端部に形成されているp型GaNコンタクト層117および一部のp型Al0.1Ga0.9Nクラッド層116を除去することにより、リッジストライプ幅が2μmのリッジを形成した。次いで、p型GaNコンタクト層117上に、電子ビーム蒸着および熱処理により、p側電極118としてPd/Au合金電極を形成した。
【0061】
次に、III族窒化物結晶基板100の他方の主面を研磨して、この基板の厚さを100μmとした後、この他方の主面上に、電子ビーム蒸着および熱処理により、n側電極119としてTi/Al合金電極を形成した。
【0062】
次に、下地基板1の一方の主面上にIII族窒化物半導体層110およびp側電極118が形成され、他方の主面上にn側電極119が形成されたウエハを、一辺が300μmの正方形のチップに分割して、LDを作製した。直径2インチ(50.8mm)のウエハから、1000個のLDが得られた。これらのLDは、閾値電流が45mAで、発振波長が405nmの青紫色LDであった。これらのLDについて、60℃の雰囲気温度下で出力30mWで発振させる寿命試験において推定寿命が1万時間以上となる合格品が80%の歩留まりで得られた。
【0063】
(比較例1)
実施例1において用いた下地基板1(すなわち、転位密度が1×104〜1×105cm-2の主領域1sと転位密度が1×108〜1×109cm-2の極性反転領域1tとを有する直径が2インチ(50.8mm)で厚さが350μmのGaN種結晶)をIII族窒化物結晶基板100として用いて、実施例1と同様にして、LDを作製した。LDの作製においては、リッジ部が主領域1sの直上領域に形成されるように注意した。
【0064】
直径2インチ(50.8mm)のウエハから、発振波長が405nmの青紫色LDが1000個得られた。これらのLDについて、実施例1と同様の寿命試験を行なったところ、合格品の歩留まりは10%であった。故障したLDを解析したところ、下地基板1上に形成されているIII族窒化物半導体層において極性反転領域1t上に形成されている部分は、ほとんど極性が反転していた。また、下地基板1上に形成されているIII族窒化物半導体層において主領域1s上に形成されている部分は、その端部が盛り上がるといった異常成長を起こしていた。
【0065】
(比較例2)
1.下地基板の準備
下地基板として特許文献2のELO法により作製されたGaN結晶基板を準備した。具体的には、まず、直径が2インチ(50.8mm)で厚さが300μmのサファイア基板の(0001)面上にMOCVD法により厚さ1μmのGaN層が形成された基板上に、化学気相体積(CVD)法によってSiO2膜からなるマスクを形成し、フォトリソグラフィー法とウエットエッチングによってマスクをストライプ状にパターニングした。残された各ストライプ状マスクは、そのストライプ方向がGaN結晶の<11−20>方向であり、マスク幅が5μmで、7μmのピッチで配置した。
【0066】
次に、このストライプ状マスク付基板をHVPE装置に挿入し、H2ガス雰囲気下で1000℃に昇温し、GaClガスを20sccm(1sccmは1013hPa、0℃の標準状態のガスが1分間に1cm3の流量をいう、以下同じ)、NH3ガスを1000sccmで25分間供給することにより、ストライプ状マスクの開口部から成長したGaN結晶を横方向に成長させた。さらに、10時間結晶成長させて、全面が平坦で厚さが400μmのGaN結晶が得られた。
【0067】
次に、冷却後、このGaN結晶をHVPE装置から取り出し、サファイア基板側からイットリウム・アルミニウム・ガーネットレーザ(YAGレーザ)の第3高調波(波長355nm)を全面に照射することにより、GaN結晶とサファイア基板の界面に存在するGaN層を分解し、GaN結晶とサファイア基板とを分離した。次いで、GaN結晶の両面を研磨することで、厚さが360μmのGaN結晶を得た。
【0068】
得られたGaN結晶を燐酸と硫酸の混合溶液に漬け、250℃に加熱して1時間エッチングして光学顕微鏡で観察したところ、全面がGa面((0001)面)であった。また、このGaN結晶の表面の転位密度は、CLにより観測したところ、1×107〜1×108cm-2であった。上記のGaN結晶の表面を研磨して、厚さが350μmのGaN結晶基板を得た。
【0069】
2.液相法によるIII族窒化物結晶の成長
上記のGaN結晶基板(下地基板1)上に、実施例1と同様の条件で溶液成長法により、100時間、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させ、実施例1と同様の方法で、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を取り出した。GaN結晶の厚さは3μmであった。
【0070】
3.III族窒化物結晶の評価
下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)は、実施例1と同様のエッチング後に光学顕微鏡および蛍光顕微鏡による観察をしたところ、表面の全面がGa面((0001)面)であり、単一の極性を有していた。また、下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)の転位密度は、CLで観察したところ、1×107〜1×108cm-2と高かった。
【0071】
4.LDの作製
この下地基板と一体化したGaN結晶をIII族窒化物結晶基板100として用いて、実施例1と同様にして、LDを1000個作製した。しかし、作製された全てのLDは、室温(たとえば、25℃)雰囲気下でさえも出力30mWで発振しなかったため、寿命を測定することは不可能であった。したがって、合格品の歩留まりは0%であった。
【0072】
(実施例2)
1.下地基板の準備
図1および図4を参照して、下地基板1として、転位密度が1×104〜1×105cm-2の主領域1sと転位密度が1×108〜1×109cm-2の極性反転領域1tとを有する直径が2インチ(50.8mm)で厚さが350μmのGaN種結晶を準備した。この下地基板1の主領域1sの表面は(0001)面であり、極性反転領域1tの表面は(000−1)面であった。また、この下地基板1の(0001)面において、極性反転領域1tは、複数のストライプ状領域1ta,1tbであり、各ストライプ状領域1ta,1tbは、50μmの幅Wを有し、300μmのピッチPで平行に配置されていた。また、各ストライプ状領域1ta,1tbのストライプ方向は<11−20>方向に平行であった。
【0073】
なお、実施例2の下地基板は、特許文献1に記載の成長法に基づいて、(111)A面上に複数のストライプ状マスク層が形成されているGaAs基板上に、HVPE法によりGaN結晶を成長させることにより得られた。ここで、各ストライプ状マスク層は、50μmの幅を有し、300μmのピッチで平行に配置されていた。また、各ストライプ状マスク層のストライプ方向はGaAs基板の<−110>方向に平行であった。すなわち、GaAs基板のストライプ状マスク層上にはGaN結晶の極性反転領域1tが、マスク層以外のGaAs基板上には主領域1sが形成されていた。
【0074】
2.液相法によるIII族窒化物結晶の成長
上記の下地基板1上に、実施例1と同様の条件で溶液成長法により、100時間、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させ、実施例1と同様の方法で、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を取り出した。GaN結晶の厚さは3μmであった。
【0075】
3.III族窒化物結晶の評価
下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)は、実施例1と同様のエッチング後に光学顕微鏡および蛍光顕微鏡による観察をしたところ、表面の全面がGa面((0001)面)であり、単一の極性を有していた。また、下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)の転位密度は、CLで観察したところ、全面的に一様に1×104〜1×105cm-2と低かった。
【0076】
上記の結果から、実施例2の下地基板と一体化したGaN結晶は、GaN結晶の厚さが3μmにおいて、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度の低い結晶であることが確認できた。
【0077】
(実施例3)
1.下地基板の準備
図1および図5を参照して、下地基板1として、転位密度が1×104〜1×105cm-2の主領域1sと転位密度が1×108〜1×109cm-2の極性反転領域1tとを有する直径が2インチ(50.8mm)で厚さが350μmのGaN種結晶を準備した。この下地基板1の主領域1sの表面は(0001)面であり、極性反転領域1tの表面は(000−1)面であった。また、この下地基板1の(0001)面において、極性反転領域1tは、複数のストライプ状領域1ta,1tbであり、各ストライプ状領域1ta,1tbは、50μmの幅Wを有し、300μmのピッチPで平行に配置されていた。また、各ストライプ状領域1ta,1tbのストライプ方向は<1−100>方向から<11−20>方向に45°回転した方向に平行であった。
【0078】
なお、実施例3の下地基板は、特許文献1に記載の成長法に基づいて、(111)A面上に複数のストライプ状マスク層が形成されているGaAs基板上に、HVPE法によりGaN結晶を成長させることにより得られた。ここで、各ストライプ状マスク層は、50μmの幅を有し、300μmのピッチで平行に配置されていた。また、各ストライプ状マスク層のストライプ方向はGaAs基板の<11−2>方向から<−110>方向に45°回転した方向に平行であった。すなわち、GaAs基板のストライプ状マスク層上にはGaN結晶の極性反転領域1tが、マスク層以外のGaAs基板上には主領域1sが形成されていた。
【0079】
2.液相法によるIII族窒化物結晶の成長
上記の下地基板1上に、実施例1と同様の条件で溶液成長法により、200時間、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させ、実施例1と同様の方法で、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を取り出した。GaN結晶の厚さは6μmであった。
【0080】
3.III族窒化物結晶の評価
下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)は、実施例1と同様のエッチング後に光学顕微鏡および蛍光顕微鏡による観察をしたところ、表面の全面がGa面((0001)面)であり、単一の極性を有していた。また、下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)の転位密度は、CLで観察したところ、全面的に一様に1×104〜1×105cm-2と低かった。
【0081】
上記の結果から、実施例3の下地基板と一体化したGaN結晶は、GaN結晶の厚さが6μmにおいて、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度の低い結晶であることが確認できた。
【0082】
(実施例4)
1.下地基板の準備
図1および図5を参照して、下地基板1として、実施例3と同じGaN種結晶を準備した。次いで、この下地基板を溶融したKOH液に漬け、300℃で10分間加熱した。このとき、溶融KOHは、Ga面に比べてN面のエッチング速度が著しく高いため、図2および図5に示すような極性反転領域1tの表面が主領域1sの表面に比べて、20μm窪んだ下地基板1が得られた。
【0083】
2.III族窒化物結晶の成長
この極性反転領域1tの窪みを有する凹凸表面を持つ下地基板上に、実施例1と同様の条件で溶液成長法により、36時間、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させ、実施例1と同様の方法で、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を取り出した。GaN結晶の厚さは1μmであった。
【0084】
3.III族窒化物結晶の評価
下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)は、実施例1と同様のエッチング後に光学顕微鏡および蛍光顕微鏡による観察をしたところ、表面の全面がGa面((0001)面)であり、単一の極性を有していた。また、下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)の転位密度は、CLで観察したところ、全面的に一様に1×104〜1×105cm-2と低かった。
【0085】
上記の結果から、実施例4の下地基板と一体化したGaN結晶は、GaN結晶の厚さが1μmにおいて、少なくとも表面が単一の極性を有し、全面的に転位密度の低い結晶であることが確認できた。
【0086】
この実施例4を実施例3と対比すると、下地基板1の極性反転領域1tを窪ませてIII族窒化物結晶10を成長させることにより、極性反転領域1t上に成長する第2の領域10tの成長に対して主領域1s上に成長する第1の領域10sの成長がより優先的となり、第2領域被覆結晶厚さが小さくなるため、より薄い結晶成長により、すなわち、より短時間の結晶成長で、少なくとも表面の転位密度が全面的に低く単一の極性を有するIII族窒化物結晶が得られることが確認できた。
