基板表面上に薄膜を堆積するための化学気相成長(CVD)法が記載されている。当該CVD法は、処理チャンバ内の基板ホルダ上に基板を設ける工程、及び、化学前駆体を有する処理気体を前記処理チャンバに導入する工程を有する。前記処理気体は、前記基板ホルダとは別個の非電離熱源に曝されることで、前記化学前駆体の分解を引き起こす。薄膜が前記基板上に堆積される。
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【課題】効率的な製造工程を提供し、製造コストを低減することができる半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造装置１００は、ウェハカセット２，３，４と、ウェハの洗浄および表面改質を行う装置５と、ウェハの位置合わせを行う装置６と、ウェハ表面にパッシベーション膜となる材料を射出する装置７と、パッシベーション膜の外観検査を行う装置８と、パッシベーション膜に熱処理を行う装置９と、処理順にウェハを各装置に搬送する装置１０を備えている。製造装置１００では、インクジェット技術を用いて、洗浄後のウェハ表面に、選択的にパッシベーション膜のパターンを形成する。次いで、パッシベーション膜のパターンが、所望のパターン条件を有しているか否かを検査する。パッシベーション膜が所望のパターンで形成されている場合に、パッシベーション膜を硬化および焼成する熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、硬膜時における膜減りが小さく、かつ誘電率などの特性に優れた膜を製造することができる組成物、およびその組成物より得られる膜を提供することを目的とする。
【解決手段】芳香族炭化水素を主成分とし、分子内の全ての水素原子が前記芳香族炭化水素を構成する炭素原子と結合しており、熱重量分析（１ｍｍＨｇ真空下，昇温速度２０℃/ｍｉｎ）において５％重量減少温度が２５０℃〜４５０℃を示し、空孔形成剤として作用する化合物（Ｐ）と、樹脂または樹脂前駆体とを含有する組成物。 （もっと読む）

【課題】製造過程の絶縁膜の剥離や飛散を抑制して半導体装置を歩留まり良く製造する。
【解決手段】ウェーハの上方に下地となる第１絶縁膜を介して第２絶縁膜を形成し（ステップＳ１，Ｓ２）、熱処理を行った後（ステップＳ３，Ｓ４）、その熱処理後の第２絶縁膜の一部を選択的に除去する（ステップＳ５）。熱処理の間、第１絶縁膜を第２絶縁膜で覆い、熱処理時の第１絶縁膜の剥離及び飛散を抑制する。 （もっと読む）

【課題】インクジェットヘッドの耐久性を低下させない溶媒を使用できるイミド系の化合物を含み、且つ、インク中にイミド系の化合物を高濃度で含有し、常温保存における保存安定性が良好で、１回のジェッティングで比較的厚い（１μｍ以上の）膜を形成でき、さらに、製膜時に耐熱性、電気絶縁性が高く、十分な機械的強度を有する、反り量の少ない絶縁膜を得ることができるインクジェット用インクを提供する。
【解決手段】モノアミン（ａ１）と酸無水物基を１つ有する化合物（ａ２）とを用いて得られるイミド化合物（Ａ）と、溶媒（Ｂ）とを含む、インクジェット用インク。 （もっと読む）

