【課題】 描画精度とスループットとの両立の点で有利な描画装置を提供する。
【解決手段】 複数の荷電粒子線でパターンを基板にショット領域ごとに描画する描画装置は、基板を保持し移動可能なステージと、複数の荷電粒子線を前記基板に投影する投影系と、前記基板に形成されたマークに前記投影系を介して入射した荷電粒子線により飛来する荷電粒子を検出して前記マークの位置を計測する計測器と、制御部とを備える。前記制御部は、あるショット領域に対する描画動作の開始から当該ショット領域に対する描画動作の終了までの間に、前記複数の荷電粒子線の中の少なくとも１つの荷電粒子線を用いて前記計測器により前記マークの位置を計測し、前記計測器の計測結果から前記複数の荷電粒子線の前記基板上における入射位置を補正するように前記ステージ及び前記投影系の少なくとも一方を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板の上に電子線をずれなく照射して、基板にパターンを正確に描画しうる電子線描画装置を提供する。
【解決手段】電子線描画装置１００は、基板６に形成されたマークに光を照射し、照射された光の反射光を検出して前記マークの位置を計測する第１計測器４と、電子源から電子光学系を介して前記マークに照射された電子線から発生する二次電子を検出して前記マークの位置を計測する第２計測器２４と、制御器１２と、を備える。前記制御器は、前記マークの前記第１計測器による計測と前記第２計測器による計測とを電子線による前記基板へのパターンの描画を介在させることなく行い、前記マークについての前記第１計測器による計測結果と前記第２計測器による計測結果との差分に基づいて電子線の照射位置のずれを算出し、前記算出された電子線の照射位置のずれを補正するようにステージ２および前記電子光学系１の少なくともいずれかを制御する。 （もっと読む）

【課題】描画ブロックの描画位置を高精度に調整して描画パターンを下地パターンに一致させながら描画対象物に描画することができるパターン描画方法、描画データ生成方法、ならびにパターン描画装置を提供する。
【解決手段】描画ブロック９１の周囲が非描画領域であることを示すデータが付加された拡張ラスターデータ８１３を形成するとともに、下地パターンとの位置ズレを考慮しながら拡張ラスターデータ８１３から描画ブロック９１を抽出し、当該描画ブロック９１を描画している。これによって、描画パターン９２を下地パターンと高精度に重なり合わせながら基板Ｗに描画パターン９２を描画することが可能となっている。 （もっと読む）

【課題】ベイヤ配列のカラーフィルタが配置された複数の受光素子を有するカラーＣＣＤカメラを用い、青色光又は赤色光を照明する場合であっても、試料のエッジ位置を精度良く検出することが可能な位置検出方法及び荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】カラーＣＣＤカメラの受光素子配列方向がマスクのエッジ位置検出対象である一辺に対して斜めになるようにカラーＣＣＤカメラを配置し、マスクのエッジ部を含む領域に青色光を照明した状態で、カラーＣＣＤカメラによりエッジ部近傍の画像を撮像し、この画像内の複数点における青色の濃淡値を求め、濃淡値の変化からエッジ部に対応する複数の座標を求め、これら複数の座標から回帰直線Ｌｒを求め、この回帰直線Ｌｒをエッジ位置とする。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム描画装置にステージ２の位置を測定するために設けるレーザー測長計５_１，５_２の光軸位置を、光軸が荷電粒子ビームのビーム中心に交差するように能率良く行い得られるようにする。
【解決手段】ステージ２に、所定位置のポイント６４ａを示すマーカー部６４と、ポイント６４ａを通るＸ、Ｙの各方向の線上に各レーザー測長計５_１，５_２のレーザー光の光軸が位置したときにレーザー光が入射される各ターゲット部６６_１，６６_２とを形成した調整治具６を固定する。ポイント６４ａがビーム中心に合致するようにステージ２を位置調整した後、各レーザー測長計５_１，５_２のレーザー光が各ターゲット部６６_１，６６_２に入射されるように、各レーザー測長計５_１，５_２の光軸位置を調整する。 （もっと読む）

【目的】適切なソーキング時間を取得する描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、複数のマーク１０が形成された評価基板１０１を配置する描画室１０３と、描画室１０３内で、複数のマーク１０の位置を測定する測定アンプ２１４と、測定された複数のマークの位置を用いて、複数のマークの位置ずれ量を近似する近似式の係数を算出する係数算出部１１４と、前回算出された係数と今回算出された係数を用いて、評価基板１０１の寸法変動量が閾値未満かどうかを判定する判定部１１６と、を備え、評価基板１０１の寸法変動量が閾値未満になるまで、２回目以降の複数のマークの位置の測定について測定前に毎回待機時間を設けて、複数のマークの位置の測定と係数の算出と判定とを繰り返すことを特徴とする。本発明によれば、適切なソーキング時間を取得することができる。 （もっと読む）

