【課題】近接効果補正を行う場合であっても、コラムセル間の線幅のばらつきを補正できるマルチコラム型の電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法を提供する。
【解決手段】一つのウェハ上に複数のコラムセルを配置して並列して露光処理を行うマルチコラム型の電子ビーム露光装置において、各コラムセルの露光量と線幅の関係を求める（ステップＳ４１、Ｓ４４）。そして、各コラムセルのいずれか１から選ばれた基準コラムセルの露光量と線幅の関係に補正対象コラムセルの露光量と線幅の関係を一致させる補正パラメータを求める（ステップＳ４３、Ｓ４６）。以上のようにして求めた補正パラメータに基づいて基準コラムセルの露光時間を補正して、各コラムセルの露光時間を求める。 （もっと読む）

【課題】各コラムセルの露光マスクの開口パターンの線幅が異なっている場合であっても、コラムセル間のパターンの仕上がり寸法のばらつきを抑制できるマルチコラム型の電子ビーム露光装置及び露光マスクを提供することを目的とする。
【解決手段】試料の上方に配置され、電子ビームを照射して並列して前記試料の露光を行う複数のコラムセルを備えた電子ビーム露光装置において、各コラムセルに対応する部分に相似形状で線幅が異なる複数のパターン１６３が大きさ順に並べて配置された露光マスク１１０を用い、パターンの線幅の設計値と予め測定して求めたパターンの仕上がり寸法とのずれ量に相当する線幅Δｗだけ露光データで指定されたパターンと異なる線幅のパターン１６３を前記露光マスク１１０から選択するようにした。 （もっと読む）

【課題】ステージの駆動によって生じる磁場変動の低減に有利な露光装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線を用いて基板の上にパターンを形成する露光装置であって、前記荷電粒子線を前記基板の上に導く電子光学系と、前記基板を保持するステージと、前記ステージを駆動する電磁アクチュエータと、前記電磁アクチュエータを取り囲むように前記ステージに配置された磁気シールドと、前記ステージの位置を計測する計測部と、前記電子光学系と前記基板との間の前記荷電粒子線の経路に磁場を発生させるコイル部と、前記コイル部を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記計測部で計測された前記ステージの位置に基づいて、前記電磁アクチュエータによる前記ステージの駆動によって生じる前記経路における磁場変動を低減させるように、前記コイル部が発生する磁場をフィードフォワード制御するフィードフォワード制御系を含むことを特徴とする露光装置を提供する。 （もっと読む）

ショット毎に倍率を変更可能な可変倍率縮小レンズを含む、キャラクタプロジェクション荷電粒子ビーム書込装置が開示される。計算された荷電粒子ビーム書込ショットの各々に倍率を割当てるステップを含む、フラクチャリングまたはマスクデータ準備または光学近接効果補正のための方法も開示される。荷電粒子ビーム書込装置を用いるステップと、ショット毎に倍率を変更するステップとを含む、表面にパターンを形成するための方法も開示される。レチクル上にパターンを形成するために荷電粒子ビーム書込装置を用いるステップと、ショット毎に荷電粒子ビーム書込装置の倍率を変更するステップとを含む、光リソグラフィを用いて集積回路を製造するための方法も開示される。
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【目的】本発明は、マスク転写方法に関し、マスクの解像度の限界を超える微細パターンサイズをモールドにマスク転写することを目的とする。
【構成】基本パターンの部分を電子線が透過するように作製したマスクを、レジストを塗布したモールドの所定位置に近接して位置づけるステップと、近接して位置づけた状態で、電子線をマスクに照射してマスク上の基本パターンを透過した電子線をマスク上のレジストに露光するステップと、露光した後に、マスクを基本パターンの繰り返しに相当する距離だけ移動した後に露光することを、繰り返しの数分だけ繰り返すステップと、繰り返した後に、モールド上の露光されたレジストを現像するステップと、現像した後のモールドをエッチングし、マスク上のパターンに対応するパターンをモールド上に形成するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、露光データ作成方法及び露光方法に関し、未知のばらつきを含む様々なプロセスばらつきに対してパターン間の線幅のばらつきを低減することを目的とする。
【解決手段】パターン毎に露光量を調整しながら露光対象物を露光する荷電粒子ビーム露光用の露光データ作成方法において、パターンを目標線幅で分類し、各目標線幅のパターン群に対して、基準となる露光量とレジストパターンの出来上がり線幅の関係を示す基準特性を設定し、各目標線幅のパターンの露光量とレジストパターンの出来上がり線幅の関係を示す特性が基準特性に揃うように形状及び露光量を補正して露光データを作成するように構成する。 （もっと読む）

【課題】開孔範囲内に複数個の貫通孔が周期的に形成されているステンシルマスクを使用して半導体ウェーハにエネルギービームを照射する場合、梁による陰の影響が残り、その影響を解消しようとすると照射範囲が拡大して精度が低下する。
【解決手段】エネルギービームの射出装置１２と、ステンシルマスク６を保持するマスクステージ２２と、半導体ウェーハ４を保持する試料ステージ２と、マスクステージ２２と試料ステージ２を相対的に振動させる振動発生機構２３を備えている。振動発生機構２３は、半導体ウェーハ４の表面に平行な面内で、複数個の貫通孔８が繰返し形成されている方向に、貫通孔８の繰返し周期の整数倍の振幅で、マスクステージ２２と試料ステージ２を相対的に振動させる。照射範囲を精度よく規制しながら、照射強度分布を均質化することができる。 （もっと読む）

