【課題】例えばセルフアライメントを採用する上で好適となる荷電粒子線描画方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子線を用いて被処理体にパターンを描画する荷電粒子線描画方法であって、被処理体の描画領域として第１領域と第２領域とを設定する工程と、第１領域の描画を行うとともに、該第１領域の描画の開始から終了までの間に荷電粒子線の位置ずれ量を補正するための第１キャリブレーションを行う工程（Ｓ１００〜Ｓ１０３）と、第２領域の描画を行うとともに、該第２領域の描画の開始から終了までの間に荷電粒子線の位置ずれ量を補正するための第２キャリブレーション（Ｓ１０４〜Ｓ１０７）を行う工程とを有する。このとき、第１キャリブレーションと第２キャリブレーションとを行う頻度が異なる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光学条件の調整を容易に行うことを目的とする半導体検査装置等の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、荷電粒子線装置を備えた半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置であって、異なる複数の光学条件にて得られた画像データと、設計データに基づいて形成される画像データとの間でマッチングを行い、当該マッチングに基づいて、前記光学条件、或いは画像の選択を行う半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】サーボ領域を半径によらず一定の角度のパターンで形成することを可能にするとともに、データ領域を半径によらず一定の間隔のパターンで形成することを可能にする。
【解決手段】基板を回転させる回転機構と、移動機構と、電子銃と、電子線をブランキング制御信号に基づいてブランキングもしくは偏向制御信号に基づいて偏向、またはブランキング制御信号および偏向制御信号に基づいてブランキングおよび偏向させる偏向器と、ステージにおける描画半径位置に応じて変化する周期を有する第１基準クロック信号を発生する第１クロック信号発生回路と、第１基準クロック信号と独立な周期を有する第２基準クロック信号を発生する第２クロック信号発生回路と、第１基準クロック信号および第２基準クロック信号に基づいて、ブランキング制御信号および偏向制御信号のうちの少なくとも一方の制御信号を発生する制御信号発生回路と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】サーボエリアおよびデータエリアの微細パターンの描画が基板全面で所定形状に高精度かつ短時間に実行でき、一定ドーズ量で高速かつ正確に描画可能とする。
【解決手段】レジストが塗布された基板上に、電子ビームＥＢの照射をブランキング手段２４に対するオン・オフ信号によって制御し、ビーム偏向動作を偏向手段２２に対する偏向信号の出力によって制御し、サーボエレメント１３およびグルーブパターン１６またはドットパターンを走査して描画する際に、パターン形状を描画するためのパターン形状偏向信号に加えて、ビームスポットの周方向の相対線速度を調整する相対線速度偏向信号を偏向手段に出力し、サーボエリアでの相対線速度＞基板線速度＞データエリアでの相対線速度に設定して描画する。 （もっと読む）

荷電粒子ビームを導く改良された方法であり、１つまたは複数の偏向器信号を変化させることによって、荷電粒子がシステムを通過するのに要する時間を補償する方法。本発明の一実施形態によれば、ＴＯＦエラーが原因で起こることがあるオーバシュート効果を低減させ、または排除するために、デジタル−アナログ（Ｄ／Ａ）変換の前に、走査パターンをデジタル・フィルタにかける。他の実施形態では、ＴＯＦエラーを補償するのに、アナログ・フィルタ、またはより低い帯域幅を有する信号増幅器の使用を使用することもできる。走査パターンを変化させることによって、オーバシュート効果をかなり低減させ、または排除することができる。
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【課題】高コスト化を招くことなく、高いスループットで精度良く描画する。
【解決手段】 電子線描画装置は、電子光学鏡筒及び試料室を有する本体部、及び主制御装置２５０などを備えている。主制御装置２５０は、制御装置２５１、回転コントローラ２５２、位置コントローラ２５３、同心円演算処理装置２５４、多角形演算処理装置２５５を有している。そして、多角形演算処理装置２５５は、多角形を描画する際の基板の回転数、描画開始位置、多角形の辺の数、及び走査電極の偏向感度に基づいて、偏向周波数を演算する振幅演算調整回路、偏向周波数と同じ周波数の方形波信号から２次関数波信号を生成する第１の信号処理回路、及び２次関数波信号における基板の半径方向の外向きの偏向成分を折り返し、半径方向の内向きの偏向成分と加算して、同心円生成信号に重畳する第２の信号処理回路を有している。 （もっと読む）

【課題】測定エラーが生じた場合であってもマップを作成し、その結果を基に荷電粒子ビームを試料の表面に正確に収束させることが可能な荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】マスク表面の高さを測定し、この測定で生じた測定エラーの数を求め、測定エラーの数が所定値より少ない場合にはマスク表面の近似曲面を作成する。次いで、測定データと、近似曲面から得られる高さデータとを比較し、その差分が所定の閾値を超えている点がなければ、近似曲面の信頼性は高いと判断する。そして、この近似曲面に基づいてマスク表面の高さを補正する。 （もっと読む）

