【課題】 ショットキーバリアダイオードのアノード電極にワイヤボンディングする時の荷重と超音波振動による機械的ダメージにより、ダイオード特性が劣化するなどの問題が発生していた
【解決手段】 ショットキーバリアダイオードの少なくとも外部接続手段を固着する領域の下方に開口部を有する絶縁膜を設けショットキー金属層を形成し、例えばアルミニウムからなるアノード電極とアルミニウムワイヤの接合時の機械的ダメージによるダイオード特性の劣化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム膜やアルミニウム合金膜などの金属膜を制御性よく、かつ、レジスト滲みの発生を抑制、防止しつつエッチングし、意図する低テーパー角を有する望ましい形状と、優れた平坦性を有する金属膜を得ることができるようにする。
【解決手段】リン酸、硝酸、有機酸塩、界面活性剤を含有する水溶液を、基板上の金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物として用いる。
前記有機酸塩として、脂肪族モノカルボン酸、脂肪族ポリカルボン酸、脂肪族オキシカルボン酸、芳香族モノカルボン酸、芳香族ポリカルボン酸、芳香族オキシカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の、アンモニウム塩、アミン塩、第四級アンモニウム塩、アルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。
また、本発明のエッチング液組成物を、前記金属膜がアルミニウムまたはアルミニウム合金である場合に用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に形成された開口部上にバンプ電極を形成するに当たり、開口部内に閉じ込められた気体が原因で発生するボイドの形成を防止する。
【解決手段】本半導体装置の製造方法は、半導体基板１の主面側に第１の配線３を形成する工程と、半導体基板１にその裏面側から、前記第１の配線３の裏面を露出させるために、主面側に向かって開口部５を形成する工程と、前記第１の配線３の裏面に接し、前記開口部５内から前記半導体基板１の裏面に延在する第２の配線７を形成する工程と、前記開口部５の底部の前記第２の配線７の一部と接し、前記開口部５内から前記半導体基板１の裏面に延在するハンダ層８を形成する工程と、前記ハンダ層８をリフローして前記開口部５上にバンプ電極９を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法に関し、特に半導体ウエハの枚葉処理における湿式エッチング装置のクリーンルーム占有床面積の拡大を防止し、生産性の向上を図ること、並びにそれに伴う歩留改善、間接材料の使用量低減可能な作業方法の確立を図る。
【解決手段】本発明の半導体ウエハ１のエッチング方法は、半導体ウエハ１を床面に対して垂直に保持した状態でエッチングするもので、吸着チャック１０に垂直に保持された半導体ウエハ１と垂直状態で相対するエッチング機構１３の正面部１７並びに凸部１８の間に、上から下に流れる落ちるエッチング液による薬液層１９を形成しつつ、半導体ウエハ１を低速回転させながらエッチングする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハを横にして床面に水平状態で搬送する場合の弊害である、半導体ウエハへのパーティクル付着や半導体ウエハの割れ等による歩留まり等の低下を阻止すること、並びに占有床面積の小さな縦型半導体ウエハ製造装置に最適な半導体ウエハの搬送機構と搬送方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の半導体ウエハ５の搬送機構１は、円弧状の第１のアーム２と、先端部の両側面部が円弧状で全体が棒状の第２のアーム６と、第１のアーム２の円弧と同一円周上に載置されたカセット４からなり、第１のアーム２が回転することによりカセット４内の半導体ウエハ５をカセット４の上部に押し出し、逆方向に回転する第２のアーム６と共に、半導体ウエハ５を床面５０に垂直状態に支持し、その後、両アームが第１のアーム２の回転方向に回転し、回転軸７の上部の停止位置１９まで半導体ウエハ５を搬送し、また逆方向の搬送を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその製造方法において、半導体装置の収量を増加させると共に、製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】半導体基板１０の表面における所定の領域内に複数のパッド電極１２を形成した後、半導体基板１０の表面に接着剤層１４を介して支持体１５を貼り合わせる。