半導体装置及びその製造方法
【課題】半導体装置及びその製造方法において、半導体装置の収量を増加させると共に、製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】半導体基板１０の表面における所定の領域内に複数のパッド電極１２を形成した後、半導体基板１０の表面に接着剤層１４を介して支持体１５を貼り合わせる。次に、半導体基板１０であって上記所定の領域と重畳する領域に開口部１０Ａを形成する。そして、開口部１０Ａ内で各パッド電極１２と電気的に接続された配線層１８を形成する。その後、所定の工程を経て、最後に、半導体基板１０及び支持体１５を含む積層体を、開口部１０Ａの外側に延びるダイシングラインＤＬに沿ってダイシングする。
【解決手段】半導体基板１０の表面における所定の領域内に複数のパッド電極１２を形成した後、半導体基板１０の表面に接着剤層１４を介して支持体１５を貼り合わせる。次に、半導体基板１０であって上記所定の領域と重畳する領域に開口部１０Ａを形成する。そして、開口部１０Ａ内で各パッド電極１２と電気的に接続された配線層１８を形成する。その後、所定の工程を経て、最後に、半導体基板１０及び支持体１５を含む積層体を、開口部１０Ａの外側に延びるダイシングラインＤＬに沿ってダイシングする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、チップサイズパッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、新たなパッケージ技術として、チップサイズパッケージ（Chip Size Package）が注目されている。チップサイズパッケージは、半導体チップの外形寸法と略同サイズの外形寸法を有する小型パッケージである。
【０００３】
チップサイズパッケージの一つとして、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型の半導体装置が知られている。以下に、このＢＧＡ型の半導体装置の構成例について説明する。
【０００４】
図１４の断面図に示すように、この半導体装置を構成する半導体基板１１０の表面には、絶縁膜１１１が配置され、その上に、パッド電極１１２が配置されている。パッド電極１１２は、半導体基板１１０に形成された不図示の電子デバイスと接続されている。パッド電極１１２はパッシベーション膜となる絶縁膜１１３に覆われている。さらに、半導体基板１１０の表面には、接着剤層１１４を介して、支持体１１５が貼り合わされている。
【０００５】
一方、半導体基板１１０の裏面からは、パッド電極１１２とダイシングラインＤＬに重畳する領域に開口部１１０Ａが設けられ、その開口部１１０Ａ内から半導体基板１１０の裏面上にかけて、絶縁膜１１６が形成されている。パッド電極１１２と重畳する絶縁膜１１１，１１６には、パッド電極１１２の一部を露出する開口部１１７が設けられている。絶縁膜１１６上には、開口部１１７を通してパッド電極１１２と接続された配線層１１８が配置されている。配線層１１８は、絶縁膜１１９及び保護膜１２０に覆われている。配線層１１８と重畳する絶縁膜１１９及び保護膜１２０には、配線層１１８の一部を露出する開口部が設けられている。その開口部内では、配線層１１８上に例えば金メッキ等のメッキ層１２１が配置されている。さらに、メッキ層１２１上にはバンプ電極１２２が配置されている。
【０００６】
また、半導体基板１１０の開口部１１０Ａでは、ダイシングラインＤＬに沿って、支持体１１５の厚さ方向の途中に至る溝１２３が形成されており、保護膜１２０は、その溝１２３を覆っている。この構成により、ダイシング後の半導体装置において、半導体基板１１０の側面に、水分等の浸入によりパッド電極１１２を腐食させるようなダメージ層が生じる恐れがなくなる。また、半導体基板１１０とダイシングブレードとの接触時の衝撃によるパッド電極１１２と配線層１１８との接続不良を防ぐことができる。
【０００７】
上記構成の半導体基板１１０を裏面側からみた場合の平面構成は、図１５のようになる。この図のＹ−Ｙ線に沿った断面は、図１４の断面図に対応している。なお、説明の便宜上、図１５では、図１４の構成要素のうち、半導体基板１１０、開口部１１０Ａ、開口部１１７、バンプ電極１２２、及びダイシングラインＤＬのみを図示し、その他の構成要素については図示を省略している。
【０００８】
なお、ＢＧＡ型の半導体装置については、特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２００５−７２５５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述したように、パッド電極１１２の腐食、配線層１１８との接続不良を防ぐために、ダイシングラインＤＬに沿って溝１２３を形成し、これを保護膜１２０で覆う場合、ダイシングラインＤＬを挟む２つのパッド電極１１２の間では、溝１２３の開口径に応じた領域を確保する必要がある。即ち、従来例の半導体装置では、１つの半導体装置を構成するのに必要な半導体基板１１０の平面的な面積が大きくなる。これにより、１つのウェハ状の半導体基板１１０から分離される半導体装置の数、即ち半導体装置の収量が低下していた。また、溝１２３を形成するために半導体装置の製造工程が煩雑化し、製造コストが増大していた。また、パッド電極はガードリングの外側に配置されるため、半導体装置の信頼性が低下していた。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の主な特徴は以下の通りである。本発明の半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の表面に接着剤層を介して貼り合わされた支持体と、半導体基板に形成された開口部と、開口部内で支持体上に配置された複数のパッド電極と、開口部内で各パッド電極と電気的に接続された配線層と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の半導体装置は、絶縁膜に覆われた半導体基板と、半導体基板に形成された開口部と、開口部内で絶縁膜上に配置された複数のパッド電極と、開口部内で各パッド電極と電気的に接続された配線層と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の半導体装置は、上記構成において、開口部は、半導体基板の中央に形成されていることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面における所定の領域内に複数のパッド電極を形成する工程と、半導体基板の表面に接着剤層を介して支持体を貼り合わせる工程と、半