【0087】
(実施例5)
1.下地基板の準備
図1および図6を参照して、下地基板1として、転位密度が1×104〜1×105cm-2の主領域1sと転位密度が1×108〜1×109cm-2の極性反転領域1tとを有する直径が2インチ(50.8mm)で厚さが350μmのGaN種結晶を準備した。この下地基板1の主領域1sの表面は(0001)面であり、極性反転領域1tの表面は(000−1)面であった。ここで、この下地基板1の(0001)面において、極性反転領域1tは複数のドット状領域1tm,1tnであり、直径Wが50μmの各ドット状領域1tm,1tnは、その中心が二次元的に稠密に配置された一辺Pが300μmの正方形1fの各頂点に位置するように配置されていた。また、正方形1fのいずれかの対向する二辺の方向は<1−100>方向に平行であった。
【0088】
なお、実施例5の下地基板は、特許文献1に記載の成長法に基づいて、(111)A面上に複数のドット状マスク層が形成されているGaAs基板上に、HVPE法によりGaN結晶を成長させることにより得られた。ここで、各ドット状マスク層は、50μmの直径を有し、その中心が二次元的に稠密に配置された一辺Pが300μmの正方形の各頂点に位置するように配置されていた。また、正方形1fのいずれかの対向する二辺の方向はGaAs基板の<11−2>方向に平行であった。すなわち、GaAs基板のマスク層上にはGaN結晶の極性反転領域1tが、マスク層以外のGaAs基板上には主領域1sが形成されていた。
【0089】
2.液相法によるIII族窒化物結晶の成長
上記の下地基板1上に、実施例1と同様の条件で溶液成長法により、100時間、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させ、実施例1と同様の方法で、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を取り出した。GaN結晶の厚さは3μmであった。
【0090】
3.III族窒化物結晶の評価
下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)は、実施例1と同様のエッチング後に光学顕微鏡および蛍光顕微鏡による観察をしたところ、表面の全面がGa面((0001)面)であり、単一の極性を有していた。また、下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)の転位密度は、CLで観察したところ、全面的に一様に1×104〜1×105cm-2と低かった。
【0091】
上記の結果から、実施例5の下地基板と一体化したGaN結晶は、GaN結晶の厚さが3μmにおいて、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度の低い結晶であることが確認できた。
【0092】
(参考例1)
1.下地基板の準備
図1および図7を参照して、下地基板1として、転位密度が1×104〜1×105cm-2の主領域1sと転位密度が1×108〜1×109cm-2の極性反転領域1tとを有する直径が2インチ(50.8mm)で厚さが350μmのGaN種結晶を準備した。この下地基板1の主領域1sの表面は(0001)面であり、極性反転領域1tの表面は(000−1)面であった。ここで、(0001)面上において、極性反転領域1tは複数のドット状領域1tm,1tnであり、直径Wが50μmの各ドット状領域1tm,1tnは、その中心が二次元的に稠密に配置された一辺Pが300μmの正三角形1gの各頂点に位置するように配置されていた。また、正三角形1gの三辺の方向は全て<1−100>方向に平行であった。
【0093】
なお、参考例1の下地基板は、特許文献1に記載の成長法に基づいて、(111)A面上に複数のドット状マスク層が形成されているGaAs基板上に、HVPE法によりGaN結晶を成長させることにより得られた。ここで、各ドット状マスク層は、50μmの直径を有し、その中心が二次元的に稠密に配置された一辺Pが300μmの正三角形の各頂点に位置するように配置されていた。また、正三角形のいずれかの辺の方向はGaAs基板の<11−2>方向に平行であった。すなわち、GaAs基板のストライプ状マスク層上にはGaN結晶の極性反転領域1tが、マスク層以外のGaAs基板上には主領域1sが形成されていた。
【0094】
2.液相法によるIII族窒化物結晶の成長
上記の下地基板1上に、反応容器7の材質として高純度な坩堝材であるpBNを用い、実施例1よりも高温高圧の条件で溶液成長法により、GaN結晶を成長させた。具体的には、成長温度を1500℃、N2ガス圧力を1.5GPa(約1.5万気圧)として200時間、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させ、実施例1と同様の方法で、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を取り出した。GaN結晶の厚さは650μmであった。
【0095】
3.III族窒化物結晶の評価
図10を参照して、下地基板1と一体化した厚さ1000μmのGaN結晶(III族窒化物結晶10)をスライサーにより2枚にスライスし、溶液成長法で成長した面側からそれぞれ研磨し、さらにRIEでGa面側の表面ダメージ層を除去した。その結果、主領域1sおよび極性反転領域1tを持つ厚さ350μmの下地基板と溶液成長した厚さ100μmのGaN結晶が一体化したGaN結晶基板(III族窒化物結晶基板L1)と、溶液成長法の成長領域からなる厚さ450μmのGaN結晶基板(III族窒化物結晶基板L2)が、それぞれ1枚ずつ得られた。
【0096】
次に、これらの基板L1およびL2のGa面側で四端子のホール測定を行なった。その結果、いずれの基板も、抵抗率が1×105Ω・cm以上の高抵抗基板であること、すなわち、HEMTなどに好適な基板であることを確認した。
【0097】
また、これらの基板L1およびL2について、実施例1と同様のエッチング後に光学顕微鏡および蛍光顕微鏡による観察をしたところ、表面の全面がGa面((0001)面)であり、単一の極性を有していた。また、これらの基板L1およびL2(III族窒化物結晶10)の転位密度は、CLで観察したところ、全面的に一様に1×104〜1×105cm-2と低かった。
【0098】
上記の結果から、参考例1のGaN結晶基板(基板L1,L2)は、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度の低い結晶であることが確認できた。
【0099】
4.HEMTの作製
図13を参照して、この高抵抗のGaN結晶基板をIII族窒化物結晶基板100として用いて、このIII族窒化物結晶基板100上に少なくとも1層のIII族窒化物半導体層120を形成することにより、HEMTを作製した。
【0100】
具体的には、このIII族窒化物結晶基板100を研磨し、RIEにより表面ダメージ層を除去した。次に、III族窒化物結晶基板100の主面上に、III族窒化物半導体層120として、厚さ10nmのアンドープAl0.26Ga0.74Nスペーサ層121、厚さ20nmのSiドープn型Al0.26Ga0.74Nキャリア供給層122、厚さ20nmのSiドープn型GaNコンタクト層123を順に形成した。これらのIII族窒化物半導体層120の形成は、MOCVD法により、III族元素原料ガスとしてトリメチルガリウムガスおよびトリメチルアルミニウムガス、窒素原料ガスとしてアンモニアガス、キャリアガスとしてを水素ガス、ドーピングガスとしてシランガスを用いて、基板温度を1100℃として行なった。
【0101】
次に、Siドープn型GaNコンタクト層123上に、ソース電極126およびドレイン電極127として、Ti層/Al層をそれぞれ25nm/150nm蒸着し、これらを熱処理で合金化した後、ウエハの中央部をストライプ状にRIEによりリセスエッチングを行なった。次いで、上記リセスエッチングにより露出したSiドープn型Al0.26Ga0.74Nキャリア供給層122上に、ゲート電極125としてPt層(厚さ10nm)/Ti層(厚さ40nm)/Au層(厚さ100nm)を、ソース電極126とドレイン電極127との間に形成した。ゲート電極125におけるゲート長およびゲート幅はそれぞれ2μmおよび14μmとし、ソース電極126とドレイン電極127との間隔は10μmとした。
【0102】
このHEMTの界面は、表面が平坦かつ転位密度の低いGaN結晶基板(III族窒化物結晶基板100)上に作製されたものであるため、極めてシャープであり、その断面を透過電子顕微鏡(TEM)で観察したところ、原子層レベルで平坦となっていることが確認された。このHEMTの室温(たとえば、300K)における特性は、相互コンダクタンスが160mS/mm、ドレイン電流が1.1A/mmであり、非常に高特性なデバイスが作製できた。
【0103】
(実施例6)
1.下地基板の準備
図1および図8を参照して、下地基板1として、転位密度が1×104〜1×105cm-2の主領域1sと転位密度が1×108〜1×109cm-2の極性反転領域1tとを有する直径が2インチ(50.8mm)で厚さが350μmのGaN種結晶を準備した。この下地基板1の主領域1sの表面は(0001)面であり、極性反転領域1tの表面は(000−1)面であった。ここで、(0001)面上において、極性反転領域1tは、その中心線が二次元的に稠密に配置された一辺Pが300μmの正六角形1hの六辺上にあり、その幅Wが50μmの六辺部分であった。また、六辺の方向は全て<11−20>方向に平行であった。
【0104】
なお、実施例6の下地基板は、特許文献1に記載の成長法に基づいて、(111)A面上に二次元的に稠密に配置された一辺Pが300μmの正六角形1hの六辺上にその中心線がありその幅Wが50μmの六辺部分にマスク層が形成されているGaAs基板上に、HVPE法によりGaN結晶を成長させることにより得られた。ここで、上記正六角形のいずれかの対向する二辺の方向はGaAs基板の<−110>方向に平行であった。すなわち、GaAs基板のマスク層上にはGaN結晶の極性反転領域1tが、マスク層以外のGaAs基板上には主領域1sが形成されていた。
【0105】
2.液相法によるIII族窒化物結晶の成長
上記の下地基板1上に、実施例1と同様の条件で溶液成長法により、200時間、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させ、実施例1と同様の方法で、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を取り出した。GaN結晶の厚さは6μmであった。
【0106】
3.III族窒化物結晶の評価
下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)は、実施例1と同様のエッチング後に光学顕微鏡および蛍光顕微鏡による観察をしたところ、表面の全面がGa面((0001)面)であり、単一の極性を有していた。また、下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)の転位密度は、CLで観察したところ、全面的に一様に1×104〜1×105cm-2と低かった。
【0107】
上記の結果から、実施例6の下地基板と一体化したGaN結晶は、GaN結晶の厚さが6μmにおいて、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度の低い結晶であることが確認できた。
【0108】
(実施例7)
1.下地基板の準備
図1および図9を参照して、下地基板1として、転位密度が1×104〜1×105cm-2の主領域1sと転位密度が1×108〜1×109cm-2の極性反転領域1tとを有する直径が2インチ(50.8mm)で厚さが350μmのGaN種結晶を準備した。この下地基板1の主領域1sの表面は(0001)面であり、極性反転領域1tの表面は(000−1)面であった。ここで、(0001)面上において、極性反転領域1tは、その中心線が二次元的に稠密に配置された一辺Pが300μmの正六角形1hの六辺上にあり、その幅Wが50μmの六辺部分であった。また、六辺のいずれかの方向は全て<1−100>方向に平行であった。
【0109】
なお、実施例7の下地基板は、特許文献1に記載の成長法に基づいて、(111)A面上に二次元的に稠密に配置された一辺Pが300μmの正六角形1hの六辺上にその中心線がありその幅Wが50μmの六辺部分にマスク層が形成されているGaAs基板上に、HVPE法によりGaN結晶を成長させることにより得られた。ここで、上記正六角形のいずれかの対向する二辺の方向はGaAs基板の<11−2>方向に平行であった。すなわち、GaAs基板のマスク層上にはGaN結晶の極性反転領域1tが、マスク層以外のGaAs基板上には主領域1sが形成されていた。
【0110】
2.液相法によるIII族窒化物結晶の成長
