【課題】環境への負荷が小さくて化学耐久性に優れ、かつ、表面電荷密度が低く、特に低耐圧用の半導体素子を被覆するために好適なガラスを提供する。
【解決手段】ガラス組成として、質量％で、ＺｎＯ ５２〜６５％、Ｂ_２Ｏ_３ ５〜２０％、ＳｉＯ_２ １５〜３５％およびＡｌ_２Ｏ_３ ３〜６％を含有し、かつ、鉛成分を実質的に含有しないことを特徴とする半導体素子被覆用ガラス。さらに、組成として、Ｔａ_２Ｏ_５ ０〜５％、ＭｎＯ_２ ０〜５％、Ｎｂ_２Ｏ_５ ０〜５％、ＣｅＯ_２ ０〜３％およびＳｂ_２Ｏ_３を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 液相法によって所要機能を有するペロブスカイト酸化物薄膜を製造する方法、及びペロブスカイト酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】 成膜対象のペロブスカイト酸化物を主成分とし、平均直径が略５ｎｍ以上略１５ｎｍ以下の適宜直径のナノ結晶粒子を所定溶媒中に分散させた分散液を調製し（ステップＳ１）、この分散液中に、対象電極としての所定材料の基板と対向電極とを浸漬させ、両電極間に所定の電圧を印加することによって前記基板の表面に前記ナノ結晶粒子を、乾燥時の厚さが数十ｎｍ〜数百ｎｍとなるように堆積させる（ステップＳ２）。そして、この基板を略４００℃以上略８００℃以下の適宜温度で焼成する（ステップＳ３）。 （もっと読む）

【課題】誘電特性に優れた誘電体膜を簡便に成膜する方法を提供する。
【解決手段】本発明の誘電体膜の成膜方法は、溶媒中に誘電体膜を構成する粒子を分散させる工程と、粒子を分散させた溶媒中にカチオンを含む溶液を添加する工程と、溶液を添加した溶媒中にアノード（陽極）およびカソード（陰極）を浸漬させ、直流電圧を印加することによりアノード上に粒子を析出させ、粒子の集合体からなる誘電体膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電気泳動堆積法を用い、強誘電体微粒子の分極方向を揃えて基板上に堆積することによって強誘電体薄膜を形成する。この際に、基板内に形成された電子素子の破壊等の損傷を軽減する。
【解決手段】 強誘電体薄膜の製造方法は、基板１０５が入れられた液体１０３ａと、強誘電体微粒子１０４ｂが分散された分散液１０４ａとを、強誘電体微粒子１０４ｂが分散液１０４ａから液体１０３ａに対して拡散することができるように配置する工程と、分散液１０４ａ中の強誘電体微粒子１０４ｂの周囲に電界を形成して分散液１０４ａ中の強誘電体微粒子１０４ｂを基板１０５に向けて泳動させることにより、基板１０５上に強誘電体微粒子１０４ｂを堆積させる工程とを備え、基板１０５は、分散液１０４ａから所定の距離以上離して配置されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】導電性基板若しくは半導電性基板に設けられた非常に微細な貫通孔の内側表面であっても、均一な絶縁膜を形成することができるとともに、貫通孔の開口部においても内部においても確実に信頼性の高い絶縁膜を形成することができる絶縁膜形成方法を提供すること。
【解決手段】導電性基板若しくは半導電性基板に設けられた貫通孔の内表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成方法として、前記貫通孔の開口部に第１の絶縁膜を形成する工程と、該貫通孔の内表面に第２の絶縁膜を形成する工程と、該第２の絶縁膜を硬化させる工程とを有することを特徴とする。ここで、第１の絶縁膜は、物理的蒸着方法又は化学的蒸着方法によって形成された絶縁膜であり、第２の絶縁膜は、電着塗装によって形成された絶縁膜である。 （もっと読む）