【課題】簡易な方法で確実にステージ上におけるマスクの微小スリップを検出可能とするとともに、検出されたスリップ量に基づいて荷電粒子ビームの補正を行うことができる荷電粒子ビーム描画装置及びマスクの微小スリップ検出方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームＢの偏向を制御して、かつ自在にステージを制御して任意の原画パターンをマスク上に描画するための描画動作を制御するための制御計算機３１を備える電子ビーム描画装置１であって、電子ビームＢによってパターンが描画されるマスクＭと、マスクＭを３点支持部材６４にて支持するマスク保持機構６２と、マスク保持機構６２及びマスクＭを水平方向に加速移動させるステージ６１と、電子ビームで描画される表面に対するマスク裏面とマスク保持機構６２との間に設置され、マスクＭの微小スリップの有無を検出する原子間力顕微鏡６５とを備える。 （もっと読む）

【課題】地震振動による描画効率及び描画精度の低下を抑止する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１は、試料Ｗに描画する描画パターンに基づいて荷電粒子ビームによる描画を行う描画部２と、地震の震度に関する震度情報を受信する震度受信部３４と、その震度受信部３４により地震の震度情報が受信された場合、描画部２による描画中の描画パターンの描画精度と、震度受信部３４により受信された震度情報の震度とに応じて、描画部２による描画を中止する描画制御部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の温度測定中のバッテリ切れをなくすとともに、実際の描画処理と同様の状況下での測定を可能とし、かつ各チャンバ内の温度調整を精度良く行うことが可能な温度調整用マスク及び荷電粒子ビーム描画装置の温度調整方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１を構成するチャンバ内の温度を測定する温度測定装置１１と、温度測定装置１１を収納する筐体１２と、筐体１２の互いに対向する辺に配置される複数のバッテリ１３，１４と、温度測定装置１１が測定した温度測定データを送出するデータ送出部１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】スループットの維持を図りつつＤＡＣアンプが異常（故障）として検出される前にショットの変化を確実に検出していくことで、ＤＡＣアンプの異常（故障）を事前に予測可能とするＤＡＣアンプの評価方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】ＤＡＣアンプ３４，３５から出力されるアナログ電圧信号を受信し、加算するステップと、加算の結果生成される加算信号をデジタル加算信号に変換するステップと、デジタル加算信号を基にエラーを検出するステップと、を備え、エラー検出ステップでは、電子ビーム照射の整定待ち時間を整定時間よりも短く設定することで荷電粒子ビームのショット時におけるＤＡＣアンプ３４，３５の電圧値が予め設定される閾値外となることをエラーと定義する。 （もっと読む）

【課題】基板ズレの解析を容易にする荷電粒子ビーム描画装置の基板ズレ評価方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の荷電粒子ビーム描画装置の基板ズレ評価方法は、３軸加速度計を備える評価用基板を準備し、評価用基板を互いに直交する水平なＸ方向およびＹ方向に移動自在なステージに載置し、ステージを移動させる。そして、評価用基板に印加される加速度を３軸加速度計を用いて測定し、ステージのＸ方向の位置およびＹ方向の位置をレーザ干渉計を用いて測定し、位置の測定結果からステージに印加される加速度を算出する。さらに、評価用基板に印加される加速度とステージに印加される加速度を解析して、ステージと基板との相対位置のズレである基板ズレを評価する。 （もっと読む）

【課題】従来よりもさらに偏向精度を向上させることが可能な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は描画対象となる基板の高さ方向分布を測定するＺ測定部５０と、基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した位置依存高さ方向分布を基板の高さ方向分布に加算して、補正するＺマップ補正部５４と、補正されたＺマップを用いて描画されるパターンの位置ずれ量を演算するＺ補正部６０と、得られた偏向ずれ量が補正された位置に電子ビームを偏向するための偏向量を演算する偏向量演算部６２と、得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試料の表面形状を正確に測定して高い精度で描画することのできる荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】高さ測定部４０において、光源４１から照射される光Ｌｉをマスク２上で投光レンズ４２によって収束させた後、マスク２上で反射した光Ｌｒを受光レンズ４３を介して受光素子４４に入射させる。受光素子４４で光の位置が検出されると、信号処理部６０を経て、高さデータ処理部７０で高さデータＨｒが作成される。光Ｌｒの光量が閾値以上であれば、高さデータＨｒを偏向制御部３０へ送る。一方、光Ｌｒの光量が閾値より小さい場合には、描画前に取得した高さデータマップＨｍから、対応する座標の高さデータを偏向制御部３０へ送る。偏向制御部３０は、高さデータ処理部７０から送られた高さデータに基づいて、電子ビーム光学系１０の調整を行う。 （もっと読む）