【課題】基体に形成されたトレンチ内にシリコン酸化物を埋め込むために使用するのに好適な、トレンチへの埋め込み性が高く、硬化収縮率が小さく、かつ良好なクラック耐性を有するシリコン酸化物塗膜を与えるトレンチ埋め込み用組成物を提供すること。
【解決手段】水素化ポリシラン化合物と、シリカ粒子に由来する構造を有する反応物とを含むことを特徴とするトレンチ埋め込み用組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、接着力、厚さ精度、高さ均一性に優れ、かつ、段差埋め込み性に優れた樹脂組成物および該樹脂組成物を用いて作製した平坦性、機械強度に優れる半導体装置を提供することにある。
【解決手段】 （Ａ）環状オレフィンの重合体またはその水素添加物および（Ｂ）下記一般式（１）で示される構造を有する化合物を含むことを特徴とする樹脂組成物、および該該樹脂組成物を用いて作製したことを特徴とする半導体装置である。
【化１】
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【課題】低温の酸化処理により酸化膜を形成する。
【解決手段】酸化膜の作成方法は、主鎖にＳｉ−Ｎ結合を有する高分子化合物を含む第１の膜１６と主鎖にＳｉ−Ｏ結合を有する高分子化合物を含む第２の膜１５とを積層する工程と、前記第１の膜１６及び前記第２の膜１５を水蒸気又は水性の雰囲気中で加熱処理し、前記第１の膜１６及び前記第２の膜１５を酸化膜１８に変化させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】多孔質の有機ケイ酸塩ガラス膜を提供する。
【解決手段】当該膜、Ｓｉ_vＯ_wＣ_xＨ_yＦ_z（式中、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖは１０〜３５原子％、ｗは１０〜６５原子％、ｘは５〜３０原子％、ｙは１０〜５０原子％、ｚは０〜１５原子％である）は、Ｓｉ−ＣＨ₃を有するケイ酸塩の網目構造を有し、細孔及び２．７よりも低い誘電率を有する。予備的な膜が、オルガノシラン及び／又はオルガノシロキサン前駆体と細孔形成前駆体とからＣＶＤ法によって堆積される。ポロゲン前駆体が予備的な膜中に細孔を形成し、続いて除去されて多孔質膜を与える。組成物は、少なくとも１つのＳｉ−Ｈ結合を含有するオルガノシラン及び／又はオルガノシロキサン化合物と、アルコール、エーテル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトロ、第一、第二及び／又は第三アミン官能性又はそれらの組み合わせを含有する炭化水素のポロゲン前駆体とを含む。 （もっと読む）

【課題】ウェハにおける制約上のＴＥＣの違いによる衝撃を減少させ、製造された装置および接着層の間の接触面（界面）を改良した、ウェハのスケールでのマイクロシステムまたはナノシステムの組立てによる電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、ａ）前面８の側部分に現れる部品の活性面、ｂ）部品に対して少なくとも横方向に存在し、いわゆる部品が装置において保持されるのを確実にする、コーティング材３、ｃ）部品の活性面１０にはなく、コーティング材３がこの部品４から分離される、絶縁緩衝層６を具える。 （もっと読む）

【課題】高温の酸化性雰囲気中でのＳＯＤ膜の改質を促進する。ライナー膜下部の素子や半導体基板が酸化されてダメージを受けることを防止する。
【解決手段】凹部と、凹部の内壁側面上に順に形成した、第１のライナー膜と、酸素原子を含有する第２のライナー膜と、凹部内に充填された絶縁領域と、を有し、第１のライナー膜は第２のライナー膜よりも耐酸化性が優れるものとした半導体装置。 （もっと読む）

【課題】平坦性、低誘電性、吸水性、耐溶剤性、透明性及び耐熱透明性に優れるばかりでなく、密着性にも優れる樹脂膜、この樹脂膜を得るための、ろ過性に優れる樹脂組成物、及びこの樹脂膜を有する電子部品を提供する。
【解決手段】樹脂（Ａ）、架橋剤（Ｂ）、及び溶剤（Ｃ）を含有してなり、樹脂（Ａ）がアミノ基含有ジカルボン酸ジアルキルと、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物とのアミド化反応により得られる特定の単量体を含む単量体組成物を重合して得られる重合体である樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】蒸着により重合膜を成膜する際に、原料を加熱して供給する際の上記不都合が生じない重合膜の成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】原料形成面に重合膜を形成するための複数の原料を所定パターンで形成した第１の基板１６と、重合膜を形成すべき成膜面を有する第２の基板１５とを、原料形成面と成膜面とが向き合うように処理容器２内に対向して設け、処理容器２内を真空雰囲気とし、第１の基板１６を前記複数の原料１７，１８が蒸発する第１の温度に加熱して蒸発させるとともに、第２の基板１５を複数の原料が重合反応を生ずる第２の温度に加熱し、第１の基板１６から蒸発した複数の原料１７，１８を第２の基板１５の成膜面で反応させ、成膜面に所定の重合膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】フッ素添加カーボン膜（ＣＦ膜）上にハードマスク用の薄膜であるＳｉＣＯ膜あるいはＳｉＣＮ膜を成膜するにあたり、その薄膜とフッ素添加カーボン膜との間で大きな密着性を得ること。
【解決手段】 ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。ＳｉＣＯ膜の成膜時に、酸素の活性種がＣＦ膜中の炭素と反応することが抑えられ、従ってＣＦ膜の脱ガス量が低減する。またＳｉＣＮ膜をハードマスクとして使用する場合も、同様に最初にトリメチルシランガスのプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合部ＰＮＪＣに当たるメサ溝内壁１１の第２の絶縁膜１０の厚みが薄くなり耐圧の劣化やリーク電流が発生するという従来の問題を安価な材料を使用することにより解決し、高耐圧、高信頼性のメサ型半導体装置及びその製造方法の確立を図る。
【解決手段】メサ型半導体装置のメサ溝５内壁に熱酸化膜６からなる安定した保護膜を形成しＰＮ接合部ＰＮＪＣを被覆保護すると共に、Ｎ−型半導体層２の熱酸化膜６との界面に電子の蓄積層が形成されにくいように、メサ溝５内の熱酸化膜６で挟まれた空隙に負電荷を有する絶縁膜７を埋め込む。係る構成を採ることにより熱酸化膜６中の正電荷による影響を弱め熱酸化膜６との界面におけるＮ−型半導体層２への空乏層の拡がりを確保する。 （もっと読む）

