【課題】取り回しに優れ、転写面側へ近接することが可能なマスクホルダを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によるマスクホルダによれば、ステンシルマスクの側壁面とマスクホルダの保持部の側壁面とに傾斜形状を持たせることにより、両者が面接触で保持されることから、ステンシルマスクをマスクホルダに保持することが出来、取り外しも容易である。このとき、ステンシルマスクの転写面側表面は、マスクホルダの転写面側底面よりも転写面側へ突き出した状態で保持することができる。 （もっと読む）

【目的】本発明は、電子ビーム露光装置および電子ビーム露光方法に関し、マスクのパターン間のピッチを整数倍にしマスクの貫通孔と貫通孔との間の強度低下による変形や亀裂の発生を無くすと共にウェハへの露光のスループットを向上させることを目的とする。
【構成】パターン群中で繰り返し配列したパターンについて、ピッチを整数倍にしたパターンを形成したマスクと、マスクをウェハに近接して配置した状態で、マスク上のパターンのピッチの整数分の１づつずらしてマスクを順次移動させる第１の移動機構と、第１の移動機構でマスクを移動させた各位置で、電子ビームでマスク上のパターンをウェハに露光する露光手段と、第１の移動機構および露光手段でウェハへの露光が完了した後、次のショット位置にウェハを移動させる第２の移動機構とを備え、第２の移動機構でウェハを次のショット位置に移動させた状態で、第１の移動機構および露光手段で処理を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】滞留電子の十分な低減を図ることができる電子ビーム投影露光用ステンシルマスクを提供すること。
【解決手段】電子ビーム投影露光に用いられるステンシルマスク（１０）は、シリコン基板（１２）と、シリコン基板に形成された絶縁膜（１４）と、絶縁膜に形成されたシリコン膜（１６）とを備え、シリコン基板及び絶縁膜にはこれらを貫通する開口（１８）が設けられ、シリコン膜にはこれを貫通しかつ開口に連なる複数の孔（２０）が設けられている。シリコン基板と絶縁膜とにはこれらを貫通する少なくとも１つの穴（２２）が設けられ、この穴にはシリコン基板とシリコン膜とに接する導電性物質（２４）が配置されている。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ均一性の高い光制御構造を作成する。
【解決手段】 光透過層１０に被覆層Ｑと感電子線レジストＲを形成し、これらの上に周期パターンを有するステンシルマスクＭをセットする。このステンシルマスクＭの上から全体に電子線を照射することにより、ステンシルマスクＭの周期パターンを感電子線レジストＲに転写することができる。次いで、現像した感電子線レジストＲをエッチングレジストとして被覆層Ｑのエッチングを行い、さらにエッチング後の被覆層Ｑをエッチングレジストとして光透過層１０のエッチングを行う。これにより、光透過層１０にてステンシルマスクＭに忠実で均一性に優れる周期構造１１を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】転写マスクで発生するＢＯＸ層の圧縮応力及び致命的欠陥を低減し、優れた転写精度を有する転写マスク及び転写マスクブランク並びに転写マスクを用いた荷電粒子線のパターン露光方法を提供することを目的とする。
【解決手段】転写マスクブランク１０は、開口部１２が形成された単結晶シリコンからなる支持基板１１の開口部１２上にメンブレン形成領域６１とメンブレン支持領域６２とからなるメンブレン３１ａが設けられており、メンブレン３１ａのメンブレン支持領域６２はＢＯＸ層２１ａを介して支持基板１１に接合されている。なお、支持基板１１には表裏重ね合わせ用マーク５１ａが形成されている。 （もっと読む）