【課題】装置の動作時においてダウンタイムを短縮できる荷電粒子銃および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子銃である電子銃１０は、荷電粒子源である電子源を備えて電子ビームを放出するカソード１３を複数備えて回転自在に配設された回転体バレル１２と、加熱機構２１とを有する。バレル１２はチャンバ１１内に収容されており、かつ動力部１４に接続された回転軸１５と、支持部１６によって支持される。そして、上部に設けられた加熱機構２１からの放射により加熱が可能とされる。電子ビーム描画装置は電子銃１０を用いて構成され、加熱機構２１によるバレル１２の加熱によってバレル１２の素早い加熱が可能とされ、カソード１３の素早い安定化が可能とされている。 （もっと読む）

【課題】 描画精度とスループットとの両立の点で有利な描画装置を提供する。
【解決手段】 複数の荷電粒子線でパターンを基板にショット領域ごとに描画する描画装置は、基板を保持し移動可能なステージと、複数の荷電粒子線を前記基板に投影する投影系と、前記基板に形成されたマークに前記投影系を介して入射した荷電粒子線により飛来する荷電粒子を検出して前記マークの位置を計測する計測器と、制御部とを備える。前記制御部は、あるショット領域に対する描画動作の開始から当該ショット領域に対する描画動作の終了までの間に、前記複数の荷電粒子線の中の少なくとも１つの荷電粒子線を用いて前記計測器により前記マークの位置を計測し、前記計測器の計測結果から前記複数の荷電粒子線の前記基板上における入射位置を補正するように前記ステージ及び前記投影系の少なくとも一方を制御する。 （もっと読む）

【課題】試料に形成されたパターンに起因する高さ測定誤差を低減して、描画精度の向上を図ることのできる高さ測定方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、高さ測定方法は、高さの基準となる範囲を決定する工程と、ＰＳＤを含むアナログ信号処理回路上でのオフセット値を求める工程と、ＰＳＤの出力値からオフセット値を差し引いた値を用いて試料の高さの測定データを求める工程と、試料の高さの測定データの内で基準となる範囲に含まれない値を除き、残った値を用いてフィッティングを行い、試料の高さデータを作成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】試料の高さを正確に測定することのできる高さ測定方法と、高さを正確に測定して高い精度で描画することのできる電子ビーム描画装置とを提供する。
【解決手段】光の波長を所定値としたときの反射光の光量を測定し、光量が閾値以下である場合には光の波長を変えて反射光の光量を測定する工程を繰り返し、光量が閾値より大きくなる波長で試料の高さを測定する。あるいは、光の波長を変えて反射光の光量を測定し、光量が最大となる波長で試料の高さを測定する。 （もっと読む）

【課題】マスクなどの試料面の高さと実質的に等しい高さのマークを用いて、電子ビームの焦点や偏向感度を調整することが可能なマーク台が設けられたステージ装置と、このステージ装置を用いた電子ビーム描画装置とを提供する。
【解決手段】ステージ装置は、電子ビームの光軸と直交する方向に移動可能なＸＹステージと、ＸＹステージ上に固定された電子ビーム調整用のマーク台と、マーク台が固定されている領域を回避してＸＹステージ上に搭載され、光軸方向に移動可能であり、試料が載置されるＺステージとを有する。マーク台には、表面の高さが異なる複数のマーク４ａ_１、４ａ_２、４ａ_３、４ｂ_１、４ｂ_２、４ｂ_３が設けられた基準チップ１１４、１１５が配置されている。 （もっと読む）

