【課題】所望の体積抵抗率を有する金属酸化物薄膜を、簡便かつ大面積に作製でき、更に所望の形状の金属酸化物を形成する精度が高い金属酸化物薄膜形成用塗布液などの提供。
【解決手段】無機インジウム化合物と、無機カルシウム化合物及び無機ストロンチウム化合物の少なくともいずれかと、有機溶媒とを含有する金属酸化物薄膜形成用塗布液である。 （もっと読む）

【課題】 分散剤の使用量が少なく、緻密性、均一性、表面平滑性に優れた半導体膜を簡便な方法で得ることができる金属酸化物半導体粒子分散体組成物の提供。
【解決手段】
平均粒子径が１〜１００ｎｍである金属酸化物半導体粒子と、下記式（１）で示される化合物からなる分散剤と、溶媒とを含有することを特徴とする金属酸化物半導体粒子分散体組成物である。式（１）のＲは、分岐鎖を有し炭素数が３〜２４のアルキル基またはアルケニル基であり、ＡＯは炭素数が１ないし４のオキシアルキレン基であり、ｎはアルキレンオキシドの平均付加モル数を示す５〜３０の範囲の数値であり、Ｘは炭素原子、水素原子及び／又は酸素原子からなる連結基である。
【化１】
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【課題】強誘電体ゲート薄膜トランジスターの伝達特性が劣化し易い（例えばメモリウインドウの幅が狭くなり易い）という問題をはじめとして、ＰＺＴ層から酸化物導電体層にＰｂ原子が拡散することに起因して生ずることがある種々の問題が解決された強誘電体ゲート薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】強誘電体ゲート薄膜トランジスター２０は、チャネル層２８と、チャネル層２８の導通状態を制御するゲート電極層２２と、チャネル層２８とゲート電極層２２との間に配置された強誘電体層からなるゲート絶縁層２５とを備え、ゲート絶縁層（強誘電体層）２５は、ＰＺＴ層２３と、ＢＬＴ層２４（Ｐｂ拡散防止層）とが積層された構造を有し、チャネル層２８（酸化物導電体層）は、ゲート絶縁層（強誘電体層）２５におけるＢＬＴ層（Ｐｂ拡散防止層）２４側の面に配置されている。 （もっと読む）

【課題】フラックス法を用いた結晶成長装置において、実用的な大きさの結晶の均一性その他の品質を確保しつつ、結晶成長装置を小型化・簡略化する。
【解決手段】結晶の原料原子を含む液体を収容する容器と、前記液体と接する液体接触面に、弾性波を進行波として伝搬させる弾性波伝搬手段と、を有する結晶成長装置を提供する。前記液体接触面として、前記容器の内面が例示できる。前記弾性波伝搬手段が、前記容器に接して配置された圧電体を有してもよく、前記圧電体に交番電界を印加することにより、前記液体接触面に前記弾性波を伝搬させることができる。前記圧電体を複数有してもよく、前記複数の圧電体のそれぞれに印加する交番電界の位相を調整することで、前記弾性波を進行波として伝搬させることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物をチャネル及びゲート絶縁層に適用した薄膜トランジスタの高性能化、又はそのような薄膜トランジスタの製造プロセスの簡素化と省エネルギー化を実現する。
【解決手段】本発明の１つの薄膜トランジスタ１００は、ゲート電極２２０とチャネル４０との間に、ゲート電極２０に接する、ビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）とからなる第１酸化物（不可避不純物を含み得る）の層３２と、チャネル４０に接する、ランタン（Ｌａ）とタンタル（Ｔａ）とからなる酸化物、ランタン（Ｌａ）とジルコニウム（Ｚｒ）とからなる酸化物、及びストロンチウム（Ｓｒ）とタンタル（Ｔａ）とからなる酸化物の群から選択される１種の第２酸化物（不可避不純物を含み得る）の層３４との積層酸化物３０を備え、チャネル４０が、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）とからなるチャネル用酸化物（不可避不純物を含み得る）である。 （もっと読む）