導体基板であって所定の領域と重畳する領域に開口部を形成する工程と、開口部内で各パッド電極と電気的に接続された配線層を形成する工程と、半導体基板及び支持体を含む積層体を、開口部の外側に延びるダイシングラインに沿ってダイシングする工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、上記工程において、パッド電極を形成した後、半導体基板及びパッド電極を覆う絶縁膜を形成する工程と、ダイシングの後、支持体を除去する工程を含むことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、上記工程において、上記所定の領域及び開口部は、半導体基板の中央に形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、パッド電極は、半導体装置の端部、即ちダイシングラインの近くに配置されていないため、従来例のようなダイシングラインに沿った溝の形成が不要となる。これにより、１つの半導体装置の形成に必要な半導体基板の面積が従来例に比して小さくなり、１つのウェハ状の半導体基板において、半導体装置の収量が増加する。また、溝を形成しないため、製造工程が簡略化され、結果として製造コストが低下する。また、パッド電極はガードリング内に配置されるため、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明の実施形態による半導体装置について、図面を参照して説明する。最初に、この半導体装置の構成について説明する。図１は、本実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。図１では、ウェハ状の半導体基板１０に形成される複数の半導体装置のうち、１つの半導体装置を中心に示している。この半導体装置の断面構成は、図２に示す概略の平面図におけるＸ−Ｘ線に沿った断面に対応している。
【００１８】
図１に示すように、半導体装置を構成する半導体基板１０の表面には、ＢＰＳＧ膜等の絶縁膜１１が配置され、その上に、アルミニウム等からなる複数のパッド電極１２が配置されている。なお、前記パッド電極１２はアルミニウムに銅を含むものであってもよく、さらには銅からなるものであってもよい。これらのパッド電極１２は、それぞれ、半導体基板１０に形成された不図示の電子デバイスと接続されると共に、ダイシングラインＤＬより離れた所定の領域内にまとまって配置されている。
【００１９】
なお、半導体基板１０は、平面的には、例えば正方形あるいは略正方形の形状を有している。
【００２０】
これらのパッド電極１２は、パッシベーション膜となるシリコン窒化膜等の絶縁膜１３に覆われている。そして、半導体基板１０の表面には、有機樹脂等からなる接着剤層１４を介して、支持体１５が貼り合わされている。支持体１５は、例えばガラスからなるものとするが、その他の材料、例えば樹脂、シリコンからなるものであってもよい。
【００２１】
さらに、半導体基板１０には、複数のパッド電極１２が配置された所定の領域と重畳する領域に、開口部１０Ａが形成されている。即ち、開口部１０Ａ内に複数のパッド電極１２がまとまって配置されている。また、開口部１０Ａは、半導体基板１０によって切れ目なく囲まれており、ダイシングラインＤＬと重畳しない領域に形成されている。開口部１０Ａは、平面的には、例えば約２００μｍ〜５００μｍを一辺とした正方形の形状を有している。さらにいえば、開口部１０Ａは、半導体装置の中央あるいは略中央、即ち、ダイシングラインＤＬから離れた位置に形成されることが好ましい。この開口部１０Ａ内には、シリコン酸化膜等からなり半導体基板１０の裏面上に延びる絶縁膜１６が形成されている。
【００２２】
各パッド電極１２の一部と重畳する絶縁膜１１，１６の領域には、開口部１７が設けられている。各開口部１７は、平面的には、例えば約２０μｍ〜８０μｍを一辺とした正方形の形状を有している。
【００２３】
絶縁膜１６上には、各開口部１７を通して各パッド電極１２と接続された配線層１８が配置されている。配線層１８は所望のパターンを有して形成されている。配線層１８は、例えばアルミニウムからなるが、これ以外の材料、例えば銅を含むものであってもよく、さらには銅からなるものであってもよい。この配線層１８は、不図示の電子デバイスに対する遮光膜として兼用することもできる。配線層１８は、シリコン酸化膜等の絶縁膜１９、及び有機樹脂等からなる保護膜２０に覆われている。
【００２４】
配線層１８と重畳する絶縁膜１９及び保護膜２０には、配線層１８の一部を露出する開口部が設けられている。その開口部内では、配線層１８上に例えば金メッキ等のメッキ層２１が配置され、メッキ層２１上には、ハンダや金等からなるバンプ電極２２が配置されている。このメッキ層２１は、配線層１８とバンプ電極２２を良好に接続させる機能を有する。
【００２５】
この半導体装置では、パッド電極１２とダイシングラインＤＬとの離間距離が、従来例よりも大きくなるため、ダイシングの際に半導体基板１０に不図示のダイシングブレードによる切削面が形成されても、半導体装置の側面からの水分等の浸入によるパッド電極１２の腐食は生じにくくなる。
【００２６】
また、パッド電極１２とダイシングラインＤＬとの離間距離が、従来例よりも大きくなるため、ダイシングの際に、半導体基板１０とダイシングブレードの接触時の衝撃によるパッド電極１２と配線層１８との接続不良を防ぐことができる。
【００２７】
即ち、この半導体装置では、従来例のように、パッド電極１１２の腐食、配線層１１８との接続不良を回避するべく、ダイシングラインＤＬに沿って支持体１１５の厚さ方向の途中に至る溝１２３を形成する必要がない。
【００２８】
従って、従来例のような溝１２３を形成する領域を必要としない分だけ、１つの半導体装置の形成に必要な半導体基板１０の面積が、従来例に比して小さくなり、１つのウェハ状の半導体基板１０において、半導体装置の収量が増加する。また、従来例のような溝１２３を形成しないため、製造工程が簡略され、結果として製造コストが低下する。
【００２９】
また、この半導体装置では、その側面において、従来例における開口部１１０Ａの側壁のような傾斜面は存在しないため、従来例に比して裏面の面積を大きくすることができる。これにより、半導体基板１０の機械的強度が従来例に比して高くなり、半導体装置の実装時における機械的強度も高くなる。また、配線層１８を、不図示の電子デバイスに対する遮光膜として兼用する場合、該配線層１８の面積及びパターンの自由度を、従来例に比して大きくすることができ、遮光性を高めることができる。
【００３０】