【課題】成膜チャンバー及びその部材や排気系や配管等を腐食することなく、低誘電率、低屈折率、及び高機械的強度を有し、疎水性の改良された多孔質膜を作製する方法、多孔質膜、並びに多孔質膜の前駆体組成物の溶液を提供すること。
【解決手段】式：Ｓｉ(ＯＲ^１)_４及びＲ_ａ(Ｓｉ)(ＯＲ^２)_４−ａ(式中、Ｒ^１は１価の有機基を表し、Ｒは水素原子、フッ素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ^２は１価の有機基を表し、ａは１〜３の整数であり、Ｒ、Ｒ^１及びＲ^２は同一であっても異なっていてもよい)で示される化合物から選ばれた化合物と、熱分解性有機化合物とを含む多孔質膜の前駆体組成物の溶液であって、ｐＨが５〜９である溶液を基板上に塗布し、所定の温度範囲で焼成させ、得られた多孔質膜に対する紫外線照射後、ヘキサメチルジシラザン、ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、トリメチルシリルイミダゾール及びトリメチルアミンジメチルアミンから選ばれた疎水性化合物を所定の温度で気相反応させ、疎水化された多孔質膜を作製する。 （もっと読む）

デュアルダマシンプロセスに使用される組成物が開示される。
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【課題】比較的低温の焼成温度でＴＦＴ素子上に低誘電率の平坦化膜を形成することが可能なＴＦＴ平坦化膜形成用組成物、及びそのような平坦化膜を有する表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るＴＦＴ平坦化膜形成用組成物は、（Ａ）シロキサン樹脂、（Ｂ）重合促進剤、及び（Ｃ）有機溶剤を含有する。（Ｂ）重合促進剤としてはオニウム塩が好ましく、その含有量は、（Ａ）シロキサン樹脂のＳｉＯ_２換算質量に対して１２０〜１０００質量ｐｐｍであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】保存性の良好な安定性の高い塗布液であって、無機ＥＬ素子に用いる誘電体層等に好適な、平坦性に優れ、空隙の少ない緻密な表面を有する誘電体層を得ることができる誘電体膜形成用塗布液の製造方法を提供する。
【解決手段】アルコール類、エステル類及びカルボン酸からなる混合溶剤中に、少なくとも１種の金属元素を含む有機酸塩と、チタン、スズ及びジルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む金属アルコキシドを含有する前駆体溶液中に、特定の種類である有機溶媒、特定の種類であって特定の平均分子量を有する高分子樹脂、及び特定の種類であって特定の粘度を有する粘度調整液を含む希釈液を添加し、希釈後の前駆体溶液中の金属元素濃度を０．２〜０．５ｍｏｌ／Ｌに調整することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】素子分離絶縁膜に含まれる不純物に起因する半導体装置の電気的特性や信頼性の低下を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】過水素化シラザン重合体を、炭素を含む溶媒に分散することによって生成された過水素化シラザン溶液をシリコン基板１上に塗布して塗布膜６を形成し、塗布膜６を加熱して溶媒を揮発させることにより、ポリシラザン膜７を形成し、ポリシラザン膜７を薬液処理することにより、ポリシラザン膜７を二酸化シリコン膜８に変換する。 （もっと読む）