【課題】スループットの向上を図ることのできる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】制御計算機１９は、描画パタンを精度を要求される領域とそうでない領域に弁別し、入力部２０から基準値以上の描画精度を要求されるパターンの面積がパターン全体の面積に占める割合を取得し、この割合が所定値以上であるか否かによって描画条件を決定する。割合が所定値未満である場合、基準値未満の描画精度を要求されるパターンを、基準値以上の描画精度を要求されるパターンより高い電流密度で描画する。割合が所定値以上である場合、全てのパターンを同じ電流密度で描画する。電流密度の変化は、電子ビーム５４を透過させる開口部を備えた電流密度調整用アパーチャ１０１を鉛直方向に移動させることで行う。 （もっと読む）

【課題】ローディング効果による寸法変動量と描画されたレジストの経過時間による寸法変動量とを合わせて補正する描画装置、及び描画方法を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、近接効果補正係数と基準照射量との第１の組と、近接効果密度毎の裕度と、放置時間に起因するパターンの寸法変動量とを用いて、近接効果密度毎の荷電粒子ビームの第１の照射量を演算する照射量演算部４４と、第１の照射量を、裕度と寸法変動量とをパラメータとせず近接効果補正係数と基準照射量とをパラメータとする照射量演算式を用いてフィッティングして、近接効果補正係数と基準照射量との描画位置毎の第２の組を取得する近接効果補正係数及び基準照射量演算部５０と、第２の組を用いて荷電粒子ビームの第２の照射量を演算する照射量演算部５６と、描画位置毎に、演算された第２の照射量の荷電粒子ビームを用いて、試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム描画装置の自動調整方法及び荷電粒子ビーム描画装置に関し、寸法の制限された図形８の電流密度均一性を最良化し、線幅線形性を向上させることができる手段を提供することを目的としている。
【解決手段】第１の成形開口板３の前段に、第１の成形開口板を照射する荷電粒子ビームの同開口板の開口位置に対する位置を調節するためのビームアライメント手段２９を備え、第２の成形開口板７の開口を通過する荷電粒子ビームの、同開口板の高さ位置における電流密度分布を測定する手段と、該測定手段により得られた電流密度分布からその直線成分を抽出する手段とを備え、該測定手段及び抽出手段により得られた傾斜成分が除去されるように、前記ビームアライメント手段２９により第１の成形開口板３の照射位置を調節するように構成する。 （もっと読む）

【課題】適切な位置依存ベースドーズ・近接効果補正係数の値を計算する。
【解決手段】レジストが上面に塗布された試料Mの描画領域に荷電粒子ビーム10a1bを照射することにより、描画データに含まれている図形に対応するパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置10において、パターン面積密度ρ（ｘ，ｙ）と影響分布関数κ_Ｇとの畳み込み積分計算を畳み込み積分計算部10b1a4によって実行し、ローカル領域内のパターン面積密度Ｕとグローバル領域内のパターン面積密度Ｖとローカル領域内に描画されるパターンのドーズラチチュードＤＬとの関係であって、パターン面積密度Ｕおよびパターン面積密度Ｖの値を変化させた関係に基づくと共に、畳み込み積分計算部10b1a4により得られる値であって、パターン面積密度Ｖの値に対応する値に基づき、位置依存ベースドーズＤ_ｂ^ΔＣＤ（ｘ）および位置依存近接効果補正係数η（ｘ，ｙ）を計算する。 （もっと読む）

【課題】近接効果及びローディング効果を補正する照射量を計算するための、入力された複数の裕度の組合せが適正か判定することが可能な装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、照射量制御によるパターン寸法補正機能を有する荷電粒子ビーム描画装置であって、パターン寸法と荷電粒子ビームの照射量との関係を示す係数となる複数の近接効果密度毎の裕度を入力し、裕度をパラメータとして用いた第１の式で、所定のパターン寸法補正量での各近接効果密度に対しての照射量を各近接効果密度の裕度から算出する照射量算出部１０と、裕度を用いた前記第１の式で算出した各裕度に対する照射量を、裕度をパラメータとして用いない第２の式でフィッティングするフィッティング演算部１２と、フィッティング結果を用いて、入力された複数の近接効果密度毎の裕度が適正値かどうかを判定する判定部１４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク面内の回路パターン密度分布に加え、パターン面積密度と寸法変動量の関係式あるいは基準テーブルを用いて照射エネルギー量を調整することで、現像ローディングによるパターン疎密の寸法差を精度良く補正するパターン描画方法を提供する。
【解決手段】算出した各現像ローディング効果小区画における寸法変動量マップと、寸法変動量と照射エネルギー補正量との関係式あるいは基準テーブルから、各現像ローディング効果小区画の照射エネルギー補正量マップを作成するパターン描画方法。 （もっと読む）