また、パッド電極１２は、半導体基板１０の端部を囲む不図示のガードリングより内側に配置されるため、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００３１】
この半導体基板１０を裏面側からみた場合の平面構成は、図２のようになる。この図のＸ−Ｘ線に沿った断面は、図１の断面図に対応している。なお、説明の便宜上、図２では、図１の構成要素のうち、半導体基板１０、開口部１０Ａ、開口部１７、バンプ電極２２、及びダイシングラインＤＬのみを図示し、その他の構成要素については図示を省略している。
【００３２】
以下に、上記構成の半導体装置の製造方法について図面を参照して説明する。図３乃至図７は、この半導体装置の断面図であり、ウェハ状の半導体基板１０に形成される複数の半導体装置のうち、１つの半導体装置が形成される予定の領域を中心に示している。
【００３３】
最初に、図３に示すように、例えば約１００〜７００μｍの膜厚を有したシリコン基板からなる半導体基板１０を準備する。半導体基板１０の表面には、トランジスタ等の不図示の電子デバイスを形成する。この電子デバイスは、ＢＰＳＧ膜等の絶縁膜１１に覆われる。
【００３４】
次に、絶縁膜１１上であって、ダイシングラインＤＬから離れた所定の領域内に、電子デバイスと電気的に接続された複数のパッド電極１２が形成される。
【００３５】
この所定の領域は、半導体装置が形成される予定の領域の中央あるは略中央であることが好ましい。以下の説明では、所定の領域は、半導体装置が形成される予定の領域の中央であるものとして説明する。
【００３６】
次に、パッド電極１２及び絶縁膜１１の表面を覆って、シリコン窒化膜等のパッシベーション膜１３が形成される。その後、パッシベーション膜１３上に、有機樹脂等を含む接着剤の塗布により接着剤層１４が形成され、この接着剤層１４を介して、半導体基板１０の表面に対向して支持体１５が貼り合わされる。支持体１５は、光を透過する材料、又は光を透過しない材料からなり、例えば約１００〜７００μｍの厚さを有している。ここでは、支持体１５は、例えばガラス基板からなるものとして説明するが、これ以外の材料、例えば樹脂、シリコンからなるものであってもよい。
【００３７】
次に、図４に示すように、支持体１５と貼り合わされた半導体基板１０に対して裏面研削を行い、その厚さを、例えば約５０μｍ〜１５０μｍに至るまで薄くする。
【００３８】
さらに、半導体基板１０であって、複数のパッド電極１２が形成された所定の領域と重畳する領域をエッチングして除去する。これにより、半導体基板１０には、複数のパッド電極１２が形成された所定の領域と重畳する領域に、開口部１０Ａが形成される。即ち、開口部１０Ａ内に複数のパッド電極１２が存在する。また、開口部１０Ａは、ダイシングラインＤＬと重畳しない領域に形成される。開口部１０Ａの底部では、絶縁膜１１が露出される。
【００３９】
なお、開口部１０Ａ内における半導体基板１０の側壁は、支持体１５に向かってテーパー状に形成されることが好ましい。これにより、後の工程において半導体基板１０及び支持体１５を覆って形成される各層の被覆性が向上する。
【００４０】
次に、開口部１０Ａ内から半導体基板１０の裏面上を覆って、シリコン酸化膜等の絶縁膜１６を形成する。
【００４１】
その後、図５に示すように、開口部１０Ａ内で重なり合う２つの絶縁膜１１，１６の一部をエッチングして、各パッド電極１２の一部を露出する開口部１７を形成する。
【００４２】
次に、図６に示すように、絶縁膜１１，１６の開口部１７を通してパッド電極１２と接続し、半導体基板１０の開口部１０Ａ内から半導体基板１０の裏面上に延びる配線層１８を形成する。この配線層１８は、例えばアルミニウムからなるが、これ以外の材料、例えば銅を含むものであってもよく、さらには銅からなるものであってもよい。
【００４３】
次に、図７に示すように、配線層１８を、フォトリソグラフィ工程等により形成された不図示のマスクを用いて、エッチング工程等により、所望のパターンにパターニングする。図の例では、配線層１８は、ダイシングラインＤＬとは重畳せず、配線層１８の端は、ダイシングラインＤＬよりも内側（開口部１０Ａに近い側）に存在している。
【００４４】
その後、配線層１８を覆って、シリコン酸化膜等の絶縁膜１９を形成する。絶縁膜１９には、配線層１８の一部を露出する開口部を形成し、その開口部内に、配線層１８と接続する金メッキ等のメッキ層２１を形成する。さらに、絶縁膜１９及びメッキ層２１を覆って、有機樹脂等からなる保護膜２０を形成する。そして、保護膜２０に、メッキ層２１を露出する開口部を形成し、その開口部内のメッキ層２１上に、ハンダや金等からなるバンプ電極２２を形成する。メッキ層２１は、平面的には、円形あるいは四角形や多角形等の円形以外の形状に形成され、その上に形成されたバンプ電極２２も、メッキ層２１の上記形状を反映して、円形あるいは四角形や多角形等の円形以外の形状に形成される。図の例では、メッキ層２１及びバンプ電極２２は、円形に形成されるものとして図示している。
【００４５】
ここで、上述した半導体基板１０の開口部１０Ａ、絶縁膜１１，１６の開口部１７、ダイシングラインＤＬの配置関係について、半導体基板１０を裏面側からみると、図８のようになる。この図のＸ−Ｘ線に沿った断面は、図３乃至図７の断面図に対応している。なお、説明の便宜上、図８では、図３乃至図７の構成要素のうち、半導体基板１０、開口部１０Ａ、開口部１７、配線層１８、バンプ電極２２、及びダイシングラインＤＬのみを図示し、その他の構成要素については図示を省略している。
【００４６】
その後、半導体基板１０及び支持体１５を含む積層体を、ダイシングラインＤＬに沿ってダイシングすることにより、複数の半導体装置に分離する。ここで、パッド電極１２とダイシングラインＤＬとは大きく離間しているため、ダイシングの際に半導体基板１０及び支持体１５にダイシングブレードによる切削面が形成されても、半導体装置の側面からの水分等の浸入によるパッド電極１２の腐食は生じにくくなる。また、半導体基板１０とダイシングブレードの接触時の衝撃によるパッド電極１２と配線層１８との接続不良も生じにくくなる。
【００４７】
なお、絶縁膜１１，１６の開口部１７、配線層１８、及びバンプ電極２２の配置関係は、図２及び図８に示したような平面構成に限定されず、以下に示す変形例のような配置関係であってもよい。図９乃至図１３は、本発明の実施形態による半導体装置の変形例を示す概略の平面図である。これらの半導体装置の断面構成は、図１の断面構成と同様であり、その製造方法は図３乃至図７に示した工程と同様であるため、その説明を省略する。
【００４８】
例えば、半導体装置のパッド電極１２は、図９に示すように、長方形の形状を有して形成されてもよい。
【００４９】