【目的】アライメントマークの位置が適正な位置かどうかを判定する装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のアライメントマーク判定装置は、描画装置１００に配置される被描画基板の位置合わせ基準となる複数のアライメントマークの座標データ群を入力し、座標データ群を用いて、所定の多項式の係数行列を作成する係数行列作成部１１２と、掃き出し法を用いて、係数行列の対角成分の絶対値の最小値を演算するピボット演算部１１４と、最小値が所定の閾値より大きいかどうかを判定する判定部１１６と、判定された結果を出力する出力部１２２と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、アライメントマークの位置が適正な位置かどうかを判定し、望ましくないアライメントマークを排除することができる。 （もっと読む）

【目的】撮像条件調整をシステム化した装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の基板位置撮像装置は、チャンバ３４４と、チャンバ３４４内で基板１０１を支持する支持ピン３４５と、基板１０１のエッジ部分が照明領域に含まれるように基板に向けて照明光を照射する照明装置３４６と、基板１０１のエッジ部分のカラー像を撮像するＣＣＤカメラ３４８と、撮像されたカラー像の３原色の各濃度と予め設定された３原色の各基準濃度とを用いて、所定の関係になるように照明光の光量を制御する制御計算機１３０と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、撮像条件の調整作業を効率化することができる。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム露光装置を用いて回折格子のためのパターンを描画する際に良好なアライメントが可能になる半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】エッチングにより絶縁体１９が基板主面１１ａの一部上に形成される。絶縁体１９を形成した後に、積層領域２１をＩｎＰ基板１１の主面１１ａ上に形成する。積層領域２１のIII−Ｖ化合物半導体層２７は、当該半導体光素子の活性層のために形成される。回折格子は、活性層上に形成される。絶縁体１９の高さが積層領域２１の厚さ以上であるので、積層領域２１を形成した後でも、積層領域２１に対し選択的に絶縁体１９を除去できる。絶縁体１９を除去しても、積層領域２１の半導体はエッチングされない。絶縁体１９の除去によって、積層領域２１には、積層領域２１の半導体の結晶面に依存しない段差３３が形成される。積層領域２１を形成した後に、ＥＢ露光のためのアライメントを行う。 （もっと読む）

【課題】 光リソグラフィ及び電子ビーム・リソグラフィ混合製造レベルの共通位置合わせ用の位置合わせターゲット及び方法を提供すること。
【解決手段】 集積回路チップの製造レベルの構造部の第１の組を、基板内に形成された高原子量層を含む電子ビーム位置合わせターゲットに位置合わせして、電子ビーム・リソグラフィを用いて構造部の第１の組を形成し、そして、集積回路チップの同じ製造レベルの構造部の第２の組を、基板内に形成された光位置合わせターゲットに位置合わせして、フォトリソグラフィを用いて構造部の第２の組を形成する方法であって、光位置合わせターゲット自体は電子ビーム位置合わせターゲットに位置合わせされる、方法を提供する。また、電子ビーム位置合わせターゲットを形成する方法及び構造体を提供する。 （もっと読む）

【課題】 光リソグラフィ及び電子ビーム・リソグラフィ混合製造レベルの共通位置合わせ用の位置合わせターゲット及び方法を提供すること。
【解決手段】 集積回路チップの製造レベルの構造部の第１の組を、基板内に形成された電子ビーム位置合わせターゲットに位置合わせして、電子ビーム・リソグラフィを用いて構造部の第１の組を形成し、そして、集積回路チップの同じ製造レベルの構造部の第２の組を、基板内に形成された光位置合わせターゲットに位置合わせして、フォトリソグラフィを用いて構造部の第２の組を形成する方法であって、光位置合わせターゲット自体は電子ビーム位置合わせターゲットに位置合わせされる、方法を提供する。また、電子ビーム位置合わせターゲットを形成する方法及び構造体を提供する。 （もっと読む）

【課題】剛性が低い基板への重ね描画時の重ね位置精度を向上させることを課題とする。特に、描画機の中で基板を機械的に固定する場合の位置補正方法を提供すること。
【解決手段】予め基板に形成された基準マークを用いて、該基板に重ね描画する方法であって、基板上のパターン形成領域以外の領域に予め基準マークを作製する工程と、前記基準マークの位置座標を位置座標測定機により測定する工程と、前記基準マークの位置座標を描画機内において測定する工程と、前記位置座標測定機上の基準マークの位置座標と前記描画機内の位置座標とに基づいて重ね描画用パターンの位置座標を補正する工程と、基板を描画機より取り出さずに重ね描画を行う工程と、を有する基板の重ね描画方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】レチクルに形成された調整用サブフィールドの解像と位置、形状補正値の計測と電子線光学系を最適化を正確に行うことができる荷電粒子線露光装置を提供する。
【解決手段】最初に０°方向ボケの粗計測を行い、続いて高精度計測を行う。次に９０°方向ボケの粗計測を行い、続いて高精度計測を行う。但し、０°方向ボケと、９０°方向ボケの計測は、いずれを先に行ってもよい。続いて、４５°方向ボケの粗計測を行い、次に４５°方向ボケの高精度計測、１３５°方向ボケの高精度計測を行う。この場合も、４５°方向ボケの高精度計測、１３５°方向ボケの高精度計測はどちらを先に行ってもよい。又、４５°方向ボケの粗計測の代わりに、１３５°方向ボケの粗計測を行ってもよい。続いて、サブフィールドの位置の粗計測を行い、次にサブフィールド位置の高精度計測と、サブフィールド形状の高精度計測を行う。 （もっと読む）