【課題】収差を低減する電子光学系を構築できる荷電ビームレンズアレイ、その電子光学系を用いる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】荷電ビームレンズアレイ１００は、複数の開口部により形成されるレンズを有する少なくとも３枚重ねられる基板１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃからなる。中間の基板１１０ｂに、第１の電極Ｅａ〜Ｅｅで複数の開口部Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃの各グループを電気的に接続させて構成する。また、第２の電極ｅａで単数の開口部Ｌｅ，Ｌｇを個々に構成する。特に光軸ＡＸを中心とする多角形上に位置する複数の開口部Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃ，Ｌｄ，Ｌｆ同士は、第１の電極Ｅａ〜Ｅｅで電気的に接続する。一方、第１の電極Ｅａ〜Ｅｅ同士、第２の電極ｅａ，ｅｂ同士、第１の電極Ｅａ〜Ｅｅと第２の電極ｅａ，ｅｂとは電気的に分離し、各第１、第２の電極Ｅａ〜Ｅｅ、ｅａの電位を個別に制御する。 （もっと読む）

【目的】帯電現象に起因した照射位置の位置ずれを補正する装置および方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の荷電粒子ビーム描画方法は、試料の所定の領域に荷電粒子ビームを照射することにより帯電する電荷による所定の領域とは異なる他の領域の電界強度を計算する電界強度計算工程（Ｓ１０４）と、かかる電界強度に基づいて、上述した他の領域に荷電粒子ビームを照射する場合の照射位置を補正する補正量を計算する補正量計算工程（Ｓ１０６）と、補正量に基づいて、上述した他の領域に荷電粒子ビームを照射して上述した他の領域を描画する描画工程（Ｓ１１０）と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、帯電現象に起因した照射位置の位置ずれを補正することができる。 （もっと読む）

【課題】センタリング調整を容易に、しかも再現性を持って行うことができる非点収差補正方法および電子ビーム描画装置を実現すること。
【解決手段】センタリング調整を行わない対向コイルをステップＳ６０２でオフさせた状態で、電流比率ａをステップＳ６０４で逐次変化させ、この変化ごとに、対向コイルに流れる電流をステップＳ６０５および６０８で一定量変化させた場合のクロスマーク位置の変化量である距離ΔをステップＳ６１２で求め、この距離Δが最小となる電流比率ａおよびｂを用いて非点収差補正を行うこととしているので、非点収差補正の際に対向コイルに流れる電流を変化させても電子ビーム４が偏向することの無いようにし、加えてこの電流比率ａおよびｂを、人による誤差を含まない再現性あるものとすることを実現させる。 （もっと読む）

【課題】電子ビームの照射位置が所望位置からずれるという問題を効果的に防止することが可能な電子ビーム描画装置の描画方法を提供する。
【解決手段】載置台に載置される描画対象の電子ビーム照射位置に対応する載置台上の位置に応じて載置台の最大移動速度を規定する工程Ｓ２と、電子ビーム照射位置に対応する載置台上の位置に応じて規定された最大移動速度を越えない速度で載置台を移動させながら、載置台に載置された描画対象に電子ビームを照射して描画を行う工程Ｓ４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】各頂点における内角が９０度または２７０度となる多角形領域を、微小辺を含む矩形領域の発生を抑制しつつ、複数の矩形領域に高速に分割する手法を提供する
【解決手段】多角形領域において、それぞれが内角２７０度の特徴頂点を始点として互いに直交する２方向のいずれかに沿って伸びる複数の候補線分が取得された後、複数の候補線分のうち最短のものを分割線分として選択し、分割線分の端点を始点とする候補線分および分割線分を複数の候補線分から削除する処理を繰り返して、多角形領域から複数の分割線分が取得される。分割線分による分割後の矩形領域のうち微小辺を含むものを周囲の他の矩形領域と結合して結合領域が生成され、結合領域に対して微小辺を含む矩形領域の発生を抑制する領域分割処理が施されて結合領域が再分割される。これにより、微小辺を含む矩形領域の発生を抑制しつつ、多角形領域が複数の矩形領域に高速に分割される。 （もっと読む）