標本を保持する標本ホルダと、荷電粒子を標本ホルダ上に放出するように上面と下面との間に貫通開口部を有するマスクと、マスク（８）と標本ホルダ（３）との間の相対位置を検出する近接場検出装置と、ソース（１）とマスク（８）との間の相対位置とは無関係にマスク（８）と標本ホルダ（３）との間の相対移動を生じさせる変位装置と、を有し、マスクが貫通開口部（１０）に少なくとも第１の電極を含んでいる、ナノ製造設備。
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【課題】 可動部分に直接冷媒を供給することなく、可動部分の温度制御を行うことが可能な露光装置を提供する。
【解決手段】 ウエハステージが、真空容器内の基準ベースに取り付けられ、露光すべきウエハを保持する。マスクステージ（６）が露光マスクを保持する。ビーム源（７）が、露光マスクを介してウエハに露光用のエネルギビームを照射する。中間ブロック（２１）が、２次元方向に移動可能に支持されている。吸熱部（３５）を含む冷却手段が基準ベースに固定されている。光学装置（２０）が、光軸方向に移動可能に支持されている。光学装置は、露光マスク上のアライメントマークを観測する。第１の伝熱構造（３６）が、中間ブロックと吸熱部との間に伝熱経路を構成し、かつ中間ブロックの２次元方向への移動を許容する。第２の伝熱構造（３９）が、中間ブロックと光学装置との間に伝熱経路を構成し、かつ光学装置の移動を許容する。 （もっと読む）

【課題】 転写式の電子ビーム露光装置における電子ビームによるマスクの走査に起因する発熱の問題を解決することを目的とする。
【解決手段】 電子線露光装置１を、予め定めた所定の電子ビーム照射位置間の間隔である所定の走査ピッチよりも大きな飛び越し走査ピッチで電子ビーム１５を走査する走査手段５２と、走査手段５２による電子ビーム１５の走査に位置オフセットを与えるオフセット手段５３と、オフセット手段５３による位置オフセットを変えながら、走査手段５２による電子ビーム１５の走査を反復する走査反復手段５１とを備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】試料裏面とこれを保持するチャック装置の表面に異物が介在した場合でも、試料表面の平坦度を所望の平坦度にコントロールすることが可能なチャック装置を提供する。
【解決手段】チャック装置４４を、試料の周辺部に環状に接触して異物の介在による試料の表面の平坦度に影響を防止する接触部６５と、試料に吸着する接触部６５にその径方向に張力を印加することにより接触部６５に吸着される試料の平坦度を調整する張力印加手段７０、７２と、を備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】 実際のデバイス製造工程において、回路パターンが設けられるマスク自体及び試料自体には歪み測定用のマークを設けることなく、試料上に形成された下層パターンに合わせて上層パターンの露光位置を精度良く補正することが可能な露光方法を提供する。
【解決手段】 下層パターン６１が形成されたと同じ試料４０を用いて、これを試験試料としてネガ型レジスト層６５を形成し、このネガ型レジスト層６５に上層パターンＨを露光してその未露光部分を除去することにより上層パターンＨを形成し、これら下層パターン６１及び上層パターンＨの間の位置ずれ量を測定し、この位置ずれ量に応じて、下層パターンが形成された試料４０への上層パターンＨの露光位置を補正する。 （もっと読む）