【課題】レジストの熱効果や線量変化量を高いスループットで補正できる粒子ビームの描画方法を提供する。
【解決手段】レイアウトデータに基づいてショット領域の第１露光線量が決定される。粒子ビーム描画装置のショット期間を制御するように構成された制御ユニットが荷電粒子ビームが基準電流密度に到達したと見なす第１時点ｔ１と、前記荷電粒子ビームが実際にターゲット基板にて基準電流密度に到達する第２時点ｔ２との間の線量偏差を補正する補正線量が決定される。 （もっと読む）

【課題】大電流の電子ビームを利用する場合でも、ウェハにパターンを精度良く露光する電子ビーム露光装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム露光装置１００は、電子ビームを成形する第１及び第２のブロックパターンを有するマスク３０を備え、第１のブロックパターンで成形され、第１の電流を有する電子ビームが露光すべき第１の露光パターンに対する第１のブロックパターンの倍率は、第２のブロックパターンで成形され、第２の電流を有する電子ビームが露光すべき第２の露光パターンに対する第２のブロックパターンの倍率とは異なる。 （もっと読む）

【目的】描画中に電子ビームの電流密度調整を行なうことが可能な装置及び方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、電子ビーム２００を照射する電子銃２０１と、制御値を入力し、制御値に基づいて電子銃２０１を制御する電子銃電源２３０と、試料への描画が行なわれている間に、複数回電子ビーム２００の電流密度を測定する電流密度測定部２４２と、電流密度の測定毎に、電流密度が略一定になるように、測定された電流密度に応じて変化する上述した制御値を演算し、演算の都度、制御値を電子銃電源２３０に出力するＰＩＤ制御部２４４と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、描画中、電子ビームの電流密度を略一定に維持することができる。 （もっと読む）

【目的】渦電流によるビームの描画位置のずれを低減する描画装置及び方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、電子ビーム２００を照射する電子銃２０１と、電子ビーム２００を偏向する主偏向器２１４と、試料１０１を載置して連続移動するＸＹステージ１０５と、試料上に焦点合わせを行なう対物レンズ２０７と、対物レンズ２０７に起因する第１の磁場と、第１の磁場とステージの移動とによって生じる渦電流によって生じる第２の磁場とに基づく試料面上での電子ビーム２００の位置ずれを補正する補正量を計算する補正量計算部１２６と、補正量を用いて試料面での位置ずれを補正した補正位置を計算するオフセット部１２８と、補正位置に荷電粒子ビームが偏向されるように主偏向器２１４を制御する偏向制御回路１１０と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、渦電流による磁場の影響分の位置補正を行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】様々な形状、寸法の任意の露光パターンの露光余裕度を算出することが可能な露光余裕度の算出方法、露光評価装置、露光評価プログラムを提供する。
【解決手段】露光工程を経て半導体ウェーハＷ等の露光対象物上に形成された露光パターンの画像を、異なる露光量Ｄ毎に複数枚取得する。この露光パターンの画像を画像処理して、露光量Ｄ毎に露光パターンの外周長Ｌを算出する。この外周長Ｌと、設計パターンの外周長Ｌ０とを比較して両者の差である外周長差ｄＬを露光量毎に算出し、更に露光余裕度Ａｎを算出する。 （もっと読む）

【課題】荷電ビーム描画装置を用いた描画スループットの高いフォトマスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】フォトマスク製造方法は、照射電荷量とフォトマスクパターンの寸法精度との第１の関係を求める工程(S101)と、第１の関係に基づいて、与えられた寸法精度から照射電荷量を決定する工程(S102)と、決定された照射電荷量に基づいて、該照射電荷量で所望の寸法のレジストパターンが形成されるレジストを選択する工程(S103)と、描画パターン毎に、荷電ビーム描画装置の描画条件と選択されたレジストを照射電荷量で描画するのに必要な描画時間との第２の関係を求める工程(S104)と、描画時間に対して与えられた条件と第２の関係に基づいて、描画パターン毎に、描画条件を決定する工程(S105)とを含む。 （もっと読む）

【課題】下地層の製造ばらつきに起因するパターン寸法誤差を低減する事が可能な電子ビーム露光方法を提供すること。
【解決手段】電子ビーム露光方法は、パターン及びマークを有する下地層の上に形成された被加工層を加工するために前記被加工層の上に形成されたレジストを露光する電子ビーム露光方法であって、前記マーク上に電子ビームを走査して反射電子信号を得る工程(S403)と、前記反射電子信号に基づいて前記パターンの面積密度、及び前記パターンの面積密度と電子ビームの照射量との関係を定めるパラメータの少なくとも１つを補正する工程(S404,S405)と、前記補正の後に、前記パターンの面積密度、及び前記パターンの面積密度と電子ビームの照射量との関係に基づいて、電子ビームの照射量を決定する工程(S407)と、前記決定された照射量の電子ビームで前記レジストを露光する工程(S408)とを含む。 （もっと読む）