【課題】電子銃の異常放電を高い作業効率で効果的に抑制することのできる電子銃のコンディショニング方法および電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】アノードとウェネルトの間に電圧を印加するとともに印加電圧を徐々に増加させ、これらの表面に放電を生じさせる電子銃のコンディショニング方法であって、電子銃内の圧力を測定し、圧力の測定値の中の最小値を定めるとともに、測定値と最小値とを比較し、印加電圧を制御する。アノードとウェネルトの間への電圧の印加は、電子銃内の圧力が所定値より低くなったところで行うことが好ましい。さらに、電子銃内の圧力の測定値と最小値とを比較し、印加電圧を所定時間維持するか、または、降圧したうえで所定時間維持することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、荷電粒子ビームの走査領域内の歪みに関する情報の抽出を実現する画像形成装置、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子線装置によって得られた画像データを積算する画像形成装置であって、荷電粒子線装置の走査方向が異なる複数の画像から、荷電粒子線のビーム照射時間に応じて変化する特徴量の変化量に関する第１の情報と、ビームの走査方向の変化前と変化後の特徴量の変化量に関する第２の情報、及び／又はビームの走査方向の変化前と変化後の前記画像上のパターンの位置ずれに関する第３の情報を算出する画像形成装置、及び上記処理を演算装置に実行させるコンピュータプログラムを提案する。 （もっと読む）

【課題】偏向器による照射位置のずれを精度よく補正して、描画精度を向上させることのできる荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】主偏向領域を等間隔のメッシュで分割して各格子点の位置を測定し、測定した位置から電子ビームの照射位置のずれ量を求めて、主偏向領域の形状歪みに対する補正係数を算出する。次いで、主偏向領域の周辺部についてこの補正係数による補正後の位置ずれ量を求め、補正後の位置ずれ量が閾値内でない場合に、主偏向領域の周辺部が中央部より細かい等間隔でないメッシュで主偏向領域を分割して各格子点の位置を測定し、測定した位置から電子ビームの照射位置のずれ量を求めて、主偏向領域の形状歪みに対する補正係数を算出する。 （もっと読む）

【課題】電子銃の異常放電を効果的に抑制することのできる電子銃のコンディショニング方法および電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】加熱により電子を放出するカソードと、カソードとの間でバイアス電圧が印加されるウェネルトと、カソードとの間に加速電圧が印加され、カソードから放出された電子を集束して電子ビームを形成するアノードとを備えた電子銃に対し、アノードとウェネルトの間に電圧を印加してこれらの表面に放電を生じさせる電子銃のコンディショニング方法である。アノードとウェネルトの間への電圧の印加は、電圧を所定値まで増加させた後にこの所定値を超えない範囲で電圧を周期的に変化させて行う。そして、放電の停止を確認し所定時間が経過してから、電圧を周期的に変化させての電圧の印加を停止する。 （もっと読む）

【課題】照射量に関連した異常を描画中にほぼリアルタイム且つ効率的に検出・処理できる描画装置および描画方法を提供する。また、異常原因の推定を含む異常診断を行う方法を提供する。
【解決手段】基板２に電子ビーム５４を照射して発生した反射・散乱電子を検出部１９で検出する。描画データから得られた所定単位におけるＮ番目のショットの面積（Ｓ_Ｎ）と照射時間（ｔ_Ｎ）の積を演算部２５ａにて演算する。所定単位毎に指示相当値を累積した値と、検出部１９からの信号（Ｄ_Ｎ）を所定単位で積分した値とを、比較部２４にて、比較・判定して、電子ビーム５４の照射量に異常が起きているか否かを判定する。 （もっと読む）

【目的】複数の補正マップで描画位置を補正する場合に効率的に処理を行なうことが可能な描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、描画位置を補正するための複数の補正量マップデータを記憶する記憶装置１４２と、複数の補正量マップデータを入力し、複数の補正量マップデータから描画する際の各ショット位置を取り囲む位置に定義される部分データを抽出する抽出部１２と、抽出された部分データを用いて各補正量マップデータの部分マップを作成する部分マップ作成部１４と、作成された複数の部分マップを合成する合成部１６と、合成された合成マップに定義された補正量を用いて補正された各ショット位置に荷電粒子ビームを照射することによって試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】異なる基板を用いた場合でも、加速中、或いは減速中の描画位置の誤差を補正可能な描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、電子ビームを放出する電子銃２０１と、基板重量を入力し、基板重量を用いてかかる基板重量の基板にパターンを描画した際の位置ずれを補正する補正係数を演算する補正係数演算部１２と、補正係数を用いて電子ビームの第１の偏向量を補正する補正部２４と、補正された第２の偏向量で荷電粒子ビームを偏向し、基板上に荷電粒子ビームを照射する偏向器２０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）