【課題】周期表第１３族金属窒化物半導体結晶の製造に用いられる反応容器等の部材は、繰り返し及び／又は長時間の使用によって、変質及び／又は劣化が進行することがあり、交換することが必要となるが、頻繁に新しい部材に交換することとなると製造コストの増大を招くことになる。
【解決手段】変質及び／又は劣化した部材を、色彩値（Ｌ^*値）及び／又は膨張率が特定
の範囲の数値になるように処理することによって、第１３族窒化物半導体結晶の製造に再利用できるように部材に再生することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｚｎに対するＭｇ添加量を３０ｍｏｌ％以上にすることが可能なＺｎＭｇＯ膜の製造方法を提供する。
【解決手段】亜鉛イオン濃度及びマグネシウムイオン濃度を縦軸とし且つｐＨを横軸とする水溶液状態図で、Ｚｎ（ＯＨ）_２が析出する領域とＺｎＯ_２^２−が存在し得る領域とを画定する線αが、マグネシウムイオンが存在し得る領域とＭｇ（ＯＨ）_２が析出する領域とを画定する線βよりも低ｐＨ側に位置する温度のアンモニア水溶液に、Ｚｎ原料及びＭｇ原料を溶解し、線αと線βとで挟まれた領域にアンモニア水溶液のｐＨ並びにアンモニア水溶液中の亜鉛イオン濃度及びマグネシウムイオン濃度を調整する調整工程と、該調整工程後に、アンモニア水溶液の温度を、Ｚｎ（ＯＨ）_２及びＭｇ（ＯＨ）_２が析出する温度に高める加温工程と、該加温工程後に、析出物を焼成する焼成工程と、を有する、ＺｎＭｇＯ膜の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＢＤ法による光電変換素子のバッファ層の製造方法において、反応液中における粒子の発生を抑制して低コスト化を図ると共に、バッファ層成膜工程の短時間化を実現する。
【解決手段】基板保持部２０に、成膜用基板１０を装着し、基板１０をヒーター３０により温度Ｔ_１[℃]となるように加熱して、加熱状態を保ったまま、温度Ｔ_１よりも低い温度Ｔ_２[℃]に温調された反応液２に、少なくとも光電変換半導体層１３の表面を接触させることによりバッファ層の成膜を開始し、バッファ層の成膜中は基板１０を温度Ｔ_１、反応液２を温度Ｔ_２に維持する。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族半導体ナノ細線の製造方法並びに構造制御方法を提供する。
【解決手段】気相−液相−固相（Vapor-Liquid-Solid : VLS）成長法により、ＳｉとＧｅの混晶ナノ細線を成長し、酸化濃縮法によりＳｉＯ_２膜で被覆されたＧｅナノ細線を作製する。また、気相-液相-固相成長法により、Ｓｉ結晶およびＳｉとＧｅの混晶からなる超格子ナノ細線を作製し、酸化濃縮法を利用してナノメートル（ｎｍ）スケールでサイズ制御された、ＳｉとＧｅの混晶から成るナノディスク又はナノドットを周期的に配列したナノ細線を作製する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて製造することが可能な電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明１つの電界効果トランジスタは、ソース領域１４４及びドレイン領域１４６並びにチャネル領域１４２を含む酸化物導電体層と、チャネル領域１４２の導通状態を制御するゲート電極１２０と、ゲート電極１２０とチャネル領域１４２との間に形成された強誘電体材料又は常誘電体材料からなるゲート絶縁層１３０とを備え、チャネル領域１４２の層厚は、ソース領域１４４の層厚及びドレイン領域１４６の層厚よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】 ノズルから吐出された液滴に変質等が生じないように吐出空間の雰囲気を置換することが可能なデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 デバイスの製造方法は、基板をチャンバ内に搬入して載置台に載置する工程と、待機位置において封止部材により液滴吐出ノズルを隔離した状態で、チャンバの内部を減圧する減圧工程と、ガス供給機構からチャンバ内にパージガスを導入してチャンバ内部の雰囲気を置換するとともに大気圧状態に戻す雰囲気置換工程と、封止部材による液滴吐出ノズルの隔離を解除し、液滴吐出ノズルを吐出位置に移動させて被処理体へ向けて前記液滴を吐出する吐出工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】容易に成膜でき、かつ低温焼成で半導体デバイスに好適な半導体薄膜が得られる分散液を提供する。
【解決手段】酸化物粒子、金属塩及び分散媒を含む分散液。 （もっと読む）

