【課題】ヒータが側方に配置された場合にインゴット割れおよび結晶欠陥の発生を抑制し、高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで製造する。
【解決手段】側方に配置されたヒータにより加熱されて溶融したシリコンを内部で凝固させて多結晶シリコンインゴットを生成させる坩堝であって、底面部において中央部２１が周側部２２より厚い。 （もっと読む）

【課題】 ＦＺ単結晶シリコンは体積固有抵抗やライフ・タイム等、品質上はＣＺ単結晶シリコンに比べて優れているにも拘わらず、コストが「約５〜８倍」と高価なため、太陽電池用としては使用されていない。このため、本発明では太陽電池用に特化することにより、大幅なコスト・ダウンをはかる手段を提供することにより、ＦＺ単結晶シリコンを使用し大幅に効率アップした太陽電池の普及に貢献する。
【解決手段】
単結晶製造のスムーズな引き上げのみを考慮した単純な製造機器により、成長スピードを２〜５ｍｍ／ｍｉｎ、場合により８ｍｍ／ｍｉｎまであげる。
又、芯ドープには空洞部に特殊加工したドーピングマザーメタルを使用する等を行う。
亜鉛還元法によるシリコンについては、熔融が簡単で短時間融解で済み、吸い上げを含めても石英等とのコンタミネーションも極端に少なくなる。 （もっと読む）

【課題】高い比抵抗を有し、かつ比抵抗のばらつきが小さいｐ型シリコン単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型シリコン単結晶１の製造方法は次の工程を有する。主ドーパントしてのホウ素と、ｎ型不純物であって、ホウ素よりも偏析係数が小さい第１の副ドーパントと、ｐ型不純物であって、第１の副ドーパントよりも偏析係数が小さい第２の副ドーパントとが添加されたシリコン融液７が準備される。シリコン融液７からチョクラルスキー法により、比抵抗が６Ωｃｍ以上であるシリコン単結晶が成長される。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているＳｉＣバルク単結晶を製造する方法及び単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＣバルク単結晶を製造する方法において、成長坩堝３の結晶成長領域にＳｉＣ成長気相が生成され、中心縦軸を有するＳｉＣバルク単結晶をＳｉＣ成長気相からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているＳｉＣバルク単結晶の成長境界面のところで行われ、ＳｉＣ成長気相が、少なくとも部分的に、成長坩堝の備蓄領域にあるＳｉＣソース材料から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも１つのドーピング物質を含んでおり、結晶成長領域はＳｉＣ表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、ＳｉＣ表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるＳｉＣ／Ｃの面積比率が常に１よりも小さい値を有するように選択され、最初に注入される前記ＳｉＣソース材料で２０％から４０％の間の過剰炭素が供給される。 （もっと読む）

【課題】｛０００１｝面を除いて任意に特定される｛ｈｋｉｌ｝面に対して面方位のばらつきが小さな主面を有するＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、｛０００１｝面を除いて任意に特定される｛ｈｋｉｌ｝面に対して結晶片１０の主面１０ｍ内に１ｍｍピッチで配置された各点における面方位のずれが０．５°以下である複数の結晶片１０を調製し、｛ｈｋｉｌ｝面に対して複数の結晶片１０の主面１０ｍの全面１０ａ内に１ｍｍピッチで配置された各点における面方位のずれが０．５°以下になるようにかつ結晶片１０の主面１０ｍの少なくとも一部が露出するように複数の結晶片１０を配置して、複数の結晶片１０の主面１０ｍの露出部分上に、第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させるものである。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているＳｉＣバルク単結晶を製造する方法及び単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＣバルク単結晶を製造する方法において、成長坩堝３の結晶成長領域にＳｉＣ成長気相が生成され、中心縦軸を有するＳｉＣバルク単結晶をＳｉＣ成長気相からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているＳｉＣバルク単結晶２の成長境界面のところで行われ、ＳｉＣ成長気相が、少なくとも部分的に、成長坩堝の備蓄領域にあるＳｉＣソース材料から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも１つのドーピング物質を含んでおり、結晶成長領域はＳｉＣ表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、ＳｉＣ表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるＳｉＣ／Ｃの面積比率が常に０．０１よりも小さい値を有するように選択される。 （もっと読む）

