【課題】本発明の目的は、比較的低温において効率的に半導体シリコン膜を製造する方法を提供することである。また、本発明の目的は、基材がポリマー材料を有する半導体積層体を提供することである。
【解決手段】半導体積層体（１１０）を製造する本発明の方法は、（ａ）基材上にシリコン粒子分散体膜を形成する工程、（ｂ）シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結半導体シリコン膜を形成する工程、及び（ｃ）未焼結半導体シリコン膜に光を照射して、半導体シリコン膜を形成する工程を含む。また、本発明の半導体積層体（１１０）は、基材（１１２）及び半導体シリコン膜（１１８）を有し、基材が、ポリマー材料を有し、半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、且つ半導体シリコン膜のキャリア移動度が、１．０ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上である。 （もっと読む）

【課題】ブロードな発光スペクトルの赤外光を発する蛍光体、これを用いた発光素子及び発光装置、並びに蛍光体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｎがドーピングされたＧａＡｓを液相成長法により成長した後、ＧａＡｓにＮｉをイオン注入法によりドーピングし、この後、ＧａＡｓに熱処理を施してイオン注入によるダメージを取り除くことにより、良好なドナー・アクセプタ・ペアの発光特性を有するＮｉ及びＳｎドープのＧａＡｓ蛍光体が製造される。 （もっと読む）

本発明は、初期結晶性基板（１）の表面に成長マスク（２０）を製造する方法に関し、本方法は、第一の材料からなる初期基板（１）の一方の側に第二の材料からなる層（２）を形成する工程、及び前記初期基板の表面領域を露出するため、第二の材料の層の厚さ内にパターンを形成することにより、前記初期基板の一方の側の領域を露出させ、前記領域を初期基板上の成長窓とする工程を含む。前記方法は、パターン形成が、第二の材料からなる層の下方に位置する初期基板（１）の表面層へのイオン注入によって行われ、この注入条件として、注入直後又は熱処理を行なった後で、前記初期基板の一方の側に、第一の材料が剥離された領域（５）ができることにより、第一の材料の剥離領域（５）を覆う第二の材料の領域が部分的に除去され、これによって初期基板（１）が部分的に露出し、初期基板上に成長窓（６）が形成されるような条件を用いることを特徴とする。本発明はまた、薄い結晶性の層を形成して受容基板上に移転する方法に関する。 （もっと読む）