【課題】安全且つ、確実に基板を平面矯正し、オーバーレイ精度やスループットの向上を図る。
【解決手段】 静電吸着機構を有する基板吸着部を備える基板吸着装置であって、前記基板吸着部に２つ以上の給電端子を持つ静電吸着用電極を有することを特徴とする基板吸着装置である。真空吸着で基板を平面矯正し、基板を平面矯正した後に静電吸着して、基板を平面に維持する。平面を保った状態で露光装置の基板処理室へ搬送するよう構成する。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子ビーム露光に用いるパラメータを精度良く効率的に抽出する。
【解決手段】 パラメータ既知の層上にパラメータ未知の層を形成し（ステップＳ１〜Ｓ３）、この多層構造に対し、レジストの形成および所定パターンの露光を行い（ステップＳ４）、その露光結果を用いてパラメータ未知の層のパラメータを抽出する（ステップＳ５）。パラメータ未知の層よりも下側の層についてはパラメータが既知であるので、考慮すべき層の組み合わせおよび実験データ数を大幅に減少させることができる。パラメータ抽出後は、その上に新たにパラメータ未知の層を形成して同様にそのパラメータを抽出する（ステップＳ６，Ｓ７）。パラメータを下層から順に抽出することで、様々な組み合わせの多層構造について精度良く効率的にパラメータを抽出することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 近接効果とフォギー効果との両者を考慮した高精度の描画パターンの寸法補正を可能とする。
【解決手段】 補正対象となる描画パターンをフォギー効果補正用の粗いメッシュと近接効果補正用の細かいメッシュで分割し、各メッシュに対して描画されるパターンが占める面積の割合を求め、計算対象メッシュに対する補正を全く行わない状態で露光した場合のフォギー効果及び近接効果による蓄積エネルギーを計算し、求められた蓄積エネルギーよりフォギー効果及び近接効果の影響を縮小してフォギー効果及び近接効果の影響が無視できるパターンと寸法が一致するように初回計算により近接効果補正用の細かいメッシュにおける露光量を求め、フォギー効果及び近接効果の影響を固定したままフォギー効果及び近接効果の影響が無視できるパターンと寸法が一致するように再計算を行い、この再計算を所望の寸法精度に達するまで繰り返す。 （もっと読む）

【課題】
偏向器に非点補正と焦点補正を重畳した場合に、焦点補正による像倍率変化や像回転が最小になり、かつ、偏向収差も最小にして高精度な描画を行うことが可能な電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】
電子ビームの主偏向を行なう静電型の主偏向器２１４と、電子ビームの副偏向を行なう静電型の副偏向器２１６とを有し、かつ、副偏向器２１６の上流に、電子ビームの焦点補正を行なう焦点補正器２１８を設け、電子ビームの非点補正を、主偏向器２１４と副偏向器２１６とを用いて行ない、電子ビームの焦点補正を、主偏向器２１４と焦点補正器２１８とを用いて行なうよう構成する。 （もっと読む）

【課題】 描画中にビームの一部が欠けている状態や、ビームの一部が露光された状態となるのを防ぎ、パターン寸法精度などの描画性能を向上させる。
【解決手段】 荷電粒子線を用いて被露光基板上に所望のパターンを露光するために、前記荷電粒子線を遮蔽するためのブランキングアパーチャ１１０と、ブランキングアパーチャ１１０を光軸に対して略垂直な平面内で移動するＢＡステージ４０１，４０２と、ブランキングアパーチャ１１０の開口面積を変える開口可変手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】互いにコンプリメンタリーなマスクの一方から他方に切り替えたときに相対的な位置ずれが生じても、露光不足領域が生ずるのを避ける。
【解決手段】格子パターンに変換する前に大矩形パターン３０を領域３１〜３４に４分割する。領域３１〜３４の各々についてパターン面積密度α_pを求め、マトリックスパターン又はＬ／Ｓパターンに変換し、隣り合う分割領域を互いにコンプリメンタリーなサブパターンとする。すなわち、領域３２及び３４に含まれるパターン要素群のパターンと領域３２及び３３に含まれるパターン要素群のパターンとを、互いにコンプリメンタリーなパターンとする。各分割領域の格子パターンに対し境界処理が行われているので、分割線の両側でパターン要素が接続され、これにより、露光において互いにコンプリメンタリーなマスクを切り替えた場合、相対的な位置ずれが生じても、スペース幅が広がることによる露光不足が生じ難い。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線光学系の収差を分離して測定できるようにし、荷電粒子線光学系の有効領域における収差をバランスよく調整することが可能な収差測定装置を提供する。
【解決手段】 荷電粒子線光学系の収差を測定するために、複数の荷電粒子線を互いに異なる入射角で前記荷電粒子線光学系の物体面に入射させる荷電粒子生成手段と、前記複数の荷電粒子線が、前記荷電粒子線光学系の像面上に結像する位置を検出する検出手段とを有し、前記荷電粒子生成手段は、各荷電粒子線に対応した電子光学系を有し、各電子光学系の瞳位置に、対応する荷電粒子線が互いに異なる入射角で前記物体面に入射するような開口絞りを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 簡単に、ウエハ上での像の位置、形状、焦点位置の変化を補償することができる露光調整方法を提供する。
【解決手段】 荷電粒子線を使用してレチクルに形成されたパターンをウエハ等の感応基板上に露光転写する分割露光転写方式の荷電粒子線露光装置において、レチクルの撓みによる露光位置の光軸方向のずれに起因して発生するウエハ上での像の位置、形状、焦点位置の変化を補償するために投影光学系に加える補正量を、レチクル面の位置ごとに固有のデータとしてテーブル化しておき、露光転写時に、露光されるレチクルの位置に応じて、対応するテーブル化された補正量に基づいて、投影光学系を調整する。 （もっと読む）