【課題】大型で良質なＩＩＩ族窒化物半導体結晶を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】Ｖ族原料およびＩＩＩ族原料の存在下でＣ面以外を主面とするＩＩＩ族窒化物シード１上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶層３を成長させる際に、成長温度を１０２０℃未満にして行う低温成長工程２を実施する。 （もっと読む）

【課題】フラックス法において、高品質な高電子濃度のｎ型半導体結晶を製造できるようにすること。
【解決手段】少なくとも III族元素をフラックスを用いて溶融させて溶液とし、この溶液に窒素を含むガスを供給し、この溶液から種結晶上に、 III族窒化物系化合物半導体からなる半導体結晶を育成させるフラックス法による III族窒化物系化合物半導体の製造方法である。炭素と、ゲルマニウムを溶液中に溶解して、半導体結晶にゲルマニウムをドナーとして取り込むことにより、ｎ型の半導体結晶を得る。ガリウムに対するゲルマニウムのモル比を０．０５ｍｏｌ％以上、０．５ｍｏｌ％以下であり、炭素のナトリウムに対するモル比を０．１ ｍｏｌ％以上、３．０ｍｏｌ％以下とした。 （もっと読む）

【課題】高品質かつ高信頼性の素子を作製できるＳｉＣエピタキシャルウエハ、およびそれを用いて得られるＳｉＣ半導体素子を提供すること
【解決手段】（０００１）面に対して４°以下のオフ角θ_１で傾斜したＳｉ面が主面４とされたＳｉＣ基板２と、ＳｉＣ基板２の主面４に形成されたＳｉＣエピタキシャル層３とを含むＳｉＣエピタキシャルウエハ１において、ＳｉＣ基板２の主面４のオフ方向Ｄを、［１１−２０］軸方向および［０１−１０］軸方向に対して１５°＋／−１０°の角度θ_２で傾斜した方向にする。 （もっと読む）

【課題】得られるコーティングが０．５マイクロ秒〜１０００マイクロ秒のキャリアライフタイムを有するように、シリコンカーバイドコーティングを基板上に堆積させる方法を提供する。
【解決手段】ａ．ジクロロシランガス、メチルハイドロジェンジクロロシランガス、ジメチルジクロロシランガス、及びそれらの混合物から選択されるクロロシランガスと、炭素含有ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを、単結晶シリコンカーバイド基板を含有する反応チャンバ内に導入すること、及びｂ．１２００℃より高いが１８００℃より低い温度に基板を加熱すること、を含むが、但し、反応チャンバ内の圧力は１０ｔｏｒｒ〜２５０ｔｏｒｒの範囲に維持されるものとする。 （もっと読む）

【課題】高濃度のドーパントを含有し、高い導電率及び移動度を有し且つ大きなスケールのＡｌＮ又はＡｌＧａＮ結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】複数の不純物種を含む混晶を形成し、その混晶の少なくとも一部中において、１つの不純物種を電気的に活性化させる。混晶の形成には、多結晶ソースを用いた昇華−再凝縮法を利用する。その際、複数の不純物種を含むソース化合物を多結晶ソースに含有させるか、又はソース化合物のガス前駆体を蒸気混合物に導入することによって行う。 （もっと読む）

【課題】故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ、Ｂ）ＮまたはＩＩＩ族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶である。
【解決手段】具体的には、結晶は、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）ＮまたはＩＩＩ族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶であって、該表面は少なくとも幅１０μｍであり、半極性方位を有し、 該結晶はｘ線回折により測定される半値全幅（ＦＷＨＭ）が０．５５°未満であるロッキング・カーブにより特徴づけられる結晶品質を有することを特徴とする結晶を提供する。 （もっと読む）