上記の下地基板1上に、実施例1と同様の条件で溶液成長法により、200時間、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させ、実施例1と同様の方法で、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を取り出した。GaN結晶の厚さは6μmであった。
【0111】
3.III族窒化物結晶の評価
下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)は、実施例1と同様のエッチング後に光学顕微鏡および蛍光顕微鏡による観察をしたところ、表面の全面がGa面((0001)面)であり、単一の極性を有していた。また、下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)の転位密度は、CLで観察したところ、全面的に一様に1×104〜1×105cm-2と低かった。
【0112】
上記の結果から、実施例7の下地基板と一体化したGaN結晶は、GaN結晶の厚さが6μmにおいて、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度の低い結晶であることが確認できた。
【0113】
(実施例8)
1.下地基板の準備
実施例1と同様の下地基板を準備した。
【0114】
2.液相法によるIII族窒化物結晶の成長
上記下地基板上に、実施例1と同様の条件で液体成長法により、200時間、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させ、実施例1と同様の方法で、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を取り出した。GaN結晶の厚さは6μmであった。
【0115】
3.気相法によるIII族窒化物結晶の成長
図11(a)および(b)を参照して、下地基板1上に溶液成長法により成長され、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を、HVPE法によりさらに35時間成長させて、GaN結晶をさらに3500μm厚くした。ここで、ドーパントガスとしてSiCl2H2ガスを用いた。
【0116】
4.III族窒化物結晶基板の作製
図11(b)および(c)を参照して、下地基板1上に溶液成長法により次いでHVPE法により成長され、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)をスライサーにより8枚にスライスし、溶液成長法またはHVPE法で成長した面側からそれぞれ研磨し、さらにRIEでGa面側の表面ダメージ層を除去した。こうして、厚さが355μmのGaN結晶基板が8枚得られた(III族窒化物結晶基板L1,V1,V2,V3,V4,V5,V6およびV7)。ここで、基板L1は、下地基板1および液相法による成長領域(第1の領域10sおよび第2の領域10t)から得られ、基板V1,V2,V3,V4,V5,V6,V7は気相法による成長領域(気相成長領域10v)から得られた。なお、基板L1の液相法による成長領域の厚さは5μmであった。
【0117】
これらの基板L1,V1,V2,V3,V4,V5,V6およびV7は、その抵抗率を基板のGa面に電極を蒸着してホール測定を行なったところいずれも0.01Ω・cmであり、青紫色レーザ等の光デバイスに適した導電性基板であることが確認できた。
【0118】
5.LDの作製
これらの基板L1,V1,V2,V3,V4,V5,V6およびV7をIII族窒化物結晶基板100として用いて、実施例1と同様にして各基板について1000個のLDを作製した。これらのLDについて、実施例1と同様の寿命試験を行なったところ、いずれの基板についても合格品の歩留まりは80%と高かった。
【0119】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【0120】
1 下地基板、1f 正方形、1g 正三角形、1h 正六角形、1s 主領域、1t 極性反転領域、1ta,1tb ストライプ状領域、1tm,1tn ドット状領域、2 結晶成長用液体、3 窒素含有ガス、7 反応容器、10 III族窒化物結晶、10s 第1の領域、10t 第2の領域、10v 気相成長領域、100 III族窒化物結晶基板、110,120 III族窒化物半導体層、111 n型Al0.1Ga0.9Nクラッド層、112 n型GaNガイド層、113 多重量子井戸活性層、114 p型Al0.2Ga0.8N保護層、115 p型GaNガイド層、116 p型Al0.1Ga0.9Nクラッド層、117 p型GaNコンタクト層、118 p側電極、119 n側電極、121 アンドープAl0.26Ga0.74Nスペーサ層、122 Siドープn型Al0.26Ga0.74Nキャリア供給層、123 Siドープn型GaNコンタクト層、125 ゲート電極、126 ソース電極、127 ドレイン電極。
【技術分野】
【0001】
本発明は、転位密度が低いIII族窒化物結晶の製造方法、この製造方法により得られるIII族窒化物結晶基板およびこのIII族窒化物結晶基板を含むIII族窒化物半導体デバイスに関する。
【背景技術】
【0002】
III族窒化物結晶は、発光素子(発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)など)、電子素子(整流器、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ、高電子移動度トランジスタ(HEMT)など)、半導体センサ(温度センサ、圧力センサ、放射線センサ、可視−紫外光検出器など)、表面弾性波デバイス(SAWデバイス)、加速度センサ、微小電気機械部品(MEMS部品)、圧電振動子、共振器、圧電アクチュエータなどに利用が可能である。ここで、上記各種デバイスの特性を向上させるために、転位密度の低いIII族窒化物結晶が求められている。
【0003】
転位密度の低いIII族窒化物結晶の製造方法として、以下の方法が提案されている。特開2003−183100号公報(以下、特許文献1という)は、下地基板上に規則正しくストライプマスクパターンを設けて、その上に複数のファセットからなる直線状のV溝を形成し、このV溝を維持しながらGaN結晶を気相成長させ、V溝の直下にGaN結晶内の転位を集合させて(転位が集中している領域を結晶欠陥集合領域という)その周囲の転位密度を低減するファセット成長方法を開示する。
【0004】
特許文献1の上記ファセット成長方法は、結晶欠陥集合領域以外の領域の転位密度は1×105cm-2程度に低減できるが、結晶欠陥集合領域の転位密度は高い。また、かかる欠陥集合領域は、その領域以外の領域に対して<0001>方向の極性が反転している場合が多い。このため、ファセット成長により得られたGaN結晶の基板上にIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させることが難しく、半導体デバイスの歩留まりが低い。
【0005】
また、特開平10−312971号公報(以下、特許文献2という)は、サファイアなどにGaN薄膜が形成された下地基板を準備し、この下地基板上により開口部を有するSiO2などのマスクを形成し、GaN結晶を開口部からマスク上を横方向にエピタキシャル成長させるエピタキシャルラテラルオーバーグロース(ELO)法を開示する。
【0006】
特許文献2の上記ELO法は、歪みおよびクラックを発生することなく横方向の結晶成長が可能となり、下地基板に直接GaN結晶を成長させる場合に比べて転位密度が低減するが、横方向に成長した結晶が合体する部分で新たな転位が発生するため、転位密度を1×107cm-2以下にすることが困難である。このため、かかるGaN結晶の基板は、LDの基板として実用化が困難である。
【0007】
また、米国特許第5868837号明細書(以下、特許文献3という)は、600℃〜800℃程度の温度と5MPa程度の窒素ガス圧力雰囲気下で、Ga−Na融液に窒素ガスを供給してGaN結晶を成長させるナトリウムフラックス法を開示する。
【0008】
特許文献3の上記ナトリウムフラックス法は、液相法としては比較的穏やかな温度および圧力条件で、転位密度の低い低欠陥のGaN結晶を成長させる可能性があるが、その結晶成長速度が低いため、大型のGaN結晶を得ることが困難である。
【0009】
さらに、特開2004−221480号公報(以下、特許文献4という)は、異なる極性A,B部分が混在する出発基板を、いずれか一方の極性部分の全部または一部をエッチングにより除去した骨格基板を形成し、この骨格基板上に基板と同じ材料の結晶を成長させることにより、上記除去部を他方の極性を有する結晶で埋め込み、表面全体が他方の極性を有する結晶が得られることを開示する。しかし、特許文献4の方法は、一方の極性部分は他方の極性部分に対して<0001>方向の極性が反転している部分であるため、その部分を気相法による結晶成長により埋め込む場合には、その部分の極性(一方の極性)を引き継いだ成長が起こる。したがって、結晶表面全体が他方の極性を有する結晶で覆われる程度に、エッチングによりその基板の一方の極性部分の全部または一部を深く除去することが必要であり、その製造方法が煩雑となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0010】
【特許文献1】特開2003−183100号公報
【特許文献2】特開平10−312971号公報
【特許文献3】米国特許第5868837号明細書
【特許文献4】特開2004−221480号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
本発明は、上記問題点を解決し、少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のIII族窒化物結晶の製造方法、この製造方法により得られるIII族窒化物結晶基板およびこのIII族窒化物結晶基板上を含むIII族窒化物半導体デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明は、III族窒化物種結晶を含み、III族窒化物種結晶は主領域と主領域に対して<0001>方向の極性が反転している極性反転領域とを有する下地基板を準備する工程と、下地基板の主領域および極性反転領域上に液相法によりIII族窒化物結晶を成長させる工程を含み、III族窒化物結晶は、酸化物の反応容器内で成長され、主領域上に成長するIII族窒化物結晶の成長速度の大きい第1の領域が、極性反転領域上に成長するIII族窒化物結晶の成長速度の小さい第2の領域を覆うことを特徴とするIII族窒化物結晶の製造方法である。
【0013】
本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法において、下地基板は、極性反転領域の表面が、主領域の表面に比べて窪んでいるものとできる。また、下地基板の{0001}面において、極性反転領域は複数のストライプ状領域であり、各ストライプ状領域が互いに平行に周期的に配置され得る。また、下地基板の{0001}面において、極性反転領域は複数のドット状領域であり、各ドット状領域が二次元的に周期的に配置され得る。また、下地基板の{0001}面において、極性反転領域は二次元的に稠密に配置されている正六角形の六辺部分であり得る。
【0014】
さらに、本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法において、III族窒化物結晶を1μm以上の厚さに成長させることができる。また、III族窒化物結晶はその表面の抵抗率を0.01Ω・cm以下とすることができる。
【0015】
さらに、本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法において、下地基板上に液相法で成長させたIII族窒化物結晶を気相法でさらに成長させる工程を含むことができる。
【0016】
また、本発明は、上記の製造方法により得られるIII族窒化物結晶を加工して得られるIII族窒化物結晶基板である。ここで、III族窒化物結晶の加工は、III族窒化物結晶を切断または劈開することを含むことができる。また、本発明は、上記のIII族窒化物結晶基板上に、少なくとも1層のIII族窒化物半導体層が形成されているIII族窒化物半導体デバイスである。
【発明の効果】
【0017】
本発明によれば、少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のIII族窒化物結晶の製造方法、この製造方法により得られるIII族窒化物結晶基板およびこのIII族窒化物結晶基板を含むIII族窒化物半導体デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法の一実施形態を示す概略断面図である。ここで、(a)は下地基板を準備する工程を示し、(b)は液相法によりIII族窒化物結晶を成長させる工程を示す。
【図2】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法の他の実施形態を示す概略断面図である。ここで、(a)は下地基板を準備する工程を示し、(b)は液相法によりIII族窒化物結晶を成長させる工程を示す。
【図3】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法において用いられる下地基板における極性反転領域の配置の一例を示す概略平面図である。