また、図１０に示すように、半導体基板１０の開口部１０Ａと絶縁膜１１，１６の開口部１７の形成領域を最小化するべく、開口部１０Ａと開口部１７を円形に形成してもよい。
【００５０】
また、図１１に示すように、正方形の半導体基板１０上に、絶縁膜１１，１６の開口部１７とバンプ電極２２が、それぞれ１０個配置される構成として、配線層１８と同様の材質及び製造方法によって形成される配線層５８が、リード状に延びて、半導体基板１０の開口部１０Ａ内において、絶縁膜１１，１６の開口部１７を通して、各パッド電極１２と接続されてもよい。この例では、正方形の開口部１０Ａ内に、複数の長方形の開口部１７のうちの一部が、半導体基板１０の開口部１０Ａの一辺に沿って配置され、その辺に直交する辺に沿って、他の開口部１７が配置されている。
【００５１】
あるいは、図１２に示すように、長方形の半導体基板１０上に、絶縁膜１１，１６の開口部１７とバンプ電極２２が、それぞれ１０個配置されてもよい。
【００５２】
また、図１３のように、長方形の半導体基板１０上に、絶縁膜１１，１６の開口部１７とバンプ電極２２が、それぞれ１２個配置されてもよい。この場合、リード状に延びる配線層のパターンの自由度を高めるため、配線層１８と同様の材質及び製造方法によって形成される配線層６８は、バンプ電極２２の形成領域では、円状の形状を有していることが好ましい。
【００５３】
なお、本発明は上記実施形態に限定されず、その要旨を逸脱しない範囲で変更が可能なことは言うまでもない。
【００５４】
例えば、上記実施形態では、配線層１８，５８，６８とバンプ電極２２との間にメッキ層２１が形成されたが、このメッキ層２１は必ずしも形成されなくともよく、配線層１８，５８，６８とバンプ電極２２が直接接続されてもよい。例えば配線層１８，５８，６８が、銅からなる材料によって形成された場合、配線層１８，５８，６８にバンプ電極２２が直接接続されても、それらの材料の性質上、良好な接続を得ることができる。
【００５５】
また、上記実施形態において、バンプ電極２２は必ずしも形成される必要はない。例えば、バンプ電極２２の替わりに、銀等を含む不図示の導電性ペーストが形成されるものであってもよい。
【００５６】
また、上記実施形態において、支持体１５に、パッド電極１２を露出する開口部を設け、支持体１５の表面に、該開口部を通してパッド電極１２と接続する配線層又は電極を形成してもよい。この構成では、支持体１５の表面上に、他の半導体装置を積層して、上記配線層又は電極を介して、２つの半導体装置を電気的に接続することができる。
【００５７】
また、上記実施形態において、半導体基板１０と支持体１５を含む積層体をダイシングした後に、支持体１５を除去してもよい。即ち、上記実施形態は、最終的に支持体１５を含まない半導体装置についても適用される。その場合には、支持体１５に替わって、絶縁膜１３が、充分な機械的強度を有する程度に厚く形成されてもよい。さらに、絶縁膜１３上に保護膜を形成してもよい。この保護膜の材料は、特に限定されないが、例えば有機樹脂からなる。
【００５８】
さらに、絶縁膜１３に、あるいは絶縁膜１３及びその上層の保護膜に、パッド電極１２を露出する開口部を設け、絶縁膜１３の表面、あるいは保護膜の表面に、該開口部を通してパッド電極１２と接続する配線層又は電極を形成してもよい。この構成では、絶縁膜１３の表面上、あるいは保護膜の表面上に、他の半導体装置を積層して、上記配線層又は電極を介して、２つの半導体装置を電気的に接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態による半導体装置を示す平面図である。
【図３】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す平面図である。
【図９】本発明の実施形態による半導体装置を示す平面図である。
【図１０】本発明の実施形態による半導体装置を示す平面図である。
【図１１】本発明の実施形態による半導体装置を示す平面図である。
【図１２】本発明の実施形態による半導体装置を示す平面図である。
【図１３】本発明の実施形態による半導体装置を示す平面図である。
【図１４】従来例による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図１５】従来例による半導体装置及びその製造方法を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０，１１０ 半導体基板 １０Ａ，１７，１１０Ａ，１１７ 開口部
１１，１３，１６，１９，１１１，１１３，１１６，１１９ 絶縁膜
１２，１１２ パッド電極 １４，１１４ 接着剤層
１５，１１５ 支持体 １８，１１８ 配線層
２０，１２０ 保護膜 ２１，１２１ メッキ層
２２，１２２ バンプ電極
１２３ 溝
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、チップサイズパッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、新たなパッケージ技術として、チップサイズパッケージ（Chip Size Package）が注目されている。チップサイズパッケージは、半導体チップの外形寸法と略同サイズの外形寸法を有する小型パッケージである。
【０００３】
チップサイズパッケージの一つとして、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型の半導体装置が知られている。以下に、このＢＧＡ型の半導体装置の構成例について説明する。
【０００４】
図１４の断面図に示すように、この半導体装置を構成する半導体基板１１０の表面には、絶縁膜１１１が配置され、その上に、パッド電極１１２が配置されている。パッド電極１１２は、半導体基板１１０に形成された不図示の電子デバイスと接続されている。パッド電極１１２はパッシベーション膜となる絶縁膜１１３に覆われている。さらに、半導体基板１１０の表面には、接着剤層１１４を介して、支持体１１５が貼り合わされている。
【０００５】
一方、半導体基板１１０の裏面からは、パッド電極１１２とダイシングラインＤＬに重畳する領域に開口部１１０Ａが設けられ、その開口部１１０Ａ内から半導体基板１１０の裏面上にかけて、絶縁膜１１６が形成されている。パッド電極１１２と重畳する絶縁膜１１１，１１６には、パッド電極１１２の一部を露出する開口部１１７が設けられている。絶縁膜１１６上には、開口部１１７を通してパッド電極１１２と接続された配線層１１８が配置されている。配線層１１８は、絶縁膜１１９及び保護膜１２０に覆われている。配線層１１８と重畳する絶縁膜１１９及び保護膜１２０には、配線層１１８の一部を露出する開口部が設けられている。その開口部内では、配線層１１８上に例えば金メッキ等のメッキ層１２１が配置されている。さらに、メッキ層１２１上にはバンプ電極１２２が配置されている。