【課題】高い抵抗率（例えば、１×１０^５Ωｃｍ以上、１×１０^１２Ωｃｍ以下）、良好な抵抗率の均一性（例えば、ウエハ表面積の８０％に相当するウエハ内周側の位置での抵抗率のバラツキが±３０％以下）、及び良好な結晶性（例えば、Ｘ線（００４）回折の半値幅が３０〜３００秒）を有する半絶縁性窒化物半導体ウエハ、半絶縁性窒化物半導体自立基板及びトランジスタ、並びに半絶縁性窒化物半導体層の成長方法及び成長装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層の成長方法は、基板上にIII族原料ＧａＣｌを連続的又は断続的に供給するとともに、窒素原料ＮＨ_３と半絶縁性を付与する半絶縁性ドーパント原料Ｃｐ_２Ｆｅとを交互に供給して基板上に半絶縁性窒化物半導体層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】二重坩堝構造の導入により、１回性でない再使用が可能なシリコン溶融用二重坩堝を備えるシリコンインゴット成長装置について開示する。
【解決手段】本発明に係るシリコン溶融用二重坩堝を備える単結晶シリコンインゴット成長装置は、シリコン原料が装入されるシリコン溶融用二重坩堝；前記シリコン原料を溶融させてシリコン溶湯を形成するために前記シリコン溶融用二重坩堝を加熱する坩堝加熱部；前記シリコン溶融用二重坩堝の回転及び昇降運動を制御する坩堝駆動部；及び前記シリコン溶融用二重坩堝の上側に配置され、前記シリコン溶湯にディッピングされたシード結晶を引き上げてシリコンインゴットを成長させる引上駆動部；を含み、前記シリコン溶融用二重坩堝は、上側が開放される容器形態であり、内部底面と内壁とを連結する傾斜面を備える黒鉛坩堝と、前記黒鉛坩堝の内側に挿入されて結合され、内部に前記シリコン原料が装入されるクォーツ坩堝とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クラックが入り難い高抵抗な窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】下地基板の表面に、第１の層Ｂと第２の層Ｆからなる窒化物半導体層１を形成し、その窒化物半導体層１を下地基板から分離して得られる直径４０ｍｍ以上、厚さ２００μｍ以上の自立した窒化物半導体基板１０であって、第２の層Ｆは、その表面の面内の平均転位密度が１×１０³ｃｍ^-2以上、１×１０⁸ｃｍ^-2未満であると共に、電気抵抗率が０．０２Ωｃｍより大きくなるように形成されており、第１の層Ｂは、第２の層Ｆよりも電気抵抗率が低くなるように形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】 金属酸化物からなる板状単結晶体、それを用いた金属酸化物薄膜、それらの製造方法、および、それらを用いた抵抗変化型素子を提供すること。
【解決手段】 本発明による板状単結晶体は、ＭＯまたはＭ_３Ｏ_４（ここで、Ｍは、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＺｎおよびＣｕからなる群から少なくとも１つ選択される金属元素である）で表される金属酸化物からなり、その形状は、六角形状であり、そのアスペクト比は、１０〜５００であり、平面方向の面は、（１１１）結晶面である。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が高く、比抵抗の面内均一性が良く、比抵抗のバラツキが小さいウエハを取得可能なｐ型シリコン単結晶をチョクラルスキー法により製造するシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ボロンの濃度が４Ｅ１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下で、ボロンの濃度に対するリンの濃度の比が０．４２以上０．５０以下である初期シリコン融液からチョクラルスキー法によりｐ型シリコン単結晶２を成長させる。結晶中心部の冷却速度に対する結晶エッジ部の冷却速度の比を１．４以上２．０以下にすることにより、生産性を維持しつつ引上中心軸と垂直な断面における比抵抗変化率を３％以下とすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用基板として有用な大面積でかつ歪が少ない高品質単結晶ダイヤモンドを安定して得ることを目的とする。
【解決手段】１主面から２つの互いに直交する直線偏光の合成とみなされる直線偏光を照射して、対面の主面から出射した２つの互いに直交する直線偏光の位相差が、試料全体にわたり、試料厚さ１００μｍあたり最大５０ｎｍ以下であることを特徴とする気相合成法により成長された単結晶ダイヤモンドである。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴに好適に用いられるＣＺ法により形成されたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により格子間酸素濃度［Ｏｉ］が７．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットに中性子線を照射してリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハに対して少なくとも酸素を含む雰囲気において所定の式を満たす温度Ｔ(℃)で酸化雰囲気アニールをし、前記ウェーハの一面側にポリシリコン層または歪み層を有することを特徴とするＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法を採用する。 （もっと読む）