【図4】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法において用いられる下地基板における極性反転領域の配置の他の例を示す概略平面図である。
【図5】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法において用いられる下地基板における極性反転領域の配置のさらに他の例を示す概略平面図である。
【図6】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法において用いられる下地基板における極性反転領域の配置のさらに他の例を示す概略平面図である。
【図7】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法において用いられる下地基板における極性反転領域の配置のさらに他の例を示す概略平面図である。
【図8】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法において用いられる下地基板における極性反転領域の配置のさらに他の例を示す概略平面図である。
【図9】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法において用いられる下地基板における極性反転領域の配置のさらに他の例を示す概略平面図である。
【図10】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法のさらに他の実施形態を示す概略断面図である。ここで、(a)は下地基板上に液相法により成長されたIII族窒化物結晶を示し、(b)はIII族窒化物結晶基板を形成する工程を示す。
【図11】本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法のさらに他の実施形態を示す概略断面図である。ここで、(a)は下地基板上に液相法により成長されたIII族窒化物結晶を示し、(b)は液相法により成長されたIII族窒化物結晶をさらに気相法で成長させる工程を示し、(c)はIII族窒化物結晶基板を形成する工程を示す。
【図12】本発明にかかるIII族窒化物半導体デバイスの一例を示す概略断面図である。
【図13】本発明にかかるIII族窒化物半導体デバイスの他の例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
(実施形態1)
本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法の一実施形態は、図1を参照して、III族窒化物種結晶を含み、III族窒化物種結晶は主領域1sと主領域1sに対して<0001>方向の極性が反転している極性反転領域1tとを有する下地基板1を準備する工程(図1(a))と、下地基板1の主領域1sおよび極性反転領域1t上に液相法によりIII族窒化物結晶10を成長させる工程(図1(b))を含む。ここで、主領域1s上に成長するIII族窒化物結晶10の成長速度の大きい第1の領域10sが、極性反転領域1t上に成長するIII族窒化物結晶10の成長速度の小さい第2の領域10tを覆うことを特徴とする。
【0020】
実施形態1は、主領域1sと主領域1sに対して<0001>方向の極性が反転している極性反転領域1tを有するIII族窒化物結晶を含む下地基板1上に、液相法によりIII族窒化物結晶10を成長させる。具体的には、まず、反応容器7内に下地基板1を配置し、下地基板1のまわりにIII族元素を含有する結晶成長用液体2を形成する。次に、結晶成長用液体2に窒素含有ガス3を供給して、下地基板1上にIII族窒化物結晶10を成長させる。また、結晶成長用液体2に窒素含有物(たとえば、III族窒化物)を溶解させて、下地基板上にIII族窒化物結晶を成長させてもよい。
【0021】
かかる下地基板1は、たとえば、III族窒化物種結晶が、特許文献1の段落0221から0271の記載のように、ハイドライド気相成長(HVPE)法によるファセット成長法により作製され、III族窒化物種結晶の主領域1sは転位密度が低く、III族窒化物種結晶の極性反転領域1tは主領域1sに比べて転位密度が高くなっている。なお、図1においては、下地基板1が主領域1sと極性反転領域1tとで形成されるIII族窒化物結晶である場合を図示しているが、III族窒化物結晶以外の異種基板上に主領域1sと極性反転領域1tとで形成されるIII族窒化物結晶が形成されている下地基板(図示せず)を用いることもできる。
【0022】
下地基板1の主領域1s上に成長するIII族窒化物結晶10の第1の領域10sは、主領域1sの極性と低転位密度を引き継いで結晶成長する。また、下地基板1の極性反転領域1t上に成長するIII族窒化物結晶10の第2の領域10tは、極性反転領域1tの極性と高転位密度を引き継いで結晶成長する。したがって、III族窒化物結晶10の第2の領域10tは、第1の領域10sに対して<0001>方向の極性が反転しており、また、転位密度が高くなっている。
【0023】
しかし、第1の領域10sの結晶成長速度は、第2の領域10tの結晶成長速度よりも大きい。このため、III族窒化物結晶10の成長とともに、第1の領域10sが、第2の領域10tを覆い、埋め込む。このようにして、III族窒化物結晶10を成長させることにより、ある結晶厚さ以上においては、第1の領域10sのみが存在するため、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度が低いIII族窒化物結晶が得られる。すなわち、本実施形態においては、第1の領域10sの結晶成長速度が第2の領域10tの結晶成長速度よりも大きいことに着目することにより、特許文献4に示すような下地基板の一方の極性を有する領域部分の全部または一部の深い除去を行なうことなく、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度が低いIII族窒化物結晶を得ることが可能となる。
【0024】
このように、本発明者は、液相法によるIII族窒化物結晶の成長においては、種結晶の極性反転領域上への結晶成長速度と、主領域上への結晶成長速度との間に大きな差が出るという新たな現象を発見した。この発見を利用して、部分的に欠陥密度が高い極性反転領域を持つ種結晶を準備し、極性反転領域を埋め込み、少なくとも表面では全面で単一な極性で、全面に低転位密度となる結晶を製造する技術を提供することが、本発明の特徴のひとつである。
【0025】
ここで、III族窒化物結晶の成長において、第2の領域10tが第1の領域10sにより覆われてしまうときの結晶の厚さ(第2領域被覆結晶厚さともいう、以下同じ)は、極性反転領域1tの表面の面積、III族窒化物結晶10の結晶成長条件により決まる。
【0026】
実施形態1において、下地基板1上にIII族窒化物結晶10を成長させるための液相法は、特に制限はないが、III族窒化物結晶が融液となるような高温高圧の条件を、実用的な2インチ径の結晶を作製できる設備で発生させることは困難であるため、溶液成長法を用いることが好ましい。さらに、作業の安全性の観点から、溶液には主にIII族元素を含む融液を用いることが特に好ましい。
【0027】
上記実施形態1において、下地基板1に含まれるIII族窒化物種結晶における主領域1sと極性反転領域1tの配置については、特に制限はないが、III族窒化物結晶10の成長の際に、第1の領域10sが第2の領域10tを効率よく覆うようにする観点から、以下の実施形態のような配置とすることが好ましい。
【0028】
(実施形態1A)
下地基板1における極性反転領域1tの配置の一実施形態は、図3〜図5を参照して、下地基板1の{0001}面において、極性反転領域1tは複数のストライプ状領域1ta,1tbであり、各ストライプ状領域1ta,1tbが互いに平行に周期的に配置されている。均一な結晶成長を行なう観点から、各ストライプ状領域1ta,1tbは、一定の幅Wを有し、一定のピッチPで平行に配置されていることが好ましい。また、各ストライプ状領域1ta,1tbのストライプ方向は、特に制限ないが、極性反転領域を安定して成長させる観点から、<1−100>方向または<11−20>方向に平行であることが好ましい。液相成長においては、HVPE法などの量産性の高い気相法に比べて、成長速度が遅いため、結晶構造を反映した晶癖が出やすく、結晶成長面上に六角柱状または六角台形状の凸部(図示せず)が形成されやすいが、この凸部の側面は、<0001>方向に垂直な方向とともに<1−100>方向に垂直な方向に主に結晶成長することから、III族窒化物結晶10の成長において、第1の領域10sが互いに平行な面で接合するため、第1の領域10sの成長が促進されるからである。
【0029】
各ストライプ領域のストライプ方向が、<1−100>方向に平行な例を図3に示し、<11−20>方向に平行な例を図4に、<1−100>方向から<11−20>方向に45°回転した方向に平行な例を図5に示す。
【0030】
(実施形態1B)
下地基板1における極性反転領域1tの配置のさらに他の実施形態は、図6および図7を参照して、下地基板の{0001}面において、極性反転領域1tは複数のドット状領域1tm,1tnであり、各ドット状領域1tm,1tnが二次元的に周期的に配置されている。極性反転領域1tがドット状領域1tm,1tnとして配置されていることにより、ストライプ状領域として配置される場合(実施形態1A)に比べて、主領域1sの表面の面積を大きくすることができ、成長させるIII族窒化物結晶の第1の領域10s(低転位密度の領域)の表面の面積が大きくなり、III族窒化物結晶の厚さがより小さくても、第2の領域(高転位密度の領域)を覆うことができる。
【0031】
ここで、二次元的に周期的な配置には、特に制限はない。図6においては、直径Wの各ドット状領域1tm,1tnは、その中心が二次元的に稠密に配置された一辺がPの正方形1fの各頂点に位置するように配置されている。ここで、上記の正方形1fのいずれかの対向する2辺の方位は<1−100>方向に平行である。換言すれば、直径Wの各ドット状領域1tm,1tnは、<1−100>方向および<11−20>方向に、一定のピッチPで配置されている。
【0032】
また、図7に示すように、直径Wの各ドット状領域1tm,1tnは、極性反転領域へ転位を収束させやすくする観点から、その中心が二次元的に稠密に配置された一辺がPの正三角形1gの各頂点に位置するように配置されることが好ましい。ここで、上記の正三角形1gのいずれか一辺の方位は<1−100>方向に平行であることが特に好ましい。液相成長においては、結晶成長面上に六角柱状または六角台形上の凸部(図示せず)が形成されやすいが、この凸部の側面は、<0001>方向に垂直な方向とともに<1−100>方向に垂直な方向に主に結晶成長することから、III族窒化物結晶10の成長において、第1の領域10sが互いに平行な面で接合するため、第1の領域10sの成長が促進されるからである。
【0033】
(実施形態1C)
下地基板における極性反転領域1tの配置のさらに他の実施形態は、図8および図9を参照して、下地基板1の{0001}面において、極性反転領域1tは二次元的に稠密に配置されている一辺がLの正六角形1hの六辺部分である。ここで、六辺部分とは、図8および図9に示すように正六角形1hの六辺を中心とする幅Wの部分をいう。
【0034】
ここで、上記六辺の方向は、特に制限はないが、極性反転領域を安定して成長させる観点から、<1−100>方向または<11−20>方向に平行であることが好ましい。ウルツ鉱型の結晶構造を有するIII族窒化物結晶は、{0001}面において6回対称の結晶構造であることから、図8に示されている上記六辺の方向は<11−20>方向に平行であり、図9に示されている上記六辺の方向は<1−100>方向に平行である。さらに、上記六辺の方向は、<1−100>方向に平行であることが特に好ましい。液相成長においては、結晶成長面上に六角柱状または六角台形状の凸部(図示せず)が形成されやすいが、この凸部の側面は、<0001>方向に垂直な方向とともに<1−100>方向に垂直な方向に結晶成長することから、III族窒化物結晶10の成長において、第1の領域10sが互いに平行な面で接合するため、第1の領域10sの成長が促進されるからである。
【0035】
また、実施形態1において、III族窒化物結晶は、1μm以上の厚さに成長させることが好ましい。下地基板1の主領域1sおよび極性反転領域1t上に、液相法により、厚さ1μm以上のIII族窒化物結晶10を成長させることにより、第1の領域10sが確実に第2の領域10tを覆うことができるため、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度が低いIII族窒化物結晶が容易に得られる。
【0036】
また、一般に光デバイス用基板は抵抗率が低いほど好ましく、III族窒化物結晶は、その表面の抵抗率が0.01Ω・cm以下であることが、青紫色LDなどに用いられる導電性基板を形成する観点からは、好ましい。ここで、表面の抵抗率が0.01Ω・cm以下のIII族窒化物結晶は、上記の製造方法により容易に得られる。
【0037】