【課題】キャリブレーション時に生じるビームドリフトによる影響を抑制することができ、描画精度の向上に寄与する。
【解決手段】荷電ビーム描画装置の偏向器１２の偏向領域内に位置検出用のマークをマトリクス状に配置し、偏向器１２により荷電ビームを偏向することによって各々のマークの位置を測定し、測定結果に基づき偏向器１２の偏向感度の補正を行う方法であって、マーク位置の測定順をランダムに行う。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム露光装置の持つ光を越える優れた解像力と光ステッパの持つ高いスループットの双方を生かし、微細パターンを高いスループットで形成することができ、かつパターンの重ね合わせ精度の向上をはかる。
【解決手段】 ウェハ５上に形成されたレジストに所望パターンを露光してレジストパターンを形成するパターン形成方法において、感光材が塗布された下地基板のパターンを、感光材に電子ビームを照射することにより該感光材から放出される二次電子の情報に基づいて検出し、該検出されたパターンに位置合わせして露光を行う。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム描画装置で用いられる微小なフィールドを高精度に偏向校正し得る電子ビーム描画技術を提供する。
【解決手段】電子ビームを偏向手段により高速偏向走査３０１で移動させて周期性を有したパターン状電子ビーム３０５の形成を繰り返し行う機能と、その繰り返しの一周期と同期して周期性を有した校正用マーク３０６上にパターン状電子ビーム３０５を前記偏向手段により低速偏向走査３０３で移動させる機能と、低速偏向走査３０３により校正用マーク３０６およびその近傍から放出される反射電子もしくは２次電子または校正用マーク３０６を透過した透過電子を検出して、その検出結果から前記電子ビームの位置もしくは偏向量の校正を行う。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の全ての領域に、マスクをダイバイダイアライメント方式でアライメントすることができ、高精度なアライメントおよびパターン転写を実現することができる露光装置および露光方法、並びに当該露光装置および露光方法に使用するマスクおよび半導体装置を提供する。
【解決手段】マスクＭの各相補露光領域にアライメント用のマスクマークＭＭが形成されている。マスクマークＭＭは、ｘ方向およびｙ方向に繰り返し配列されたパターンＰを含み、ｘ方向あるいはｙ方向のいずれかにおいて、マーク中心位置を検出し得るようにパターンＰの間隔が不規則に規定されている。また、ウエハＷ側には、マスクマークＭＭを挟むように２つのウエハマークＷＭが配置されており、各ウエハマークＷＭは、マスクマークＭＭと同様のパターン配列をもつ。 （もっと読む）

【課題】 描画装置により半導体デバイス製品のパターン形成を行う際に、下地パターンと重ね合わせ描画を行うためのアライメントマーク検出精度を向上させる。
【解決手段】 アライメントマーク検出シミュレーションによりデバイス製品・工程ごと、およびマークの検出条件ごと、さらにマークがプロセス誤差を持つ場合についてテンプレート波形を作成する。あるデバイス製品・工程において重ねあわせ描画を行う際に、取得されたアライメント検出波形に対し、上記で作成された複数のテンプレート波形によるマッチング処理をそれぞれ行い、その中から相関係数最大となったテンプレートでの検出結果をアライメントマーク検出位置とする。 （もっと読む）

【課題】 アライメントマークが認識領域から外れた状況下でも、比較的短時間でアライメントマークを検出することを可能とするアライメントマーク、及びアライメントマークの検出方法を提供する。
【解決手段】 本発明のアライメントマーク１は、位置検出に使用されるメインパターン１ｍと、メインパターン１ｍの周囲に近接して設けられた複数のサブパターン１ｓを備える。サブパターン１ｓはメインパターン１ｍと異なる形状を有しており、メインパターン１ｍとサブパターン１ｓとの間隔を、位置ずれによりメインパターン１ｍが認識領域外に位置するときに、少なくとも１のサブパターン１ｓが認識領域内に位置する間隔とすることで、サブパターン１ｓによりフォーカスを合わせることが可能となる。認識エラーによる測長ＳＥＭの動作停止を回避することができるとともに、比較的短時間で、位置検出を行うことができる。 （もっと読む）

本発明は、第２の対象物に近接して第１の対象物を配置し、第２の対象物上のパターンを電子線またはＸ線を用いて第１の対象物上に転写する近接露光における位置合わせ方法に関する。少なくとも一部に光を透過させる領域が画定されたマーク支持部に第１の参照マークを形成した第１の参照マスクと、第１のアライメントマークを形成した第１の対象物を第１のステージに配置する。第１のステージに配置した第１のアライメントセンサを用いて、マーク支持部に画定された光を透過させる領域を介して、第１のステージに対向して設置される第２のステージに配置される第２の対象物に形成される第２のアライメントマークと第１の参照マークを同時に検出する。これにより、第２の対象物と第１の対象物との位置合わせを容易に行うことのできる。
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