【課題】
段差を有する基板上にコンフォーマル性の高い被覆膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】
段差を有する基板上に、スピンコートによって被覆膜形成用組成物の塗布膜を形成する第１工程、前記塗布膜を有する基板を加熱することによって、前記塗布膜の下層部分を硬化する第２工程、及び溶剤によって前記塗布膜の上層部分を除去する第３工程、を含む段差を有する基板上にコンフォーマル性の高い被覆膜の形成方法。段差を有する基板が、高さ／幅の値が０．１〜１である段差を有する半導体基板である。第１工程のスピンコートが、回転速度５００〜５０００（回／分）、回転時間３０〜３００秒で行う。第２工程の加熱が、温度５０〜１５０℃、時間１０〜３００秒で行う。第３工程が、前記塗布膜上に溶剤を塗布し、１〜３００秒間経過後、前記基板を回転速度５００〜５０００（回／分）、回転時間３０〜３００秒で回転することによる。 （もっと読む）

【課題】配線材料となるＣｕの拡散を防止し、配線間リークが少なく、又、凹凸が少なく、それだけ信頼性が高く、更には配線プロセスが簡略化され、コストがそれだけ低廉なものになる半導体装置を提供することである。
【解決手段】基板１と、前記基板１上に設けられたＣｕ配線層８，１９と、前記Ｃｕ配線層８，１９上に設けられた層間絶縁層９，２０とを具備する半導体装置であって、前記層間絶縁層９、２０がＣｕ拡散防止機能を有する塗布型絶縁膜である。 （もっと読む）

【課題】 高い対フォトレジスト選択比でのエッチングを可能にするエッチング方法および高い成膜レートでα−ＣＦ膜を形成できるＣＶＤ成膜方法を提供する。
【解決手段】 被処理体を、フッ化炭素化合物を含む処理ガスによるプラズマを用いて処理するプラズマ処理方法であって、フッ化炭素化合物として、１，１，１，４，４，４-ヘキサフルオロ-２-ブチンまたは１，１，１，４，４，５，５，５-オクタフルオロ-２-ペンチンなどの、分子内に少なくとも一つの三重結合と、該三重結合に隣接した少なくとも一つの一重結合により結合されたＣＦ_３基とを含むフッ化炭素化合物を用いる。 （もっと読む）

【課題】 耐熱性、低吸水性、電気絶縁性、透明性、耐溶剤性、さらに段差埋め込み性に優れた平坦化膜及びそれを用いた半導体装置、表示装置を提供する。
【解決手段】 酸性基と、４原子以上が連なった鎖状有機基を共に側鎖に有する環状オレフィン樹脂（Ａ）、１，２−ナフトキノンジアジド構造を有する感光材（Ｂ）、１３０℃以上で（Ａ）中の酸性基と結合しうる反応基を有する化合物（Ｃ）を含有する樹脂組成物を段差を有する基板上に塗布して樹脂組成物層を形成し、該樹脂組成物層に活性エネルギー線を照射して現像液と接触させてパターンを形成した後、該樹脂組成物を２８０℃以下で熱硬化することにより得られることを特徴とする平坦化樹脂層。 （もっと読む）

【課題】 シリコンウェハー、ディスプレイ、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ或いはレンズなどの基体上に、透明であって、しかも、低反射率で且つ低誘電率であるとともに、械的強度や基板に対する密着性に優れた薄膜を形成するための膜形成用組成物及び膜の形成方法に関する。
【解決手段】 粒子表面に存在するシラノール基が、疎水性基を有する表面改質剤で処理されたシリカ粒子と、ポリシラン化合物とを含有することを特徴とする膜形成用組成物とする。また、この膜形成用組成物を、基体上に塗布した後に、熱処理及び／又は光処理することを特徴とする膜形成方法とする。 （もっと読む）