また、実施形態1において、III族窒化物結晶を成長させる反応容器は、耐熱性が高く化学的に安定で機械的強度の高いものであれば特に制限なく、酸化アルミニウム(Al2O3)などの酸化物、熱分解窒化ホウ素(pBN)などの窒化物などで形成されていることが好ましい。結晶に不純物が混入するのを防止して転位密度が低く抵抗率の高い結晶がより得られやすい観点から、pBNなどの窒化物で形成されていることがより好ましい。
【0038】
(実施形態2)
本発明にかかるIII族窒化物結晶の他の実施形態は、図2を参照して、III族窒化物種結晶を含み、III族窒化物種結晶は主領域1sと主領域1sに対して<0001>方向の極性が反転している極性反転領域1tとを有する下地基板1を準備する工程(図2(a))と、下地基板1の主領域1sおよび極性反転領域1t上に液相法によりIII族窒化物結晶10を成長させる工程(図2(b))を含む。ここで、主領域1s上に成長するIII族窒化物結晶10の成長速度の大きい第1の領域10sが、極性反転領域1t上に成長するIII族窒化物結晶10の成長速度の小さい第2の領域10tを覆うことを特徴とする。また、下地基板1は、極性反転領域1tの表面が、主領域1sの表面に比べて窪んでいることを特徴とする。
【0039】
すなわち、本実施形態は、図2を参照して、実施形態1において、III族窒化物結晶10を成長させる下地基板1は、極性反転領域1tの表面が、主領域1sの表面に比べて窪んでいる。すなわち、下地基板1は凹凸のある表面を有し、極性反転領域1tの表面が下地基板1の凹部面となり、主領域1sの表面が下地基板1の凸部面となっている。
【0040】
本実施形態においては、下地基板1の極性反転領域1tの表面が主領域1sの表面に比べて窪んでいるため、この表面上にIII族窒化物結晶10を成長させる際に、実施形態1の場合に比べて、極性反転領域1t上に成長する第2の領域10tの成長に対して主領域1s上に成長する第1の領域10sの成長がより優先的となり、第2領域被覆結晶厚さが小さくなるため、より薄い結晶成長により、すなわち、より短時間の結晶成長で、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度が低いIII族窒化物結晶が得られる。
【0041】
また、実施形態2においても、実施形態1の場合と同様に、下地基板における極性反転領域1tの配置は実施形態1A、実施形態1Bおよび実施形態1Cのいずれかと同様の配置であることが好ましく、III族窒化物結晶は1μm以上の厚さに成長させることが好ましく、III族窒化物結晶はその表面の抵抗率が1×105Ω・cm以上であること好ましく、III族窒化物結晶を成長させる反応容器はAl2O3などの酸化物、pBNなどの窒化物などで形成されていることが好ましく、pBNなどの窒化物で形成されていることがより好ましい。
【0042】
(実施形態3)
本発明にかかるIII族窒化物結晶のさらに他の実施形態は、図1,図2および図11を参照して、III族窒化物種結晶を含み、III族窒化物種結晶は主領域1sと主領域1sに対して<0001>方向の極性が反転している極性反転領域1tとを有する下地基板1を準備する工程(図1(a),図2(a))と、下地基板1の主領域1sおよび極性反転領域1t上に液相法によりIII族窒化物結晶10を成長させる工程(図1(b),図2(b))と、下地基板1上に液相法で成長させたIII族窒化物結晶10を気相法でさらに成長させる工程(図11(a),(b))を含む。
【0043】
すなわち、実施形態3は、実施形態1または実施形態2において下地基板1上に液相法で成長させたIII族窒化物結晶10を気相法でさらに成長させる工程(図11(a),(b))を含む。かかる工程により、少なくとも表面が、全面的に転位密度が低く、単一の極性を有するIII族窒化物結晶を高い成長速度で効率よく低コストで製造することができる。ここで、図11(b)に示すように、III族窒化物結晶10は、液相法により成長された第1の領域10sおよび第2の領域10tと、気相法により成長された気相成長領域10vとが、一体化している。
【0044】
ここで、気相法には、特に制限はないが、エピタキシャル成長が容易に行なえる観点から、HVPE法、有機金属化学気相堆積(MOCVD)法、分子線エピタキシ(MBE)法などが好ましい。さらに、結晶成長速度が高い観点から、HVPE法が特に好ましい。
【0045】
(実施形態4)
本発明にかかるIII族窒化物結晶基板の一実施形態は、図10の(a),(b)および図11の(b),(c)を参照して、実施形態1〜実施形態3のいずれかにより製造されたIII族窒化物結晶10を加工して得られるIII族窒化物結晶基板L1,L2,V1,V2,V3,V4,V5,V6およびV7である。ここで、III族窒化物結晶基板L1,L2は、液相法により成長された領域(第1の領域10sおよび第2の領域10t)から得られる基板を示し、III族窒化物結晶基板V1,V2,V3,V4,V5,V6,V7は、気相法により成長された領域(気相成長領域10v)から得られる基板を示す。なお、III族窒化物結晶基板L1には、下地基板であるIII族窒化物種結晶が含まれ得る。
【0046】
こうして得られるIII族窒化物結晶基板は、少なくともその表面が、全面的に転位密度が低く、単一の極性を有しているため、半導体デバイスの基板として好適に用いられる。
【0047】
III族窒化物結晶を加工する方法には、特に制限はなく、たとえば、III族窒化物結晶を、その主面と平行に板状に切断または劈開することを含むことができる。かかる切断または劈開により、板状のIII族窒化物結晶基板が容易に得られる。また、III族窒化物結晶を加工する方法には、得られたIII族窒化物結晶基板の主面を研削および/または研磨することを含むことができる。また、反応性イオンエッチング(RIE)などの気相エッチングにより、さらに研削および/または研磨後の主面のダメージ層を除去する工程を含んでもよい。このような主面が研削および/または研磨されたIII族窒化物結晶基板の主面上に結晶性のよい少なくとも1層のIII族窒化物半導体層を形成することができる。
【0048】
(実施形態5)
本発明にかかるIII族窒化物半導体デバイスの一実施形態は、図12および図13を参照して、実施形態4のIII族窒化物結晶基板100上に、少なくとも1層のIII族窒化物半導体層110,120が形成されているIII族窒化物半導体デバイスである。かかるIII族窒化物半導体デバイスは、少なくとも表面が全面的に転位密度が低く単一の極性を有しているIII族窒化物結晶基板を有しているため、このIII族窒化物結晶基板上に形成されているIII族窒化物半導体層は転位密度が低く結晶性がよく、高い特性を有する。III族窒化物半導体デバイスとして、以下にLDとHEMTの例を挙げる。
【0049】
(実施形態5A)
本発明にかかるIII族窒化物半導体デバイスの一例であるLDは、図12を参照して、少なくとも表面が全面的に転位密度が低く単一の極性を有しているIII族窒化物結晶基板100一方の主面上に、少なくとも1層のIII族窒化物半導体層110として、n型Al0.1Ga0.9Nクラッド層111、n型GaNガイド層112、4対のInGaN/GaN層からなる多重量子井戸活性層113(発光層)、p型Al0.2Ga0.8N保護層114、p型GaNガイド層115、p型Al0.1Ga0.9Nクラッド層116およびp型GaNコンタクト層117が順に形成されている。このp型GaNコンタクト層117上にp側電極118としてPdAu合金電極が形成されている。ここで、p側電極118、p型GaNコンタクト層117および一部のp型Al0.1Ga0.9Nクラッド層116がメサエッチングにより除去され、リッジ部が形成されている。また、III族窒化物結晶基板100の他方の主面上にn側電極119としてTi/Al合金電極が形成されている。
【0050】
(実施形態5B)
本発明にかかるIII族窒化物半導体デバイスの他の例であるHEMTは、図13を参照して、少なくとも表面が全面的に転位密度が低く単一の極性を有しているIII族窒化物結晶基板100一方の主面上に、少なくとも1層のIII族窒化物半導体層120として、アンドープAl0.26Ga0.74Nスペーサ層121、Siドープn型Al0.26Ga0.74Nキャリア供給層122およびSiドープn型GaNコンタクト層123が順に形成されている。Siドープn型GaNコンタクト層123上に、ソース電極126およびドレイン電極127となるTi/Alがそれぞれ電子ビーム蒸着によって形成され、これらが熱処理によって合金化されてTi/Al合金電極が形成されている。また、Ti/Al合金電極、Siドープn型GaNコンタクト層123および一部のSiドープn型Al0.26Ga0.74Nキャリア供給層122の中央部がストライプ状にリセスエッチングにより除去され、露出したSiドープn型Al0.26Ga0.74Nキャリア供給層122上に、ゲート電極125としてPt層/Ti層/Au層の積層電極が、ソース電極126およびドレイン電極127と接触しないように電子ビーム蒸着によって形成されている。ここで、ゲート電極125は、Siドープn型Al0.26Ga0.74Nキャリア供給層122側からPt層/Ti層/Au層の順に形成されている。
【実施例】
【0051】
(実施例1)
1.下地基板の準備
図1および図3を参照して、下地基板1として、転位密度が1×104〜1×105cm-2の主領域1sと転位密度が1×108〜1×109cm-2の極性反転領域1tとを有する直径が2インチ(50.8mm)で厚さが350μmのGaN種結晶を準備した。この下地基板1の主領域1sの表面は(0001)面であり、極性反転領域1tの表面は(000−1)面であった。また、この下地基板1の(0001)面において、極性反転領域1tは、複数のストライプ状領域1ta,1tbであり、各ストライプ状領域1ta,1tbは、50μmの幅Wを有し、300μmのピッチPで平行に配置されていた。また、各ストライプ状領域1ta,1tbのストライプ方向は<1−100>方向に平行であった。
【0052】
なお、実施例1の下地基板は、特許文献1に記載の成長法に基づいて、(111)A面上に複数のストライプ状マスク層が形成されているGaAs基板上に、HVPE法によりGaN結晶を成長させることにより得られた。ここで、各ストライプ状マスク層は、50μmの幅を有し、300μmのピッチで平行に配置されていた。また、各ストライプ状マスク層のストライプ方向はGaAs基板の<11−2>方向に平行であった。すなわち、GaAs基板のストライプ状マスク層上にはGaN結晶の極性反転領域1tが、マスク層以外のGaAs基板上には主領域1sが形成されていた。
【0053】
2.液相法によるIII族窒化物結晶の成長
上記下地基板1上に、溶液成長法により、III族窒化物結晶10であるGaN結晶を成長させた。具体的には、内径が52mmで高さが30mmのAl2O3製の坩堝(反応容器7)内に、その底部に下地基板1を配置し、12gの金属Gaを入れて加熱することにより、下地基板1上にGa融液(結晶成長用液体2)を形成した。次に、下地基板1およびGa融液(結晶成長用液体2)の温度を950℃として、Ga融液(結晶成長用液体2)に窒素含有ガス3としてN2ガスを供給して、N2ガス圧力を6.078MPa(60気圧)として、100時間、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させた。冷却後、坩堝内に残留するGaを塩酸で除去した後、下地基板1上に成長して下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を取り出した。GaN結晶の厚さは3μmであった。
【0054】
3.III族窒化物結晶の評価
下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)の極性および転位密度を以下のようにして観察した。
【0055】
この下地基板と一体化したGaN結晶を燐酸と硫酸の混合溶液に漬け、250℃に加熱して1時間エッチングして光学顕微鏡で観察した。その結果、下地基板1の極性反転領域1t上に成長した部分も、他の部分と同様にエッチングされにくくなっていることが判明した。また、この下地基板と一体化したGaN結晶を蛍光顕微鏡で観察したところ、GaN結晶の極性の反転を反映するような発光の変化している箇所は見られなかった。これらの結果から、この下地基板と一体化したGaN結晶の表面は、全面がGa面((0001)面)になっていること、すなわち、単一の極性を有していることが確認できた。
【0056】
また、この下地基板と一体化したGaN結晶の表面の転位密度は、カソードルミネッセンス(CL)により観察したところ、全面的に一様に1×104〜1×105cm-2と低かった。
【0057】
上記の結果から、実施例1の下地基板と一体化したGaN結晶は、GaN結晶の厚さが3μmにおいて、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度の低い結晶であることが確認できた。
【0058】
4.LDの作製
図12を参照して、次に、この下地基板と一体化したGaN結晶をIII族窒化物結晶基板100として、このIII族窒化物結晶基板100上に、少なくとも1層のIII族窒化物半導体層110を形成することにより、LDを作製した。
【0059】