【課題】複数回同一の化学浴析出溶液を用いたバッファ層析出を行う場合に、バッファ層表面への粒子状固形物の付着を効果的に抑制すると共に、複数回目に成膜されるバッファ層の品質低下を抑制する。
【解決手段】同一の化学浴析出溶液を用いて繰り返しｎ回（ｎは２以上の整数。）、各回毎に光電変換半導体層を最表面に備えた新たな基板の光電変換半導体層上に、バッファ層の成膜を行う場合に、ｍ回目（ｍは２≦ｍ≦ｎを満たす整数。）の成膜中に、あるいはｍ−１回目の成膜とｍ回目の成膜との間の成膜を行っていない段階に、ろ過フィルタを用いて化学浴析出溶液をろ過するものとし、各回の成膜時間は、１分以上３０分以内で、かつ、ｍ回目成膜時間を、ｍ−１回目の成膜時間よりも長くするものとし、各回の成膜はいずれも化学浴析出溶液のｐＨが９．３〜１３の条件下で行う。 （もっと読む）

【課題】ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜およびその生成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）水、塩酸及び過酸化水素を含む溶液と、ガリウム化合物と、錫（ＩＩ）化合物とを混合して原料溶液を調製する工程と、（ｂ）前記原料溶液をミスト化し、ミスト状原料を調製する工程と、（ｃ）前記ミスト状原料を、キャリアガスによって基板の成膜面に供給する工程と、（ｄ）前記基板を加熱することにより、前記ミスト状原料を熱分解させ、前記基板上に、４価の錫が添加された導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜を形成する工程と、を備える結晶性の高い導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜の生成方法とする。 （もっと読む）

【課題】量子ドットの配列パターンを制御可能であり、多大な工数を要することなく量子ドット層を形成可能な新たな手段を提供する。
【解決手段】量子ドットの配列パターンに対応するパターンのレーザ光を、量子ドット材料の薄膜により形成されたソースフィルム２５ｂに照射し、該レーザ光が照射された部位から前記量子ドット材料の微小液滴２６を放出させ、ソースフィルム２５ｂに対向配置した基板３０に量子ドット材料の微小液滴２６を固着させて、基板３０上に前記配列パターンで複数の量子ドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】 Ｉ−II−IV−VI族化合物を含む半導体層を簡易な方法で製造すること。
【解決手段】 半導体層の製造方法は、構造式（１）で表される第１錯体化合物およびIV−Ｂ族元素を含む半導体層形成用液を用いて皮膜を形成する工程と、皮膜を加熱してＩ−II−IV−VI族化合物を含む半導体層にする工程とを具備する。
【化１７】
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【課題】所望の体積抵抗率を有する金属酸化物薄膜を、簡便かつ大面積に作製でき、更に所望の形状の金属酸化物を形成する精度が高い金属酸化物薄膜形成用塗布液などの提供。
【解決手段】無機インジウム化合物と、無機マグネシウム化合物及び無機亜鉛化合物の少なくともいずれかと、グリコールエーテル類とを含有する金属酸化物薄膜形成用塗布液である。 （もっと読む）

【課題】 光電変換効率の高い半導体層およびそれを用いた光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 半導体層の製造方法は、金属元素を含む皮膜を、カルコゲン蒸気を含む第１の雰囲気において加熱した後、カルコゲン化水素を含む第２の雰囲気において加熱することによって、金属カルコゲナイドを含む半導体層にすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生産性の良い製造が可能であり、安定したｐｎ接合を有するバッファ層を備えた化合物半導体系光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１は、基板１０上に、下部電極層２０と、化合物半導体を主成分とする光電変換半導体層３０と、バッファ層４０と、透光性導電層５０が順次積層されてなり、バッファ層４０が、カドミウム不含金属の硫化物、カドミウム不含金属の酸化物、及び、該硫化物と該酸化物との固溶体を少なくとも含む複数の連結微粒子４１０を備えた微粒子層４１と、微粒子層４１の直上に備えられた、カドミウム不含金属元素の酸化物を少なくとも含む薄膜層４２及び／又はカドミウム不含金属の硫化物、カドミウム不含金属の酸化物、及び、該硫化物と該酸化物との固溶体を少なくとも含む薄膜層４２とを備える。 （もっと読む）

【課題】バルクヘテロ接合層のドメインサイズを精度よく制御可能な有機薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、第１電極層、光電変換層及び第２電極層の順に形成してなる有機薄膜太陽電池の製造方法であって、ｐ型有機半導体と、ｎ型有機半導体と、有機溶媒とを含む塗工液を、第１電極層上に塗布し、形成された塗膜を真空乾燥して有機溶媒を除去してバルクヘテロ接合層を形成し、第２電極層を形成する前、形成中及び形成後のいずれかにバルクヘテロ接合層を加熱してバルクヘテロ接合層のドメインサイズを制御する。 （もっと読む）