【課題】高精度で、且つ電子線照射時間を短縮し製造効率の高い３次元モールドの製造方法の提供。
【解決手段】基体上にオルガノポリシロキサンで構成されるレジスト層を有する被加工体の該レジスト層に電子線を照射する照射工程と、電子線を照射した後のレジスト層を現像してレジスト層に凹凸部を形成する現像工程と、を有し、前記照射工程では、１次電子は前記基板に到達せず且つ２次電子は前記基板に到達するような加速電圧で照射する工程を含むことを特徴する３次元モールドの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 前方散乱の影響が隣のパターンまで及ぶような微細なパターンを高精度に形成することができる荷電粒子ビーム露光方法を提供する。
【解決手段】 荷電粒子ビームをレジスト膜に入射させたときの露光強度分布を、各々がガウス分布で表される複数の要素分布の和で近似する。要素分布の少なくとも一部について、要素分布ごとに、パターン配置面を複数の少領域に区分した面積密度マップを定義する。面積密度マップの各々について、次の第１、第２の小工程を繰り返す。第１の小工程では、小領域ごとに面積密度を求める。第２の小工程では、エネルギ蓄積レート、第１の小領域内のパターンに割り当てられている露光量、当該パターンの面積、及び第１の小領域の面積密度に基づいて、着目する小領域に与えられる露光強度を求め、実効面積密度を算出する。実効面積密度から、パターン配置面上の評価点における露光強度を算出する。 （もっと読む）

【課題】サブフィールド内での照明荷電粒子線の強度分布を目標値内に押さえることを可能とする荷電粒子線露光装置の照明光学系の調整方法を提供する。
【解決手段】エミッタ１から放出された主軌道６に付随したビームは第１のレンズ２で曲げられ、トリムアパーチャ３より僅かに下に集光される。トリムアパーチャ３が無い場合には、クロスオーバは７の位置にできる。トリムアパーチャ３を透過したビームは内径の小さいレンズ４により、光軸から離れたビームほど距離に比例するよりも大きな角度で曲げられる。この時、エミッタ上の非一様な温度分布と、クロスオーバ位置７とトリムアパーチャ３の位置がずれている効果はシャーピングアパーチャ５の電流分布を凸にするように働き、レンズ４の強い幾何収差は照明分布を凹にするように働く。これらの凹凸にする効果はお互いにキャンセルしあい、電流分布は最終的には図１(b)に示すように平坦な分布となる。 （もっと読む）

【目的】より効率的に描画して描画時間を短縮させる装置および方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、電子ビーム２００を用いて複数の図形パターンが含まれるパターンを描画する、描画条件の異なる第１と第２のカラムと、描画時間がより短くなるように各図形パターンデータを第１と第２のカラムのいずれかに分配するデータ分配演算処理部１３０と、を備えたことを特徴とする。本発明の一態様によれば、描画時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】
可変成形電子ビームを用いる描画装置において、高い寸法精度での描画を行うことが出来る電子線描画技術を提供する。
【解決手段】
可変成形ビームを用いる電子ビーム描画装置において、可変成形ビームの電流量を計測するための複数の電子ビーム検出器１３０、１３１を有し、可変成形ビームの複数のビームサイズに応じて計測された電流値を、電子ビームの露光時間にフィードバックすることにより解決する。 （もっと読む）

フラッシュ生成方法。該方法は、レジスト帯電に対する変位ベクトルを算出するステップを含んでいる。該変位ベクトルはδ_c = dP(R)Kとして定義されており、ここでδ_cは該変位ベクトルを表しており、ｄは用量補正乗数を表しており、Ｐはパターンを表しており、Ｋは空間ドメインに変換されたＰｏｉｓｓｏｎカーネルを表している。該方法はさらに、該変位ベクトルを使用して該フラッシュの位置決めを修正するステップを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】試料の描画中に発生する電子ビームの位置異常、電子ビーム照射量等の特性の異常の発生を即座に検出できる電子ビーム装置及びその電子ビーム装置を用いるデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】偏向制御手段により試料上に照射されるように偏向制御された電子ビーム２を通過させる開口部９、偏向制御手段により試料上に照射されないように偏向制御された電子ビームを遮蔽する遮蔽部、および、遮蔽部の下面に発光物質を有する発光体を有するアパーチャ手段と、電子ビームが開口部を通過し試料に照射され反射された反射電子および２次電子１８の少なくとも一方により発光体から発生する光を検出する検出手段１１と、検出手段の検出結果１４に基づいて、試料上での照射状態を求める手段１５と、を備えるため、試料に照射された電子ビームの特性を導出できる。 （もっと読む）