具体的には、このIII族窒化物結晶基板100を研磨し、反応性イオンエッチング(RIE)により表面ダメージ層を除去した。次に、III族窒化物結晶基板100の一方の主面上に、III族窒化物半導体層110として、厚さ3μmのn型Al0.1Ga0.9Nクラッド層111、厚さ0.1μmのn型GaNガイド層112、4対のInGaN/GaN層からなる厚さ0.05μmの多重量子井戸活性層113(発光層)、厚さ0.02μmのp型Al0.2Ga0.8N保護層114、厚さ0.1μmのp型GaNガイド層115、厚さ0.4μmのp型Al0.1Ga0.9Nクラッド層116および厚さ0.1μmのp型GaNコンタクト層117を順に形成した。これらのIII族半導体層110の形成は、MOCVD法により、III族元素原料ガスとしてトリメチルガリウムガスおよびトリメチルアルミニウムガス、窒素原料ガスとしてアンモニアガス、キャリアガスとして水素ガス、n型ドーパントガスとしてシランガス、p型ドーパントとしてマグネシウムを用いて、基板温度を1080℃として行なった。
【0060】
次に、メサエッチングにより、両端部に形成されているp型GaNコンタクト層117および一部のp型Al0.1Ga0.9Nクラッド層116を除去することにより、リッジストライプ幅が2μmのリッジを形成した。次いで、p型GaNコンタクト層117上に、電子ビーム蒸着および熱処理により、p側電極118としてPd/Au合金電極を形成した。
【0061】
次に、III族窒化物結晶基板100の他方の主面を研磨して、この基板の厚さを100μmとした後、この他方の主面上に、電子ビーム蒸着および熱処理により、n側電極119としてTi/Al合金電極を形成した。
【0062】
次に、下地基板1の一方の主面上にIII族窒化物半導体層110およびp側電極118が形成され、他方の主面上にn側電極119が形成されたウエハを、一辺が300μmの正方形のチップに分割して、LDを作製した。直径2インチ(50.8mm)のウエハから、1000個のLDが得られた。これらのLDは、閾値電流が45mAで、発振波長が405nmの青紫色LDであった。これらのLDについて、60℃の雰囲気温度下で出力30mWで発振させる寿命試験において推定寿命が1万時間以上となる合格品が80%の歩留まりで得られた。
【0063】
(比較例1)
実施例1において用いた下地基板1(すなわち、転位密度が1×104〜1×105cm-2の主領域1sと転位密度が1×108〜1×109cm-2の極性反転領域1tとを有する直径が2インチ(50.8mm)で厚さが350μmのGaN種結晶)をIII族窒化物結晶基板100として用いて、実施例1と同様にして、LDを作製した。LDの作製においては、リッジ部が主領域1sの直上領域に形成されるように注意した。
【0064】
直径2インチ(50.8mm)のウエハから、発振波長が405nmの青紫色LDが1000個得られた。これらのLDについて、実施例1と同様の寿命試験を行なったところ、合格品の歩留まりは10%であった。故障したLDを解析したところ、下地基板1上に形成されているIII族窒化物半導体層において極性反転領域1t上に形成されている部分は、ほとんど極性が反転していた。また、下地基板1上に形成されているIII族窒化物半導体層において主領域1s上に形成されている部分は、その端部が盛り上がるといった異常成長を起こしていた。
【0065】
(比較例2)
1.下地基板の準備
下地基板として特許文献2のELO法により作製されたGaN結晶基板を準備した。具体的には、まず、直径が2インチ(50.8mm)で厚さが300μmのサファイア基板の(0001)面上にMOCVD法により厚さ1μmのGaN層が形成された基板上に、化学気相体積(CVD)法によってSiO2膜からなるマスクを形成し、フォトリソグラフィー法とウエットエッチングによってマスクをストライプ状にパターニングした。残された各ストライプ状マスクは、そのストライプ方向がGaN結晶の<11−20>方向であり、マスク幅が5μmで、7μmのピッチで配置した。
【0066】
次に、このストライプ状マスク付基板をHVPE装置に挿入し、H2ガス雰囲気下で1000℃に昇温し、GaClガスを20sccm(1sccmは1013hPa、0℃の標準状態のガスが1分間に1cm3の流量をいう、以下同じ)、NH3ガスを1000sccmで25分間供給することにより、ストライプ状マスクの開口部から成長したGaN結晶を横方向に成長させた。さらに、10時間結晶成長させて、全面が平坦で厚さが400μmのGaN結晶が得られた。
【0067】
次に、冷却後、このGaN結晶をHVPE装置から取り出し、サファイア基板側からイットリウム・アルミニウム・ガーネットレーザ(YAGレーザ)の第3高調波(波長355nm)を全面に照射することにより、GaN結晶とサファイア基板の界面に存在するGaN層を分解し、GaN結晶とサファイア基板とを分離した。次いで、GaN結晶の両面を研磨することで、厚さが360μmのGaN結晶を得た。
【0068】
得られたGaN結晶を燐酸と硫酸の混合溶液に漬け、250℃に加熱して1時間エッチングして光学顕微鏡で観察したところ、全面がGa面((0001)面)であった。また、このGaN結晶の表面の転位密度は、CLにより観測したところ、1×107〜1×108cm-2であった。上記のGaN結晶の表面を研磨して、厚さが350μmのGaN結晶基板を得た。
【0069】
2.液相法によるIII族窒化物結晶の成長
上記のGaN結晶基板(下地基板1)上に、実施例1と同様の条件で溶液成長法により、100時間、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させ、実施例1と同様の方法で、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を取り出した。GaN結晶の厚さは3μmであった。
【0070】
3.III族窒化物結晶の評価
下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)は、実施例1と同様のエッチング後に光学顕微鏡および蛍光顕微鏡による観察をしたところ、表面の全面がGa面((0001)面)であり、単一の極性を有していた。また、下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)の転位密度は、CLで観察したところ、1×107〜1×108cm-2と高かった。
【0071】
4.LDの作製
この下地基板と一体化したGaN結晶をIII族窒化物結晶基板100として用いて、実施例1と同様にして、LDを1000個作製した。しかし、作製された全てのLDは、室温(たとえば、25℃)雰囲気下でさえも出力30mWで発振しなかったため、寿命を測定することは不可能であった。したがって、合格品の歩留まりは0%であった。
【0072】
(実施例2)
1.下地基板の準備
図1および図4を参照して、下地基板1として、転位密度が1×104〜1×105cm-2の主領域1sと転位密度が1×108〜1×109cm-2の極性反転領域1tとを有する直径が2インチ(50.8mm)で厚さが350μmのGaN種結晶を準備した。この下地基板1の主領域1sの表面は(0001)面であり、極性反転領域1tの表面は(000−1)面であった。また、この下地基板1の(0001)面において、極性反転領域1tは、複数のストライプ状領域1ta,1tbであり、各ストライプ状領域1ta,1tbは、50μmの幅Wを有し、300μmのピッチPで平行に配置されていた。また、各ストライプ状領域1ta,1tbのストライプ方向は<11−20>方向に平行であった。
【0073】
なお、実施例2の下地基板は、特許文献1に記載の成長法に基づいて、(111)A面上に複数のストライプ状マスク層が形成されているGaAs基板上に、HVPE法によりGaN結晶を成長させることにより得られた。ここで、各ストライプ状マスク層は、50μmの幅を有し、300μmのピッチで平行に配置されていた。また、各ストライプ状マスク層のストライプ方向はGaAs基板の<−110>方向に平行であった。すなわち、GaAs基板のストライプ状マスク層上にはGaN結晶の極性反転領域1tが、マスク層以外のGaAs基板上には主領域1sが形成されていた。
【0074】
2.液相法によるIII族窒化物結晶の成長
上記の下地基板1上に、実施例1と同様の条件で溶液成長法により、100時間、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させ、実施例1と同様の方法で、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を取り出した。GaN結晶の厚さは3μmであった。
【0075】
3.III族窒化物結晶の評価
下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)は、実施例1と同様のエッチング後に光学顕微鏡および蛍光顕微鏡による観察をしたところ、表面の全面がGa面((0001)面)であり、単一の極性を有していた。また、下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)の転位密度は、CLで観察したところ、全面的に一様に1×104〜1×105cm-2と低かった。
【0076】
上記の結果から、実施例2の下地基板と一体化したGaN結晶は、GaN結晶の厚さが3μmにおいて、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度の低い結晶であることが確認できた。
【0077】
(実施例3)
1.下地基板の準備
図1および図5を参照して、下地基板1として、転位密度が1×104〜1×105cm-2の主領域1sと転位密度が1×108〜1×109cm-2の極性反転領域1tとを有する直径が2インチ(50.8mm)で厚さが350μmのGaN種結晶を準備した。この下地基板1の主領域1sの表面は(0001)面であり、極性反転領域1tの表面は(000−1)面であった。また、この下地基板1の(0001)面において、極性反転領域1tは、複数のストライプ状領域1ta,1tbであり、各ストライプ状領域1ta,1tbは、50μmの幅Wを有し、300μmのピッチPで平行に配置されていた。また、各ストライプ状領域1ta,1tbのストライプ方向は<1−100>方向から<11−20>方向に45°回転した方向に平行であった。
【0078】
なお、実施例3の下地基板は、特許文献1に記載の成長法に基づいて、(111)A面上に複数のストライプ状マスク層が形成されているGaAs基板上に、HVPE法によりGaN結晶を成長させることにより得られた。ここで、各ストライプ状マスク層は、50μmの幅を有し、300μmのピッチで平行に配置されていた。また、各ストライプ状マスク層のストライプ方向はGaAs基板の<11−2>方向から<−110>方向に45°回転した方向に平行であった。すなわち、GaAs基板のストライプ状マスク層上にはGaN結晶の極性反転領域1tが、マスク層以外のGaAs基板上には主領域1sが形成されていた。
【0079】
2.液相法によるIII族窒化物結晶の成長
上記の下地基板1上に、実施例1と同様の条件で溶液成長法により、200時間、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させ、実施例1と同様の方法で、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を取り出した。GaN結晶の厚さは6μmであった。
【0080】
3.III族窒化物結晶の評価
下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)は、実施例1と同様のエッチング後に光学顕微鏡および蛍光顕微鏡による観察をしたところ、表面の全面がGa面((0001)面)であり、単一の極性を有していた。また、下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)の転位密度は、CLで観察したところ、全面的に一様に1×104〜1×105cm-2と低かった。
【0081】
上記の結果から、実施例3の下地基板と一体化したGaN結晶は、GaN結晶の厚さが6μmにおいて、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度の低い結晶であることが確認できた。
【0082】
(実施例4)
1.下地基板の準備
図1および図5を参照して、下地基板1として、実施例3と同じGaN種結晶を準備した。次いで、この下地基板を溶融したKOH液に漬け、300℃で10分間加熱した。このとき、溶融KOHは、Ga面に比べてN面のエッチング速度が著しく高いため、図2および図5に示すような極性反転領域1tの表面が主領域1sの表面に比べて、20μm窪んだ下地基板1が得られた。
【0083】
2.III族窒化物結晶の成長
この極性反転領域1tの窪みを有する凹凸表面を持つ下地基板上に、実施例1と同様の条件で溶液成長法により、36時間、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させ、実施例1と同様の方法で、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を取り出した。GaN結晶の厚さは1μmであった。
【0084】
3.III族窒化物結晶の評価