【課題】 実際のデバイス製造工程において、回路パターンが設けられるマスク自体及び試料自体には歪み測定用のマークを設けることなく、試料上に形成された下層パターンに合わせて上層パターンの露光位置を精度良く補正することが可能な露光方法を提供する。
【解決手段】 下層パターンＭ_A1と同様の歪みを有する第２重ね合わせ測定用マークＭ_M1が形成された重ね合わせ測定用試料Ｗ_Bを作成し、一方で、上層パターンＭ_A2用の露光マスクと同様のマスク歪みを有する第１重ね合わせ測定用マークパターンＭ_M2を設けた重ね合わせ測定用マスクを作成し、そして、この重ね合わせ測定用試料Ｗ_Bに、試料Ｗ_Aへの上層パターンＭ_A2の露光と同じ露光条件で、重ね合わせ測定用マスクにより第１重ね合わせ測定用マークＭ_M2を形成し、その後第２重ね合わせ測定用マークＭ_M1と第１重ね合わせ測定用マークＭ_M2との間の位置ずれ量に応じて上層パターンの露光位置を補正する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハチャック上に保持されるウエハにマスクを近接させて、マスク上のマスクパターンをウエハ上の各ダイに露光する露光装置において、ウエハとウエハチャックとの間に介在する異物を高い精度で検出し、その位置を特定する。
【解決手段】 露光装置を、マスク３０上に設けられたマスクアライメントマークとウエハの各ダイに設けられたウエハアライメントマークとの位置ずれ量から、マスク３０に対する各ダイの伸縮率を検出する伸縮率検出部１０１と、検出された各伸縮率間の相違に基づき、ウエハとウエハチャックとの間の異物の検出する異物検出部１０２と、を備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】 パターン形成層との間に大きな隙間が生じるのを抑制して高精細のパターンを形成することのできる導電パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 電子線硬化型のパターン形成層２に電子線照射用パターンマスク１０を密着させ、パターン形成層２に電子線を照射し、所定の導電パターンを形成する。電子線照射用パターンマスク１０を、パターン形成層２に密着するマクス基材１１と、マスク基材１１に形成される電子線透過領域１３と、パターン形成層２に密着するマスク基材１１の電子線遮蔽領域１２の密着度を高める複数の微粘着層１５とから形成し、マスク基材１１の表面に補強保持層２０を積層する。パターン形成層２に密着する微粘着層１５の微粘着効果により、パターン形成層２に電子線遮蔽領域１２が密着するので、汎用型の安価な電子線照射装置を使用しても、電子線を遮蔽する領域に電子線が斜め方向から入射することがない。 （もっと読む）

本発明は、第２の対象物に近接して第１の対象物を配置し、第２の対象物上のパターンを電子線またはＸ線を用いて第１の対象物上に転写する近接露光における位置合わせ方法に関する。少なくとも一部に光を透過させる領域が画定されたマーク支持部に第１の参照マークを形成した第１の参照マスクと、第１のアライメントマークを形成した第１の対象物を第１のステージに配置する。第１のステージに配置した第１のアライメントセンサを用いて、マーク支持部に画定された光を透過させる領域を介して、第１のステージに対向して設置される第２のステージに配置される第２の対象物に形成される第２のアライメントマークと第１の参照マークを同時に検出する。これにより、第２の対象物と第１の対象物との位置合わせを容易に行うことのできる。
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【課題】 本発明は、試料を接地する際に、パーティクルの発生を抑えつつ試料と接地電極の接触抵抗を低減することを目的とする。
【解決手段】 試料接地機構は、試料３０の表面に接触して試料３０を接地する接地電極３７、３８及び試料４０の表面に接触して試料４０を接地する接地電極４７、４８と、接地電極３７、３８と試料３０との間に表面活性化電流を流して接地電極３７、３８と試料３０との間の接触抵抗を低減する電源６１及び接地電極４７、４８と試料４０との間に表面活性化電流を流して接地電極４７、４８と試料４０との間の接触抵抗を低減する電源７１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】複数のマスクを使用して連続して同時に試料上の複数のダイに露光を行う際に、個々のダイ上に前工程で形成されたパターンに応じて露光を行う電子ビーム露光装置、電子ビーム露光方法および電子ビーム露光システムを提供する。
【解決手段】電子ビーム１５を発生する電子ビーム源１４と、電子ビームの経路中に配置され開口を有する複数のマスクｍｉｊを備え、マスクｍｉｊの開口を通過した電子ビーム１５で、試料３０の表面に前記開口に対応するパターンを露光する電子ビーム露光装置１０を、試料３０に形成されたパターンにあわせて、マスクｍｉｊの露光位置を補正する露光位置補正手段８０を備えて構成する。 （もっと読む）