【０００６】
また、半導体基板１１０の開口部１１０Ａでは、ダイシングラインＤＬに沿って、支持体１１５の厚さ方向の途中に至る溝１２３が形成されており、保護膜１２０は、その溝１２３を覆っている。この構成により、ダイシング後の半導体装置において、半導体基板１１０の側面に、水分等の浸入によりパッド電極１１２を腐食させるようなダメージ層が生じる恐れがなくなる。また、半導体基板１１０とダイシングブレードとの接触時の衝撃によるパッド電極１１２と配線層１１８との接続不良を防ぐことができる。
【０００７】
上記構成の半導体基板１１０を裏面側からみた場合の平面構成は、図１５のようになる。この図のＹ−Ｙ線に沿った断面は、図１４の断面図に対応している。なお、説明の便宜上、図１５では、図１４の構成要素のうち、半導体基板１１０、開口部１１０Ａ、開口部１１７、バンプ電極１２２、及びダイシングラインＤＬのみを図示し、その他の構成要素については図示を省略している。
【０００８】
なお、ＢＧＡ型の半導体装置については、特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２００５−７２５５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述したように、パッド電極１１２の腐食、配線層１１８との接続不良を防ぐために、ダイシングラインＤＬに沿って溝１２３を形成し、これを保護膜１２０で覆う場合、ダイシングラインＤＬを挟む２つのパッド電極１１２の間では、溝１２３の開口径に応じた領域を確保する必要がある。即ち、従来例の半導体装置では、１つの半導体装置を構成するのに必要な半導体基板１１０の平面的な面積が大きくなる。これにより、１つのウェハ状の半導体基板１１０から分離される半導体装置の数、即ち半導体装置の収量が低下していた。また、溝１２３を形成するために半導体装置の製造工程が煩雑化し、製造コストが増大していた。また、パッド電極はガードリングの外側に配置されるため、半導体装置の信頼性が低下していた。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の主な特徴は以下の通りである。本発明の半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の表面に接着剤層を介して貼り合わされた支持体と、半導体基板に形成された開口部と、開口部内で支持体上に配置された複数のパッド電極と、開口部内で各パッド電極と電気的に接続された配線層と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の半導体装置は、絶縁膜に覆われた半導体基板と、半導体基板に形成された開口部と、開口部内で絶縁膜上に配置された複数のパッド電極と、開口部内で各パッド電極と電気的に接続された配線層と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の半導体装置は、上記構成において、開口部は、半導体基板の中央に形成されていることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面における所定の領域内に複数のパッド電極を形成する工程と、半導体基板の表面に接着剤層を介して支持体を貼り合わせる工程と、半導体基板であって所定の領域と重畳する領域に開口部を形成する工程と、開口部内で各パッド電極と電気的に接続された配線層を形成する工程と、半導体基板及び支持体を含む積層体を、開口部の外側に延びるダイシングラインに沿ってダイシングする工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、上記工程において、パッド電極を形成した後、半導体基板及びパッド電極を覆う絶縁膜を形成する工程と、ダイシングの後、支持体を除去する工程を含むことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、上記工程において、上記所定の領域及び開口部は、半導体基板の中央に形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、パッド電極は、半導体装置の端部、即ちダイシングラインの近くに配置されていないため、従来例のようなダイシングラインに沿った溝の形成が不要となる。これにより、１つの半導体装置の形成に必要な半導体基板の面積が従来例に比して小さくなり、１つのウェハ状の半導体基板において、半導体装置の収量が増加する。また、溝を形成しないため、製造工程が簡略化され、結果として製造コストが低下する。また、パッド電極はガードリング内に配置されるため、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明の実施形態による半導体装置について、図面を参照して説明する。最初に、この半導体装置の構成について説明する。図１は、本実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。図１では、ウェハ状の半導体基板１０に形成される複数の半導体装置のうち、１つの半導体装置を中心に示している。この半導体装置の断面構成は、図２に示す概略の平面図におけるＸ−Ｘ線に沿った断面に対応している。
【００１８】
図１に示すように、半導体装置を構成する半導体基板１０の表面には、ＢＰＳＧ膜等の絶縁膜１１が配置され、その上に、アルミニウム等からなる複数のパッド電極１２が配置されている。なお、前記パッド電極１２はアルミニウムに銅を含むものであってもよく、さらには銅からなるものであってもよい。これらのパッド電極１２は、それぞれ、半導体基板１０に形成された不図示の電子デバイスと接続されると共に、ダイシングラインＤＬより離れた所定の領域内にまとまって配置されている。
【００１９】
なお、半導体基板１０は、平面的には、例えば正方形あるいは略正方形の形状を有している。
【００２０】
これらのパッド電極１２は、パッシベーション膜となるシリコン窒化膜等の絶縁膜１３に覆われている。そして、半導体基板１０の表面には、有機樹脂等からなる接着剤層１４を介して、支持体１５が貼り合わされている。支持体１５は、例えばガラスからなるものとするが、その他の材料、例えば樹脂、シリコンからなるものであってもよい。
【００２１】