下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)は、実施例1と同様のエッチング後に光学顕微鏡および蛍光顕微鏡による観察をしたところ、表面の全面がGa面((0001)面)であり、単一の極性を有していた。また、下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)の転位密度は、CLで観察したところ、全面的に一様に1×104〜1×105cm-2と低かった。
【0085】
上記の結果から、実施例4の下地基板と一体化したGaN結晶は、GaN結晶の厚さが1μmにおいて、少なくとも表面が単一の極性を有し、全面的に転位密度の低い結晶であることが確認できた。
【0086】
この実施例4を実施例3と対比すると、下地基板1の極性反転領域1tを窪ませてIII族窒化物結晶10を成長させることにより、極性反転領域1t上に成長する第2の領域10tの成長に対して主領域1s上に成長する第1の領域10sの成長がより優先的となり、第2領域被覆結晶厚さが小さくなるため、より薄い結晶成長により、すなわち、より短時間の結晶成長で、少なくとも表面の転位密度が全面的に低く単一の極性を有するIII族窒化物結晶が得られることが確認できた。
【0087】
(実施例5)
1.下地基板の準備
図1および図6を参照して、下地基板1として、転位密度が1×104〜1×105cm-2の主領域1sと転位密度が1×108〜1×109cm-2の極性反転領域1tとを有する直径が2インチ(50.8mm)で厚さが350μmのGaN種結晶を準備した。この下地基板1の主領域1sの表面は(0001)面であり、極性反転領域1tの表面は(000−1)面であった。ここで、この下地基板1の(0001)面において、極性反転領域1tは複数のドット状領域1tm,1tnであり、直径Wが50μmの各ドット状領域1tm,1tnは、その中心が二次元的に稠密に配置された一辺Pが300μmの正方形1fの各頂点に位置するように配置されていた。また、正方形1fのいずれかの対向する二辺の方向は<1−100>方向に平行であった。
【0088】
なお、実施例5の下地基板は、特許文献1に記載の成長法に基づいて、(111)A面上に複数のドット状マスク層が形成されているGaAs基板上に、HVPE法によりGaN結晶を成長させることにより得られた。ここで、各ドット状マスク層は、50μmの直径を有し、その中心が二次元的に稠密に配置された一辺Pが300μmの正方形の各頂点に位置するように配置されていた。また、正方形1fのいずれかの対向する二辺の方向はGaAs基板の<11−2>方向に平行であった。すなわち、GaAs基板のマスク層上にはGaN結晶の極性反転領域1tが、マスク層以外のGaAs基板上には主領域1sが形成されていた。
【0089】
2.液相法によるIII族窒化物結晶の成長
上記の下地基板1上に、実施例1と同様の条件で溶液成長法により、100時間、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させ、実施例1と同様の方法で、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を取り出した。GaN結晶の厚さは3μmであった。
【0090】
3.III族窒化物結晶の評価
下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)は、実施例1と同様のエッチング後に光学顕微鏡および蛍光顕微鏡による観察をしたところ、表面の全面がGa面((0001)面)であり、単一の極性を有していた。また、下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)の転位密度は、CLで観察したところ、全面的に一様に1×104〜1×105cm-2と低かった。
【0091】
上記の結果から、実施例5の下地基板と一体化したGaN結晶は、GaN結晶の厚さが3μmにおいて、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度の低い結晶であることが確認できた。
【0092】
(参考例1)
1.下地基板の準備
図1および図7を参照して、下地基板1として、転位密度が1×104〜1×105cm-2の主領域1sと転位密度が1×108〜1×109cm-2の極性反転領域1tとを有する直径が2インチ(50.8mm)で厚さが350μmのGaN種結晶を準備した。この下地基板1の主領域1sの表面は(0001)面であり、極性反転領域1tの表面は(000−1)面であった。ここで、(0001)面上において、極性反転領域1tは複数のドット状領域1tm,1tnであり、直径Wが50μmの各ドット状領域1tm,1tnは、その中心が二次元的に稠密に配置された一辺Pが300μmの正三角形1gの各頂点に位置するように配置されていた。また、正三角形1gの三辺の方向は全て<1−100>方向に平行であった。
【0093】
なお、参考例1の下地基板は、特許文献1に記載の成長法に基づいて、(111)A面上に複数のドット状マスク層が形成されているGaAs基板上に、HVPE法によりGaN結晶を成長させることにより得られた。ここで、各ドット状マスク層は、50μmの直径を有し、その中心が二次元的に稠密に配置された一辺Pが300μmの正三角形の各頂点に位置するように配置されていた。また、正三角形のいずれかの辺の方向はGaAs基板の<11−2>方向に平行であった。すなわち、GaAs基板のストライプ状マスク層上にはGaN結晶の極性反転領域1tが、マスク層以外のGaAs基板上には主領域1sが形成されていた。
【0094】
2.液相法によるIII族窒化物結晶の成長
上記の下地基板1上に、反応容器7の材質として高純度な坩堝材であるpBNを用い、実施例1よりも高温高圧の条件で溶液成長法により、GaN結晶を成長させた。具体的には、成長温度を1500℃、N2ガス圧力を1.5GPa(約1.5万気圧)として200時間、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させ、実施例1と同様の方法で、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を取り出した。GaN結晶の厚さは650μmであった。
【0095】
3.III族窒化物結晶の評価
図10を参照して、下地基板1と一体化した厚さ1000μmのGaN結晶(III族窒化物結晶10)をスライサーにより2枚にスライスし、溶液成長法で成長した面側からそれぞれ研磨し、さらにRIEでGa面側の表面ダメージ層を除去した。その結果、主領域1sおよび極性反転領域1tを持つ厚さ350μmの下地基板と溶液成長した厚さ100μmのGaN結晶が一体化したGaN結晶基板(III族窒化物結晶基板L1)と、溶液成長法の成長領域からなる厚さ450μmのGaN結晶基板(III族窒化物結晶基板L2)が、それぞれ1枚ずつ得られた。
【0096】
次に、これらの基板L1およびL2のGa面側で四端子のホール測定を行なった。その結果、いずれの基板も、抵抗率が1×105Ω・cm以上の高抵抗基板であること、すなわち、HEMTなどに好適な基板であることを確認した。
【0097】
また、これらの基板L1およびL2について、実施例1と同様のエッチング後に光学顕微鏡および蛍光顕微鏡による観察をしたところ、表面の全面がGa面((0001)面)であり、単一の極性を有していた。また、これらの基板L1およびL2(III族窒化物結晶10)の転位密度は、CLで観察したところ、全面的に一様に1×104〜1×105cm-2と低かった。
【0098】
上記の結果から、参考例1のGaN結晶基板(基板L1,L2)は、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度の低い結晶であることが確認できた。
【0099】
4.HEMTの作製
図13を参照して、この高抵抗のGaN結晶基板をIII族窒化物結晶基板100として用いて、このIII族窒化物結晶基板100上に少なくとも1層のIII族窒化物半導体層120を形成することにより、HEMTを作製した。
【0100】
具体的には、このIII族窒化物結晶基板100を研磨し、RIEにより表面ダメージ層を除去した。次に、III族窒化物結晶基板100の主面上に、III族窒化物半導体層120として、厚さ10nmのアンドープAl0.26Ga0.74Nスペーサ層121、厚さ20nmのSiドープn型Al0.26Ga0.74Nキャリア供給層122、厚さ20nmのSiドープn型GaNコンタクト層123を順に形成した。これらのIII族窒化物半導体層120の形成は、MOCVD法により、III族元素原料ガスとしてトリメチルガリウムガスおよびトリメチルアルミニウムガス、窒素原料ガスとしてアンモニアガス、キャリアガスとしてを水素ガス、ドーピングガスとしてシランガスを用いて、基板温度を1100℃として行なった。
【0101】
次に、Siドープn型GaNコンタクト層123上に、ソース電極126およびドレイン電極127として、Ti層/Al層をそれぞれ25nm/150nm蒸着し、これらを熱処理で合金化した後、ウエハの中央部をストライプ状にRIEによりリセスエッチングを行なった。次いで、上記リセスエッチングにより露出したSiドープn型Al0.26Ga0.74Nキャリア供給層122上に、ゲート電極125としてPt層(厚さ10nm)/Ti層(厚さ40nm)/Au層(厚さ100nm)を、ソース電極126とドレイン電極127との間に形成した。ゲート電極125におけるゲート長およびゲート幅はそれぞれ2μmおよび14μmとし、ソース電極126とドレイン電極127との間隔は10μmとした。
【0102】
このHEMTの界面は、表面が平坦かつ転位密度の低いGaN結晶基板(III族窒化物結晶基板100)上に作製されたものであるため、極めてシャープであり、その断面を透過電子顕微鏡(TEM)で観察したところ、原子層レベルで平坦となっていることが確認された。このHEMTの室温(たとえば、300K)における特性は、相互コンダクタンスが160mS/mm、ドレイン電流が1.1A/mmであり、非常に高特性なデバイスが作製できた。
【0103】
(実施例6)
1.下地基板の準備
図1および図8を参照して、下地基板1として、転位密度が1×104〜1×105cm-2の主領域1sと転位密度が1×108〜1×109cm-2の極性反転領域1tとを有する直径が2インチ(50.8mm)で厚さが350μmのGaN種結晶を準備した。この下地基板1の主領域1sの表面は(0001)面であり、極性反転領域1tの表面は(000−1)面であった。ここで、(0001)面上において、極性反転領域1tは、その中心線が二次元的に稠密に配置された一辺Pが300μmの正六角形1hの六辺上にあり、その幅Wが50μmの六辺部分であった。また、六辺の方向は全て<11−20>方向に平行であった。
【0104】
なお、実施例6の下地基板は、特許文献1に記載の成長法に基づいて、(111)A面上に二次元的に稠密に配置された一辺Pが300μmの正六角形1hの六辺上にその中心線がありその幅Wが50μmの六辺部分にマスク層が形成されているGaAs基板上に、HVPE法によりGaN結晶を成長させることにより得られた。ここで、上記正六角形のいずれかの対向する二辺の方向はGaAs基板の<−110>方向に平行であった。すなわち、GaAs基板のマスク層上にはGaN結晶の極性反転領域1tが、マスク層以外のGaAs基板上には主領域1sが形成されていた。
【0105】
2.液相法によるIII族窒化物結晶の成長
上記の下地基板1上に、実施例1と同様の条件で溶液成長法により、200時間、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させ、実施例1と同様の方法で、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を取り出した。GaN結晶の厚さは6μmであった。
【0106】
3.III族窒化物結晶の評価
下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)は、実施例1と同様のエッチング後に光学顕微鏡および蛍光顕微鏡による観察をしたところ、表面の全面がGa面((0001)面)であり、単一の極性を有していた。また、下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)の転位密度は、CLで観察したところ、全面的に一様に1×104〜1×105cm-2と低かった。
【0107】
上記の結果から、実施例6の下地基板と一体化したGaN結晶は、GaN結晶の厚さが6μmにおいて、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度の低い結晶であることが確認できた。
【0108】
(実施例7)
1.下地基板の準備
図1および図9を参照して、下地基板1として、転位密度が1×104〜1×105cm-2の主領域1sと転位密度が1×108〜1×109cm-2の極性反転領域1tとを有する直径が2インチ(50.8mm)で厚さが350μmのGaN種結晶を準備した。この下地基板1の主領域1sの表面は(0001)面であり、極性反転領域1tの表面は(000−1)面であった。ここで、(0001)面上において、極性反転領域1tは、その中心線が二次元的に稠密に配置された一辺Pが300μmの正六角形1hの六辺上にあり、その幅Wが50μmの六辺部分であった。また、六辺のいずれかの方向は全て<1−100>方向に平行であった。