次に、半導体基板１０であって上記所定の領域と重畳する領域に開口部１０Ａを形成する。そして、開口部１０Ａ内で各パッド電極１２と電気的に接続された配線層１８を形成する。その後、所定の工程を経て、最後に、半導体基板１０及び支持体１５を含む積層体を、開口部１０Ａの外側に延びるダイシングラインＤＬに沿ってダイシングする。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑えつつ、ガードリングに接するＰＮ接合部の耐圧の向上を図る。
【解決手段】半導体基板１０の表面にＮ−型半導体層１１を形成し、その上層にＰ型半導体層１２を形成する。Ｐ型半導体層１２上には、絶縁膜１３を形成する。その後、絶縁膜１３からＮ−型半導体層１１の厚さ方向の途中に至る複数の溝、即ち第１の溝１７Ａ、第２の溝１７Ｂ、第３の溝１７Ｃを形成する。これらの複数の溝は、そのうち互いに隣接する２つの溝において、電子デバイスに近い側、即ちアノード電極１４に近い側の溝は、該溝よりも外側の他方の溝よりも浅く形成される。その後、第１の溝１７Ａ内、第２の溝１７Ｂ内、第３の溝１７Ｃ内に、絶縁材料１８が充填される。その後、半導体基板１０及びその上層に積層された各層からなる積層体をダイシングラインＤＬに沿ってダイシングする。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合部ＰＮＪＣに当たるメサ溝内壁１１の第２の絶縁膜１０の厚みが薄くなり耐圧の劣化やリーク電流が発生するという従来の問題を安価な材料を使用することにより解決し、高耐圧、高信頼性のメサ型半導体装置及びその製造方法の確立を図る。
【解決手段】メサ型半導体装置のメサ溝５内壁に熱酸化膜６からなる安定した保護膜を形成しＰＮ接合部ＰＮＪＣを被覆保護すると共に、Ｎ−型半導体層２の熱酸化膜６との界面に電子の蓄積層が形成されにくいように、メサ溝５内の熱酸化膜６で挟まれた空隙に負電荷を有する絶縁膜７を埋め込む。係る構成を採ることにより熱酸化膜６中の正電荷による影響を弱め熱酸化膜６との界面におけるＮ−型半導体層２への空乏層の拡がりを確保する。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、接着用樹脂と絶縁層との界面が剥離し、その剥離に起因するクラックによる外観異常が発生するという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、フォトダイオード７の形成領域上の段差幅ｔ１を小さくするために、第４の絶縁層３３により突出部３４が形成される。基板１上全面におけるパッシベーション膜３６の段差幅を小さくし、シリコーン樹脂３８の膜厚のばらつきを小さくする。この構造により、熱応力がシリコーン樹脂３８の一部に集中することを緩和し、シリコーン樹脂３８において、剥離に起因するクラックの発生が防止され、クラックによる外観異常が発生する問題が解消される。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合部ＰＮＪＣに当たるメサ溝内壁１１の第２の絶縁膜１０の厚みが薄くなり耐圧の劣化やリーク電流が発生するという問題を解決し高耐圧、高信頼性のメサ型半導体装置及びその製造方法の確立を図る。
【解決手段】ドライエッチングで形成されたメサ溝８に対して、更にそのメサ溝８の側壁をフッ酸、硝酸系等のエッチャントでウエットエッチングを行うことにより、メサ溝８の上部にメサ溝８上に張り出した第１の絶縁膜４からなるひさし９を形成する。当該ひさし９はメサ溝８及びメサ溝８を中心としてひさし９の領域より広めに第１の絶縁膜４上にディスペンス法やスクリーン印刷法で形成された絶縁膜１０がその後の熱処理により流動性が高くなりメサ溝８の底部に流れ込むことを阻止する障壁となる。その結果、ＰＮ接合部ＰＮＪＣに当たるメサ溝内壁１１が充分な厚みの絶縁膜１０で被覆されることになり所望の耐圧の確保、リーク電流の低減が図れる。 （もっと読む）