さらに、半導体基板１０には、複数のパッド電極１２が配置された所定の領域と重畳する領域に、開口部１０Ａが形成されている。即ち、開口部１０Ａ内に複数のパッド電極１２がまとまって配置されている。また、開口部１０Ａは、半導体基板１０によって切れ目なく囲まれており、ダイシングラインＤＬと重畳しない領域に形成されている。開口部１０Ａは、平面的には、例えば約２００μｍ〜５００μｍを一辺とした正方形の形状を有している。さらにいえば、開口部１０Ａは、半導体装置の中央あるいは略中央、即ち、ダイシングラインＤＬから離れた位置に形成されることが好ましい。この開口部１０Ａ内には、シリコン酸化膜等からなり半導体基板１０の裏面上に延びる絶縁膜１６が形成されている。
【００２２】
各パッド電極１２の一部と重畳する絶縁膜１１，１６の領域には、開口部１７が設けられている。各開口部１７は、平面的には、例えば約２０μｍ〜８０μｍを一辺とした正方形の形状を有している。
【００２３】
絶縁膜１６上には、各開口部１７を通して各パッド電極１２と接続された配線層１８が配置されている。配線層１８は所望のパターンを有して形成されている。配線層１８は、例えばアルミニウムからなるが、これ以外の材料、例えば銅を含むものであってもよく、さらには銅からなるものであってもよい。この配線層１８は、不図示の電子デバイスに対する遮光膜として兼用することもできる。配線層１８は、シリコン酸化膜等の絶縁膜１９、及び有機樹脂等からなる保護膜２０に覆われている。
【００２４】
配線層１８と重畳する絶縁膜１９及び保護膜２０には、配線層１８の一部を露出する開口部が設けられている。その開口部内では、配線層１８上に例えば金メッキ等のメッキ層２１が配置され、メッキ層２１上には、ハンダや金等からなるバンプ電極２２が配置されている。このメッキ層２１は、配線層１８とバンプ電極２２を良好に接続させる機能を有する。
【００２５】
この半導体装置では、パッド電極１２とダイシングラインＤＬとの離間距離が、従来例よりも大きくなるため、ダイシングの際に半導体基板１０に不図示のダイシングブレードによる切削面が形成されても、半導体装置の側面からの水分等の浸入によるパッド電極１２の腐食は生じにくくなる。
【００２６】
また、パッド電極１２とダイシングラインＤＬとの離間距離が、従来例よりも大きくなるため、ダイシングの際に、半導体基板１０とダイシングブレードの接触時の衝撃によるパッド電極１２と配線層１８との接続不良を防ぐことができる。
【００２７】
即ち、この半導体装置では、従来例のように、パッド電極１１２の腐食、配線層１１８との接続不良を回避するべく、ダイシングラインＤＬに沿って支持体１１５の厚さ方向の途中に至る溝１２３を形成する必要がない。
【００２８】
従って、従来例のような溝１２３を形成する領域を必要としない分だけ、１つの半導体装置の形成に必要な半導体基板１０の面積が、従来例に比して小さくなり、１つのウェハ状の半導体基板１０において、半導体装置の収量が増加する。また、従来例のような溝１２３を形成しないため、製造工程が簡略され、結果として製造コストが低下する。
【００２９】
また、この半導体装置では、その側面において、従来例における開口部１１０Ａの側壁のような傾斜面は存在しないため、従来例に比して裏面の面積を大きくすることができる。これにより、半導体基板１０の機械的強度が従来例に比して高くなり、半導体装置の実装時における機械的強度も高くなる。また、配線層１８を、不図示の電子デバイスに対する遮光膜として兼用する場合、該配線層１８の面積及びパターンの自由度を、従来例に比して大きくすることができ、遮光性を高めることができる。
【００３０】
また、パッド電極１２は、半導体基板１０の端部を囲む不図示のガードリングより内側に配置されるため、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００３１】
この半導体基板１０を裏面側からみた場合の平面構成は、図２のようになる。この図のＸ−Ｘ線に沿った断面は、図１の断面図に対応している。なお、説明の便宜上、図２では、図１の構成要素のうち、半導体基板１０、開口部１０Ａ、開口部１７、バンプ電極２２、及びダイシングラインＤＬのみを図示し、その他の構成要素については図示を省略している。
【００３２】
以下に、上記構成の半導体装置の製造方法について図面を参照して説明する。図３乃至図７は、この半導体装置の断面図であり、ウェハ状の半導体基板１０に形成される複数の半導体装置のうち、１つの半導体装置が形成される予定の領域を中心に示している。
【００３３】
最初に、図３に示すように、例えば約１００〜７００μｍの膜厚を有したシリコン基板からなる半導体基板１０を準備する。半導体基板１０の表面には、トランジスタ等の不図示の電子デバイスを形成する。この電子デバイスは、ＢＰＳＧ膜等の絶縁膜１１に覆われる。
【００３４】
次に、絶縁膜１１上であって、ダイシングラインＤＬから離れた所定の領域内に、電子デバイスと電気的に接続された複数のパッド電極１２が形成される。
【００３５】
この所定の領域は、半導体装置が形成される予定の領域の中央あるは略中央であることが好ましい。以下の説明では、所定の領域は、半導体装置が形成される予定の領域の中央であるものとして説明する。
【００３６】
次に、パッド電極１２及び絶縁膜１１の表面を覆って、シリコン窒化膜等のパッシベーション膜１３が形成される。その後、パッシベーション膜１３上に、有機樹脂等を含む接着剤の塗布により接着剤層１４が形成され、この接着剤層１４を介して、半導体基板１０の表面に対向して支持体１５が貼り合わされる。支持体１５は、光を透過する材料、又は光を透過しない材料からなり、例えば約１００〜７００μｍの厚さを有している。ここでは、支持体１５は、例えばガラス基板からなるものとして説明するが、これ以外の材料、例えば樹脂、シリコンからなるものであってもよい。
【００３７】
次に、図４に示すように、支持体１５と貼り合わされた半導体基板１０に対して裏面研削を行い、その厚さを、例えば約５０μｍ〜１５０μｍに至るまで薄くする。
【００３８】
さらに、半導体基板１０であって、複数のパッド電極１２が形成された所定の領域と重畳する領域をエッチングして除去する。これにより、半導体基板１０には、複数のパッド電極１２が形成された所定の領域と重畳する領域に、開口部１０Ａが形成される。即ち、開口部１０Ａ内に複数のパッド電極１２が存在する。また、開口部１０Ａは、ダイシングラインＤＬと重畳しない領域に形成される。開口部１０Ａの底部では、絶縁膜１１が露出される。
【００３９】
なお、開口部１０Ａ内における半導体基板１０の側壁は、支持体１５に向かってテーパー状に形成されることが好ましい。これにより、後の工程において半導体基板１０及び支持体１５を覆って形成される各層の被覆性が向上する。
【００４０】
次に、開口部１０Ａ内から半導体基板１０の裏面上を覆って、シリコン酸化膜等の絶縁膜１６を形成する。
【００４１】
その後、図５に示すように、開口部１０Ａ内で重なり合う２つの絶縁膜１１，１６の一部をエッチングして、各パッド電極１２の一部を露出する開口部１７を形成する。