【課題】本発明は形状補正荷電粒子ビームパターン描画装置に関し、台形、三角形の斜辺部分の走査丸めの影響を除去できるようにすること。
【解決手段】分割された図形面積から実際の描画面積を求め、この描画面積と指定した走査ステップサイズから分割図形内の計算上の荷電粒子ビーム照射数を計算する手段と、分割された図形から実際の描画形状を求め、この形状と指定した走査ステップサイズから分割図形の走査丸めを含んだ実際の荷電粒子ビーム照射数を計算する手段と、分割図形内の実際の荷電粒子照射数に対する、計算上の照射数の比を計算する手段と、分割された図形に対し、通常指定のドーズ補正量と合わせて最終ドーズ補正量を決定する手段と、荷電粒子ビームの当該図形内の走査速度を、最終ドーズ補正量に従って変調し、走査丸め誤差による図形形状の変化をドーズ量で補正する手段と、から構成される。 （もっと読む）

【課題】 レンズ軸方向に略均一な磁場を発生することができる電子レンズ用磁気回路装置を提供する。
【解決手段】 レンズ軸と一致する軸線Ｚを有する円筒状ヨーク２の内周側に、半径方向に磁化された複数の永久磁石からなる磁石体３１ａ、３２ａ、３３ａを有する第１の磁石ユニット３ａと、軸線を含む縦断面において軸線Ｚと直交する中心線Ｘを基準として対称に配置され、第１の磁石ユニット３ａを構成する磁石体３１ａ、３２ａ、３３ａとは逆極性に磁化された永久磁石からなる磁石体３１ｂ、３２ｂ、３３ｂを有する第２の磁石ユニット３ｂを有する。磁石体３１ａ、３２ａは希土類焼結磁石で形成し、磁石体３３ａはフェライト焼結磁石で形成することができる。 （もっと読む）

【課題】描画制御処理部2aの処理が異常終了した場合でも描画を完了させる。
【解決手段】描画部1と描画制御部2とＪＯＢ制御部3とショットデータ生成部4と偏向制御部5とステージ制御部6とを有する荷電粒子ビーム描画装置20において、描画制御処理部2aの処理が異常終了した時には、監視処理部12が描画制御処理部2aの処理を再起動し、処理部13,14,15,16に保持されている描画制御処理部2aとＪＯＢ制御部3、ショットデータ生成部4、偏向制御部5およびステージ制御部6との間のそれぞれの最新の通信内容と、描画状態記憶領域11に描画状態情報として保持されているそれらの最新の通信内容とを比較し、処理部13,14,15,16に保持されている最新の通信内容によって、描画状態記憶領域11に保持されている最新の通信内容を訂正し、描画制御処理部2aの処理を再開し、描画を継続する。 （もっと読む）

【課題】
基板面が傾斜し、かつ高さ変位を有する場合であってもフォーカス制御を高精度に行いつつ描画を行うことが可能なビーム描画装置を提供する
【解決手段】
基板面の高さを測定する高さ測定器と、電子ビームの照射半径位置及び角度位置に基づいて基板面の傾斜角度を算出する基板角度算出器と、上記傾斜角度に基づいて基板面の高さ誤差を算出する高さ誤差算出器と、上記高さ測定器による高さ測定値から上記高さ誤差を減算して高さ調整値を算出する調整値算出器と、上記高さ調整値に応じて上記電子ビームのフォーカス調整をなすフォーカスコントローラと、を有する。
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【目的】より高精度に近接効果を補正した照射量を求めることが可能な描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、照射量の２次以上の項をもつ多項式で定義される、荷電粒子ビームの後方散乱による蓄積エネルギーの方程式を解いて照射量を求める照射量計算部１１２と、求めた照射量で電子ビーム２００を照射して、試料１０１にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、より高精度に近接効果を補正した照射量で描画を行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームマスタリング装置による磁気ディスク装置のアドレス情報描画において、原盤の回転に同期したリファレンスクロックを使用する複数の直接ディジタルシンセサイザを備えることで円周方向の描画精度を向上させる。
【解決手段】
本発明は、固定周波数をリファレンスとして動作する直接ディジタルシンセサイザによりスピンドルクロックを生成すると共に、そのスピンドルクロックを基に回転するスピンドルモータのエンコーダ信号に追従する位相同期回路によってスピンドルモータの回転ムラに同期した回転同期リファレンスクロックを生成し、その回転同期クロックをリファレンスとする直接ディジタルシンセサイザにより描画パターンの基準となるライトクロックを生成し、さらに、その回転同期クロックもしくはその分割信号をカウントするカウンタによって一定カウント毎にライトクロックとスピンドルクロックを同時に次周波数に切り替えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ショットデータの生成時間を短縮でき、描画スループットを向上させることが可能な荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】描画データに定義されている図形パターンをショット単位の図形に分割する（Ｓ２０）。分割された図形は、メモリに一時的に格納される。描画データに圧縮された状態で定義された位置情報を展開しながら、Ｓ２０で分割された図形をサブフィールド領域に振り分ける（Ｓ３０）。多重描画でパターンを描画する場合、１パス目に分割された図形を、２パス目以降のサブフィールド領域への振り分けに用いる。 （もっと読む）