【0109】
なお、実施例7の下地基板は、特許文献1に記載の成長法に基づいて、(111)A面上に二次元的に稠密に配置された一辺Pが300μmの正六角形1hの六辺上にその中心線がありその幅Wが50μmの六辺部分にマスク層が形成されているGaAs基板上に、HVPE法によりGaN結晶を成長させることにより得られた。ここで、上記正六角形のいずれかの対向する二辺の方向はGaAs基板の<11−2>方向に平行であった。すなわち、GaAs基板のマスク層上にはGaN結晶の極性反転領域1tが、マスク層以外のGaAs基板上には主領域1sが形成されていた。
【0110】
2.液相法によるIII族窒化物結晶の成長
上記の下地基板1上に、実施例1と同様の条件で溶液成長法により、200時間、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させ、実施例1と同様の方法で、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を取り出した。GaN結晶の厚さは6μmであった。
【0111】
3.III族窒化物結晶の評価
下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)は、実施例1と同様のエッチング後に光学顕微鏡および蛍光顕微鏡による観察をしたところ、表面の全面がGa面((0001)面)であり、単一の極性を有していた。また、下地基板と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)の転位密度は、CLで観察したところ、全面的に一様に1×104〜1×105cm-2と低かった。
【0112】
上記の結果から、実施例7の下地基板と一体化したGaN結晶は、GaN結晶の厚さが6μmにおいて、少なくとも表面が、単一の極性を有し、全面的に転位密度の低い結晶であることが確認できた。
【0113】
(実施例8)
1.下地基板の準備
実施例1と同様の下地基板を準備した。
【0114】
2.液相法によるIII族窒化物結晶の成長
上記下地基板上に、実施例1と同様の条件で液体成長法により、200時間、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させ、実施例1と同様の方法で、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を取り出した。GaN結晶の厚さは6μmであった。
【0115】
3.気相法によるIII族窒化物結晶の成長
図11(a)および(b)を参照して、下地基板1上に溶液成長法により成長され、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)を、HVPE法によりさらに35時間成長させて、GaN結晶をさらに3500μm厚くした。ここで、ドーパントガスとしてSiCl2H2ガスを用いた。
【0116】
4.III族窒化物結晶基板の作製
図11(b)および(c)を参照して、下地基板1上に溶液成長法により次いでHVPE法により成長され、下地基板1と一体化したGaN結晶(III族窒化物結晶10)をスライサーにより8枚にスライスし、溶液成長法またはHVPE法で成長した面側からそれぞれ研磨し、さらにRIEでGa面側の表面ダメージ層を除去した。こうして、厚さが355μmのGaN結晶基板が8枚得られた(III族窒化物結晶基板L1,V1,V2,V3,V4,V5,V6およびV7)。ここで、基板L1は、下地基板1および液相法による成長領域(第1の領域10sおよび第2の領域10t)から得られ、基板V1,V2,V3,V4,V5,V6,V7は気相法による成長領域(気相成長領域10v)から得られた。なお、基板L1の液相法による成長領域の厚さは5μmであった。
【0117】
これらの基板L1,V1,V2,V3,V4,V5,V6およびV7は、その抵抗率を基板のGa面に電極を蒸着してホール測定を行なったところいずれも0.01Ω・cmであり、青紫色レーザ等の光デバイスに適した導電性基板であることが確認できた。
【0118】
5.LDの作製
これらの基板L1,V1,V2,V3,V4,V5,V6およびV7をIII族窒化物結晶基板100として用いて、実施例1と同様にして各基板について1000個のLDを作製した。これらのLDについて、実施例1と同様の寿命試験を行なったところ、いずれの基板についても合格品の歩留まりは80%と高かった。
【0119】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【0120】
1 下地基板、1f 正方形、1g 正三角形、1h 正六角形、1s 主領域、1t 極性反転領域、1ta,1tb ストライプ状領域、1tm,1tn ドット状領域、2 結晶成長用液体、3 窒素含有ガス、7 反応容器、10 III族窒化物結晶、10s 第1の領域、10t 第2の領域、10v 気相成長領域、100 III族窒化物結晶基板、110,120 III族窒化物半導体層、111 n型Al0.1Ga0.9Nクラッド層、112 n型GaNガイド層、113 多重量子井戸活性層、114 p型Al0.2Ga0.8N保護層、115 p型GaNガイド層、116 p型Al0.1Ga0.9Nクラッド層、117 p型GaNコンタクト層、118 p側電極、119 n側電極、121 アンドープAl0.26Ga0.74Nスペーサ層、122 Siドープn型Al0.26Ga0.74Nキャリア供給層、123 Siドープn型GaNコンタクト層、125 ゲート電極、126 ソース電極、127 ドレイン電極。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
III族窒化物種結晶を含み、前記III族窒化物種結晶は主領域と前記主領域に対して<0001>方向の極性が反転している極性反転領域とを有する下地基板を準備する工程と、
前記下地基板の前記主領域および前記極性反転領域上に液相法によりIII族窒化物結晶を成長させる工程を含み、
前記III族窒化物結晶は、酸化物の反応容器内で成長され、
前記主領域上に成長する前記III族窒化物結晶の成長速度の大きい第1の領域が、前記極性反転領域上に成長する前記III族窒化物結晶の成長速度の小さい第2の領域を覆うことを特徴とするIII族窒化物結晶の製造方法。
【請求項2】
前記下地基板は、前記極性反転領域の表面が、前記主領域の表面に比べて窪んでいることを特徴とする請求項1に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
【請求項3】
前記下地基板の{0001}面において、前記極性反転領域は複数のストライプ状領域であり、各前記ストライプ状領域が互いに平行に周期的に配置されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
【請求項4】
前記下地基板の{0001}面において、前記極性反転領域は複数のドット状領域であり、各前記ドット状領域が二次元的に周期的に配置されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
【請求項5】
前記下地基板の{0001}面において、前記極性反転領域は二次元的に稠密に配置されている正六角形の六辺部分であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
【請求項6】
前記III族窒化物結晶を1μm以上の厚さに成長させることを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれかに記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
【請求項7】
前記III族窒化物結晶はその表面の抵抗率が0.01Ω・cm以下であることを特徴とする請求項1から請求項6までのいずれかに記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
【請求項8】
前記下地基板上に液相法で成長させた前記III族窒化物結晶を気相法でさらに成長させる工程を含む請求項1から請求項7までのいずれかに記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
【請求項9】
請求項1から請求項8までのいずれかの製造方法により得られるIII族窒化物結晶を加工して得られるIII族窒化物結晶基板。
【請求項10】
前記III族窒化物結晶の加工は、III族窒化物結晶を切断または劈開することを含む請求項9に記載のIII族窒化物結晶基板。
【請求項11】
請求項9または請求項10のIII族窒化物結晶基板上に、少なくとも1層のIII族窒化物半導体層が形成されているIII族窒化物半導体デバイス。
【請求項1】
III族窒化物種結晶を含み、前記III族窒化物種結晶は主領域と前記主領域に対して<0001>方向の極性が反転している極性反転領域とを有する下地基板を準備する工程と、
前記下地基板の前記主領域および前記極性反転領域上に液相法によりIII族窒化物結晶を成長させる工程を含み、
前記III族窒化物結晶は、酸化物の反応容器内で成長され、
前記主領域上に成長する前記III族窒化物結晶の成長速度の大きい第1の領域が、前記極性反転領域上に成長する前記III族窒化物結晶の成長速度の小さい第2の領域を覆うことを特徴とするIII族窒化物結晶の製造方法。
【請求項2】
前記下地基板は、前記極性反転領域の表面が、前記主領域の表面に比べて窪んでいることを特徴とする請求項1に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
【請求項3】
前記下地基板の{0001}面において、前記極性反転領域は複数のストライプ状領域であり、各前記ストライプ状領域が互いに平行に周期的に配置されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
【請求項4】
前記下地基板の{0001}面において、前記極性反転領域は複数のドット状領域であり、各前記ドット状領域が二次元的に周期的に配置されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
【請求項5】
前記下地基板の{0001}面において、前記極性反転領域は二次元的に稠密に配置されている正六角形の六辺部分であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
【請求項6】
前記III族窒化物結晶を1μm以上の厚さに成長させることを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれかに記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
【請求項7】
前記III族窒化物結晶はその表面の抵抗率が0.01Ω・cm以下であることを特徴とする請求項1から請求項6までのいずれかに記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
【請求項8】
前記下地基板上に液相法で成長させた前記III族窒化物結晶を気相法でさらに成長させる工程を含む請求項1から請求項7までのいずれかに記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
【請求項9】
請求項1から請求項8までのいずれかの製造方法により得られるIII族窒化物結晶を加工して得られるIII族窒化物結晶基板。
【請求項10】
前記III族窒化物結晶の加工は、III族窒化物結晶を切断または劈開することを含む請求項9に記載のIII族窒化物結晶基板。
【請求項11】
請求項9または請求項10のIII族窒化物結晶基板上に、少なくとも1層のIII族窒化物半導体層が形成されているIII族窒化物半導体デバイス。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【公開番号】特開2009−149513(P2009−149513A)
【公開日】平成21年7月9日(2009.7.9)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−36830(P2009−36830)
【出願日】平成21年2月19日(2009.2.19)
【分割の表示】特願2007−114480(P2007−114480)の分割
【原出願日】平成19年4月24日(2007.4.24)
【出願人】(000002130)住友電気工業株式会社 (12,747)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成21年7月9日(2009.7.9)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年2月19日(2009.2.19)
【分割の表示】特願2007−114480(P2007−114480)の分割
【原出願日】平成19年4月24日(2007.4.24)
【出願人】(000002130)住友電気工業株式会社 (12,747)
【Fターム(参考)】
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