【００４２】
次に、図６に示すように、絶縁膜１１，１６の開口部１７を通してパッド電極１２と接続し、半導体基板１０の開口部１０Ａ内から半導体基板１０の裏面上に延びる配線層１８を形成する。この配線層１８は、例えばアルミニウムからなるが、これ以外の材料、例えば銅を含むものであってもよく、さらには銅からなるものであってもよい。
【００４３】
次に、図７に示すように、配線層１８を、フォトリソグラフィ工程等により形成された不図示のマスクを用いて、エッチング工程等により、所望のパターンにパターニングする。図の例では、配線層１８は、ダイシングラインＤＬとは重畳せず、配線層１８の端は、ダイシングラインＤＬよりも内側（開口部１０Ａに近い側）に存在している。
【００４４】
その後、配線層１８を覆って、シリコン酸化膜等の絶縁膜１９を形成する。絶縁膜１９には、配線層１８の一部を露出する開口部を形成し、その開口部内に、配線層１８と接続する金メッキ等のメッキ層２１を形成する。さらに、絶縁膜１９及びメッキ層２１を覆って、有機樹脂等からなる保護膜２０を形成する。そして、保護膜２０に、メッキ層２１を露出する開口部を形成し、その開口部内のメッキ層２１上に、ハンダや金等からなるバンプ電極２２を形成する。メッキ層２１は、平面的には、円形あるいは四角形や多角形等の円形以外の形状に形成され、その上に形成されたバンプ電極２２も、メッキ層２１の上記形状を反映して、円形あるいは四角形や多角形等の円形以外の形状に形成される。図の例では、メッキ層２１及びバンプ電極２２は、円形に形成されるものとして図示している。
【００４５】
ここで、上述した半導体基板１０の開口部１０Ａ、絶縁膜１１，１６の開口部１７、ダイシングラインＤＬの配置関係について、半導体基板１０を裏面側からみると、図８のようになる。この図のＸ−Ｘ線に沿った断面は、図３乃至図７の断面図に対応している。なお、説明の便宜上、図８では、図３乃至図７の構成要素のうち、半導体基板１０、開口部１０Ａ、開口部１７、配線層１８、バンプ電極２２、及びダイシングラインＤＬのみを図示し、その他の構成要素については図示を省略している。
【００４６】
その後、半導体基板１０及び支持体１５を含む積層体を、ダイシングラインＤＬに沿ってダイシングすることにより、複数の半導体装置に分離する。ここで、パッド電極１２とダイシングラインＤＬとは大きく離間しているため、ダイシングの際に半導体基板１０及び支持体１５にダイシングブレードによる切削面が形成されても、半導体装置の側面からの水分等の浸入によるパッド電極１２の腐食は生じにくくなる。また、半導体基板１０とダイシングブレードの接触時の衝撃によるパッド電極１２と配線層１８との接続不良も生じにくくなる。
【００４７】
なお、絶縁膜１１，１６の開口部１７、配線層１８、及びバンプ電極２２の配置関係は、図２及び図８に示したような平面構成に限定されず、以下に示す変形例のような配置関係であってもよい。図９乃至図１３は、本発明の実施形態による半導体装置の変形例を示す概略の平面図である。これらの半導体装置の断面構成は、図１の断面構成と同様であり、その製造方法は図３乃至図７に示した工程と同様であるため、その説明を省略する。
【００４８】
例えば、半導体装置のパッド電極１２は、図９に示すように、長方形の形状を有して形成されてもよい。
【００４９】
また、図１０に示すように、半導体基板１０の開口部１０Ａと絶縁膜１１，１６の開口部１７の形成領域を最小化するべく、開口部１０Ａと開口部１７を円形に形成してもよい。
【００５０】
また、図１１に示すように、正方形の半導体基板１０上に、絶縁膜１１，１６の開口部１７とバンプ電極２２が、それぞれ１０個配置される構成として、配線層１８と同様の材質及び製造方法によって形成される配線層５８が、リード状に延びて、半導体基板１０の開口部１０Ａ内において、絶縁膜１１，１６の開口部１７を通して、各パッド電極１２と接続されてもよい。この例では、正方形の開口部１０Ａ内に、複数の長方形の開口部１７のうちの一部が、半導体基板１０の開口部１０Ａの一辺に沿って配置され、その辺に直交する辺に沿って、他の開口部１７が配置されている。
【００５１】
あるいは、図１２に示すように、長方形の半導体基板１０上に、絶縁膜１１，１６の開口部１７とバンプ電極２２が、それぞれ１０個配置されてもよい。
【００５２】
また、図１３のように、長方形の半導体基板１０上に、絶縁膜１１，１６の開口部１７とバンプ電極２２が、それぞれ１２個配置されてもよい。この場合、リード状に延びる配線層のパターンの自由度を高めるため、配線層１８と同様の材質及び製造方法によって形成される配線層６８は、バンプ電極２２の形成領域では、円状の形状を有していることが好ましい。
【００５３】
なお、本発明は上記実施形態に限定されず、その要旨を逸脱しない範囲で変更が可能なことは言うまでもない。
【００５４】
例えば、上記実施形態では、配線層１８，５８，６８とバンプ電極２２との間にメッキ層２１が形成されたが、このメッキ層２１は必ずしも形成されなくともよく、配線層１８，５８，６８とバンプ電極２２が直接接続されてもよい。例えば配線層１８，５８，６８が、銅からなる材料によって形成された場合、配線層１８，５８，６８にバンプ電極２２が直接接続されても、それらの材料の性質上、良好な接続を得ることができる。
【００５５】
また、上記実施形態において、バンプ電極２２は必ずしも形成される必要はない。例えば、バンプ電極２２の替わりに、銀等を含む不図示の導電性ペーストが形成されるものであってもよい。
【００５６】
また、上記実施形態において、支持体１５に、パッド電極１２を露出する開口部を設け、支持体１５の表面に、該開口部を通してパッド電極１２と接続する配線層又は電極を形成してもよい。この構成では、支持体１５の表面上に、他の半導体装置を積層して、上記配線層又は電極を介して、２つの半導体装置を電気的に接続することができる。
【００５７】
また、上記実施形態において、半導体基板１０と支持体１５を含む積層体をダイシングした後に、支持体１５を除去してもよい。即ち、上記実施形態は、最終的に支持体１５を含まない半導体装置についても適用される。その場合には、支持体１５に替わって、絶縁膜１３が、充分な機械的強度を有する程度に厚く形成されてもよい。さらに、絶縁膜１３上に保護膜を形成してもよい。この保護膜の材料は、特に限定されないが、例えば有機樹脂からなる。
【００５８】
さらに、絶縁膜１３に、あるいは絶縁膜１３及びその上層の保護膜に、パッド電極１２を露出する開口部を設け、絶縁膜１３の表面、あるいは保護膜の表面に、該開口部を通してパッド電極１２と接続する配線層又は電極を形成してもよい。この構成では、絶縁膜１３の表面上、あるいは保護膜の表面上に、他の半導体装置を積層して、上記配線層又は電極を介して、２つの半導体装置を電気的に接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態による半導体装置を示す平面図である。