【課題】基板に照射される電子線の照射位置を補正することにより、精度よく基板にパターンを描画する。
【解決手段】回転テーブルの回転誤差を、第１の検出器からの検出信号と、第２の検出器からの検出信号とに基づいて測定する。そして、第１の検出器からの検出信号と、第２の検出器からの検出信号とを用いた演算を行うことで、電子線の入射位置誤差を算出し、この算出結果に基づいて電子線の入射位置の補正を行う。これにより、電子線を所望の位置に精度よく入射させることが可能となる。 （もっと読む）

【目的】実際の観測誤差に、より追従可能な描画装置を提供することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、ビームドリフトによる電子ビーム２００の位置誤差を観測し、観測された誤差観測値を用いて、電子ビーム２００の位置誤差を補正する第１の補正量を算出する観測補正量算出部１２０と、電子ビーム２００の位置誤差と時間との相関関係から得られる予測関数を用いて、電子ビーム２００の位置誤差を予測し、予測された誤差予測値を用いて、荷電粒子ビームの位置誤差を補正する第２の補正量を算出する予測補正量算出部１３０と、第１と第２の補正量を加算して第３の補正量を算出する加算部１３８と、第３の補正量で位置が補正された電子ビーム２００を用いて、試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、実際の観測誤差に、より追従することができる。そのため、より高精度なビーム位置に照射することができる。 （もっと読む）

【課題】所望の電流密度を得るために最適なフィラメント電力を求めることが可能な荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】本発明の荷電粒子ビーム発生装置は、フィラメント電力によりカソード11を加熱することにより放出される電子を、バイアス電圧により集束し、加速電圧により加速することにより所定のエミッション電流の荷電粒子ビーム２０を照射する荷電粒子銃１０と、電流密度を測定するための検出器２２と、フィラメント電力およびエミッション電流を制御するための制御部１８と、バイアス飽和点における電流密度とエミッション電流との関係とフィラメント電力とエミッション電流との関係を記憶し、設定電流密度よりエミッション電流値とフィラメント電力値を算出するための記憶演算部１９を備える。 （もっと読む）

【課題】基板に照射される電子線の照射位置を補正することにより、精度よく基板にパターンを描画する。
【解決手段】位置コントローラ７４から出力される偏差情報から、まず回転テーブルユニット３０を構成する回転機構３２の駆動に起因する回転同期振動成分と、スライドユニット３３によって移動ステージが移動されることに起因する振動成分とを除去し、次に、偏差情報と、電子線の電流値（ｎＡ）に対する電子線の偏向感度（ｍＶ／ｎｍ）を示す特性曲線に基づいて走査電極１６に印加する電圧値を決定する。そして、決定された電圧値の電圧を走査電極１６に印加して、電子線の入射位置の補正を行う。これにより、電子線の照射位置の変動分が効率的に補正される。 （もっと読む）

【課題】大気圧変動に伴う筐体の非対称変形によって荷電粒子光学鏡筒が傾くことを抑制し、高精度な描画が可能な荷電ビーム描画装置を提供すること。
【解決手段】試料１３を載置するＸＹステージ１４を内部に有し、水平方向の断面形状が正方形の筐体１２と、この筐体１２の天板の中心に配置され、電子ビームを試料１３に照射する電子光学鏡筒２４と、筐体１２の側面に形成され、ＸＹステージ１４のＸ方向の位置を計測する第１のレーザ干渉計１６を内部に有する第１のチャンバ１７と、この第１のチャンバ１７が形成された側面に対して垂直な筐体１２の他の側面に形成され、ＸＹステージ１４のＹ方向の位置を計測する第２のレーザ干渉計１９を内部に有する第２のチャンバ２０と、を具備することを特徴とする電子ビーム描画装置。 （もっと読む）

【課題】直動ステージとスピンドル回転機構を用いたビーム露光装置において、簡単で安価な回路構成で、円弧パターンを原盤に露光する。
【解決手段】ＤＤＳ(Direct Digital synthesizer)により、スピンドルクロック、ライトクロック、ステージクロックを生成する回路（８０，８２，８４）と、ライトクロックから、１回転に１回程度、特定の描画位置を示すトリガ信号を発生するトリガ発生回路（８７）と、そのトリガが発生した半径及び円周方向位置を測定する測定回路（８８）と、測定結果により、クロック周波数を調整する周波数データ設定回路（８９）とを有する。磁気ディスク媒体等のサーボパターンのような円弧状の整列ピットを、より簡単な回路によって実現できる。 （もっと読む）