【図３】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す平面図である。
【図９】本発明の実施形態による半導体装置を示す平面図である。
【図１０】本発明の実施形態による半導体装置を示す平面図である。
【図１１】本発明の実施形態による半導体装置を示す平面図である。
【図１２】本発明の実施形態による半導体装置を示す平面図である。
【図１３】本発明の実施形態による半導体装置を示す平面図である。
【図１４】従来例による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図１５】従来例による半導体装置及びその製造方法を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０，１１０ 半導体基板 １０Ａ，１７，１１０Ａ，１１７ 開口部
１１，１３，１６，１９，１１１，１１３，１１６，１１９ 絶縁膜
１２，１１２ パッド電極 １４，１１４ 接着剤層
１５，１１５ 支持体 １８，１１８ 配線層
２０，１２０ 保護膜 ２１，１２１ メッキ層
２２，１２２ バンプ電極
１２３ 溝
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に接着剤層を介して貼り合わされた支持体と、
前記半導体基板に形成された開口部と、
前記開口部内で前記支持体上に配置された複数のパッド電極と、
前記開口部内で各パッド電極と電気的に接続された配線層と、を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁膜に覆われた半導体基板と、
前記半導体基板に形成された開口部と、
前記開口部内で前記絶縁膜上に配置された複数のパッド電極と、
前記開口部内で各パッド電極と電気的に接続された配線層と、を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記開口部は、前記半導体基板の中央に形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板の表面における所定の領域内に複数のパッド電極を形成する工程と、
前記半導体基板の表面に接着剤層を介して支持体を貼り合わせる工程と、
前記半導体基板であって前記所定の領域と重畳する領域に開口部を形成する工程と、
前記開口部内で各パッド電極と電気的に接続された配線層を形成する工程と、
前記半導体基板及び前記支持体を含む積層体を、前記開口部の外側に延びるダイシングラインに沿ってダイシングする工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記パッド電極を形成した後、前記半導体基板及び前記パッド電極を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記ダイシングの後、前記支持体を除去する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記所定の領域及び前記開口部は、前記半導体基板の中央に形成されることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に接着剤層を介して貼り合わされた支持体と、
前記半導体基板に形成された開口部と、
前記開口部内で前記支持体上に配置された複数のパッド電極と、
前記開口部内で各パッド電極と電気的に接続された配線層と、を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁膜に覆われた半導体基板と、
前記半導体基板に形成された開口部と、
前記開口部内で前記絶縁膜上に配置された複数のパッド電極と、
前記開口部内で各パッド電極と電気的に接続された配線層と、を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記開口部は、前記半導体基板の中央に形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板の表面における所定の領域内に複数のパッド電極を形成する工程と、
前記半導体基板の表面に接着剤層を介して支持体を貼り合わせる工程と、
前記半導体基板であって前記所定の領域と重畳する領域に開口部を形成する工程と、
前記開口部内で各パッド電極と電気的に接続された配線層を形成する工程と、
前記半導体基板及び前記支持体を含む積層体を、前記開口部の外側に延びるダイシングラインに沿ってダイシングする工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記パッド電極を形成した後、前記半導体基板及び前記パッド電極を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記ダイシングの後、前記支持体を除去する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記所定の領域及び前記開口部は、前記半導体基板の中央に形成されることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１０−１０３３００（Ｐ２０１０−１０３３００Ａ）
【公開日】平成２２年５月６日（２０１０．５．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２７３２２９（Ｐ２００８−２７３２２９）
【出願日】平成２０年１０月２３日（２００８．１０．２３）
【出願人】（０００００１８８９）三洋電機株式会社 (18,308)
【出願人】（５０６２２７８８４）三洋半導体株式会社 (1,155)
【出願人】（５０１４６４４４０）三洋半導体製造株式会社 (49)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年５月６日（２０１０．５．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１０月２３日（２００８．１０．２３）
【出願人】（０００００１８８９）三洋電機株式会社 (18,308)
【出願人】（５０６２２７８８４）三洋半導体株式会社 (1,155)
【出願人】（５０１４６４４４０）三洋半導体製造株式会社 (49)
【Ｆターム（参考）】
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